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CD54HC4066 , CD74HC4066 ,
CD74HCT4066
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS208D
1998年2月 - 修订2003年8月
高速CMOS逻辑器件
四路双向开关
描述
在' HC4066和CD74HCT4066包含四个独立的
使用硅栅数字控制模拟开关
CMOS技术来实现运行速度相似
输入通道与标准CMOS的低功耗
集成电路。
这些开关具有的特征线“ON”
该金属栅CD4066B的阻力。每个开关
通过在其控制输入端的高电平电压导通。
特点
宽模拟输入电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V - 10V
[ /标题
(CD74H
C4066,
CD74H
CT4066
)
/主题
(高
速度
CMOS
逻辑
·低“的”性
- V
CC
= 4.5V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .25
- V
CC
= 9V . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .15
快速切换和传输延迟时间
低“OFF”漏电流
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
HC类型
- 2V至10V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V和10V
HCT类型
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC4066F3A
CD74HC4066E
CD74HC4066M
CD74HC4066MT
CD74HC4066M96
CD74HC4066PW
CD74HC4066PWR
CD74HC4066PWT
CD74HCT4066E
CD74HCT4066M
CD74HCT4066MT
CD74HCT4066M96
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
14 Ld的CERDIP
14 Ld的PDIP
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的TSSOP
14 Ld的TSSOP
14 Ld的TSSOP
14 Ld的PDIP
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF网络XES 96
而R表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示小量
卷轴250 。
引脚
CD54HC4066 ( CERDIP )
CD74HC4066 ( PDIP , SOIC , TSSOP )
CD74HCT4066 ( PDIP , SOIC )
顶视图
1Y 1
1Z 2
2Z 3
2Y 4
2E 5
3E 6
7 GND
14 V
CC
13 1E
12 4E
11 4Y
10 4Z
9 3Z
8 3Y
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD54HC4066 , CD74HC4066 , CD74HCT4066
工作原理图
13
1E
2
5
2E
3
6
3E
9
12
4E
10
11
8
4
1
1Y
1Z
2Y
2Z
3Y
3Z
4Y
4Z
GND = 7
V
CC
= 14
真值表
输入
nE
L
H
H =高电平
L =低电平
开关
关闭
On
逻辑图
nY
p
p
n
n
nZ
nE
2
CD54HC4066 , CD74HC4066 , CD74HCT4066
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至10.5V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC开关电流,I
O
(注1 )
为-0.5V < V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻(典型,注2 )
θ
JA
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
80
o
C / W
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
86
o
C / W
PW ( TSSOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
113
o
C / W
最高结温(密封包装或死亡) 。 。 。 175
o
C
最高结温(塑料封装) 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围,T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至10V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意事项:
1.在某些应用中,外部负载电阻器的电流可包括V
CC
和信号线组件。为了避免绘制V
CC
当前
当开关电流流入传输门的输入端, (端子1 , 4,8和11)穿过的双向开关的电压降
不能超过0.6V (自R计算
ON
在直流电气规格表中所示的值) 。无V
CC
电流将流过
R
L
如果开关电流流入端子2,3, 9和10 。
2.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
9
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
9
输入漏
当前
(任何控制)
离漏电开关
当前
I
IL
V
CC
or
GND
V
IL
-
10
1.5
3.15
6.3
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
2.7
±0.1
1.5
3.15
6.3
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
2.7
±1
1.5
3.15
6.3
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
2.7
±1
V
V
V
V
V
V
A
符号
V
I
(V)
V
IS
(V)
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
最大
-55
o
C至125
o
C
最大
单位
I
Z
V
CC
or
GND
10
-
-
±0.1
-
±1
-
±1
A
3
CD54HC4066 , CD74HC4066 , CD74HCT4066
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
'ON'性
I
O
= 1毫安
(图1)
符号
R
ON
V
I
(V)
V
CC
V
IS
(V)
V
CC
or
GND
V
CC
(V)
4.5
6
9
V
CC
to
GND
4.5
6
9
'ON'性
任意两个之间
开关
静态器件
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
输入漏
当前
(任何控制)
离漏电开关
当前
'ON'性
I
O
= 1毫安
(图1)
V
IH
V
IL
I
IL
-
-
V
CC
or
GND
V
IL
V
CC
-
-
-
4.5
5.5
4.5
5.5
5.5
2
-
-
-
-
-
-
0.8
±0.1
2
-
-
-
0.8
±1
2
