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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第760页 > CD74HCT74MT
CD54HC74 , CD74HC74 ,
CD54HCT74 , CD74HCT74
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS124D
1998年1月 - 修订2003年9月
双D触发器具有置位和复位
上升沿触发
描述
在“ HC74和” HCT74利用硅栅CMOS技术
实现运行速度相当于LSTTL部分。
它们表现出标准CMOS电路的低功耗
集成电路,具有驱动10输入通道的能力,以及
负载。
这FL IP- FL运算具有独立的数据,置位,复位和
时钟输入和Q及输出。的逻辑电平本
在数据输入过程中被传递到输出
正向的时钟脉冲的过渡。设置和重置
是独立的时钟,并通过一个低得以实现
在适当的输入电平。
在HCT逻辑系列在功能和引脚兼容
与标准LS逻辑系列。
特点
[ /标题
(CD54H
C74,
CD74H
C74,
CD74H
CT74)
/主题
(两个D
倒装
拍击
与集
滞后的时钟输入,提高了噪音
免疫力和增加输入上升和下降时间
异步置位和复位
互补输出
缓冲输入
典型F
最大
=在V 50MHz的
CC
= 5V ,C
L
= 15pF的,
T
A
= 25
o
C
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC74F3A
CD54HCT74F3A
CD74HC74E
CD74HC74M
CD74HC74MT
CD74HC74M96
CD74HCT74E
CD74HCT74M
CD74HCT74MT
CD74HCT74M96
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
14 Ld的CERDIP
14 Ld的CERDIP
14 Ld的PDIP
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的PDIP
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF科幻×96
表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示的小批量卷轴
250.
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD54HC74 , CD74HC74 , CD54HCT74 , CD74HCT74
引脚
CD54HC74 , CD54HCT74
( CERDIP )
CD74HC74 , CD74HCT74
( PDIP , SOIC )
顶视图
1R 1
1D 2
1CP 3
1S 4
1Q 5
1Q 6
7 GND
14 V
CC
13 2R
12 2D
11 2CP
10 2S
9 2Q
8 2Q
工作原理图
1
RESET
2
数据
3
时钟
4
SET
RESET
13
R
D
11
时钟
10
F/F 2
CP
S
SET
8
Q
= GND引脚7
V
CC
= 14针
D
F/F 1
CP
S
6
Q
R
5
Q
12
数据
9
Q
真值表
输入
SET
L
H
L
H
H
H
RESET
H
L
L
H
H
H
CP
X
X
X
D
X
X
X
H
L
X
Q
H
L
H(注1 )
H
L
Q0
输出
Q
L
H
H(注1 )
L
H
Q0
L
H =高级别(稳态)
L =低电平(稳态)
X =无关
=低到高的转变
Q0 = Q的指示输入条件前的水平建立。
注意:
1.此配置非稳恒,即,它不会存留时设置和复位输入返回到其无效(高)电平。
2
CD54HC74 , CD74HC74 , CD54HCT74 , CD74HCT74
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流,每个输出,我
O
为-0.5V < V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻(典型,注2 )
θ
JA
(
o
C / W )
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 80
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 86
最高结温(密封包装或死亡) 。 。 。 175
o
C
最高结温(塑料封装) 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
2.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
I
I
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
OH
V
IH
or
V
IL
-0.02
2
4.5
6
-
-4
-5.2
0.02
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4
5.2
-
-
4.5
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
符号
V
I
(V)
I
O
(毫安)V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
最大
-55
o
C至125
o
C
最大
单位
3
CD54HC74 , CD74HC74 , CD54HCT74 , CD74HCT74
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
静态器件
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
注意:
3.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
I
I
V
CC
GND
V
CC
or
GND
V
CC
- 2.1
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
or
V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
I
CC
V
I
(V)
V
CC
or
GND
I
O
(毫安)V
CC
(V)
0
6
-
25
o
C
典型值
-
最大
4
-40
o
C至85
o
C
-
最大
40
-55
o
C至125
o
C
-
最大
80
单位
A
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4
4.5
4.5
-
-
-
-
0.1
0.26
-
-
0.1
0.33
-
-
0.1
0.4
V
V
-
5.5
-
±0.1
-
±1
-
±1
A
I
CC
I
CC
(注3)
0
-
5.5
4.5
5.5
-
-
-
100
4
360
-
-
40
450
-
-
80
490
A
A
HCT输入负载表
输入
D
R
CP
S
单位负载
0.5
0.5
0.7
0.75
注:机组负荷为
I
CC
在直流电气连接特定钙限制特定网络版
系统蒸发散表,例如, 360μA最大值在25
o
C.
