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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第1389页 > CD74HCT4520M
CD74HC4518 , CD54HC4520 ,
CD74HC4520 , CD74HCT4520
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS216D
1997年11月 - 修订2003年10月
高速CMOS逻辑器件
双同步计数器
有可互换的时钟和使能的线路
在递增无论是正向或负
将时钟过渡。该计数器是由高清零
在主复位线水平。该计数器可以是
通过连接Q级联中的脉动模式
3
ENABLE随后的计数器在时钟的输入
后者的输入保持为低。
特点
上升沿或下降沿触发
[ /标题
(CD74
HC451
8,
CD74
HC452
0,
CD74
HCT45
20)
/子
拍摄对象
同步内部进位传播
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC4520F3A
CD74HC4518E
CD74HC4520E
CD74HC4520M
CD74HC4520MT
CD74HC4520M96
CD74HCT4520E
CD74HCT4520M
CD74HCT4520MT
CD74HCT4520M96
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
描述
该CD74HC4518是双BCD递增计数器。在“ HC4520
和CD74HCT4520是双二进制,计数器。每
装置由两个独立的内部同步
4级计数器。柜台阶段是D- FL型IP- FL OPS
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF科幻×96
表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示小批量卷轴
250 。
引脚
CD54HC4520
( CERDIP )
CD74HC4518
( PDIP )
CD74HC4520 , CD74HCT4520 ,
( PDIP , SOIC )
顶视图
1CP 1
1E 2
1Q
0
3
1Q
1
4
1Q
2
5
1Q
3
6
1MR 7
GND 8
16 V
CC
15 2MR
14 2Q
3
13 2Q
2
12 2Q
1
11 2Q
0
10 2E
9 2CP
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD74HC4518 , CD54HC4520 , CD74HC4520 , CD74HCT4520
工作原理图
1CP
1
÷
10/
÷
16
CL
R
3
1Q
0
4
1Q
1
5
1Q
2
6
1Q
3
1E
2
1MR
7
2CP
9
÷
10/
÷
16
CL
R
11
2Q
0
12
2Q
1
13
2Q
2
14
2Q
3
2E
10
2MR
15
GND = 8
V
CC
= 16
真值表
CP
L
X
H
X
H
L
X
=高状态。
=低状态。
=高至低跳变。
=低到高的转变。
=无关。
E
H
X
L
X
MR
L
L
L
L
L
L
H
输出状态
递增计数器
递增计数器
没有变化
没有变化
没有变化
没有变化
Q
0
直通Q
3
= L
2
CD74HC4518 , CD54HC4520 , CD74HC4520 , CD74HCT4520
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻(典型值,注1 )
θ
JA
(
o
C / W )
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 67
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 73
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围,T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
I
I
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
-
4
5.2
-
0
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
8
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
80
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
160
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
符号
V
I
(V)
I
O
(MA )
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
最大
-55
o
C到
125
o
C
最大
单位
3
CD74HC4518 , CD54HC4520 , CD74HC4520 , CD74HCT4520
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
注意:
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
(注2 )
V
CC
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
OL
V
IH
或V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
或V
IL
-
-
-0.02
4.5 5.5
4.5 5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
V
I
(V)
I
O
(MA )
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
最大
-55
o
C到
125
o
C
最大
单位
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
5.5
5.5
4.5 5.5
-
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
HCT输入负载表
输入
MR
CP
启用
单位负载
1.2
0.25
0.5
注:机组负荷为
I
CC
在DC电气表限制特定网络版,例如,
最大360μA 25
o
C.
