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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第1593页 > CD74HCT4094MG4
CD54HC4094 , CD74HC4094 ,
CD74HCT4094
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS211D
1997年11月 - 修订2003年10月
高速CMOS逻辑器件
8级移位和存储总线寄存器,三态
两个串行输出可用于级联若干
这些设备。数据可在QS
1
串行输出
上正时钟端缘,以允许高速
操作在级联系统中的时钟信号的上升时间是
快。相同的序列信息,可在QS
2
终端上的下一个负时钟沿,提供了一种手段
级联这些设备在时钟的上升时间较慢。
特点
缓冲输入
[ /标题
(CD74H
C4094,
CD74H
CT4094
)
/子
拍摄对象
(高
速度
CMOS
逻辑8
独立的串行同步输出到两个
正面和负面的时钟边沿级联
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC4094F3A
CD74HC4094E
CD74HC4094M
CD74HC4094MT
CD74HC4094M96
CD74HC4094NSR
CD74HC4094PW
CD74HC4094PWR
CD74HC4094PWT
CD74HCT4094E
CD74HCT4094M
CD74HCT4094MT
CD74HCT4094M96
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
描述
在' HC4094和CD74HCT4094 8级串行移位
寄存器具有一个存储锁存器与每个阶段相关联的
从串行输入数据选通并行缓冲
三态输出。的并行输出端可被连接
直接将普通公交线路。数据移入正面
时钟跳变。在各移位寄存器级的数据是
传送到存储寄存器时,选通输入是
高。在存贮寄存器中的数据出现在输出端
每当输出使能信号为高电平。
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF网络XES 96
而R表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示小量
卷轴250 。
引脚
CD54HC4094 ( CERDIP )
CD74HC4094 ( PDIP , SOIC , SOP , TSSOP )
CD74HCT4094 ( PDIP , SOIC )
顶视图
频闪1
数据2
CP 3
Q
0
4
Q
1
5
Q
2
6
Q
3
7
GND 8
16 V
CC
15 OE
14 Q
4
13 Q
5
12 Q
6
11 Q
7
10 QS
2
9 QS
1
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD54HC4094 , CD74HC4094 , CD74HCT4094
工作原理图
2
数据
CP
3
8-STAGE
注册
9
QS
1
10
QS
2
1
频闪
8-BIT
存储
注册
4
5
6
7
15
OE
状态
产量
14
13
12
11
Q
0
Q
1
Q
2
Q
3
Q
4
Q
5
Q
6
Q
7
GND = 8
V
CC
= 16
真值表
输入
CP
OE
L
L
H
H
H
H
STR
X
X
L
H
H
H
D
X
X
X
L
H
H
并行输出
Q
0
Z
Z
NC
L
H
NC
Q
n
Z
Z
NC
Q
n
-1
Q
n
-1
NC
串行输出
QS
1
(注1 )
Q’6
NC
Q’6
Q’6
Q’6
NC
QS
2
NC
Q
7
NC
NC
NC
Q
7
H =高电平, L =低电压等级, X =无所谓, NC =不收费, Z =高阻抗关闭状态,
↑ =
转变从低到高级别,
=转型从高至低。
注意:
1.在正时钟边沿在第七寄存器级的信息被传递到第八寄存器级和QS1输出。
2
逻辑图
D
FF
O
CP
CP
FF
1
FF
2
FF
3
FF
4
FF
5
FF
6
FF
7
Q
2
数据
9
QS
1
3
CP
CP
D
L
8
Q
CP
1
STR
CD54HC4094 , CD74HC4094 , CD74HCT4094
3
STR STR
L
O
Q
L
1
L
2
L
3
L
4
OE OE
4
Q
0
5
Q
1
6
Q
2
7
Q
3
10
QS
2
L
5
L
6
L
7
15
OE
14
Q
4
13
Q
5
12
Q
6
11
Q
7
CD54HC4094 , CD74HC4094 , CD74HCT4094
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
封装的热阻抗,
θ
JA
(见注2 ) :
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 67
o
C / W
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 73
o
C / W
NS ( SOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .64oC / W
PW ( TSSOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 108
o
C / W
最高结温(塑料封装) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
SOIC - 导线头只)
工作条件
温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
2.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
I
I
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
-
4
5.2
-
0
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
8
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
80
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
160
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
符号
V
I
(V)
I
O
(MA )
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
4
CD54HC4094 , CD74HC4094 , CD74HCT4094
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
注意:
3.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
(注3)
V
CC
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
OL
V
IH
或V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
或V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
V
I
(V)
I
O
(MA )
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
V
CC
(V)
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
5.5
5.5
4.5
5.5
-
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
HCT输入负载表
输入
D
CP , OE
STR
单位负载
0.4
1.5
1.0
注:机组负荷为
I
CC
在DC电气表限制特定网络版,例如,
最大360μA 25
o
C.
