SMD肖特基势垒整流器
SMD二极管专家
CDBFN120 -G直通CDBFN1100 -G
电压： 20100伏特
电流： 1.0安培
器件符合RoHS
特点
-
批量处理的设计，卓越的鲍威
散热提供了更好的反向漏
电流。
- 低轮廓表面安装应用程序
为了优化电路板空间。
- 低功耗，高效率。
- 高电流能力，低正向电压
村落。
- 高浪涌能力。
-Guardring过电压保护。
- 非常INY塑料SMD封装。
- 超高速开关。
- 硅外延planarchip ，金属硅
结。
-Lead无零件符合环保
标准MIL -STD -二百二十八分之一万九千五
SOD-323
0.106 (2.70)
0.091 (2.3)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
0.057 (1.45)
0.041 (1.05)
0.047 (1.2)
0.031 (0.8)
机械数据
0.016 （ 0.4 ）典型值。
0.016 （ 0.4 ）典型值。
-Case ： JEDEC SOD- 323 ，模压塑料
-Terminals ： Solde镀金，每焊
MIL- STD- 750方法2026 。
尺寸以英寸（毫米）
-Polarity ：由阴极频带指示。
-Mounting位置：任意
- 重量： 0.008克（约） 。
最大额定值
（在T
A
=25
O
C除非另有说明）
参数
反向重复峰值电压
最大RMS电压
连续反向电压
最大正向电压@I
F
=1.0A
正向整流电流
正向浪涌电流， 8.3ms的正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
反向电流V
R
=V
RRM
@T
A
=25
C
@T
A
=125
C
典型值。热阻，结到环境空气
典型值。二极管结电容（注1 ）
工作结温
储存温度
注1 ： F = 1MHz的应用和4V直流反向电压。
O
O
符号
CDBFN CDBFN CDBFN CDBFN CDBFN CDBFN CDBFN
单位
120-G
20
14
20
130-G
30
21
30
0.55
140-G
40
28
40
150-G
50
35
50
160-G
60
42
60
180-G
80
56
80
1100-G
100
70
100
V
RRM
V
RMS
V
R
V
F
I
O
I
FSM
V
V
V
V
A
A
0.70
0.85
1.0
30
0.5
10
90
120
-55到+125
-65到+150
-55到+150
O
I
R
R
θJA
C
J
T
J
T
英镑
mA
C / W
pF
O
C
C
O
REV ：D
QW-BB022
第1页
COMCHIP科技有限公司。
SMD肖特基势垒整流器
SMD二极管专家
收视率和特性曲线（ CDBFN120 -G直通CDBFN1100 -G ）
图1典型正向电流
降额曲线
1.3
图2典型正向特性
100
I
F
，正向电流（A）
I
O
，场均正向电流（ A）
1.0
5
FN1
CD B
10
C
12
FN
DB
~C
0-G
D
N1
BF
-G
40
CD B
2
FN1
1
CD
N1
BF
5
DB
~C
-
0 -G
0-G
1
FN
-G
60
0-G
11
BFN
μcd
0-G
00-G
~C
0
11
FN
DB
14
BFN
μcd
0 -G
0.5
CD
8
N1
BF
0-G
0.1
T
J
=25 C
脉冲宽度300μS
1 ％占空比
O
0
0
50
100
150
O
200
0.01
0.1
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
T
A
，环境TemperatureC ）
(
V
F
，正向电压（ V）
图3最大非重复性峰值
正向浪涌电流
30
350
图4典型结电容
I
FSM
，峰值正向浪涌电流（ A）
C
J
，结电容（pF ）
24
T
J
=25
O
C
8.3ms单半
正弦波， JEDEC
法
300
250
200
150
100
50
0
0.01
18
12
6
0
1
10
100
0.1
1
10
100
循环次数在60Hz
V
R
，反向电压（V）的
图5是典型的反向特性
100
I
R
，反向电流（毫安）
10
1
T
J
=75 C
O
0.1
T
J
=25 C
O
0.01
0
20
40
60
80
100
120
140
1999额定峰值反向电压百分比（％ ）
REV ：D
QW-BB022
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SMD肖特基势垒整流器
CDBFN120 -G直通。 CDBFN1100 -G
电压： 20100伏特