-
-
-
0.8
±1
V
V
A
R
ON
V
CC
-
4.5
6
9
I
CC
V
CC
or
GND
-
6
10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
25
o
C
典型值
25
20
15
35
24
16
1
0.75
0.5
-
-
最大
80
75
60
95
84
70
-
-
-
2
16
-40
o
C至85
o
C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
106
94
78
118
105
88
-
-
-
20
160
-55
o
C至125
o
C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
128
113
95
142
126
105
-
-
-
40
320
单位
A
A
I
Z
R
ON
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
CC
to
GND
5.5
4.5
4.5
4.5
-
-
-
-
-
25
35
1
±0.1
80
95
-
-
-
-
-
±1
106
118
-
-
-
-
-
±1
128
142
-
A
'ON'性
任意两个之间
开关
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
注意:
R
ON
V
CC
-
I
CC
I
CC
(注3)
V
CC
or
GND
V
CC
- 2.1
-
-
5.5
4.5
5.5
-
-
-
100
2
360
-
-
20
450
-
-
40
490
A
A
3.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
HCT输入负载表
输入
所有
单位负载
1
注:机组负荷为
I
CC
在直流电气连接特定钙限制特定网络版
系统蒸发散表,例如, 360μA最大值在25
o
C.
4
CD54HC4066 , CD74HC4066 , CD74HCT4066
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
参数
HC类型
传播延迟时间
在切换到输出
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
2
4.5
9
C
L
= 15pF的
传播延迟时间
开关导通延迟
t
PZH
, t
PZL
C
L
= 50pF的
5
2
4.5
9
C
L
= 15pF的
传播延迟时间
开关延时关闭
t
PHZ
, t
PLZ
C
L
= 50pF的
5
2
4.5
9
C
L
= 15pF的
输入(控制)电容
功率耗散电容
(注4,5)
HCT类型
传播延迟时间
在切换到输出
传播延迟时间
开关导通延迟
传播延迟时间
开关延时关闭
输入(控制)电容
功率耗散电容
(注4,5)
注意事项:
5. P
D
= C
PD
V
CC2
f
i
+
Σ
(C
L
+ C
S
) V
CC2
f
o
其中f
i
=输入频率f
o
=输出频率,C
L
=输出负载电容,C
S
=开关
电容,V
CC
=电源电压。
T
A
= 25
o
C
测试条件
图5 ,注意事项6 , 7
V
CC
(V)
4.5
HC4066
200
CD74HCT4066
200
单位
兆赫
4. C
PD
被用于确定所述动态功耗,每包。
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
t
PZH
, t
PZL
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
t
PHZ
, t
PLZ
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
I
C
PD
-
-
4.5
5
4.5
5
4.5
5
-
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
4
-
9
-
14
-
38
12
-
24
-
35
-
10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
15
-
30
-
44
-
10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
18
-
36
-
53
-
10
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
C
I
C
PD
-
-
5
-
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
4
-
-
-
8
-
-
-
12
-
25
60
12
8
-
100
20
12
-
150
30
24
-
10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
75
15
11
-
125
25
15
-
190
38
30
-
10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
90
18
13
-
150
30
18
-
225
45
36
-
10
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
符号
TEST
条件
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
模拟通道特定网络阳离子
参数
在-3dB开关频率响应带宽
图2
相声任意两点间的开关图3
总谐波失真
图4 ,注意事项7 , 8
图6中,为1kHz ,
V
IS
= 4V
P-P
图6中,为1kHz ,
V
IS
= 8V
P-P
4.5
4.5
-72
0.022
-72
0.023
dB
%
9
0.008
不适用
%
5
CD54HC4066 , CD74HC4066 ,
CD74HCT4066
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS208D
1998年2月 - 修订2003年8月
高速CMOS逻辑器件
四路双向开关
描述
在' HC4066和CD74HCT4066包含四个独立的
使用硅栅数字控制模拟开关
CMOS技术来实现运行速度相似
输入通道与标准CMOS的低功耗
集成电路。
这些开关具有的特征线“ON”
该金属栅CD4066B的阻力。每个开关
通过在其控制输入端的高电平电压导通。
特点
宽模拟输入电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V - 10V
[ /标题
(CD74H
C4066,
CD74H
CT4066
)
/主题
(高
速度
CMOS
逻辑
·低“的”性
- V
CC
= 4.5V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .25
- V
CC
= 9V . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .15
快速切换和传输延迟时间
低“OFF”漏电流
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
HC类型
- 2V至10V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V和10V
HCT类型
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC4066F3A
CD74HC4066E
CD74HC4066M
CD74HC4066MT
CD74HC4066M96
CD74HC4066PW
CD74HC4066PWR
