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CD54 / 74HC374 , CD54 / 74HCT374 ,
CD54 / 74HC574 , CD54 / 74HCT574
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS183B
1998年2月 - 修订2003年5月
高速CMOS逻辑八路D型触发器,
三态上升沿触发
描述
在“ HC374 ” HCT374 , “ HC574和” HCT574是八进制D型
双稳态多谐振荡器具有三态输出,以驱动15的能力
LSTTL负载。八个边沿触发的触发器输入数据转换成
他们登记在低时钟( CP )的高电平跳变。该
输出使能( OE )控制的三态输出,并
独立的寄存器操作。当OE为高电平,则
输出IIN高阻抗状态。在374和574顷
在它们的引脚安排只有在完全相同的功能和区别。
特点
缓冲输入
[ /标题
(CD74
HC374
,
CD74
HCT37
4,
CD74
HC574
,
CD74
HCT57
通用三态输出使能控制
三态输出
公交线路驱动能力
典型传播延迟(时钟到Q) = 15ns的时
V
CC
= 5V ,C
L
= 15pF的,T
A
= 25
o
C
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC374F3A
CD54HC574F3A
CD54HCT374F3A
CD54HCT574F3A
CD74HC374E
CD74HC374M
CD74HC374M96
CD74HC574E
CD74HC574M
CD74HC574M96
CD74HCT374E
CD74HCT374M
CD74HCT374M96
CD74HCT574E
CD74HCT574M
CD74HCT574M96
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
20 Ld的CERDIP
20 Ld的CERDIP
20 Ld的CERDIP
20 Ld的CERDIP
20 Ld的PDIP
20 Ld的SOIC
20 Ld的SOIC
20 Ld的PDIP
20 Ld的SOIC
20 Ld的SOIC
20 Ld的PDIP
20 Ld的SOIC
20 Ld的SOIC
20 Ld的PDIP
20 Ld的SOIC
20 Ld的SOIC
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF科幻×96
表示磁带和卷轴。
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD54 / 74HC374 , CD54 / 74HCT374 , CD54 / 74HC574 , CD54 / 74HCT574
引脚配置
CD54HC374 , CD54HCT374
( CERDIP )
CD74HC374 , CD74HCT374
( PDIP , SOIC )
顶视图
OE
Q0
D0
D1
Q1
Q2
D2
D3
Q3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
20 V
CC
19 Q7
18 D7
17 D6
16 Q6
15 Q5
14 D5
13 D4
12 Q4
11 CP
CD54HC574 , CD54HCT574
( CERDIP )
CD74HC574 , CD74HCT574
( PDIP , SOIC )
顶视图
OE
D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
1
2
3
4
5
6
7
8
9
20 V
CC
19 Q0
18 Q1
17 Q2
16 Q3
15 Q4
14 Q5
13 Q6
12 Q7
11 CP
GND 10
GND 10
工作原理图
D
0
D
1
D
2
D
3
D
4
D
5
D
6
D
7
D
CP Q
CP
D
CP Q
D
CP
Q
D
CP Q
D
CP Q
D
CP Q
D
CP Q
D
CP Q
OE
Q
0
Q
1
Q
2
Q
3
Q
4
Q
5
Q
6
Q
7
真值表
输入
OE
L
L
L
H
CP
L
X
Dn
H
L
X
X
产量
Qn
H
L
Q0
Z
H =高电平(稳态)
L =低电平(稳态)
X =无关
↑=
到高电平的过渡,从低
Q0 = Q的表示稳态输入前的水平
条件成立
Z =高阻抗状态
2
CD54 / 74HC374 , CD54 / 74HCT374 , CD54 / 74HC574 , CD54 / 74HCT574
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流,每个输出,我
O
为-0.5V < V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 35毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻(典型值,注1 ) 。
. . . . . . . . . . . . . . . . θ
JA
(
o
C / W )
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 69
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 58
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围,T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
I
I
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-6
-7.8
0.02
0.02
0.02
-
6
7.8
-
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
符号
V
I
(V)
I
O
(MA )
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
3
CD54 / 74HC374 , CD54 / 74HCT374 , CD54 / 74HC574 , CD54 / 74HCT574
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
静态器件
当前
符号
I
CC
V
I
(V)
V
CC
or
GND
I
O
(MA )
0
-
25
o
C
-
-
典型值
-
-
最大
8
±0.5
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
-
-
最大
80
±5.0
-
-
最大
160
±10
单位
A
A
V
CC
(V)
6
6
三态泄漏V
IL
或V
IH
V
O
= V
CC
或GND
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
I
I
I
CC
V
CC
GND
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
或V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
-6
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
6
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
-
5.5
5.5
6
4.5
5.5
-
-
-
-
-
-
100
±0.1
8
±0.5
360
-
-
-
-
±1
80
±5.0
450
-
-
-
-
±1
160
±10
490
A
A
A
A
三态泄漏V
IL
或V
IH
V
O
= V
CC
当前
或GND
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
注意:
I
CC
(注2 )
V
CC
-2.1
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
HCT输入负载表
单位负载
输入
D0 - D7
CP
OE
HCT374
0.3
0.9
1.3
HCT574
0.4
0.75
0.6
注:机组负荷为
I
CC
在直流电气连接特定的阳离子限制特定网络
表,例如, 360μA最大值。在25
o
C.