电流： 1.0安培
器件符合RoHS
特点
-batch
工艺设计，出色的功耗
提供了更好的反向漏电流。
- 低轮廓表面安装应用程序
为了优化电路板空间。
- 低功耗，高效率。
- 高电流能力，低正向电压村落。
- 高浪涌能力。
-Guardring过电压保护。
- 非常INY塑料SMD封装。
- 超高速开关。
- 硅外延planarchip ，金属硅交界处。
-Lead无零件符合环保
标准MIL -STD -二百二十八分之一万九千五
0.047 (1.2)
0.031 (0.8)
0.106 (2.70)
0.091 (2.3)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
SOD-323
0.057 (1.45)
0.041 (1.05)
机械数据
-Case ： JEDEC SOD- 323 ，模压塑料
-Terminals ： Solde镀金，每焊
MIL- STD- 750方法2026 。
-Polarity ：由阴极频带指示。
-Mounting位置：任意
- 重量： 0.008克（约） 。
0.016 （ 0.4 ）典型值。
0.016 （ 0.4 ）典型值。
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值
（在T = 25 ° C除非另有说明）
A
参数
反向重复峰值电压
最大RMS电压
连续反向电压
最大正向电压@I
F
=1.0A
正向整流电流
正向浪涌电流， 8.3ms的正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
反向电流V
R
=V
RRM
@T
A
=25
C
@T
A
=125
C
典型值。热阻，结到环境空气
典型值。二极管结电容（注1 ）
工作结温
储存温度
注1 ： F = 1MHz的应用和4V直流反向电压。
O
O
符号
CDBFN CDBFN CDBFN CDBFN CDBFN CDBFN CDBFN
单位
120-G
20
14
20
130-G
30
21
30
0.55
140-G
40
28
40
150-G
50
35
50
160-G
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42
60
180-G
80
56
80
1100-G
100
70
100
V
RRM
V
RMS
V
R
V
F
I
O
I
FSM
V
V
V
V
A
A
0.70
0.85
1.0
30
0.5
10
90
120
-55到+125
-65到+150
-55到+150
O
I
R
R
θJA
C
J
T
J
T
英镑
mA
C / W
pF
O
C
C
O
REV ：电子
QW-BB022
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SMD肖特基势垒整流器
收视率和特性曲线（ CDBFN120 -G直通CDBFN1100 -G ）
图1典型正向电流
降额曲线
1.3
图2典型正向特性
100
I
F
，正向电流（A）
I
O
，场均正向电流（ A）
1.0
5
FN1
CD B
10
CD
2
N1
BF
~C
0 -G
D
N1
BF
-G
40
CD B
2
FN1
1
CD
N1
BF
50
~
-G
-
B
CD
0
16
FN
-G
0-G
11
BFN
μcd
0-G
00- G
0.5
CD
8
N1
BF
0 -G
~C
0
11
FN
DB
14
BFN
μcd
0 -G
0-G
0.1
T
J
=25 C
脉冲宽度300μS
1 ％占空比
O
0
0
50
100
150
O
200
0.01
0.1
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
T
A
，环境TemperatureC ）
(
V
F
，正向电压（ V）
图3最大非重复性峰值
正向浪涌电流
30
350
图4典型结电容
I
FSM
，峰值正向浪涌电流（ A）
C
J
，结电容（pF ）
24
T
J
=25
O
C
8.3ms单半
正弦波， JEDEC
法
300
250
200
150
100
50
0
0.01
18
12
6
0
1
10
100
0.1
1
10
100
循环次数在60Hz
V
R
，反向电压（V）的
图5是典型的反向特性
100
I
R
，反向电流（毫安）
10
1
T
J
=75 C
O
0.1
T
J
=25 C
O
0.01
0
20
40
60
80
100
120
140
1999额定峰值反向电压百分比（％ ）
REV ：电子
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