低VF低IR SMD肖特基势垒整流器
CDBC320LR -HF直通。 CDBC3200LR -HF
反向电压： 20 200伏特
正向电流： 3.0安培
器件符合RoHS
无卤
特点
- 低型材表面贴装应用
为了优化电路板空间。
- 低功耗，高效率。
-Hight电流能力，低正向电压降。
-Hight浪涌能力。
-Guardring过电压保护。
- 超高速开关。
- 硅平面外延片，金属硅交界处。
0.280 (7.11)
0.260 (6.60)
0.019 (0.485)
马克斯。
0.114 (2.90)
0.075 (1.90)
DO- 214AB （ SMC）的
0.126 (3.20)
0.114 (2.90)
0.245 (6.22)
0.220 (5.59)
机械数据
- 环氧： UL94 -V0率阻燃。
-Case ：模压塑料， DO- 214AB / SMC
-Terminals ：每MIL -STD- 750可焊性，
方法2026 。
-Polarity ：由阴极频带指示。
- 重量： 0.226克
0.063 (1.60)
0.030 (0.76)
0.008(0.20)
0.004(0.10)
0.325 (8.25)
0.305 (7.75)
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值和电气特性
在Ta = 25°C等级，除非另有说明。
单相半波，60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
参数
马克斯。重复峰值反向电压
马克斯。阻断电压DC
马克斯。 RMS电压
马克斯。瞬时正向电压
@ 3.0A ，T
A
=25°C
工作温度
符号
V
RRM
V
DC
V
RMS
V
F
T
J
CDBC
CDBC
CDBC
CDBC
CDBC
CDBC
单位
320LR -HF 340LR -HF 360LR -HF 3100LR -HF 3150LR -HF 3200LR -HF
20
20
14
0.40
40
40
28
0.45
60
60
42
0.55
100
100
70
0.75
150
150
105
0.82
200
200
140
0.85
V
V
V
V
°C
-50至+150
-50到+175
参数
正向整流电流
正向浪涌电流
反向电流
见图1
条件
符号
I
O
I
FSM
I
R
I
R
R
θJA
C
J
T
英镑
分钟。
典型值。
马克斯。
3.0
125
0.5
20
单位
A
A
mA
mA
° C / W
pF
8.3ms单半正弦波叠加
在负荷率（ JEDEC的方法）
V
R
=V
RRM
T
A
=25°C
V
R
=V
RRM
T
A
=100°C
热阻
二极管的结电容
储存温度
结到环境
f=1MH
Z
和应用4V直流反接电压
55
250
-50
+175
°C
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低VF低IR SMD肖特基势垒整流器
额定值和特性曲线（ CDBC320LR -HF直通。 CDBC3200LR -HF ）
图1 - 典型正向电流
降额曲线
瞬时正向电流（ A）
CD
图2 - 典型的正向特性
100
-H F
平均正向电流（ A）
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
C 32
CD B
0 LR
1
BC3
μcd
-H F
0 0L
10
3.0
1.0
CD
BC
LR
3 20
μcd
-HF
34
BC
0LR
1
BC3
50 L
R 3 -H
D
F-
2
BC3
00L
-H
F
C
6
C3
DB
0L
HF
R-
HF
R-
0.1
CD
BC
0
31
0L
R-
3
BC
CD
~
HF
2
L
00
-H
F
T
J
=25°C
脉宽300US
1 ％占空比
0
25
50
75
100
125
150
175
0.01
0.1
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
环境温度， （℃）
正向电压（ V）
图3 - 最大非重复性
正向浪涌电流
150
图4 - 典型结电容
700
600
500
400
300
200
100
峰值正向浪涌电流（ A）
T
J
=25°C
8.3ms单半正弦
波， JEDEC的方法
120
90
60
30
0
结电容（PF ）
1
10
100
0
0.01
0.1
1
10
100
循环次数在60Hz
反向电压， （V）的
图5 - 典型的反向特性
100
反向漏电流（毫安）
10
1.0
T
J
=125 °C
0.1
T
J
=25 °C
0.01
0
20
40
60
80
100
120
140
额定峰值反向电压的百分比（ ％ ）
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