肖特基整流桥
COMCHIP
SMD二极管专家
CDBHD220 -G直通260 -G
反向电压： 20
-
60伏特
正向电流： 2.0安培
–
+
~
~
微型DIP
.106(2.7)
.090(2.3)
C .02(0.5)
.043(1.1)
.027(0.7)
特点
肖特基芯片的桥梁
金属半导体结与保护环
Highsurge电流能力
硅外延平面芯片
对于使用低电压，高效率逆变器，
续流和极性保护应用
无铅部分，符合RoHS要求
~
+
~
–
.031(0.8)
.019(0.5)
.165(4.2)
.150(3.8)
.275(7.0)
马克斯。
机械
数据
案例：小型DIP桥（ TO- 269AA ）塑胶塑料外壳
环氧： UL94 -V0额定阻燃
终端：每MIL -STD- 750方法2026
极性：对人体标示
安装位置：任意
重量： 0.0078盎司， 0.22克
.193(4.90)
.177(4.50)
.067(1.7)
.057(1.3)
.016(0.41)
.006(0.15)
.051(1.3)
.035(0.9)
.106(2.7)
.090(2.3)
.008(0.2)
马克斯。
.114(2.90)
.094(2.40)
单位：英寸（毫米）
最大额定值和电气特性
在25 ° C环境温度，除非另有规定等级
CDBHD
-
符号
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
0.2x0.2 “ （ 5.0x5.0mm ）铜焊盘面积，
见图1
峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波superimp osed上
额定负荷（ JEDEC我的ThOD ）
220
20
14
20
240
40
28
40
260
60
42
60
单位
伏
伏
伏
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
AV
2.0
安培
I
FSM
V
F
I
R
50.0
0.50
0.5
20.0
150
安培
0.70
伏
mA
最大正向电压在1.0A （注1 ）
反向电流最大DC
在额定阻断电压DC
典型结电容（注2 ）
典型热阻（注3 ）
工作结温范围
存储温度范围
:
记
1.脉冲测试： 300μS PU LSE无线嗞， 1 ％都TY CY CLE
T
A
=
25°C
T
A
= 100
°C
C
J
R
θJA
R
θJL
T
J
T
英镑
pF
85.0
20.0
-55 ~ +125
-55 ~ +150
° C / W
°C
°C
4.0伏特2.我在1.0MH asured的 AP合股反向武ltage
从结点3热表面耐关环境和交界处领导PCB莫unted在0 2x0.2 “ （ 5.0x5.0mm ）有限公司PPER PA AR EAS 。
MDS0703001A
第1页
肖特基整流桥
图1 - 正向电流降额曲线
平均正向电流（ A）
峰值正向浪涌电流（ A）
2.4
2.0
1.6
CDBHD220-G
- 260-G
COMCHIP
SMD二极管专家
图。 2 - 最大非重复峰值
正向浪涌电流
100
1.2
0.8
0.4
单相半波60HZ
负载电阻或电感
3.75 “设计（9.5mm ）引线长度
10
T
L
=110°C
8.3ms单半正弦波
（ JEDEC的方法）
1
1
10
100
0
25
50
75
100
125
150
175
焊接温度（ ° C）
循环次数在60赫兹
10
瞬时反向电流（mA ）
图。 3 - 典型INSTANTANEOUR FORWARD
特征
正向电流（A ）
图。 4A - 典型的反向特性
100
CDBHD260-G
10
T
J
=125°C
T
J
=100°C
CDBHD220-G
- 240-G
1.0
T
J
=75°C
0.1
1.0
0.01
T
J
=25°C
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
0.001
0
20
40
60
80
100
120
140
正向电压（伏）
额定峰值反向电压百分比（ ％ ）
图。 5 - 典型结电容
1000
结电容（pF ）
100
T
J
=25°C
f=1.0MHz
10
0.1
1.0
10
100
反向电压（伏）
MDS0703001A
第2页
低V
F
SMD肖特基整流桥
CDBHD220 -G直通。 CDBHD2100 -G
反向电压： 20100伏特
正向电流： 2.0安培
器件符合RoHS
特点
-Schottky屏障芯片TO- 269AA桥梁。
- 金属半导体结与保护环。
- 硅外延平面芯片。