4
CD54 / 74HC374 , CD54 / 74HCT374 , CD54 / 74HC574 , CD54 / 74HCT574
用于交换特定网络阳离子前提条件
25
o
C
参数
HC类型
最大时钟
频率
f
最大
2
4.5
6
时钟脉冲宽度
t
W
2
4.5
6
建立时间
数据时钟
t
SU
2
4.5
6
保持时间
数据时钟
t
H
2
4.5
6
HCT类型
最大时钟
频率
时钟脉冲宽度
建立时间
数据时钟
保持时间
数据时钟
f
最大
t
W
t
SU
t
H
4.5
30
-
-
25
-
-
20
-
-
兆赫
6
30
35
80
16
14
60
12
10
5
5
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
5
25
29
100
20
17
75
15
13
5
5
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
4
20
23
120
24
20
90
18
15
5
5
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
兆赫
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
符号
V
CC
(V)
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
典型值
最大
-55
o
C至125
o
C
典型值
最大
单位
4.5
4.5
16
12
-
-
-
-
20
15
-
-
-
-
24
18
-
-
-
-
ns
ns
4.5
5
-
-
5
-
-
5
-
-
ns
交换特定网络阳离子
C
L
= 50pF的,输入吨
r
, t
f
= 6ns的
25
o
C
V
CC
(V)
典型值
最大
-40
o
C到
85
o
C
最大
-55
o
C到
125
o
C
最大
单位
参数
HC类型
传播延迟
时钟到输出
符号
TEST
条件
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
2
4.5
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
5
6
2
4.5
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
5
6
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
15
-
-
-
11
-
165
33
-
28
135
27
-
23
-
-
-
-
-
-
-
-
205
41
-
35
170
34
-
29
-
-
-
-
-
-
-
-
250
50
-
43
205
41
-
35
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
输出禁止向Q
t
PLZ
, t
PHZ
C
L
= 50pF的
5
CD54 / 74HC374 , CD54 / 74HCT374 ,
CD54 / 74HC574 , CD54 / 74HCT574
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS183C
1998年2月 - 修订2004年5月
高速CMOS逻辑八路D型触发器,
三态上升沿触发
描述
在“ HC374 ” HCT374 , “ HC574和” HCT574是八进制D型
双稳态多谐振荡器具有三态输出,以驱动15的能力
LSTTL负载。八个边沿触发的触发器输入数据转换成
他们登记在低时钟( CP )的高电平跳变。该
输出使能( OE )控制的三态输出,并
独立的寄存器操作。当OE为高电平,则
输出处于高阻抗状态。在374和574顷
在它们的引脚安排只有在完全相同的功能和区别。
特点
缓冲输入
[ /标题
(CD74
HC374
,
CD74
HCT37
4,
CD74
HC574
,
CD74
HCT57
通用三态输出使能控制
三态输出
公交线路驱动能力
典型传播延迟(时钟到Q) = 15ns的时
V
CC
= 5V ,C
L
= 15pF的,T
A
= 25
o
C
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2 V至6 V的操作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5 V至5.5 V的操作
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC374F3A
CD54HC574F3A
CD54HCT374F3A
CD54HCT574F3A
CD74HC374E
CD74HC374M
CD74HC374M96
CD74HC574E
CD74HC574M
CD74HC574M96
CD74HCT374E
CD74HCT374M
CD74HCT374M96
CD74HCT574E
CD74HCT574M
CD74HCT574M96
CD74HCT574PWR
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
20 Ld的CERDIP
20 Ld的CERDIP
20 Ld的CERDIP
20 Ld的CERDIP
20 Ld的PDIP
20 Ld的SOIC
20 Ld的SOIC
20 Ld的PDIP
20 Ld的SOIC
20 Ld的SOIC
20 Ld的PDIP
20 Ld的SOIC
20 Ld的SOIC
20 Ld的PDIP
20 Ld的SOIC
20 Ld的SOIC
20 Ld的TSSOP
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF网络XES
96和R表示磁带和卷轴。
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2004年,德州仪器
1
CD54 / 74HC374 , CD54 / 74HCT374 , CD54 / 74HC574 , CD54 / 74HCT574
