CD74HCT574 EP
高速CMOS逻辑八路D型触发器
3状态，上升沿触发
SCLS571 - 2004年2月
D
控制基线
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
- 一个封装/测试网站，一个制造
现场
扩展温度性能
-40_C到125_C
提高制造业递减
源（ DMS ）支持
增强型产品变更通知
资质谱系
缓冲输入
常见的三态输出使能控制
三态输出
公交线驱动能力
典型传播延迟（时钟到Q） ：
15纳秒在V
CC
= 5 V ，C
L
= 15 pF的，T
A
= 255C
扇出（整个温度范围内）
- 标准输出。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 15输入通道负载
D
平衡传输延迟和过渡
D
D
D
D
时
显著降低功耗相比
LSTTL逻辑IC
V
CC
电压= 4.5 V至5.5 V
直接输入通道输入逻辑兼容，
V
IL
= 0.8 V（最大值） ，V
IH
= 2 V （最小值）
CMOS兼容输入，我
l
v
1
mA
在V
OL
,
V
OH
M或PW包装
（ TOP VIEW ）
按照JEDEC和产业组件资质
标准，以确保可靠的操作在长时间
温度范围。这包括，但不限于，高
加速应力测试（ HAST ）或偏见85/85 ，温度
循环，高压灭菌器或偏见的HAST ，电，债券
间的生活，模塑料的使用寿命。该项资格
检测不应该被看作是证明使用该组件的
超出规定的性能和环境的限制。
OE
D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
V
CC
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
CP
描述/订购信息
该CD74HCT574是一个八进制D型触发器具有三态输出，用于驱动15个LSTTL负载的能力。
八个边沿触发的触发器输入数据到其上的时钟（CP）的所述低到高转换寄存器。
输出使能（ OE ）控制的三态输出和独立的寄存器操作。当OE
高电平时，输出处于高阻抗状态。
订购信息
TA
-40_C到125_C
包装
SOIC - M
TSSOP - PW
磁带和卷轴
磁带和卷轴
订购
产品型号
CD74HCT574QM96EP
CD74HCT574QPWREP
TOP- SIDE
记号
HCT574EP
HCT574EP
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计指南
可在www.ti.com/sc/package 。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2004年，德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
1
CD74HCT574 EP
高速CMOS逻辑八路D型触发器
3状态，上升沿触发
SCLS571 - 2004年2月
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）
电源电压范围，V
CC
（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V的
输入钳位电流，I
IK
(V
I
< -0.5 V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±20
mA
输出钳位电流，I
OK
(V
O
< -0.5 V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±20
mA
漏极电流每路输出，我
O
(V
O
> -0.5 V或V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±35
mA
输出源出或吸入电流每路输出，我
O
(V
O
> -0.5 V或V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V) . . . . . . . . . . . . . . . . .
±25
mA
连续电流通过V
CC
或GND ，我
CC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±50
mA
封装的热阻抗，
θ
JA
（见注2 ） ：男包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 58 ° C / W
PW包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 69 ° C / W
最高结温，T
J
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150°C
引线温度（焊接时） ：
在距离1/16
±
1/32英寸（ 1.59
±
0,79毫米）的情况下， 10秒最大。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
存储温度范围，T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注意事项： 1.参考GND除非另有说明，所有的电压。
2.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
推荐工作条件（见注3 ）
民
VCC
VIH
VIL
VI
VO
tt
电源电压
高电平输入电压
低电平输入电压
输入电压
输出电压
VCC = 2 V
VCC = 4.5 V
VCC = 6 V
VCC = 4.5 V至5.5 V
VCC = 4.5 V至5.5 V
4.5
2
0.8
0
0
0
0
0
VCC
VCC
1000
500
400
ns
最大
5.5
单位
V
V
V
V
V
输入转换（上升和下降）的时间
TA
工作自由空气的温度
40
125
°C
注3 ：该设备的所有未使用的输入必须在VCC或GND举行，以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告，
慢或浮动CMOS输入的影响，
文献编号SCBA004 。
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高速CMOS逻辑八路D型触发器
3状态，上升沿触发
电气特性在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非
另有说明）
参数
测试条件
CMOS负载
VOH
VOL
II
IOZ
ICC
I
CC
CIN
COUT
VI = VIH或VIL
VI = VIH或VIL
VI = VCC或GND
VI = VIL或VIH ，
VI = VCC或GND
VI = VCC - 2.1 V ，
CL = 50 pF的
3-state
见注4
TTL负载
CMOS负载
TTL负载
VO = VCC或GND
0
IO
（MA ）
0.02
6
0.02
6
0
VCC
民
4.5 V
4.5 V
4.5 V
4.5 V
5.5 V
6V
5.5 V
4.5 V
to
5.5 V
100
4.4
3.98
0.1
0.26
±0.1
±0.5
8
360
10
20
TA = 25°C
典型值
最大
TA
=
40°C
至125℃
民
4.4
3.7
0.1
0.4
±1
±10
160
490
10
20
V
A
A
A
A
pF
pF
V
最大
单位
注4 ：对于双电源系统，理论上的最坏情况（ VI = 2.4 V ， VCC = 5.5 V ）规格为1.8毫安。
HCT输入负载
TYPE
输入
D0D7
’574
CP
OE
单位负载
0.4
0.75
0.6
机组负荷为
I
电气指定CC的限制
特性表，如360
A
最高25 ℃。
时序要求在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非另有
说明）（参见图1）
参数
FMAX
tw
TSU
th
最大时钟频率
时钟脉冲持续时间
建立时间，时钟数据之前↑
保持时间，时钟数据后↑
VCC
4.5 V
4.5 V
4.5 V
4.5 V
TA = 25°C
民
30
16
12
5
最大
TA
=
40°C
至125℃
民
20
24
18
5
最大
兆赫
ns
ns
ns
单位
4
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达拉斯，德克萨斯州75265
QQ：2880707522 复制