用于交换特定网络阳离子前提条件
参数
HC类型
数据CP建立时间
(图5)
t
SU
-
2
4.5
6
60
12
10
-
-
-
-
-
-
75
15
13
-
-
-
90
18
15
-
-
-
ns
ns
ns
符号
TEST
条件
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
4
CD54HC74 , CD74HC74 , CD54HCT74 , CD74HCT74
用于交换特定网络阳离子前提条件
参数
保持时间(图5 )
符号
t
H
(续)
V
CC
(V)
2
4.5
6
除去时间R,S,向CP
(图5)
t
REM
-
2
4.5
6
脉冲宽度R,S (图1)
t
W
-
2
4.5
6
脉冲宽度CP (图1)
t
W
-
2
4.5
6
CP频率
f
最大
-
2
4.5
6
HCT类型
数据CP建立时间
(图6)
保持时间(图6)
除去时间R,S,向CP
(图6)
脉冲宽度R,S (图2)
脉冲宽度CP (图2)
CP频率
t
SU
t
H
t
REM
t
W
t
W
f
最大
-
-
-
-
-
-
4.5
4.5
4.5
4.5
4.5
4.5
12
3
6
16
18
25
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
15
3
8
20
23
20
-
-
-
-
-
-
18
3
9
24
27
16
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
兆赫
25
o
C
3
3
3
30
6
5
80
16
14
80
16
14
6
30
35
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
3
3
3
40
8
7
100
20
17
100
20
17
5
25
29
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
3
3
3
45
9
8
120
24
20
120
24
20
4
20
23
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
兆赫
兆赫
兆赫
TEST
条件
-
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
参数
HC类型
传播延迟,
CP添加到Q,Q (图3)
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
传播延迟,
R,S到Q,Q (图3)
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
转换时间(图3 )
t
TLH
, t
THL
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
输入电容
C
I
-
2
4.5
5
6
2
4.5
5
6
2
4.5
6
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
14
-
-
-
17
-
-
-
-
-
175
35
-
30
200
40
-
34
75
15
13
10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
220
44
-
37
250
50
-
43
95
19
16
10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
265
53
-
45
300
60
-
51
110
22
19
10
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
符号
TEST
条件
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
5
CD54HC74 , CD74HC74 ,
CD54HCT74 , CD74HCT74
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS124D
1998年1月 - 修订2003年9月
双D触发器具有置位和复位
上升沿触发
描述
在“ HC74和” HCT74利用硅栅CMOS技术
实现运行速度相当于LSTTL部分。
它们表现出标准CMOS电路的低功耗
集成电路,具有驱动10输入通道的能力,以及
负载。
这FL IP- FL运算具有独立的数据,置位,复位和
时钟输入和Q及输出。的逻辑电平本
在数据输入过程中被传递到输出
正向的时钟脉冲的过渡。设置和重置
是独立的时钟,并通过一个低得以实现
在适当的输入电平。
在HCT逻辑系列在功能和引脚兼容
与标准LS逻辑系列。
特点
[ /标题
(CD54H
C74,
CD74H
C74,
CD74H
CT74)
/主题
(两个D
倒装
拍击
与集
滞后的时钟输入,提高了噪音
免疫力和增加输入上升和下降时间
异步置位和复位
互补输出
缓冲输入
典型F
最大
=在V 50MHz的
CC
= 5V ,C
L
= 15pF的,
T
A
= 25
o
C
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC74F3A
CD54HCT74F3A
CD74HC74E
CD74HC74M
CD74HC74MT
CD74HC74M96
CD74HCT74E
CD74HCT74M
CD74HCT74MT
CD74HCT74M96
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
14 Ld的CERDIP
14 Ld的CERDIP
14 Ld的PDIP
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的PDIP
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF科幻×96
表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示的小批量卷轴
250.