引脚配置
CD54HC374 , CD54HCT374
( CERDIP )
CD74HC374 , CD74HCT374
( PDIP , SOIC )
顶视图
OE
Q0
D0
D1
Q1
Q2
D2
D3
Q3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
20 V
CC
19 Q7
18 D7
17 D6
16 Q6
15 Q5
14 D5
13 D4
12 Q4
11 CP
CD54HC574 , CD54HCT574
( CERDIP )
CD74HC574
( PDIP , SOIC )
CD74HCT574
( PDIP , SOIC , TSSOP )
顶视图
OE
D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
1
2
3
4
5
6
7
8
9
20 V
CC
19 Q0
18 Q1
17 Q2
16 Q3
15 Q4
14 Q5
13 Q6
12 Q7
11 CP
GND 10
GND 10
工作原理图
D
0
D
1
D
2
D
3
D
4
D
5
D
6
D
7
D
CP Q
CP
D
CP Q
D
CP
Q
D
CP Q
D
CP Q
D
CP Q
D
CP Q
D
CP Q
OE
Q
0
Q
1
Q
2
Q
3
Q
4
Q
5
Q
6
Q
7
真值表
输入
OE
L
L
L
H
CP
L
X
Dn
H
L
X
X
产量
Qn
H
L
Q0
Z
H =高电平(稳态)
L =低电平(稳态)
X =无关
↑=
到高电平的过渡,从低
Q0 = Q的表示稳态输入前的水平
条件成立
Z =高阻抗状态
2
CD54 / 74HC374 , CD54 / 74HCT374 , CD54 / 74HC574 , CD54 / 74HCT574
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流,每个输出,我
O
为-0.5V < V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 35毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻(典型值,注1 ) 。
. . . . . . . . . . . . . . . . θ
JA
(
o
C / W )
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 69
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 58
PW ( TSSOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 83
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围,T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有等级和操作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
I
I
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-6
-7.8
0.02
0.02
0.02
-
6
7.8
-
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
符号
V
I
(V)
I
O
(MA )
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
3
CD54 / 74HC374 , CD54 / 74HCT374 , CD54 / 74HC574 , CD54 / 74HCT574
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
静态器件
当前
符号
I
CC
V
I
(V)
V
CC
or
GND
I
O
(MA )
0
-
25
o
C
-
-
典型值
-
-
最大
8
±0.5
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
-
-
最大
80
±5.0
-
-
最大
160
±10
单位
A
A
V
CC
(V)
6
6
三态泄漏V
IL
或V
IH
V
O
= V
CC
或GND
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
I
I
I
CC
V
CC
GND
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
或V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
-6
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
6
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
-
5.5
5.5
6
4.5
5.5
-
-
-
-
-
-
100
±0.1
8
±0.5
360
-
-
-
-
±1
80
±5.0
450
-
-
-
-
±1
160
±10
490
A
A
A
A
三态泄漏V
IL
或V
IH
V
O
= V
CC
当前
或GND
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
注意:
I
CC
(注2 )
V
CC
-2.1
2.对于双电源系统,理论上最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
HCT输入负载表
单位负载
输入
D0 - D7
CP
OE
HCT374
0.3
0.9
1.3
HCT574
0.4
0.75
0.6
注:机组负荷为
I
CC
在直流电气连接特定的阳离子限制特定网络
表,例如, 360μA最大值。在25
o
C.
