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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第570页 > CD74HCT74M
CD54HC74 , CD74HC74 ,
CD74HCT74
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS124
1998年1月
双D触发器具有置位和复位
上升沿触发
描述
哈里斯CD54HC74 , CD74HC74和CD74HCT74利用
硅栅CMOS技术来实现的运行速度
相当于LSTTL部分。他们表现出的低功耗
标准CMOS集成电路的消耗,同时
与开车10 LSTTL负载的能力。
这FL IP- FL运算具有独立的数据,置位,复位和
时钟输入和Q及输出。的逻辑电平本
在数据输入过程中被传递到输出
正向的时钟脉冲的过渡。设置和重置
是独立的时钟,并通过一个低得以实现
在适当的输入电平。
该74HCT逻辑系列在功能和引脚
与标准74LS逻辑系列兼容。
特点
滞后的时钟输入,以提高噪声免疫
无穷大,并增加输入上升和下降时间
异步置位和复位
互补输出
缓冲输入
典型F
最大
=在V 50MHz的
CC
= 5V ,C
L
= 15pF的,
T
A
= 25
o
C
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
[ /标题
(CD54H
C74,
CD74H
C74,
CD74H
CT74)
/主题
(两个D
倒装
拍击
与集
订购信息
产品型号
CD54HC74F
CD74HC74E
CD74HCT74E
CD74HC74M
CD74HCT74M
注意事项:
1,订货时,使用整个零件编号。添加SUF音响X 96
获得在磁带和卷轴的变种。
2.模具可满足所有电气规格。请
请联系您当地的销售办事处或哈里斯的客户服务
订购信息。
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
14 Ld的CERDIP
14 Ld的PDIP
14 Ld的PDIP
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
PKG 。
F14.3
E14.3
E14.3
M14.15
M14.15
引脚
CD54HC74 , CD74HC74 , CD74HCT74
( PDIP , SOIC , CERDIP )
顶视图
1R 1
1D 2
1CP 3
1S 4
1Q 5
1Q 6
7 GND
14 V
CC
13 2R
12 2D
11 2CP
10 2S
9 2Q
8 2Q
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
1998年哈里斯公司
网络文件编号
1476.1
1
CD54HC74 , CD74HC74 , CD74HCT74
工作原理图
1
RESET
2
数据
3
时钟
4
SET
RESET
13
R
D
11
时钟
10
F/F 2
CP
S
SET
8
Q
= GND引脚7
V
CC
= 14针
D
F/F 1
CP
S
6
Q
R
5
Q
12
数据
9
Q
真值表
输入
SET
L
H
L
H
H
H
RESET
H
L
L
H
H
H
CP
X
X
X
D
X
X
X
H
L
X
Q
H
L
H(注3 )
H
L
Q0
输出
Q
L
H
H(注3 )
L
H
Q0
L
注意:
H =高电平(稳态)
L =低电平(稳态)
X =无关
=低到高的转变
Q0 = Q的指示输入条件前的水平建立。
3.此配置非稳恒,即,它不会存留时设置和复位输入返回到其无效(高)电平。
2
CD54HC74 , CD74HC74 , CD74HCT74
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流,每个输出,我
O
为-0.5V < V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻(典型,注4 )
θ
JA
(
o
C / W )
θ
JC
(
o
C / W )
PDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
90
-
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
120
-
CERDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
130
55
最高结温(密封包装或死亡) 。 。 。 175
o
C
最高结温(塑料封装) 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
4.
θ
JA
测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
I
I
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
OH
V
IH
or
V
IL
-0.02
2
4.5
6
-
-4
-5.2
0.02
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4
5.2
-
-
4.5
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
符号
V
I
(V)
I
O
(毫安)V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
最大
-55
o
C至125
o
C
最大
单位
3
CD54HC74 , CD74HC74 , CD74HCT74
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
静态器件
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
注意:
5.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
I
I
V
CC
GND
V
CC
or
GND
V
CC
- 2.1
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
or
V
IL
-
-
-
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
I
CC
V
I
(V)
V
CC
or
GND
I
O
(毫安)V
CC
(V)
0
6
-
25
o
C
典型值
-
最大
4
-40
o
C至85
o
C
-
最大
40
-55
o
C至125
o
C
-
最大
80
单位
A
-0.02
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
-4
0.02
4.5
4.5
-
-
-
-
0.1
0.26
-
-
0.1
0.33
-
-
0.1
0.4
V
V
4
5.5
-
±0.1
-
±1
-
±1
A
I
CC
I
CC
(注5 )
0
-
5.5
4.5
5.5
-
-
-
100
4
360
-
-
40
450
-
-
80
490
A
A
HCT输入负载表
输入
D
R
CP
S
单位负载
0.5
0.5
0.7
0.75
注:机组负荷为
I
CC
在直流电气连接特定钙限制特定网络版
系统蒸发散表,例如, 360μA最大值在25
o
C.
