低V
F
SMD肖特基整流桥
反向电压： 20100伏特
正向电流： 2.0安培
器件符合RoHS
特点
卤素免费。
- 对于表面安装应用程序..
- 金属 - 半导体
交界处守卫。
-Epitaxial
建设。
-
极低的正向电压降
.
- 高电流能力
- 塑料材料具有UL可燃性分类94V- 0
在低电压，高频率逆变器，免费使用 - 对于
续流和极性保护应用。
-Pb免费的产品。
0.031(0.80)
0.019(0.50)
0.106(2.7)
0.09(2.3)
COMCHIP
SMD二极管专家
CDBHM220L -HF直通。 CDBHM2100L -HF
MBS-2
0.02(0.5)*45
°
0.275(7.0)MAX
0.067(1.7)
0.057(1.3)
0.051(1.3)
0.035(0.9)
0.165(4.2)
0.150(3.8)
- +
SBXXS
0.014(0.35)
0.006(0.15)
0.043(1.1)
0.027(0.7)
0.067(1.7)
0.057(1.3)
0.193(4.9)
0.177(4.5)
0.106(2.7)
0.09(2.3)
机械数据
-
案例：模压塑料。
-
极性：由阴极频带指示。
- 重量： 0.125克（约） 。
0.008(0.2)
尺寸以英寸
（毫米）
XXX =产品型号标识代码
最大额定值和电气特性
o
评分在T
A
= 25℃ ，除非另有说明。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
参数
符号
220L - 230L HF -HF 240L - 250L HF -HF 260L - 280L HF -HF 290L -HF
2100L-HF
记号
SB22S
SB23S
30
21
30
SB24S
40
28
40
SB25S
50
35
50
2.0
SB26S
60
42
60
SB28S
80
56
80
SB29S
90
63
90
SB210S
100
70
100
CDBHM CDBHM CDBHM CDBHM CDBHM CDBHM CDBHM CDBHM
单位
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流网络版
当前
@T
L
=100
O
C
峰值正向浪涌电流， 8.3ms单
正弦半波叠加在额定负荷
（ JEDEC的方法）
最大正向电压在2.0A DC
反向电流最大DC
在额定阻断电压DC
@T
J
=25 C
@T
J
=100
O
C
O
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
（AV）
20
14
20
V
V
V
A
I
FSM
50
A
V
F
I
R
C
J
R
θJA
T
J
T
英镑
0.55
0.70
1.0
20
125
20
-55到+125
-55到+150
0.85
V
mA
pF
° C / W
°C
°C
典型结电容（注1 ）
典型热阻（注2 ）
工作温度范围
存储温度范围
注： 1.测得1.0MHz和应用反向电压4.0V DC 。
2.热阻结到铅。
REV ：一
QW-JL004
第1页
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F
SMD肖特基整流桥
图。
1 -
正向电流降额曲线
2.8
峰值正向浪涌电流，
（安培）
平均正向电流
（安培）
COMCHIP
SMD二极管专家
额定值和特性曲线（ CDBHM220L -HF直通。 CDBHM2100L -HF ）
图。
2
–
最大不重复浪涌电流
60
2.0
45
1.2
单相
半波
60Hz
电阻或
感性负载
30
0.4
15
0
25
50
75
100
125
150
175
脉冲宽度
8.3mS
单半正弦波
（ JEDEC
法）
0
1
2
5
10
20
50
100
焊接温度
℃
循环次数的AT
60Hz
图3 - 典型正向特性
20
10
瞬时正向电流，
(A)
CDBHM220L-HF~CDBHM240L-HF
图4 - 典型结电容
1000
CDBHM250L-HF~
CDBHM260L-HF
CDBHM280L-HF~CDBHM2100L-HF
电容（PF ）
100
1.0
TJ
= 25 °C
PULSE W IDT
300us
1%
杜牛逼 YCLE
TJ=25
℃
f=1MH
Z
0.1
0
0.1
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
1.7
正向电压，
（伏）
10
0.1
1
10
100
反向电压， （V）的
图5 - 典型的反向特性
100
瞬时反向电流，
（MA ）
10
T
J
=
125
℃
T
J
=
100
℃
1.0
0.1
0.01
T
J
=
25
℃
0.001
0
20
40
60
80
100
120
140
百分之额定峰值反向电压（ ％ ）
REV ：一
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SMD肖特基整流桥
CDBHM220L -G直通。 CDBHM2100L -G
反向电压： 20100伏特
正向电流： 2.0安培
器件符合RoHS
特点
- 对于表面安装应用程序..
