CD74HCU04
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS127D
1998年2月 - 修订2004年5月
高速CMOS逻辑器件
六反相器
描述
该CD74HCU04无缓冲六反相器采用硅栅
CMOS技术来实现操作速度相似
输入通道门，与标准的低功率消耗
CMOS集成电路。这些器件特别是有用的
在晶体振荡器和模拟应用。
特点
[ /标题
(CD74
HCU04
)
/子
拍摄对象
（高
速度
CMOS
逻辑
（十六进制）
逆变器
典型传播延迟：为6ns在V
CC
= 5V,
C
L
= 15pF的，T
A
= 25
o
C，最快的部分在QMOS线
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HCU类型
- 2 V至6 V的操作
- 高抗噪性：不适用
IL
= 20%, N
IH
的= 30％
V
CC
在V
CC
= 5V
CMOS兼容输入，我
l
≤
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD74HCU04E
CD74HCU04M
CD74HCU04MT
CD74HCU04M96
CD74HCU04PWR
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
包
14 Ld的PDIP
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的TSSOP
注：订货时，使用整个零件编号。该SUF网络XES
96和R表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示小型
量卷轴250 。
引脚
CD74HCU04
（ PDIP ， SOIC ， TSSOP ）
顶视图
1A 1
1Y 2
2A 3
2Y 4
3A 5
3Y 6
7 GND
14 V
CC
13 6A
12 6Y
11 5A
10 5Y
9 4A
8 4Y
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2004年，德州仪器
1
CD74HCU04
绝对最大额定值
直流电源电压，V
CC
电压参考地。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至+ 7V
DC输入二极管电流，I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流，I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流，每个输出，我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流，I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻（典型值，注1 ）
θ
JA
(
o
C / W ）
E（ PDIP ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 80
M（ SOIC ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 86
PW （ TSSOP ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 113
最高结温（密封包装或死亡） 。 。 。 175
o
C
最高结温（塑料封装） 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
温度范围T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围，V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
DC输入或输出电压，V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有等级和操作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意：
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
输入高电平
电压
符号
V
IH
V
I
(V)
-
I
O
（毫安）V
CC
(V)
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
I
I
I
CC
V
OL
V
OH
V
IH或
V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
V
CC
or
GND
V
IH或
V
IL
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
4
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
5.2
-
0
2
4.5
6
4.5
6
2
4.5
6
4.5
6
6
6
民
1.7
3.6
4.8
-
-
-
1.8
4
5.5
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
25
o
C
最大
-
-
-
0.3
0.8
1.1
-
-
-
-
-
0.2
0.5
0.5
0.26
0.26
±0.1
2
-40
o
C至+ 85
o
C
民
1.7
3.6
4.8
-
-
-
1.8
4
5.5
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
0.3
0.8
1.1
-
-
-
-
-
0.2
0.5
0.5
0.33
0.33
±1
20
-55
o
C至125
o
C
民
1.7
3.6
4.8
-
-
-
1.8
4
5.5
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
0.3
0.8
1.1
-
-
-
-
-
0.2
0.5
0.5
0.4
0.4
±1
40
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
3
CD74HCU04
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
参数
传播延迟，
输入到输出Y（图1 ）
符号
t
PLH
, t
PHL
TEST
条件
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
转换时间（图1 ）
t
TLH
, t
THL
C
L
= 50pF的
V
CC
(V)
2
4.5
5
6
2
4.5
6
输入电容
功率耗散电容
（注2,3）
注意事项：
2. C
PD
被用于确定所述动态功耗，每个逆变器。
3. P
D
= V
CC2
f
i
(C
PD
+ C
L
） ，其中F
i
=输入频率，C
L
=输出负载电容，V
CC
=电源电压。
C
I
C
PD
-
-
5
-
14
-
25
o
C
民
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
5
-
-
-
-
最大
70
14
-
12
75
15
13
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
民
-
-
-
-
-
-
-
见图3
-
-
-
-
最大
90
18
-
15
95
19
16
民
-
-
-
-
18
-
-
最大
105
21
-
18
110
22
19
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
测试电路和波形
t
r
= 6ns的
输入
90%
50%
10%
t
TLH
90%
50%
10%
t
PHL
t
PLH
t
f
= 6ns的
V
CC
GND
t
THL
反相
产量
图1. HC和HCU过渡时间和传输延迟时间的组合逻辑
典型性能曲线
环境温度
T
A
= 25
o
C
V
CC
= 6V
I
CC,
V
CC
到GND电流（mA）
25.0
22.5
20.0
17.5
15.0
12.5
10.0
7.5
5.0
2.5
0
1
V
CC
= 2V
V
CC
= 4.5V
2
3
4
5
V
I
，输入电压（ V）
6
图2.典型的逆变电源电流函数的输入电压
4
CD74HCU04