用于交换特定网络阳离子前提条件
参数
HC类型
数据CP建立时间
(图5)
t
SU
-
2
4.5
6
60
12
10
-
-
-
-
-
-
75
15
13
-
-
-
90
18
15
-
-
-
ns
ns
ns
符号
TEST
条件
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
4
CD54HC74 , CD74HC74 , CD74HCT74
用于交换特定网络阳离子前提条件
参数
保持时间(图5 )
符号
t
H
(续)
V
CC
(V)
2
4.5
6
除去时间R,S,向CP
(图5)
t
REM
-
2
4.5
6
脉冲宽度R,S (图1)
t
W
-
2
4.5
6
脉冲宽度CP (图1)
t
W
-
2
4.5
6
CP频率
f
最大
-
2
4.5
6
HCT类型
数据CP建立时间
(图6)
保持时间(图6)
除去时间R,S,向CP
(图6)
脉冲宽度R,S (图2)
脉冲宽度CP (图2)
CP频率
t
SU
t
H
t
REM
t
W
t
W
f
最大
-
-
-
-
-
-
4.5
4.5
4.5
4.5
4.5
4.5
12
3
6
16
18
25
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
15
3
8
20
23
20
-
-
-
-
-
-
18
3
9
24
27
16
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
兆赫
25
o
C
3
3
3
30
6
5
80
16
14
80
16
14
6
30
35
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
3
3
3
40
8
7
100
20
17
100
20
17
5
25
29
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
3
3
3
45
9
8
120
24
20
120
24
20
4
20
23
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
兆赫
兆赫
兆赫
TEST
条件
-
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
参数
HC类型
传播延迟,
CP添加到Q,Q (图3)
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
传播延迟,
R,S到Q,Q (图3)
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
转换时间(图3 )
t
TLH
, t
THL
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
输入电容
C
I
-
2
4.5
5
6
2
4.5
5
6
2
4.5
6
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
14
-
-
-
17
-
-
-
-
-
175
35
-
30
200
40
-
34
75
15
13
10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
220
44
-
37
250
50
-
43
95
19
16
10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
265
53
-
45
300
60
-
51
110
22
19
10
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
符号
TEST
条件
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
5
CD54HC74 , CD74HC74 ,
CD54HCT74 , CD74HCT74
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS124D
1998年1月 - 修订2003年9月
双D触发器具有置位和复位
上升沿触发
描述
在“ HC74和” HCT74利用硅栅CMOS技术
实现运行速度相当于LSTTL部分。
它们表现出标准CMOS电路的低功耗
集成电路,具有驱动10输入通道的能力,以及
负载。
这FL IP- FL运算具有独立的数据,置位,复位和
时钟输入和Q及输出。的逻辑电平本
在数据输入过程中被传递到输出
正向的时钟脉冲的过渡。设置和重置
是独立的时钟,并通过一个低得以实现
在适当的输入电平。
在HCT逻辑系列在功能和引脚兼容
与标准LS逻辑系列。
特点
[ /标题
(CD54H
C74,
CD74H
C74,
CD74H
CT74)
/主题
(两个D
倒装
拍击
与集
滞后的时钟输入,提高了噪音
免疫力和增加输入上升和下降时间
异步置位和复位
互补输出
缓冲输入
典型F
最大
=在V 50MHz的
CC
= 5V ,C
L
= 15pF的,
T
A
= 25
o
C
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC74F3A
CD54HCT74F3A
CD74HC74E
CD74HC74M
CD74HC74MT
CD74HC74M96
CD74HCT74E
CD74HCT74M
CD74HCT74MT
CD74HCT74M96
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
14 Ld的CERDIP
14 Ld的CERDIP
14 Ld的PDIP
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的PDIP
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF科幻×96
表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示的小批量卷轴
250.
