SMD肖特基势垒整流器
CDBB520 -G直通。 CDBB5100 -G
反向电压： 20100伏特
正向电流： 5.0安培
器件符合RoHS
特点
- 理想的表面贴装应用。
在低电压，高频率inventers - 对于使用。
-Epitaxial建设。
- 金属半导体结与护卫。
- 高电流能力。
- 低正向压降。
0.086(2.20)
0.077(1.95)
0.155(3.94)
0.130(3.30)
0.180(4.57)
0.160(4.06)
DO- 214AA （ SMB ）
机械数据
-Case ： JEDEC DO- 214AA ，模压塑料。
-Terminals ：每MIL -STD- 750可焊性，
方法2026 。
-Polarity ：颜色频带端为负极。
-Approx 。重量： 0.093克
0.096(2.44)
0.084(2.13)
0.060(1.52)
0.030(0.76)
0.220(5.59)
0.205(5.21)
0.012(0.31)
0.006(0.15)
0.008(0.20)
马克斯。
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值和电气特性
参数
马克斯。重复峰值反向电压
马克斯。阻断电压DC
马克斯。 RMS电压
峰值正向电流浪涌， 8.3ms的
单半正弦波叠加
在负荷率（ JEDEC的方法）
马克斯。正向平均整流
目前在TL = 90℃
马克斯。瞬时正向电压
在5.0A DC @T
C
=100°C
马克斯。 DC反向电流在T
J
=25°C
额定阻断电压DC牛逼
J
=100°C
马克斯。工作结温
马克斯。热阻
马克斯。工作结温
储存温度
符号
V
RRM
V
DC
V
RMS
CDBB
520-G
20
20
14
CDBB
530-G
30
30
21
CDBB
540-G
40
40
28
CDBB
550-G
50
50
35
CDBB
560-G
60
60
42
CDBB
580-G
80
80
56
CDBB
5100-G
100
100
70
单位
V
V
V
I
FSM
175
A
I
（AV）
0.55
5.0
A
V
F
0.70
0.5
20
300
50
10
-55到+125
-55到+150
2
V
I
R
C
J
R
θJA
R
θJL
T
J
T
英镑
mA
P
F
° C / W
°C
°C
注： 1.测得1.0MHz和应用反向电压4.0V DC 。
2.热阻结到铅。
REV ：一
QW-BB036
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SMD肖特基势垒整流器
额定值和特性曲线（ CDBB520 -G通CDBB5100 -G ）
图1 - 正向电流降额曲线
7.0
300
图2 - 最大非重复性
浪涌电流
平均正向电流（ A）
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
峰值正向浪涌电流（ A）
250
8.3ms单半正弦
波， JEDEC的方法
200
150
100
0
0
单相
半波60Hz的
电阻或
感性负载
25
50
75
100
125
150
175
50
0
1
5
10
100
环境温度， （℃）
循环次数在60Hz
图3 - 典型瞬时
正向特性
100
1000
4
B5
DB
0-
G
图4 - 典型结电容
瞬时正向电流（ A）
10
CD
1.0
C
50
B5
DB
~C
-G
1
B5
DB
00
-G
电容（PF ）
52
BB
C
G~
0-
100
0.1
T
J
=25 C
脉冲宽度300μS
1 ％占空比
O
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
10
TJ = 25°C ， F = 1MH
Z
0.1
1.0
4.0
10.0
100
瞬时正向电压（V）的
反向电压， （V）的
图5 - 典型的反向特性
100
瞬时反向电流（毫安）
T
J
=125°C
10
1.0
T
J
=100°C
0.1
0.01
T
J
=25
O
C
0.001
0
20
40
60
80
100
120
140
额定峰值反向电压的百分比（ ％ ）
REV ：一
QW-BB036
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SMD肖特基势垒整流器
SMD二极管专家
CDBB540 -G直通。 CDBB5100 -G
反向电压： 40,60,100伏
正向电流： 5.0安培
器件符合RoHS
特点
-batch工艺设计，出色的鲍威
散热提供了更好的反向漏
电流和耐热性。
- 低轮廓表面安装应用程序
为了优化电路板空间。
- 低功耗，高效率。
- 高电流能力，低正向电压村落。
- 高浪涌能力。
-Guardring过电压保护。
- 超高速开关。
- 硅平面外延片，金属硅交界处。
-Lead无零件符合环保
标准MIL -STD -二百二十八分之一万九千五
SMB-1
0.213(5.4)
0.197(5.0)
0.016 （ 0.4 ）典型值。
0.142(3.6)
0.126(3.2)
0.168(4.2)
0.150(3.8)
机械数据
-Case ：
模压塑料， JEDEC SMB 。
-Terminals ： Solde镀金，每焊
MIL- STD- 750方法2026 。
-Polarity ：由阴极频带指示。
-Mounting位置：任意
- 重量： 0.09克（约） 。
0.075(1.9)
0.067(1.7)
0.040 （ 1.0 ）典型值。
0.040 （ 1.0 ）典型值。
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值
（在T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
反向重复峰值电压
最大RMS电压
连续反向电压
最大正向电压@I
F
=1.0A
正向整流电流
正向浪涌电流， 8.3ms的正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
反向电流V
R
=V
RRM
@T
A
=25°C
@T
A
=125°C
典型值。热阻，结到环境空气
典型值。二极管结电容（注1 ）
工作结温
储存温度
注1 ： F = 1MHz的应用和4V直流反向电压。
符号
V
RRM
V
RMS
V
R
V
F
I
O
I
FSM
I
R
R
θJA
C
J
T
J
T
英镑
CDBB540-G
40
28
40
0.55
CDBB560-G
60
42
60
0.75
5.0
150
0.5
50
12
380
CDBB5100-G
100
70
100
0.85
单位
V
V
V
V
A
A
mA
° C / W
pF
-55到+150
-55到+125
-65到+175
°C
°C
REV ：一
QW-BB028
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SMD肖特基势垒整流器
SMD二极管专家
评级和特性曲线（ CDBB540 -G直通。 CDBB5100 -G ）
图1反向特性
100
100
6
B5
DB
图2正向特性
-G
0-
G
BB
5
I
R
，反向电流（毫安）
Ι
F
，正向电流（ A）
C
CD
10
10
C
B5
DB
10
0-
1
T
J
=75°C
1
0.1
T
J
=25°C
0.1
0.01
0
40
80
120
160
200
0.01
0.1
0.5
0.9
1.3
1.7
2.1
1999额定峰值反向电压百分比（％ ）
图3结电容
1400
7
图4电流降额曲线
C
J
，结电容（pF ）
1200
1000
800
600
400
200
0
0.01
I
O
，平均正向电流（ A）
f=1MHz
应用4VDC
反向电压
6
5
4
CD
40
G
V
F
，正向电压（ V）
CD
54
BB
5
BB
3
2
1
0
60
0-G
.C
-G
1
B5
DB
00
-G
0.1
1
10
100
20
40
60
80
100
120
140
160
V
R
，反向电压（V）的
T
A
，环境温度（ ° C）
图5非重复性转发
浪涌电流
150
I
FSM
，峰值正向浪涌电流（ A）
T
J
=25°C
8.3ms单半正弦
波， JEDEC的方法
120
90
60
30
0
1
10
100
循环次数在60Hz
REV ：一
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