CD74HC4066PWT
CD74HCT4066E
CD74HCT4066M
CD74HCT4066MT
CD74HCT4066M96
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
14 Ld的CERDIP
14 Ld的PDIP
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的TSSOP
14 Ld的TSSOP
14 Ld的TSSOP
14 Ld的PDIP
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF网络XES 96
而R表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示小量
卷轴250 。
引脚
CD54HC4066 ( CERDIP )
CD74HC4066 ( PDIP , SOIC , TSSOP )
CD74HCT4066 ( PDIP , SOIC )
顶视图
1Y 1
1Z 2
2Z 3
2Y 4
2E 5
3E 6
7 GND
14 V
CC
13 1E
12 4E
11 4Y
10 4Z
9 3Z
8 3Y
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD54HC4066 , CD74HC4066 , CD74HCT4066
工作原理图
13
1E
2
5
2E
3
6
3E
9
12
4E
10
11
8
4
1
1Y
1Z
2Y
2Z
3Y
3Z
4Y
4Z
GND = 7
V
CC
= 14
真值表
输入
nE
L
H
H =高电平
L =低电平
开关
关闭
On
逻辑图
nY
p
p
n
n
nZ
nE
2
CD54HC4066 , CD74HC4066 , CD74HCT4066
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至10.5V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC开关电流,I
O
(注1 )
为-0.5V < V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻(典型,注2 )
θ
JA
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
80
o
C / W
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
86
o
C / W
PW ( TSSOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
113
o
C / W
最高结温(密封包装或死亡) 。 。 。 175
o
C
最高结温(塑料封装) 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围,T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至10V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意事项:
1.在某些应用中,外部负载电阻器的电流可包括V
CC
和信号线组件。为了避免绘制V
CC
当前
当开关电流流入传输门的输入端, (端子1 , 4,8和11)穿过的双向开关的电压降
不能超过0.6V (自R计算
ON
在直流电气规格表中所示的值) 。无V
CC
电流将流过
R
L
如果开关电流流入端子2,3, 9和10 。
2.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
9
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
9
输入漏
当前
(任何控制)
离漏电开关
当前
I
IL
V
CC
or
GND
V
IL
-
10
1.5
3.15
6.3
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
2.7
±0.1
1.5
3.15
6.3
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
2.7
±1
1.5
3.15
6.3
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
2.7
±1
V
V
V
V
V
V
A
符号
V
I
(V)
V
IS
(V)
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
最大
-55
o
C至125
o
C
最大
单位
I
Z
V
CC
or
GND
10
-
-
±0.1
-
±1
-
±1
A
3
CD54HC4066 , CD74HC4066 , CD74HCT4066
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
'ON'性
I
O
= 1毫安
(图1)
符号
R
ON
V
I
(V)
V
CC
V
IS
(V)
V
CC
or
GND
V
CC
(V)
4.5
6
9
V
CC
to
GND
4.5
6
9
'ON'性
任意两个之间
开关
静态器件
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
输入漏
当前
(任何控制)
离漏电开关
当前
'ON'性
I
O
= 1毫安
(图1)
V
IH
V
IL
I
IL
-
-
V
CC
or
GND
V
IL
V
CC
-
-
-
4.5
5.5
4.5
5.5
5.5
2
-
-
-
-
-
-
0.8
±0.1
2
-
-
-
0.8
±1
2
-
-
-
0.8
±1
V
V
A
R
ON
V
CC
-
4.5
6
9
I
CC
V
CC
or
GND
-
6
10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
25
o
C
典型值
25
20
15
35
24
16
1
0.75
0.5
-
-
最大
80
75
60
95
84
70
-
-
-
2
16
-40
o
C至85
o
C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
106
94
78
118
105
88
-
-
-
20
160
-55
o
C至125
o
C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
128
113
95
142
126
105
-
-
-
40
320
单位
A
A
I
Z
R
ON
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
CC
to
GND
5.5
4.5
4.5
4.5
-
-
-
-
-
25
35
1
±0.1
80
95
-
-
-
-
-
±1
106
118
-
-
-
-
-
±1
128
142
-
A
'ON'性
任意两个之间
开关
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
注意:
R
ON
V
CC
-
I
CC
I
CC
(注3)
V
CC
or
GND
V
CC
- 2.1
-
-
5.5
4.5
5.5
-
-
-
100
2
360
-
-
20
450
-
-
40
490
A
A
3.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
HCT输入负载表
输入
所有
单位负载
1
注:机组负荷为
I
CC
在直流电气连接特定钙限制特定网络版
系统蒸发散表,例如, 360μA最大值在25
o
C.