4
CD54 / 74HC374 , CD54 / 74HCT374 , CD54 / 74HC574 , CD54 / 74HCT574
用于交换特定网络阳离子前提条件
25
o
C
参数
HC类型
最大时钟
频率
f
最大
2
4.5
6
时钟脉冲宽度
t
W
2
4.5
6
建立时间
数据时钟
t
SU
2
4.5
6
保持时间
数据时钟
t
H
2
4.5
6
HCT类型
最大时钟
频率
时钟脉冲宽度
建立时间
数据时钟
保持时间
数据时钟
f
最大
t
W
t
SU
t
H
4.5
30
-
-
25
-
-
20
-
-
兆赫
6
30
35
80
16
14
60
12
10
5
5
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
5
25
29
100
20
17
75
15
13
5
5
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
4
20
23
120
24
20
90
18
15
5
5
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
兆赫
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
符号
V
CC
(V)
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
典型值
最大
-55
o
C至125
o
C
典型值
最大
单位
4.5
4.5
16
12
-
-
-
-
20
15
-
-
-
-
24
18
-
-
-
-
ns
ns
4.5
5
-
-
5
-
-
5
-
-
ns
交换特定网络阳离子
C
L
= 50pF的,输入吨
r
, t
f
= 6ns的
25
o
C
V
CC
(V)
典型值
最大
-40
o
C到
85
o
C
最大
-55
o
C到
125
o
C
最大
单位
参数
HC类型
传播延迟
时钟到输出
符号
TEST
条件
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
2
4.5
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
5
6
2
4.5
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
5
6
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
15
-
-
-
11
-
165
33
-
28
135
27
-
23
-
-
-
-
-
-
-
-
205
41
-
35
170
34
-
29
-
-
-
-
-
-
-
-
250
50
-
43
205
41
-
35
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
输出禁止向Q
t
PLZ
, t
PHZ
C
L
= 50pF的
5
CD74HC374 , CD74HCT374 ,
CD74HC574 , CD74HCT574
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS183
1998年2月
高速CMOS逻辑八路D型触发器,
三态上升沿触发
描述
哈里斯CD74HC374 , CD74HCT374 , CD74HC574和
CD74HCT574是八D型触发器具有三态
输出和能力,以推动15 LSTTL负载。八
边沿触发的触发器将数据输入到其上的寄存器
低时钟( CP )的高电平跳变。输出使能
( OE )控制的三态输出和独立的
寄存器操作。当输出使能( OE )为高电平的
输出将处于高阻抗状态。在374和574
在功能上是相同的,区别仅在于它们的引脚
安排。
特点
缓冲输入
[ /标题
(CD74
HC374
,
CD74
HCT37
4,
CD74
HC574
,
CD74
HCT57
通用三态输出使能控制
三态输出
公交线路驱动能力
典型传播延迟(时钟到Q) = 15ns的时
V
CC
= 5V ,C
L
= 15pF的,T
A
= 25
o
C
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD74HC374E
CD74HCT374E
CD74HCT574E
CD74HC574E
CD74HC574M
CD74HC374M
CD74HCT374M
CD74HCT574M
注意事项:
1,订货时,使用整个零件编号。添加SUF音响X 96
获得在磁带和卷轴的变种。
2.晶圆和芯片这部分数量可满足所有
电气规格。请联系您当地的销售办事处或
哈里斯的客户服务订购信息。
TEMP 。 RANGE (
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
20 Ld的PDIP
20 Ld的PDIP
20 Ld的PDIP
20 Ld的PDIP
20 Ld的SOIC
20 Ld的SOIC
20 Ld的SOIC
20 Ld的SOIC
PKG 。
E20.3
E20.3
E20.3
E20.3
M20.3
M20.3
M20.3
M20.3
引脚配置
CD74HC374 , CD74HCT374
( PDIP , SOIC )
顶视图
CD74HCT574
( PDIP , SOIC )
顶视图
OE
Q0
D0
D1
Q1
Q2
D2
D3
Q3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
20 V
CC
19 Q7
18 D7
17 D6
16 Q6
15 Q5
14 D5
13 D4
12 Q4
11 CP
OE
D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
1
2
3
4
5
6
7
8
9
20 V
CC
19 Q0
18 Q1
17 Q2
16 Q3
15 Q4
14 Q5
13 Q6
12 Q7
11 CP
GND 10
GND 10
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
1998年哈里斯公司
网络文件编号
1663.1
1
CD74HC374 , CD74HCT374 , CD74HC574 , CD74HCT574
工作原理图
D
0
D
1
D
2
D
3
D
4
D
5
D
6
D
7
D
CP Q
CP
D
CP Q
D
CP
Q
D
CP Q
D
CP Q
D
CP Q
D
CP Q
D
CP Q
OE
Q
0
Q
1
Q
2
Q
3
Q
4
Q
5
Q
6
Q
7
真值表
输入
OE
L
L
L
H
CP
L
X
Dn
H
L
X
X
产量
Qn
H
L
Q0
Z
注意:
H =高电平(稳态)
L =低电平(稳态)
X =无关
=转型从低到高级别
Q0 = Q的表示稳态输入条件之前的水平
建立
Z =高阻抗状态
2
CD74HC374 , CD74HCT374 , CD74HC574 , CD74HCT574
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流,每个输出,我
O
为-0.5V < V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 35毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻(典型,注3 )
θ
JA
(
o
C / W )
PDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
125
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
120
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围,T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
3.