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD54HC74 , CD74HC74 , CD54HCT74 , CD74HCT74
引脚
CD54HC74 , CD54HCT74
( CERDIP )
CD74HC74 , CD74HCT74
( PDIP , SOIC )
顶视图
1R 1
1D 2
1CP 3
1S 4
1Q 5
1Q 6
7 GND
14 V
CC
13 2R
12 2D
11 2CP
10 2S
9 2Q
8 2Q
工作原理图
1
RESET
2
数据
3
时钟
4
SET
RESET
13
R
D
11
时钟
10
F/F 2
CP
S
SET
8
Q
= GND引脚7
V
CC
= 14针
D
F/F 1
CP
S
6
Q
R
5
Q
12
数据
9
Q
真值表
输入
SET
L
H
L
H
H
H
RESET
H
L
L
H
H
H
CP
X
X
X
D
X
X
X
H
L
X
Q
H
L
H(注1 )
H
L
Q0
输出
Q
L
H
H(注1 )
L
H
Q0
L
H =高级别(稳态)
L =低电平(稳态)
X =无关
=低到高的转变
Q0 = Q的指示输入条件前的水平建立。
注意:
1.此配置非稳恒,即,它不会存留时设置和复位输入返回到其无效(高)电平。
2
CD54HC74 , CD74HC74 , CD54HCT74 , CD74HCT74
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流,每个输出,我
O
为-0.5V < V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻(典型,注2 )
θ
JA
(
o
C / W )
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 80
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 86
最高结温(密封包装或死亡) 。 。 。 175
o
C
最高结温(塑料封装) 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
2.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
I
I
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
OH
V
IH
or
V
IL
-0.02
2
4.5
6
-
-4
-5.2
0.02
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4
5.2
-
-
4.5
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
符号
V
I
(V)
I
O
(毫安)V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
最大
-55
o
C至125
o
C
最大
单位
3
CD54HC74 , CD74HC74 , CD54HCT74 , CD74HCT74
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
静态器件
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
注意:
3.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
I
I
V
CC
GND
V
CC
or
GND
V
CC
- 2.1
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
or
V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
I
CC
V
I
(V)
V
CC
or
GND
I
O
(毫安)V
CC
(V)
0
6
-
25
o
C
典型值
-
最大
4
-40
o
C至85
o
C
-
最大
40
-55
o
C至125
o
C
-
最大
80
单位
A
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4
4.5
4.5
-
-
-
-
0.1
0.26
-
-
0.1
0.33
-
-
0.1
0.4
V
V
-
5.5
-
±0.1
-
±1
-
±1
A
I
CC
I
CC
(注3)
0
-
5.5
4.5
5.5
-
-
-
100
4
360
-
-
40
450
-
-
80
490
A
A
HCT输入负载表
输入
D
R
CP
S
单位负载
0.5
0.5
0.7
0.75
注:机组负荷为
I
CC
在直流电气连接特定钙限制特定网络版
系统蒸发散表,例如, 360μA最大值在25
o
C.