用于交换特定网络阳离子前提条件
25
o
C
特征
HC类型
CP脉冲宽度
t
W
2
4.5
6
STR脉冲宽度
t
WH
2
4.5
6
80
16
14
80
16
14
-
-
-
-
-
-
100
20
17
100
20
17
-
-
-
-
-
-
120
24
20
120
24
20
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
符号
V
CC
(V)
最大
-40
o
C至85
o
C
最大
-55
o
C至125
o
C
最大
单位
5
CD54HC4094 , CD74HC4094 ,
CD74HCT4094
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS211D
1997年11月 - 修订2003年10月
高速CMOS逻辑器件
8级移位和存储总线寄存器,三态
两个串行输出可用于级联若干
这些设备。数据可在QS
1
串行输出
上正时钟端缘,以允许高速
操作在级联系统中的时钟信号的上升时间是
快。相同的序列信息,可在QS
2
终端上的下一个负时钟沿,提供了一种手段
级联这些设备在时钟的上升时间较慢。
特点
缓冲输入
[ /标题
(CD74H
C4094,
CD74H
CT4094
)
/子
拍摄对象
(高
速度
CMOS
逻辑8
独立的串行同步输出到两个
正面和负面的时钟边沿级联
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC4094F3A
CD74HC4094E
CD74HC4094M
CD74HC4094MT
CD74HC4094M96
CD74HC4094NSR
CD74HC4094PW
CD74HC4094PWR
CD74HC4094PWT
CD74HCT4094E
CD74HCT4094M
CD74HCT4094MT
CD74HCT4094M96
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
描述
在' HC4094和CD74HCT4094 8级串行移位
寄存器具有一个存储锁存器与每个阶段相关联的
从串行输入数据选通并行缓冲
三态输出。的并行输出端可被连接
直接将普通公交线路。数据移入正面
时钟跳变。在各移位寄存器级的数据是
传送到存储寄存器时,选通输入是
高。在存贮寄存器中的数据出现在输出端
每当输出使能信号为高电平。
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF网络XES 96
而R表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示小量
卷轴250 。
引脚
CD54HC4094 ( CERDIP )
CD74HC4094 ( PDIP , SOIC , SOP , TSSOP )
CD74HCT4094 ( PDIP , SOIC )
顶视图
频闪1
数据2
CP 3
Q
0
4
Q
1
5
Q
2
6
Q
3
7
GND 8
16 V
CC
15 OE
14 Q
4
13 Q
5
12 Q
6
11 Q
7
10 QS
2
9 QS
1
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD54HC4094 , CD74HC4094 , CD74HCT4094
工作原理图
2
数据
CP
3
8-STAGE
注册
9
QS
1
10
QS
2
1
频闪
8-BIT
存储
注册
4
5
6
7
15
OE
状态
产量
14
13
12
11
Q
0
Q
1
Q
2
Q
3
Q
4
Q
5
Q
6
Q
7
GND = 8
V
CC
= 16
真值表
输入
CP
OE
L
L
H
H
H
H
STR
X
X
L
H
H
H
D
X
X
X
L
H
H
并行输出
Q
0
Z
Z
NC
L
H
NC
Q
n
Z
Z
NC
Q
n
-1
Q
n
-1
NC
串行输出
QS
1
(注1 )
Q’6
NC
Q’6
Q’6
Q’6
NC
QS
2
NC
Q
7
NC
NC
NC
Q
7
H =高电平, L =低电压等级, X =无所谓, NC =不收费, Z =高阻抗关闭状态,
↑ =
转变从低到高级别,
=转型从高至低。
注意:
1.在正时钟边沿在第七寄存器级的信息被传递到第八寄存器级和QS1输出。
2
逻辑图
D
FF
O
CP
CP
FF
1
FF
2
FF
3
FF
4
FF
5
FF
6
FF
7
Q
2
数据
9
QS
1
3
CP
CP
D
L
8
Q
CP
1
STR
CD54HC4094 , CD74HC4094 , CD74HCT4094
3
STR STR
L
O
Q
L
1
L
2
L
3
L
4
OE OE
4
Q
0
5
Q
1
6
Q
2
7
Q
3
10
QS
2
L
5
L
6
L
7
15
OE
14
Q
4
13
Q
5
12
Q
6
11
Q
7
CD54HC4094 , CD74HC4094 , CD74HCT4094
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
封装的热阻抗,
θ
JA
(见注2 ) :
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 67
o
C / W
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 73
o
C / W
NS ( SOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .64oC / W
PW ( TSSOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 108
o
C / W
最高结温(塑料封装) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
SOIC - 导线头只)
工作条件
温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
2.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
I
I
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
-
4
5.2
-
0
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
8
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
80
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
160
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
符号
V
I
(V)
I
O
(MA )
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
4
CD54HC4094 , CD74HC4094 , CD74HCT4094
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
注意:
3.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
(注3)
V
CC
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
OL
V
IH
或V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
或V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
V
I
(V)
I
O
(MA )
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
V
CC
(V)
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
5.5
5.5
4.5
5.5
-
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
HCT输入负载表
输入
D
CP , OE
STR
单位负载
0.4
1.5
1.0
注:机组负荷为
I
CC
在DC电气表限制特定网络版,例如,
最大360μA 25
o
C.
用于交换特定网络阳离子前提条件
25
o
C
特征
HC类型
CP脉冲宽度
t
W
2
4.5
6
STR脉冲宽度
t
WH
2
4.5
6
80
16
14
80
16
14
-
-
-
-
-
-
100
20
17
100
20
17
-
-
-
-
-
-
120
24
20
120
24
20
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
符号
V
CC
(V)
最大
-40
o
C至85
o
C
最大
-55
o
C至125
o
C
最大
单位
5
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