θ
JA
测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
I
I
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-6
-7.8
0.02
0.02
0.02
-
6
7.8
-
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
符号
V
I
(V)
I
O
(MA )
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
3
CD74HC374 , CD74HCT374 , CD74HC574 , CD74HCT574
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
静态器件
当前
符号
I
CC
V
I
(V)
V
CC
or
GND
I
O
(MA )
0
-
25
o
C
-
-
典型值
-
-
最大
8
±0.5
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
-
-
最大
80
±5.0
-
-
最大
160
±10
单位
A
A
V
CC
(V)
6
6
三态泄漏V
IL
或V
IH
V
O
= V
CC
当前
或GND
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
I
I
I
CC
V
CC
GND
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
或V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
-6
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
6
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
-
5.5
5.5
6
4.5
5.5
-
-
-
-
-
-
100
±0.1
8
±0.5
360
-
-
-
-
±1
80
±5.0
450
-
-
-
-
±1
160
±10
490
A
A
A
A
三态泄漏V
IL
或V
IH
V
O
= V
CC
当前
或GND
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
I
CC
V
CC
-2.1
注:对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )特定网络阳离子是1.8毫安。
HCT输入负载表
单位负载
输入
D0 - D7
CP
OE
HCT374
0.3
0.9
1.3
HCT574
0.4
0.75
0.6
注:机组负荷为
I
CC
在直流电气连接特定的阳离子限制特定网络
表,例如, 360μA最大值。在25
o
C.
4
CD74HC374 , CD74HCT374 , CD74HC574 , CD74HCT574
用于交换特定网络阳离子前提条件
25
o
C
参数
HC类型
最大时钟
频率
f
最大
2
4.5
6
时钟脉冲宽度
t
W
2
4.5
6
建立时间
数据时钟
t
SU
2
4.5
6
保持时间
数据时钟
t
H
2
4.5
6
HCT类型
最大时钟
频率
时钟脉冲宽度
建立时间
数据时钟
保持时间
数据时钟
f
最大
t
W
t
SU
t
H
4.5
30
-
-
25
-
-
20
-
-
兆赫
6
30
35
80
16
14
60
12
10
5
5
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
5
25
29
100
20
17
75
15
13
5
5
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
4
20
23
120
24
20
90
18
15
5
5
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
兆赫
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
符号
V
CC
(V)
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
典型值
最大
-55
o
C至125
o
C
典型值
最大
单位
4.5
4.5
16
12
-
-
-
-
20
15
-
-
-
-
24
18
-
-
-
-
ns
ns
4.5
5
-
-
5
-
-
5
-
-
ns
交换特定网络阳离子
C
L
= 50pF的,输入吨
r
, t
f
= 6ns的
25
o
C
V
CC
(V)
典型值
最大
-40
o
C到
85
o
C
最大
-55
o
C到
125
o
C
最大
单位
参数
HC类型
传播延迟
时钟到输出
符号
TEST
条件
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
2
4.5
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
5
6
2
4.5
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
5
6
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
15
-
-
-
11
-
165
33
-
28
135
27
-
23
-
-
-
-
-
-
-
-
205
41
-
35
170
34
-
29
-
-
-
-
-
-
-
-
250
50
-
43
205
41
-
35
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
输出禁止向Q
t
PLZ
, t
PHZ
C
L
= 50pF的
5
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