用于交换特定网络阳离子前提条件
参数
HC类型
数据CP建立时间
(图5)
t
SU
-
2
4.5
6
60
12
10
-
-
-
-
-
-
75
15
13
-
-
-
90
18
15
-
-
-
ns
ns
ns
符号
TEST
条件
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
4
CD54HC74 , CD74HC74 , CD54HCT74 , CD74HCT74
用于交换特定网络阳离子前提条件
参数
保持时间(图5 )
符号
t
H
(续)
V
CC
(V)
2
4.5
6
除去时间R,S,向CP
(图5)
t
REM
-
2
4.5
6
脉冲宽度R,S (图1)
t
W
-
2
4.5
6
脉冲宽度CP (图1)
t
W
-
2
4.5
6
CP频率
f
最大
-
2
4.5
6
HCT类型
数据CP建立时间
(图6)
保持时间(图6)
除去时间R,S,向CP
(图6)
脉冲宽度R,S (图2)
脉冲宽度CP (图2)
CP频率
t
SU
t
H
t
REM
t
W
t
W
f
最大
-
-
-
-
-
-
4.5
4.5
4.5
4.5
4.5
4.5
12
3
6
16
18
25
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
15
3
8
20
23
20
-
-
-
-
-
-
18
3
9
24
27
16
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
兆赫
25
o
C
3
3
3
30
6
5
80
16
14
80
16
14
6
30
35
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
3
3
3
40
8
7
100
20
17
100
20
17
5
25
29
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
3
3
3
45
9
8
120
24
20
120
24
20
4
20
23
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
兆赫
兆赫
兆赫
TEST
条件
-
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
参数
HC类型
传播延迟,
CP添加到Q,Q (图3)
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
传播延迟,
R,S到Q,Q (图3)
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
转换时间(图3 )
t
TLH
, t
THL
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
输入电容
C
I
-
2
4.5
5
6
2
4.5
5
6
2
4.5
6
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
14
-
-
-
17
-
-
-
-
-
175
35
-
30
200
40
-
34
75
15
13
10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
220
44
-
37
250
50
-
43
95
19
16
10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
265
53
-
45
300
60
-
51
110
22
19
10
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
符号
TEST
条件
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
5
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操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    CD74HCT74MT
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:370883777 复制 点击这里给我发消息 QQ:839051306 复制
电话:0755-83587431
联系人:钟彩香
地址:深圳市福田区深南中路世纪汇.都会轩3216室
CD74HCT74MT
TI
2023+
26000
SOIC (D)
原装正品
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1686616797 复制 点击这里给我发消息 QQ:2440138151 复制
电话:0755-22655674/15099917285
联系人:小邹
地址:深圳市福田区上步工业区201栋西座228室
CD74HCT74MT
TI
22+
1000
原厂封装
原装正品★真实库存★价格优势★欢迎洽谈
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1943137555 复制 点击这里给我发消息 QQ:23610956 复制

电话:17876146278/15814081976
联系人:梁小姐
地址:华强广场B座7楼001室
CD74HCT74MT
TI
22+
13410
SOIC (D)
原装正品 现货库存 价钱优势 联系电话:15814081976(同微信)梁小姐
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1240061890 复制
电话:0755-82723916/82731800
联系人:朱小姐
地址:深圳市福田区华发北路华发大厦517A-C
CD74HCT74MT
TI
24+
9000
SOIC14
只做原装正品
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:996334048 复制 点击这里给我发消息 QQ:570120875 复制
电话:0755-82563615 82563213
联系人:王云
地址:深圳市华强北上步204栋五楼520室
CD74HCT74MT
TI
2425+
11280
SOP-14
进口原装!优势现货!
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电话:15289608497
联系人:韦
地址:深圳市福田区华强北街道福强社区深南中路2070号电子科技大厦C座7B12
CD74HCT74MT
TI
3年内
3000
SOIC|14
全新原装现货
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电话:0755-83223957 83247340
联系人:李先生/吴小姐/ 朱先生
地址:深圳市福田区航都大厦17F1 可提供13%增值税发票
CD74HCT74MT
Texas Instruments
23+
4880
14-SOIC
进口原包装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2675049463 复制

电话:13681678667
联系人:吴
地址:上海市宝山区大场镇锦秋路699弄锦秋花园
CD74HCT74MT
HARRIS
23+
80000
原厂封装
只做进口原装,假一赔十;欢迎致电:杨先生15001712988
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
CD74HCT74MT
Texas Instruments
14+
5600
14-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:296271020 复制
电话:0755-/83218466/83200833
联系人:销售部
地址:深圳市罗湖区北站路1号中贸大厦402
CD74HCT74MT
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24+
22000
14-SOIC
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