4
CD54HC4066 , CD74HC4066 , CD74HCT4066
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
参数
HC类型
传播延迟时间
在切换到输出
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
2
4.5
9
C
L
= 15pF的
传播延迟时间
开关导通延迟
t
PZH
, t
PZL
C
L
= 50pF的
5
2
4.5
9
C
L
= 15pF的
传播延迟时间
开关延时关闭
t
PHZ
, t
PLZ
C
L
= 50pF的
5
2
4.5
9
C
L
= 15pF的
输入(控制)电容
功率耗散电容
(注4,5)
HCT类型
传播延迟时间
在切换到输出
传播延迟时间
开关导通延迟
传播延迟时间
开关延时关闭
输入(控制)电容
功率耗散电容
(注4,5)
注意事项:
5. P
D
= C
PD
V
CC2
f
i
+
Σ
(C
L
+ C
S
) V
CC2
f
o
其中f
i
=输入频率f
o
=输出频率,C
L
=输出负载电容,C
S
=开关
电容,V
CC
=电源电压。
T
A
= 25
o
C
测试条件
图5 ,注意事项6 , 7
V
CC
(V)
4.5
HC4066
200
CD74HCT4066
200
单位
兆赫
4. C
PD
被用于确定所述动态功耗,每包。
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
t
PZH
, t
PZL
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
t
PHZ
, t
PLZ
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
I
C
PD
-
-
4.5
5
4.5
5
4.5
5
-
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
4
-
9
-
14
-
38
12
-
24
-
35
-
10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
15
-
30
-
44
-
10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
18
-
36
-
53
-
10
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
C
I
C
PD
-
-
5
-
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
4
-
-
-
8
-
-
-
12
-
25
60
12
8
-
100
20
12
-
150
30
24
-
10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
75
15
11
-
125
25
15
-
190
38
30
-
10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
90
18
13
-
150
30
18
-
225
45
36
-
10
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
符号
TEST
条件
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
模拟通道特定网络阳离子
参数
在-3dB开关频率响应带宽
图2
相声任意两点间的开关图3
总谐波失真
图4 ,注意事项7 , 8
图6中,为1kHz ,
V
IS
= 4V
P-P
图6中,为1kHz ,
V
IS
= 8V
P-P
4.5
4.5
-72
0.022
-72
0.023
dB
%
9
0.008
不适用
%
5
CD54HC4066 , CD74HC4066 ,
CD74HCT4066
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS208D
1998年2月 - 修订2003年8月
高速CMOS逻辑器件
四路双向开关
描述
在' HC4066和CD74HCT4066包含四个独立的
使用硅栅数字控制模拟开关
CMOS技术来实现运行速度相似
输入通道与标准CMOS的低功耗
集成电路。
这些开关具有的特征线“ON”
该金属栅CD4066B的阻力。每个开关
通过在其控制输入端的高电平电压导通。
特点
宽模拟输入电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V - 10V
[ /标题
(CD74H
C4066,
CD74H
CT4066
)
/主题
(高
速度
CMOS
逻辑
·低“的”性
- V
CC
= 4.5V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .25
- V
CC
= 9V . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .15
快速切换和传输延迟时间
低“OFF”漏电流
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
HC类型
- 2V至10V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V和10V
HCT类型
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC4066F3A
CD74HC4066E
CD74HC4066M
CD74HC4066MT
CD74HC4066M96
CD74HC4066PW
CD74HC4066PWR
CD74HC4066PWT
CD74HCT4066E
CD74HCT4066M
CD74HCT4066MT
CD74HCT4066M96
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
14 Ld的CERDIP
14 Ld的PDIP
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的TSSOP
14 Ld的TSSOP
14 Ld的TSSOP
14 Ld的PDIP
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF网络XES 96
而R表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示小量
卷轴250 。
引脚
CD54HC4066 ( CERDIP )
CD74HC4066 ( PDIP , SOIC , TSSOP )