- 金属 - 半导体
交界处守卫。
-Epitaxial
建设。
-
极低的正向电压降
.
- 高电流能力
- 塑料材料具有UL可燃性分类94V- 0
在低电压，高频率逆变器，免费使用 - 对于
续流和极性保护应用。
-Pb免费的产品。
0.031(0.80)
0.019(0.50)
0.106(2.7)
0.09(2.3)
MBS-2
0.02(0.5)*45
°
0.275(7.0)MAX
0.067(1.7)
0.057(1.3)
0.051(1.3)
0.035(0.9)
0.165(4.2)
0.150(3.8)
- +
SBXXS
0.014(0.35)
0.006(0.15)
0.043(1.1)
0.027(0.7)
0.067(1.7)
0.057(1.3)
0.193(4.9)
0.177(4.5)
0.106(2.7)
0.09(2.3)
机械数据
-Case ：模压塑料。
-Polarity ：由阴极频带指示。
- 重量： 0.125克（约） 。
0.008(0.2)
尺寸以英寸
（毫米）
XXX =产品型号标识代码
最大额定值和电气特性
评分在T
A
= 25 ℃，除非另有说明。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
符号
参数
CDBHM CDBHM CDBHM CDBHM CDBHM CDBHM CDBHM CDBHM
220L -G 230L -G 240L -G 250L -G 260L -G 280L -G 290L -G 2100L -G
SB23S
30
21
30
SB24S
40
28
40
SB25S
50
35
50
2.0
SB26S
60
42
60
SB28S
80
56
80
SB29S
90
63
90
SB210S
100
70
100
单位
记号
SB22S
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流网络版
当前
@T
L
=100
O
C
峰值正向浪涌电流， 8.3ms单
正弦半波叠加在额定负荷
（ JEDEC的方法）
最大正向电压在2.0A DC
反向电流最大DC
在额定阻断电压DC
@T
J
=25 C
@T
J
=100
O
C
O
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
（AV）
20
14
20
V
V
V
A
I
FSM
50
A
V
F
I
R
C
J
R
θJA
T
J
T
英镑
0.55
0.70
1.0
20
125
20
-55到+125
-55到+150
0.85
V
mA
pF
° C / W
°C
°C
典型结电容（注1 ）
典型热阻（注2 ）
工作温度范围
存储温度范围
注： 1.测得1.0MHz和应用反向电压4.0V DC 。
2.热阻结到铅。
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SMD肖特基整流桥
额定值和特性曲线（ CDBHM220L -G直通。 CDBHM2100L -G ）
图。
1 -
正向电流降额曲线
峰值正向浪涌电流，
（安培）
图。
2
–
最大不重复浪涌电流
60
2.8
平均正向电流
（安培）
2.0
45
1.2
单相
半波
60Hz
电阻或
感性负载
30
0.4
15
脉冲宽度
8.3mS
单半正弦波
（ JEDEC
法）
0
25
50
75
100
125
150
175
0
1
2
5
10
20
50
100
焊接温度
℃
循环次数的AT
60Hz
图3 - 典型正向特性
20
10
瞬时正向电流，
(A)
CDBHM220L-G~CDBHM240L-G
图4 - 典型结电容
1000
CDBHM250L-G~CDBHM260L-G
CDBHM280L-G~CDBHM2100L-G
电容（PF ）
100
1.0
TJ
= 25 °C
PULSE W IDT
300us
1%
杜牛逼 YCLE
TJ=25
℃
f=1MH
Z
0.1
0
0.1
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
1.7
正向电压，
（伏）
10
0.1
1
10
100
反向电压， （V）的
图5 - 典型的反向特性
100
瞬时反向电流，
（MA ）
10
T
J
=
125
℃
T
J
=
100
℃
1.0
0.1
0.01
T
J
=
25
℃
0.001
0
20
40
60
80
100
120
140
百分之额定峰值反向电压（ ％ ）
REV ：一
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