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD54HC74 , CD74HC74 , CD54HCT74 , CD74HCT74
引脚
CD54HC74 , CD54HCT74
( CERDIP )
CD74HC74 , CD74HCT74
( PDIP , SOIC )
顶视图
1R 1
1D 2
1CP 3
1S 4
1Q 5
1Q 6
7 GND
14 V
CC
13 2R
12 2D
11 2CP
10 2S
9 2Q
8 2Q
工作原理图
1
RESET
2
数据
3
时钟
4
SET
RESET
13
R
D
11
时钟
10
F/F 2
CP
S
SET
8
Q
= GND引脚7
V
CC
= 14针
D
F/F 1
CP
S
6
Q
R
5
Q
12
数据
9
Q
真值表
输入
SET
L
H
L
H
H
H
RESET
H
L
L
H
H
H
CP
X
X
X
D
X
X
X
H
L
X
Q
H
L
H(注1 )
H
L
Q0
输出
Q
L
H
H(注1 )
L
H
Q0
L
H =高级别(稳态)
L =低电平(稳态)
X =无关
=低到高的转变
Q0 = Q的指示输入条件前的水平建立。
注意:
1.此配置非稳恒,即,它不会存留时设置和复位输入返回到其无效(高)电平。
2
CD54HC74 , CD74HC74 , CD54HCT74 , CD74HCT74
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流,每个输出,我
O
为-0.5V < V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻(典型,注2 )
θ
JA
(
o
C / W )
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 80
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 86
最高结温(密封包装或死亡) 。 。 。 175
o
C
最高结温(塑料封装) 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
2.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
I
I
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
OH
V
IH
or
V
IL
-0.02
2
4.5
6
-
-4
-5.2
0.02
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4
5.2
-
-
4.5
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
符号
V
I
(V)
I
O
(毫安)V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
最大
-55
o
C至125
o
C
最大
单位
3
CD54HC74 , CD74HC74 , CD54HCT74 , CD74HCT74
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
静态器件
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
注意:
3.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
I
I
V
CC
GND
V
CC
or
GND
V
CC
- 2.1
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
or
V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
I
CC
V
I
(V)
V
CC
or
GND
I
O
(毫安)V
CC
(V)
0
6
-
25
o
C
典型值
-
最大
4
-40
o
C至85
o
C
-
最大
40
-55
o
C至125
o
C
-
最大
80
单位
A
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4
4.5
4.5
-
-
-
-
0.1
0.26
-
-
0.1
0.33
-
-
0.1
0.4
V
V
-
5.5
-
±0.1
-
±1
-
±1
A
I
CC
I
CC
(注3)
0
-
5.5
4.5
5.5
-
-
-
100
4
360
-
-
40
450
-
-
80
490
A
A
HCT输入负载表
输入
D
R
CP
S
单位负载
0.5
0.5
0.7
0.75
注:机组负荷为
I
CC
在直流电气连接特定钙限制特定网络版
系统蒸发散表,例如, 360μA最大值在25
o
C.
用于交换特定网络阳离子前提条件
参数
HC类型
数据CP建立时间
(图5)
t
SU
-
2
4.5
6
60
12
10
-
-
-
-
-
-
75
15
13
-
-
-
90
18
15
-
-
-
ns
ns
ns
符号
TEST
条件
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
4
CD54HC74 , CD74HC74 , CD54HCT74 , CD74HCT74
用于交换特定网络阳离子前提条件
参数
保持时间(图5 )
符号
t
H
(续)
V
CC
(V)
2
4.5
6
除去时间R,S,向CP
(图5)
t
REM
-
2
4.5
6
脉冲宽度R,S (图1)
t
W
-
2
4.5
6
脉冲宽度CP (图1)
t
W
-
2
4.5
6
CP频率
f
最大
-
2
4.5
6
HCT类型
数据CP建立时间
(图6)
保持时间(图6)
除去时间R,S,向CP
(图6)
脉冲宽度R,S (图2)
脉冲宽度CP (图2)
CP频率
t
SU
t
H
t
REM
t
W
t
W
f
最大
-
-
-
-
-
-
4.5
4.5
4.5
4.5
4.5
4.5
12
3
6
16
18
25
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
15
3
8
20
23
20
-
-
-
-
-
-
18
3
9
24
27
16
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
兆赫
25
o
C
3
3
3
30
6
5
80
16
14
80
16
14
6
30
35
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
