超低VF SMD肖特基势垒整流器
CDBA120SL-G
反向电压: 20伏
正向电流: 1.0安培
器件符合RoHS
特点
- 低型材表面贴装应用
为了优化电路板空间。
- 低功耗,高效率。
- 高电流能力,低正向压降。
- 高浪涌能力。
-Guardring过电压保护。
- 超高速开关。
- 硅平面外延片,金属硅交界处。
0.062 (1.60)
0.055 (1.40)
SMA -F
0.114 (2.90)
0.098 (2.50)
0.181 (4.60)
0.157 (4.00)
0.012 (0.30)
0.006 (0.15)
0.096 (2.44)
0.079 (2.00)
机械数据
- 环氧: UL94 -V0率阻燃。
-Case :模压塑料, DO- 214AC / SMA -F
-Terminals :焊接镀,每MIL -STD- 750 ,
方法2026 。
-Polarity :由阴极频带指示。
- 重量: 0.064克(约)
0.060 (1.52)
0.030 (0.78)
0.008(0.20)
0.002(0.05)
0.208 (5.28)
0.189 (4.80)
尺寸以英寸(毫米)
电路图
1
2
最大额定值和电气特性
在Ta = 25°C等级,除非另有说明。
单相半波,60赫兹,电阻或电感性负载。
对于容性负载,减免电流20 % 。
参数
马克斯。重复峰值反向电压
马克斯。 RMS电压
马克斯。连续反向电压
马克斯。正向电压@I
F
=1.0A
工作温度
符号
V
RRM
V
RMS
V
R
V
F
T
J
CDBA120SL-G
20
14
20
0.31
-55到+100
单位
V
V
V
V
°C
参数
正向整流电流
正向浪涌电流
反向电流
见图1
条件
符号
I
O
I
FSM
I
R
I
R
R
θJA
C
J
T
英镑
分钟。
典型值。
马克斯。
1.0
30
1.0
20
单位
A
A
mA
mA
° C / W
pF
8.3ms单半正弦波叠加
在负荷率( JEDEC的方法)
V
R
=V
RRM
T
A
=25°C
V
R
=V
RRM
T
A
=100°C
热阻
结到环境
70
160
-55
+150
二极管的结电容F = 1MH
Z
和应用4V直流反接电压
储存温度
°C
REV :一
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QW-BL015
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