CD74HCT4066 ( PDIP , SOIC )
顶视图
1Y 1
1Z 2
2Z 3
2Y 4
2E 5
3E 6
7 GND
14 V
CC
13 1E
12 4E
11 4Y
10 4Z
9 3Z
8 3Y
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD54HC4066 , CD74HC4066 , CD74HCT4066
工作原理图
13
1E
2
5
2E
3
6
3E
9
12
4E
10
11
8
4
1
1Y
1Z
2Y
2Z
3Y
3Z
4Y
4Z
GND = 7
V
CC
= 14
真值表
输入
nE
L
H
H =高电平
L =低电平
开关
关闭
On
逻辑图
nY
p
p
n
n
nZ
nE
2
CD54HC4066 , CD74HC4066 , CD74HCT4066
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至10.5V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC开关电流,I
O
(注1 )
为-0.5V < V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻(典型,注2 )
θ
JA
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
80
o
C / W
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
86
o
C / W
PW ( TSSOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
113
o
C / W
最高结温(密封包装或死亡) 。 。 。 175
o
C
最高结温(塑料封装) 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围,T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至10V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意事项:
1.在某些应用中,外部负载电阻器的电流可包括V
CC
和信号线组件。为了避免绘制V
CC
当前
当开关电流流入传输门的输入端, (端子1 , 4,8和11)穿过的双向开关的电压降
不能超过0.6V (自R计算
ON
在直流电气规格表中所示的值) 。无V
CC
电流将流过
R
L
如果开关电流流入端子2,3, 9和10 。
2.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
9
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
9
输入漏
当前
(任何控制)
离漏电开关
当前
I
IL
V
CC
or
GND
V
IL
-
10
1.5
3.15
6.3
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
2.7
±0.1
1.5
3.15
6.3
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
2.7
±1
1.5
3.15
6.3
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
2.7
±1
V
V
V
V
V
V
A
符号
V
I
(V)
V
IS
(V)
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
最大
-55
o
C至125
o
C
最大
单位
I
Z
V
CC
or
GND
10
-
-
±0.1
-
±1
-
±1
A
3
CD54HC4066 , CD74HC4066 , CD74HCT4066
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
'ON'性
I
O
= 1毫安
(图1)
符号
R
ON
V
I
(V)
V
CC
V
IS
(V)
V
CC
or
GND
V
CC
(V)
4.5
6
9
V
CC
to
GND
4.5
6
9
'ON'性
任意两个之间
开关
静态器件
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
输入漏
当前
(任何控制)
离漏电开关
当前
'ON'性
I
O
= 1毫安
(图1)
V
IH
V
IL
I
IL
-
-
V
CC
or
GND
V
IL
V
CC
-
-
-
4.5
5.5
4.5
5.5
5.5
2
-
-
-
-
-
-
0.8
±0.1
2
-
-
-
0.8
±1
2
-
-
-
0.8
±1
V
V
A
R
ON
V
CC
-
4.5
6
9
I
CC
V
CC
or
GND
-
6
10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
25
o
C
典型值
25
20
15
35
24
16
1
0.75
0.5
-
-
最大
80
75
60
95
84
70
-
-
-
2
16
-40
o
C至85
o
C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
106
94
78
118
105
88
-
-
-
20
160
-55
o
C至125
o
C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
128
113
95
142
126
105
-
-
-
40
320
单位
A
A
I
Z
R
ON
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
CC
to
GND
5.5
4.5
4.5
4.5
-
-
-
-
-
25
35
1
±0.1
80
95
-
-
-
-
-
±1
106
118
-
-
-
-
-
±1
128
142
-
A
'ON'性
任意两个之间
开关
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
注意:
R
ON
V
CC
-
I
CC
I
CC
(注3)
V
CC
or
GND
V
CC
- 2.1
-
-
5.5
4.5
5.5
-
-
-
100
2
360
-
-
20
450
-
-
40
490
A
A
3.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
HCT输入负载表
输入
所有
单位负载
1
注:机组负荷为
I
CC
在直流电气连接特定钙限制特定网络版
系统蒸发散表,例如, 360μA最大值在25
o
C.