3
3
3
40
8
7
100
20
17
100
20
17
5
25
29
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
3
3
3
45
9
8
120
24
20
120
24
20
4
20
23
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
兆赫
兆赫
兆赫
TEST
条件
-
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
参数
HC类型
传播延迟,
CP添加到Q,Q (图3)
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
传播延迟,
R,S到Q,Q (图3)
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
转换时间(图3 )
t
TLH
, t
THL
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
输入电容
C
I
-
2
4.5
5
6
2
4.5
5
6
2
4.5
6
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
14
-
-
-
17
-
-
-
-
-
175
35
-
30
200
40
-
34
75
15
13
10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
220
44
-
37
250
50
-
43
95
19
16
10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
265
53
-
45
300
60
-
51
110
22
19
10
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
符号
TEST
条件
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
5
CD54HC74 , CD74HC74 ,
CD74HCT74
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS124
1998年1月
双D触发器具有置位和复位
上升沿触发
描述
哈里斯CD54HC74 , CD74HC74和CD74HCT74利用
硅栅CMOS技术来实现的运行速度
相当于LSTTL部分。他们表现出的低功耗
标准CMOS集成电路的消耗,同时
与开车10 LSTTL负载的能力。
这FL IP- FL运算具有独立的数据,置位,复位和
时钟输入和Q及输出。的逻辑电平本
在数据输入过程中被传递到输出
正向的时钟脉冲的过渡。设置和重置
是独立的时钟,并通过一个低得以实现
在适当的输入电平。
该74HCT逻辑系列在功能和引脚
与标准74LS逻辑系列兼容。
特点
滞后的时钟输入,以提高噪声免疫
无穷大,并增加输入上升和下降时间
异步置位和复位
互补输出
缓冲输入
典型F
最大
=在V 50MHz的
CC
= 5V ,C
L
= 15pF的,
T
A
= 25
o
C
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
[ /标题
(CD54H
C74,
CD74H
C74,
CD74H
CT74)
/主题
(两个D
倒装
拍击
与集
订购信息
产品型号
CD54HC74F
CD74HC74E
CD74HCT74E
CD74HC74M
CD74HCT74M
注意事项:
1,订货时,使用整个零件编号。添加SUF音响X 96
获得在磁带和卷轴的变种。
2.模具可满足所有电气规格。请
请联系您当地的销售办事处或哈里斯的客户服务
订购信息。
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
14 Ld的CERDIP
14 Ld的PDIP
14 Ld的PDIP
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
PKG 。
F14.3
E14.3
E14.3
M14.15
M14.15
引脚
CD54HC74 , CD74HC74 , CD74HCT74
( PDIP , SOIC , CERDIP )
顶视图
1R 1
1D 2
1CP 3
1S 4
1Q 5
1Q 6
7 GND
14 V
CC
13 2R
12 2D
11 2CP
10 2S
9 2Q
8 2Q
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
1998年哈里斯公司
网络文件编号
1476.1
1
CD54HC74 , CD74HC74 , CD74HCT74
工作原理图
1
RESET
2
数据
3
时钟
4
SET
RESET
13
R
D
11
时钟
10
F/F 2
CP
S
SET
8
Q
= GND引脚7
V
CC
= 14针
D
F/F 1
CP
S
6
Q
R
5
Q
12
数据
9
Q
真值表
输入
SET
L
H
L
H
H
H
RESET
H
L
L
H
H
H
CP
X
X
X
D
X
X
X
H
L
X
Q
H
L
H(注3 )
H
L
Q0
输出
Q
L
H
H(注3 )
L
H
Q0
L
注意:
H =高电平(稳态)
L =低电平(稳态)
X =无关
=低到高的转变
Q0 = Q的指示输入条件前的水平建立。
3.此配置非稳恒,即,它不会存留时设置和复位输入返回到其无效(高)电平。
2
CD54HC74 , CD74HC74 , CD74HCT74
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流,每个输出,我
O
为-0.5V < V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻(典型,注4 )
θ
JA
(
o
C / W )
θ
JC
(
o
C / W )
PDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
90
-
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
120
-
CERDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
130
55
最高结温(密封包装或死亡) 。 。 。 175
o
C
最高结温(塑料封装) 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
4.