用于交换特定网络阳离子前提条件
25
o
C
参数
HC类型
最大时钟
频率
f
最大
2
4.5
6
CP脉冲宽度
t
W
2
4.5
6
MR脉冲宽度
t
W
2
4.5
6
6
30
35
80
16
14
100
20
17
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
5
24
28
100
20
17
125
25
21
-
-
-
-
-
-
-
-
-
4
20
24
120
24
20
150
30
26
-
-
-
-
-
-
-
-
-
兆赫
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
符号
V
CC
(V)
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
最大
-55
o
C至125
o
C
最大
单位
4
CD74HC4518 , CD54HC4520 , CD74HC4520 , CD74HCT4520
用于交换特定网络阳离子前提条件
参数
设置时间,
启用以CP
符号
t
SU
V
CC
(V)
2
4.5
6
搬迁时间,
MR到CP
t
REM
2
4.5
6
设置时间,
CP启用
t
SU
2
4.5
6
搬迁时间,
MR启用
t
REM
2
4.5
6
HCT类型
最大时钟
频率
时钟脉冲宽度
MR脉冲宽度
设置时间,
启用以CP
搬迁时间,
MR TP启用
f
最大
t
W
t
W
t
SU
t
REM
4.5
4.5
4.5
4.5
4.5
25
20
20
16
0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
20
25
25
20
0
-
-
-
-
-
17
30
30
24
0
-
-
-
-
-
兆赫
ns
ns
ns
ns
(续)
25
o
C
80
16
14
0
0
0
80
16
14
0
0
0
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-40
o
C至85
o
C
100
20
17
0
0
0
100
20
17
0
0
0
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-55
o
C至125
o
C
120
24
20
0
0
0
120
24
20
0
0
0
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
TEST
符号条件
t
PLH ,
t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
启用以Q
n
t
PLH ,
t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
MR到Q
n
t
PLH ,
t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
输出转换时间
t
THL
, t
TLH
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
CL = 50pF的
输入电容
最大时钟频率
功率耗散电容
(注3,4)
C
IN
f
最大
C
PD
C
L
= 50pF的
CL = 15pF的
C
L
= 15pF的
25
o
C
V
CC
(V)
2
4.5
5
6
2
4.5
5
6
2
4.5
5
6
2
4.5
6
-
5
5
-
-
-
60
33
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
20
-
-
-
20
-
-
-
12
-
-
-
最大
240
48
-
41
240
48
-
41
150
30
-
26
75
15
13
10
-
-40
o
C到
85
o
C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
300
60
-
51
300
60
-
51
190
38
-
33
95
19
16
10
-
-55
o
C至125
o
C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
360
72
-
61
360
72
-
61
225
45
-
38
110
22
19
10
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
兆赫
pF
参数
HC类型
传播延迟
CP到Q
n
5
CD74HC4518 , CD74HC4520 ,
CD74HCT4520
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS216
1997年11月
高速CMOS逻辑
双同步计数器
描述
哈里斯CD74HC4518是一个双BCD递增计数器。该
哈里斯CD74HC4520和CD74HCT4520是双二进制
向上计数器。每个设备包括两个独立的
内部同步4级计数器。柜台阶段
是D- FL型IP- FL OPS具有可互换的时钟和
启用递增不论是从正向线
或时钟的负向过渡。该计数器
通过高水平的主复位线清除。该
计数器可以通过连接级联中的脉动模式
Q
3
到后续计数器而的ENABLE输入
后者的时钟输入为低。
特点
上升沿或下降沿触发
[ /标题
(CD74
HC451
8,
CD74
HC452
0,
CD74
HCT45
20)
/子
拍摄对象
同步内部进位传播
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD74HC4518E
CD74HC4520E
CD74HCT4520E
CD74HC4520M
CD74HCT4520M
注意事项:
1,订货时,使用整个零件编号。添加SUF音响X 96
获得在磁带和卷轴的变种。
2.晶圆或死亡的这一部分数量可满足所有elec-
Trical公司规范。请联系您当地的销售办事处或
哈里斯的客户服务订购信息。
TEMP 。 RANGE (
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
16 Ld的PDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
PKG 。
E16.3
E16.3
E16.3
M16.15
M16.15
引脚
CD74HC4518
CD74HC4520 , CD74HCT4520
( PDIP , SOIC )
顶视图
1CP 1
1E 2
1Q
0
3
1Q
1
4
1Q
2
5
1Q
3
6
1MR 7
GND 8
16 V
CC
15 2MR
14 2Q
3
13 2Q
2
12 2Q
1
11 2Q
0
10 2E
9 2CP
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
1997年哈里斯公司
网络文件编号
1665.1
1
CD74HC4518 , CD74HC4520 , CD74HCT4520
工作原理图
1CP
1
÷
10/
÷
16
CL
R
3
1Q
0
4
1Q
1
5
1Q
2
6
1Q
3
1E
2
1MR
7
2CP
9
÷
10/
÷
16
CL
R
11
2Q
0
12
2Q
1
13
2Q
2
14
2Q
3
2E
10
2MR
15
GND = 8
V
CC
= 16
真值表
CP
L
X
H
X
注意:
H =高电平状态。
L =低的状态。
=高至低跳变。
=低到高的转变。
X =不在乎。
E
H
X
L
X
MR
L
L
L
L
L
L
H
输出状态
递增计数器
递增计数器
没有变化
没有变化
没有变化
没有变化
Q
0
直通Q
3
= L
2
CD74HC4518 , CD74HC4520 , CD74HCT4520
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻(典型,注3 )
θ
JA
(
o
C / W )
PDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
90
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
160
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围,T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
3.
θ
JA
测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
I
I
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
-
4
5.2
-
0
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
8
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
80
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
160
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
符号
V
I
(V)
I
O
(MA )
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
最大
-55
o
C到
125
o
C
最大
单位
3
CD74HC4518 , CD74HC4520 , CD74HCT4520
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
I
I
I
CC
I
CC
V
CC
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
OL
V
IH
或V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
或V
IL
-
-
-0.02
4.5 5.5
4.5 5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
V
I
(V)
I
O
(MA )
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
最大
-55
o
C到
125
o
C
最大
单位
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
5.5
5.5
4.5 5.5
-
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
注:对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )特定网络阳离子是1.8毫安。
HCT输入负载表
输入
MR
CP
启用
单位负载
1.2
0.25
0.5
注:机组负荷为
I
CC
在DC电气表限制特定网络版,例如,
最大360μA 25
o
C.