4
CD54HC4066 , CD74HC4066 , CD74HCT4066
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
参数
HC类型
传播延迟时间
在切换到输出
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
2
4.5
9
C
L
= 15pF的
传播延迟时间
开关导通延迟
t
PZH
, t
PZL
C
L
= 50pF的
5
2
4.5
9
C
L
= 15pF的
传播延迟时间
开关延时关闭
t
PHZ
, t
PLZ
C
L
= 50pF的
5
2
4.5
9
C
L
= 15pF的
输入(控制)电容
功率耗散电容
(注4,5)
HCT类型
传播延迟时间
在切换到输出
传播延迟时间
开关导通延迟
传播延迟时间
开关延时关闭
输入(控制)电容
功率耗散电容
(注4,5)
注意事项:
5. P
D
= C
PD
V
CC2
f
i
+
Σ
(C
L
+ C
S
) V
CC2
f
o
其中f
i
=输入频率f
o
=输出频率,C
L
=输出负载电容,C
S
=开关
电容,V
CC
=电源电压。
T
A
= 25
o
C
测试条件
图5 ,注意事项6 , 7
V
CC
(V)
4.5
HC4066
200
CD74HCT4066
200
单位
兆赫
4. C
PD
被用于确定所述动态功耗,每包。
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
t
PZH
, t
PZL
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
t
PHZ
, t
PLZ
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
I
C
PD
-
-
4.5
5
4.5
5
4.5
5
-
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
4
-
9
-
14
-
38
12
-
24
-
35
-
10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
15
-
30
-
44
-
10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
18
-
36
-
53
-
10
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
C
I
C
PD
-
-
5
-
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
4
-
-
-
8
-
-
-
12
-
25
60
12
8
-
100
20
12
-
150
30
24
-
10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
75
15
11
-
125
25
15
-
190
38
30
-
10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
90
18
13
-
150
30
18
-
225
45
36
-
10
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
符号
TEST
条件
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
模拟通道特定网络阳离子
参数
在-3dB开关频率响应带宽
图2
相声任意两点间的开关图3
总谐波失真
图4 ,注意事项7 , 8
图6中,为1kHz ,
V
IS
= 4V
P-P
图6中,为1kHz ,
V
IS
= 8V
P-P
4.5
4.5
-72
0.022
-72
0.023
dB
%
9
0.008
不适用
%
5
CD54HC4066 , CD74HC4066 ,
CD74HCT4066
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS208D
1998年2月 - 修订2003年8月
高速CMOS逻辑器件
四路双向开关
描述
在' HC4066和CD74HCT4066包含四个独立的
使用硅栅数字控制模拟开关
CMOS技术来实现运行速度相似
输入通道与标准CMOS的低功耗
集成电路。
这些开关具有的特征线“ON”
该金属栅CD4066B的阻力。每个开关
通过在其控制输入端的高电平电压导通。
特点
宽模拟输入电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V - 10V
[ /标题
(CD74H
C4066,
CD74H
CT4066
)
/主题
(高
速度
CMOS
逻辑
·低“的”性
- V
CC
= 4.5V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .25
- V
CC
= 9V . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .15
快速切换和传输延迟时间
低“OFF”漏电流
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
HC类型
- 2V至10V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V和10V
HCT类型
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC4066F3A
CD74HC4066E
CD74HC4066M
CD74HC4066MT
CD74HC4066M96
CD74HC4066PW
CD74HC4066PWR
CD74HC4066PWT
CD74HCT4066E
CD74HCT4066M
CD74HCT4066MT
CD74HCT4066M96
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
14 Ld的CERDIP
14 Ld的PDIP
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的TSSOP
14 Ld的TSSOP
14 Ld的TSSOP
14 Ld的PDIP
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF网络XES 96
而R表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示小量
卷轴250 。
引脚
CD54HC4066 ( CERDIP )
CD74HC4066 ( PDIP , SOIC , TSSOP )