θ
JA
测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
I
I
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
OH
V
IH
or
V
IL
-0.02
2
4.5
6
-
-4
-5.2
0.02
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4
5.2
-
-
4.5
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
符号
V
I
(V)
I
O
(毫安)V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
最大
-55
o
C至125
o
C
最大
单位
3
CD54HC74 , CD74HC74 , CD74HCT74
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
静态器件
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
注意:
5.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
I
I
V
CC
GND
V
CC
or
GND
V
CC
- 2.1
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
or
V
IL
-
-
-
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
I
CC
V
I
(V)
V
CC
or
GND
I
O
(毫安)V
CC
(V)
0
6
-
25
o
C
典型值
-
最大
4
-40
o
C至85
o
C
-
最大
40
-55
o
C至125
o
C
-
最大
80
单位
A
-0.02
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
-4
0.02
4.5
4.5
-
-
-
-
0.1
0.26
-
-
0.1
0.33
-
-
0.1
0.4
V
V
4
5.5
-
±0.1
-
±1
-
±1
A
I
CC
I
CC
(注5 )
0
-
5.5
4.5
5.5
-
-
-
100
4
360
-
-
40
450
-
-
80
490
A
A
HCT输入负载表
输入
D
R
CP
S
单位负载
0.5
0.5
0.7
0.75
注:机组负荷为
I
CC
在直流电气连接特定钙限制特定网络版
系统蒸发散表,例如, 360μA最大值在25
o
C.
用于交换特定网络阳离子前提条件
参数
HC类型
数据CP建立时间
(图5)
t
SU
-
2
4.5
6
60
12
10
-
-
-
-
-
-
75
15
13
-
-
-
90
18
15
-
-
-
ns
ns
ns
符号
TEST
条件
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
4
CD54HC74 , CD74HC74 , CD74HCT74
用于交换特定网络阳离子前提条件
参数
保持时间(图5 )
符号
t
H
(续)
V
CC
(V)
2
4.5
6
除去时间R,S,向CP
(图5)
t
REM
-
2
4.5
6
脉冲宽度R,S (图1)
t
W
-
2
4.5
6
脉冲宽度CP (图1)
t
W
-
2
4.5
6
CP频率
f
最大
-
2
4.5
6
HCT类型
数据CP建立时间
(图6)
保持时间(图6)
除去时间R,S,向CP
(图6)
脉冲宽度R,S (图2)
脉冲宽度CP (图2)
CP频率
t
SU
t
H
t
REM
t
W
t
W
f
最大
-
-
-
-
-
-
4.5
4.5
4.5
4.5
4.5
4.5
12
3
6
16
18
25
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
15
3
8
20
23
20
-
-
-
-
-
-
18
3
9
24
27
16
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
兆赫
25
o
C
3
3
3
30
6
5
80
16
14
80
16
14
6
30
35
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
3
3
3
40
8
7
100
20
17
100
20
17
5
25
29
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
3
3
3
45
9
8
120
24
20
120
24
20
4
20
23
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
兆赫
兆赫
兆赫
TEST
条件
-
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
参数
HC类型
传播延迟,
CP添加到Q,Q (图3)
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
传播延迟,
R,S到Q,Q (图3)
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
转换时间(图3 )
t
TLH
, t
THL
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
输入电容
C
I
-
2
4.5
5
6
2
4.5
5
6
2
4.5
6
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
14
-
-
-
17
-
-
-
-
-
175
35
-
30
200
40
-
34
75
15
13
10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
220
44
-
37
250
50
-
43
95
19
16
10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
265
53
-
45
300
60
-
51
110
22
19
10
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
符号
TEST
条件
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
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电话:0755-82563615 82563213
联系人:王云
地址:深圳市华强北上步204栋五楼520室
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全新原装正品,可售样,可开13%增值税
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2675049463 复制

电话:13681678667
联系人:吴
地址:上海市宝山区大场镇锦秋路699弄锦秋花园
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HARRIS
23+
80000
原厂封装
只做进口原装,假一赔十;欢迎致电:杨先生15001712988
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电话:13681678667
联系人:吴
地址:上海市宝山区大场镇锦秋路699弄锦秋花园
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HARRIS
23+
80000
原厂封装
只做进口原装,假一赔十;欢迎致电:杨先生15001712988
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
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电话:0755-/83218466/83200833
联系人:销售部
地址:深圳市罗湖区北站路1号中贸大厦402
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