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS127D
1998年2月 - 修订2004年5月
高速CMOS逻辑器件
六反相器
描述
该CD74HCU04无缓冲六反相器采用硅栅
CMOS技术来实现操作速度相似
输入通道门，与标准的低功率消耗
CMOS集成电路。这些器件特别是有用的
在晶体振荡器和模拟应用。
特点
[ /标题
(CD74
HCU04
)
/子
拍摄对象
（高
速度
CMOS
逻辑
（十六进制）
逆变器
典型传播延迟：为6ns在V
CC
= 5V,
C
L
= 15pF的，T
A
= 25
o
C，最快的部分在QMOS线
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HCU类型
- 2 V至6 V的操作
- 高抗噪性：不适用
IL
= 20%, N
IH
的= 30％
V
CC
在V
CC
= 5V
CMOS兼容输入，我
l
≤
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD74HCU04E
CD74HCU04M
CD74HCU04MT
CD74HCU04M96
CD74HCU04PWR
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
包
14 Ld的PDIP
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的TSSOP
注：订货时，使用整个零件编号。该SUF网络XES
96和R表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示小型
量卷轴250 。
引脚
CD74HCU04
（ PDIP ， SOIC ， TSSOP ）
顶视图
1A 1
1Y 2
2A 3
2Y 4
3A 5
3Y 6
7 GND
14 V
CC
13 6A
12 6Y
11 5A
10 5Y
9 4A
8 4Y
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2004年，德州仪器
1
CD74HCU04
绝对最大额定值
直流电源电压，V
CC
电压参考地。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至+ 7V
DC输入二极管电流，I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流，I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流，每个输出，我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流，I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻（典型值，注1 ）
θ
JA
(
o
C / W ）
E（ PDIP ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 80
M（ SOIC ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 86
PW （ TSSOP ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 113
最高结温（密封包装或死亡） 。 。 。 175
o
C
最高结温（塑料封装） 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
温度范围T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围，V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
DC输入或输出电压，V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有等级和操作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意：
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
输入高电平
电压
符号
V
IH
V
I
(V)
-
I
O
（毫安）V
CC
(V)
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
I
I
I
CC
V
OL
V
OH
V
IH或
V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
V
CC
or
GND
V
IH或
V
IL
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
4
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
5.2
-
0
2
4.5
6
4.5
6
2
4.5
6
4.5
6
6
6
民
1.7
3.6
4.8
-
-
-
1.8
4
5.5
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
25
o
C
最大
-
-
-
0.3
0.8
1.1
-
-
-
-
-
0.2
0.5
0.5
0.26
0.26
±0.1
2
-40
o
C至+ 85
o
C
民
1.7
3.6
4.8
-
-
-
1.8
4
5.5
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
0.3
0.8
1.1
-
-
-
-
-
0.2
0.5
0.5
0.33
0.33
±1
20
-55
o
C至125
o
C
民
1.7
3.6
4.8
-
-
-
1.8
4
5.5
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
0.3
0.8
1.1
-
-
-
-
-
0.2
0.5
0.5
0.4
0.4
±1
40
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
3
CD74HCU04
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
参数
传播延迟，
输入到输出Y（图1 ）
符号
t
PLH
, t
PHL
TEST
条件
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
转换时间（图1 ）
t
TLH
, t
THL
C
L
= 50pF的
V
CC
(V)
2
4.5
5
6
2
4.5
6
输入电容
功率耗散电容
（注2,3）
注意事项：
2. C
PD
被用于确定所述动态功耗，每个逆变器。
3. P
D
= V
CC2
f
i
(C
PD
+ C
L
） ，其中F
i
=输入频率，C
L
=输出负载电容，V
CC
=电源电压。
C
I
C
PD
-
-
5
-
14
-
25
o
C
民
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
5
-
-
-
-
最大
70
14
-
12
75
15
13
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
民
-
-
-
-
-
-
-
见图3
-
-
-
-
最大
90
18
-
15
95
19
16
民
-
-
-
-
18
-
-
最大
105
21
-
18
110
22
19
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
测试电路和波形
t
r
= 6ns的
输入
90%
50%
10%
t
TLH
90%
50%
10%
t
PHL
t
PLH
t
f
= 6ns的
V
CC
GND
t
THL
反相
产量
图1. HC和HCU过渡时间和传输延迟时间的组合逻辑
典型性能曲线
环境温度
T
A
= 25
o
C
V
CC
= 6V
I
CC,
V
CC
到GND电流（mA）
25.0
22.5
20.0
17.5
15.0
12.5
10.0
7.5
5.0
2.5
0
1
V
CC
= 2V
V
CC
= 4.5V
2
3
4
5
V
I
，输入电压（ V）
6
图2.典型的逆变电源电流函数的输入电压
4
QQ：2880707522 复制