- 非常低正向压降降低电压。
在低电压，高效率逆变器，免费使用 - 对于
续流和极性保护应用。
-Lead无零件符合RoHS环保质量要求。
- UL认可文件
#
E321971
~
~
.165(4.2)
.150(3.8)
.008(0.2)
.275(7.0)
最大
.043(1.1)
.193(4.9)
.027(0.7)
~
S
MD
XX
X
-
+
~
TO-269AA
MDS
XXX
+
.031(0.8)
.019(0.5)
机械数据
-Case ： TO- 269AA ，模压塑料。
-Terminals ：每MIL -STD- 750可焊性，
方法2026 。
-Polarity ：标记体。
-Mounting位置：任意。
- 重量： 0.22
克（约） 。
.177(4.5)
.106(2.7)
.090(2.3)
.106(2.7)
.090(2.3)
尺寸以英寸
（毫米）
最大额定值和电气特性
参数
马克斯。反向重复峰值
电压
马克斯。阻断电压DC
马克斯。 RMS电压
马克斯。瞬间向前
电压为2.0A
正向平均整流
当前
2.0X2.0”(5.0x5.0mm)
铜垫，
见图1
在负荷率
（ JEDEC
梭）
条件
符号
CDBHD CDBHD CDBHD CDBHD CDBHD
单位
220-G
240-G
260-G
280-G
2100-G
V
RRM
V
RMS
V
R
V
F
I
AV
I
FSM
20
14
20
0.5
40
28
40
60
42
60
0.70
2.0
50
0.5
80
56
80
0.85
100
70
100
V
V
V
V
A
A
峰值正向浪涌电流
8.3ms
单半正弦波叠加
V
R
=V
RRM
T
A
=25°C
反向电流
V
R
=V
RRM
T
A
=100°C
结到环境
I
R
20
R
θJA
R
θJL
C
J
T
J
T
英镑
-55到+125
-65到+175
85
mA
热阻
交界处领导
° C / W
20
150
-55到+150
pF
°C
°C
二极管的结电容
工作结
温度
Sorage温度
F = 1MHz的和应用
4V
采用直流反接电压
REV ： B
QW-BL011
第1页
COMCHIP科技有限公司。
低V
F
SMD肖特基整流桥
额定值和特性曲线（ CDBHD220 -G直通。 CDBHD2100 -G ）
图。
2 -
最大非重复峰值
正向浪涌电流
100
Fig.1
-
正向电流降额曲线
平均正向电流，
(A)
2.4
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
CDBHD220-G
~CDBHD260-G
CDBHD280-G~CDBHD2100-G
峰值正向浪涌电流，
(A)
10
单相半波
60Hz
负载电阻或电感
3.75”(9.5mm)
导线长度
25
50
75
100
125
150
175
T
L
=110°C
8.3mS
单一正弦半波
（ JEDEC
法）
1
1
10
100
焊接温度
( °C)
循环次数的AT
60
Hz
图。
3 -
典型Instantaneour前进
特征
瞬时反向电流，
（MA ）
10
图。
4A -
典型的反向特性
100
CDBHD220-G
~
CDBHD260-G
瞬时正向电流，
(A)
脉冲宽度
=300 S
1%
占空比，T
j
=25 °C
1.0
CDBHD220-G
~
CDBHD240-G
10
T
J
=125 °C
T
J
=100 °C
1.0
T
J
=75 °C
0.1
0.1
CDBHD260-G
0.01
CDBHD280-G
~
CDBHD2100-G
T
J
=25 °C
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0.001
0
20
40
60
80
100
120
140
正向电压
（伏）
百分比额定峰值反向电压
( %)
图。
5 -
典型结电容
瞬时反向电流，
( A)
1000
图。
4B -
典型的反向特性
10000
CDBHD280-G
~
CDBHD2100-G
结电容
（PF ）
1000
T J = 150
°C
T J = 125
°C
100
10
T J = 100
°C
100
T
J
=25 °C
f=1.0MHz
1.0
T
J
=25 °C
10
0.1
1.0
10
100
0.1
0
20
40
60
80
100
反向电压
（伏）
百分比额定峰值反向电压
( %)
REV ： B
QW-BL011
第2页
COMCHIP科技有限公司。
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