CD74HCT4066 ( PDIP , SOIC )
顶视图
1Y 1
1Z 2
2Z 3
2Y 4
2E 5
3E 6
7 GND
14 V
CC
13 1E
12 4E
11 4Y
10 4Z
9 3Z
8 3Y
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD54HC4066 , CD74HC4066 , CD74HCT4066
工作原理图
13
1E
2
5
2E
3
6
3E
9
12
4E
10
11
8
4
1
1Y
1Z
2Y
2Z
3Y
3Z
4Y
4Z
GND = 7
V
CC
= 14
真值表
输入
nE
L
H
H =高电平
L =低电平
开关
关闭
On
逻辑图
nY
p
p
n
n
nZ
nE
2
CD54HC4066 , CD74HC4066 , CD74HCT4066
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至10.5V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC开关电流,I
O
(注1 )
为-0.5V < V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻(典型,注2 )
θ
JA
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
80
o
C / W
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
86
o
C / W
PW ( TSSOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
113
o
C / W
最高结温(密封包装或死亡) 。 。 。 175
o
C
最高结温(塑料封装) 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围,T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至10V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意事项:
1.在某些应用中,外部负载电阻器的电流可包括V
CC
和信号线组件。为了避免绘制V
CC
当前
当开关电流流入传输门的输入端, (端子1 , 4,8和11)穿过的双向开关的电压降
不能超过0.6V (自R计算
ON
在直流电气规格表中所示的值) 。无V
CC
电流将流过
R
L
如果开关电流流入端子2,3, 9和10 。
2.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
9
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
9
输入漏
当前
(任何控制)
离漏电开关
当前
I
IL
V
CC
or
GND
V
IL
-
10
1.5
3.15
6.3
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
2.7
±0.1
1.5
3.15
6.3
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
2.7
±1
1.5
3.15
6.3
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
2.7
±1
V
V
V
V
V
V
A
符号
V
I
(V)
V
IS
(V)
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
最大
-55
o
C至125
o
C
最大
单位
I
Z
V
CC
or
GND
10
-
-
±0.1
-
±1
-
±1
A
3
CD54HC4066 , CD74HC4066 , CD74HCT4066
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
'ON'性
I
O
= 1毫安
(图1)
符号
R
ON
V
I
(V)
V
CC
V
IS
(V)
V
CC
or
GND
V
CC
(V)
4.5
6
9
V
CC
to
GND
4.5
6
9
'ON'性
任意两个之间
开关
静态器件
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
输入漏
当前
(任何控制)
离漏电开关
当前
'ON'性
I
O
= 1毫安
(图1)
V
IH
V
IL
I
IL
-
-
V
CC
or
GND
V
IL
V
CC
-
-
-
4.5
5.5
4.5
5.5
5.5
2
-
-
-
-
-
-
0.8
±0.1
2
-
-
-
0.8
±1
2
-
-
-
0.8
±1
V
V
A
R
ON
V
CC
-
4.5
6
9
I
CC
V
CC
or
GND
-
6
10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
25
o
C
典型值
25
20
15
35
24
16
1
0.75
0.5
-
-
最大
80
75
60
95
84
70
-
-
-
2
16
-40
o
C至85
o
C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
106
94
78
118
105
88
-
-
-
20
160
-55
o
C至125
o
C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
128
113
95
142
126
105
-
-
-
40
320
单位
A
A
I
Z
R
ON
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
CC
to
GND
5.5
4.5
4.5
4.5
-
-
-
-
-
25
35
1
±0.1
80
95
-
-
-
-
-
±1
106
118
-
-
-
-
-
±1
128
142
-
A
'ON'性
任意两个之间
开关
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
注意:
R
ON
V
CC
-
I
CC
I
CC
(注3)
V
CC
or
GND
V
CC
- 2.1
-
-
5.5
4.5
5.5
-
-
-
100
2
360
-
-
20
450
-
-
40
490
A
A
3.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
HCT输入负载表
输入
所有
单位负载
1
注:机组负荷为
I
CC
在直流电气连接特定钙限制特定网络版
系统蒸发散表,例如, 360μA最大值在25
o
C.
