SMD肖特基势垒整流器
CDBB2150 -HF直通。 CDBB2200 -HF
反向电压: 150 200伏
正向电流: 2.0安培
器件符合RoHS
无卤
特点
- 低型材表面贴装应用
为了优化电路板空间。
- 低功耗,高效率。
- 高电流能力,低正向压降。
- 高浪涌能力。
-Guarding过电压保护。
- 超高速开关。
- 硅平面外延片,金属硅交界处。
0.012 (0.31)
马克斯。
0.098 (2.50)
0.083 (2.10)
DO- 214AA ( SMB )
0.087 (2.20)
0.075 (1.90)
0.157 (4.00)
0.130 (3.30)
0.189 (4.80)
0.157 (4.00)
机械数据
- 环氧: UL94 -V0率阻燃。
-Case :模压塑料, DO- 214AA / SMB
-Terminals :每MIL -STD- 750可焊性,
方法2026 。
-Polarity :由阴极频带指示。
- 重量: 0.091克
0.063 (1.60)
0.028 (0.70)
0.008(0.21)
马克斯。
0.220 (5.60)
0.197 (5.00)
尺寸以英寸(毫米)
最大额定值和电气特性
在Ta = 25°C等级,除非另有说明。
单相半波,60赫兹,电阻或电感性负载。
对于容性负载,减免电流20 % 。
参数
马克斯。重复峰值反向电压
马克斯。阻断电压DC
马克斯。 RMS电压
马克斯。瞬时正向电压@
2.0A ,T
A
=25°C
工作温度
符号
V
RRM
V
DC
V
RMS
V
F
T
J
CDBB
2150-HF
150
150
105
0.87
-50到+175
CDBB
2200-HF
200
200
140
0.90
单位
V
V
V
V
°C
参数
正向整流电流
正向浪涌电流
反向电流
见图1
条件
符号
I
O
I
FSM
I
R
I
R
R
θJA
C
J
T
英镑
分钟。
典型值。
马克斯。
2.0
50
0.5
20
单位
A
A
mA
mA
° C / W
pF
8.3ms单半正弦波叠加
在负荷率( JEDEC的方法)
V
R
=V
RRM
T
A
=25°C
V
R
=V
RRM
T
A
=100°C
热阻
结到环境
50
30
-50
+175
二极管的结电容F = 1MH
Z
和应用4V直流反接电压
储存温度
°C
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SMD肖特基势垒整流器
额定值和特性曲线( CDBB2150 -HF直通。 CDBB2200 -HF )
图1 - 典型正向电流
降额曲线
瞬时正向电流( A)
100
图2 - 典型的正向特性
2.4
平均正向电流( A)
10
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
1.0
0.1
T
J
=25°C
脉宽300US
1 %占空比
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0.01
0.1
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
环境温度, (℃)
正向电压( V)
图3 - 最大非重复正向
浪涌电流
50
T
J
=25
O
C
8.3ms单半正弦
波, JEDEC的方法
图4 - 典型结电容
700
600
P·E A K F R W A R 的SuI R G é姜黄素简吨, ( A)
结电容(PF )
40
500
400
300
30
20
200
100
10
0
1
10
100
0
0.01
0.1
1
10
100
循环次数在60Hz
反向电压, (V)的
图5 - 典型的反向特性
100
反向漏电流(毫安)
10
1
T
J
=75°C
0.1
T
J
=25°C
0.01
0
40
80
120
160
200
额定峰值反向电压的百分比( % )
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