用于交换特定网络阳离子前提条件
25
o
C
参数
HC类型
最大时钟
频率
f
最大
2
4.5
6
CP脉冲宽度
t
W
2
4.5
6
MR脉冲宽度
t
W
2
4.5
6
6
30
35
80
16
14
100
20
17
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
5
24
28
100
20
17
125
25
21
-
-
-
-
-
-
-
-
-
4
20
24
120
24
20
150
30
26
-
-
-
-
-
-
-
-
-
兆赫
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
符号
V
CC
(V)
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
最大
-55
o
C至125
o
C
最大
单位
4
CD74HC4518 , CD74HC4520 , CD74HCT4520
用于交换特定网络阳离子前提条件
参数
设置时间,
启用以CP
符号
t
SU
V
CC
(V)
2
4.5
6
搬迁时间,
MR到CP
t
REM
2
4.5
6
设置时间,
CP启用
t
SU
2
4.5
6
搬迁时间,
MR启用
t
REM
2
4.5
6
HCT类型
最大时钟
频率
时钟脉冲宽度
MR脉冲宽度
设置,时间
启用以CP
搬迁时间,
MR TP启用
f
最大
t
W
t
W
t
SU
t
REM
4.5
4.5
4.5
4.5
4.5
25
20
20
16
0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
20
25
25
20
0
-
-
-
-
-
17
30
30
24
0
-
-
-
-
-
兆赫
ns
ns
ns
ns
(续)
25
o
C
80
16
14
0
0
0
80
16
14
0
0
0
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-40
o
C至85
o
C
100
20
17
0
0
0
100
20
17
0
0
0
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-55
o
C至125
o
C
120
24
20
0
0
0
120
24
20
0
0
0
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
TEST
符号条件
t
PLH ,
t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
启用以Q
n
t
PLH ,
t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
MR到Q
n
t
PLH ,
t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
输出转换时间
t
THL
, t
TLH
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
CL = 50pF的
输入电容
最大时钟频率
功率耗散电容
(注4,5)
C
IN
f
最大
C
PD
C
L
= 50pF的
CL = 15pF的
C
L
= 15pF的
25
o
C
V
CC
(V)
2
4.5
5
6
2
4.5
5
6
2
4.5
5
6
2
4.5
6
-
5
5
-
-
-
60
33
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
20
-
-
-
20
-
-
-
12
-
-
-
最大
240
48
-
41
240
48
-
41
150
30
-
26
75
15
13
10
-
-40
o
C到
85
o
C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
300
60
-
51
300
60
-
51
190
38
-
33
95
19
16
10
-
-55
o
C至125
o
C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
360
72
-
61
360
72
-
61
225
45
-
38
110
22
19
10
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
兆赫
pF
参数
HC类型
传播延迟
CP到Q
n
5
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封装
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    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    CD74HCT4520M
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1454677900 复制 点击这里给我发消息 QQ:1909637520 复制
电话:0755-23613962/82706142
联系人:雷小姐
地址:深圳市福田区华强北街道华红社区红荔路3002号交行大厦一单元711
CD74HCT4520M
HAR;TIS
2024+
9675
SOIC16
优势现货,全新原装进口
QQ:
电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
CD74HCT4520M
TI
21+
19200
SOIC (D)
原装正品,欢迎询价
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:800021960 复制
电话:0755-83258002
联系人:林
地址:门市: 新华强广场2楼Q2B036室 | 公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
CD74HCT4520M
TEXAS INSTRUMENTS
160
公司现货!只做原装!
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电话:19520735817/13148740183
联系人:米小姐,黄小姐
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格科技园2栋西
CD74HCT4520M
Texas Instruments
21+
225
16-SOIC(3.9mm 宽)
二进制计数器
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:729272152 复制 点击这里给我发消息 QQ:1484215649 复制

电话:021-51875986/51872153
联系人:陈小姐 张先生
地址:上海市黄浦区北京东路668号科技京城西楼
CD74HCT4520M
TI/德州仪器
21+
29000
SOP-16
全新原装,欢迎订购!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2938238007 复制 点击这里给我发消息 QQ:1840507767 复制

电话:0755-82578309/18898790342
联系人:李小姐
地址:深圳市福田区华强北海外装饰大厦B座7B33
CD74HCT4520M
TI
21+
12000
SOIC (D)
███全新原装正品,可配单
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电话:18820154873
联系人:李
地址:华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋西6层C6A10
CD74HCT4520M
TI
24+
82800
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QQ: 点击这里给我发消息 QQ:97877807 复制

电话:171-4755-1968(微信同号)
联系人:周小姐171-4755-196微信同号,无线联通更快捷!8
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9854
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联系人:朱先生
地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层
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23+
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电话:0755-83247290
联系人:吴先生/吴小姐/李小姐
地址:深圳市福田区航都大厦17F1
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Texas Instruments
23+
1,017
原厂原封装
全新原装,现货优势库存
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