低VF低IR SMD肖特基势垒整流器
CDBB120LR -HF直通。 CDBB1200LR -HF
反向电压: 20 200伏特
正向电流: 1.0安培
器件符合RoHS
无卤
特点
- 低型材表面贴装应用
为了优化电路板空间。
- 低功耗,高效率。
-Hight电流能力,低正向电压降。
-Hight浪涌能力。
-Guardring过电压保护。
- 超高速开关。
- 硅平面外延片,金属硅交界处。
0.189 (4.80)
0.157 (4.00)
0.012 (0.31)
马克斯。
0.098 (2.50)
0.083 (2.10)
DO- 214AA ( SMB )
0.087 (2.20)
0.075 (1.90)
0.157 (4.00)
0.130 (3.30)
机械数据
- 环氧: UL94 -V0率阻燃。
-Case :模压塑料, DO- 214AA / SMB
-Terminals :每MIL -STD- 750可焊性,
方法2026 。
-Polarity :由阴极频带指示。
- 重量: 0.091克
0.063 (1.60)
0.028 (0.70)
0.008(0.21)
马克斯。
0.220 (5.60)
0.197 (5.00)
尺寸以英寸(毫米)
最大额定值和电气特性
在Ta = 25°C等级,除非另有说明。
单相半波,60赫兹,电阻或电感性负载。
对于容性负载,减免电流20 % 。
参数
马克斯。重复峰值反向电压
马克斯。阻断电压DC
马克斯。 RMS电压
马克斯。瞬时正向电压
@ 1.0A ,T
A
=25°C
工作温度
符号
V
RRM
V
DC
V
RMS
V
F
T
J
CDBB
CDBB
CDBB
CDBB
CDBB
CDBB
单位
120LR -HF 140LR -HF 160LR -HF 1100LR -HF 1150LR -HF 1200LR -HF
20
20
14
0.40
40
40
28
0.45
60
60
42
0.55
100
100
70
0.75
150
150
105
0.82
200
200
140
0.85
V
V
V
V
°C
-50至+150
-50到+175
参数
正向整流电流
正向浪涌电流
反向电流
见图1
条件
符号
I
O
I
FSM
I
R
I
R
R
θJA
C
J
T
英镑
分钟。
典型值。
马克斯。
1.0
50
0.5
20
单位
A
A
mA
mA
° C / W
pF
8.3ms单半正弦波叠加
在负荷率( JEDEC的方法)
V
R
=V
RRM
T
A
=25°C
V
R
=V
RRM
T
A
=100°C
热阻
二极管的结电容
储存温度
结到环境
f=1MH
Z
和应用4V直流反接电压
88
120
-50
+175
°C
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低VF低IR SMD肖特基势垒整流器
额定值和特性曲线( CDBB120LR -HF直通。 CDBB1200LR -HF )
图1 - 典型正向电流
降额曲线
瞬时正向电流( A)
1.2
CD
1
BB1
图2 - 典型的正向特性
100
HF
L R-
平均正向电流( A)
1.0
0
B12
国开行
10
3.0
1.0
CD
20
BB1
C
HF
LR -
0
B14
DB
0L
C
6
B1
DB
HF
R-
F
-H
5 0L
R 3 -H
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
11
BB
CD
0L
D
~C
HF
R-
1
BB
0
20
LR
D
F-
国开行
HF
LR-
00
B11
HF
LR-
2 00
BB1
HF
LR -
0.1
T
J
=25°C
脉宽300US
1 %占空比
0
25
50
75
100
125
150
175
0.01
0.1
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
环境温度, (℃)
正向电压( V)
图3 - 最大非重复性
正向浪涌电流
50
图4 - 典型结电容
350
300
250
200
150
100
50
峰值正向浪涌电流( A)
T
J
=25°C
8.3ms单半正弦
波, JEDEC的方法
40
30
20
10
0
结电容(PF )
1
10
100
0
0.01
0.1
1
10
100
循环次数在60Hz
反向电压, (V)的
图5 - 典型的反向特性
100
反向漏电流(毫安)
10
1.0
T
J
=125 °C
0.1
T
J
=25 °C
0.01
0
20
40
60
80
100
120
140
额定峰值反向电压的百分比( % )
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