4
CD54HC4066 , CD74HC4066 , CD74HCT4066
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
参数
HC类型
传播延迟时间
在切换到输出
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
2
4.5
9
C
L
= 15pF的
传播延迟时间
开关导通延迟
t
PZH
, t
PZL
C
L
= 50pF的
5
2
4.5
9
C
L
= 15pF的
传播延迟时间
开关延时关闭
t
PHZ
, t
PLZ
C
L
= 50pF的
5
2
4.5
9
C
L
= 15pF的
输入(控制)电容
功率耗散电容
(注4,5)
HCT类型
传播延迟时间
在切换到输出
传播延迟时间
开关导通延迟
传播延迟时间
开关延时关闭
输入(控制)电容
功率耗散电容
(注4,5)
注意事项:
5. P
D
= C
PD
V
CC2
f
i
+
Σ
(C
L
+ C
S
) V
CC2
f
o
其中f
i
=输入频率f
o
=输出频率,C
L
=输出负载电容,C
S
=开关
电容,V
CC
=电源电压。
T
A
= 25
o
C
测试条件
图5 ,注意事项6 , 7
V
CC
(V)
4.5
HC4066
200
CD74HCT4066
200
单位
兆赫
4. C
PD
被用于确定所述动态功耗,每包。
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
t
PZH
, t
PZL
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
t
PHZ
, t
PLZ
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
I
C
PD
-
-
4.5
5
4.5
5
4.5
5
-
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
4
-
9
-
14
-
38
12
-
24
-
35
-
10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
15
-
30
-
44
-
10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
18
-
36
-
53
-
10
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
C
I
C
PD
-
-
5
-
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
4
-
-
-
8
-
-
-
12
-
25
60
12
8
-
100
20
12
-
150
30
24
-
10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
75
15
11
-
125
25
15
-
190
38
30
-
10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
90
18
13
-
150
30
18
-
225
45
36
-
10
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
符号
TEST
条件
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
模拟通道特定网络阳离子
参数
在-3dB开关频率响应带宽
图2
相声任意两点间的开关图3
总谐波失真
图4 ,注意事项7 , 8
图6中,为1kHz ,
V
IS
= 4V
P-P
图6中,为1kHz ,
V
IS
= 8V
P-P
4.5
4.5
-72
0.022
-72
0.023
dB
%
9
0.008
不适用
%
5
CD54HC4066 , CD74HC4066 ,
CD74HCT4066
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS208D
1998年2月 - 修订2003年8月
高速CMOS逻辑器件
四路双向开关
描述
在' HC4066和CD74HCT4066包含四个独立的
使用硅栅数字控制模拟开关
CMOS技术来实现运行速度相似
输入通道与标准CMOS的低功耗
集成电路。
这些开关具有的特征线“ON”
该金属栅CD4066B的阻力。每个开关
通过在其控制输入端的高电平电压导通。
特点
宽模拟输入电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V - 10V
[ /标题
(CD74H
C4066,
CD74H
CT4066
)
/主题
(高
速度
CMOS
逻辑
·低“的”性
- V
CC
= 4.5V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .25
- V
CC
= 9V . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .15
快速切换和传输延迟时间
低“OFF”漏电流
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
HC类型
- 2V至10V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V和10V
HCT类型
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC4066F3A
CD74HC4066E
CD74HC4066M
CD74HC4066MT
CD74HC4066M96
CD74HC4066PW
CD74HC4066PWR
CD74HC4066PWT
CD74HCT4066E
CD74HCT4066M
CD74HCT4066MT
CD74HCT4066M96
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
14 Ld的CERDIP
14 Ld的PDIP
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的TSSOP
14 Ld的TSSOP
14 Ld的TSSOP
14 Ld的PDIP
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF网络XES 96
而R表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示小量
卷轴250 。
引脚
CD54HC4066 ( CERDIP )
CD74HC4066 ( PDIP , SOIC , TSSOP )
CD74HCT4066 ( PDIP , SOIC )
顶视图
1Y 1
1Z 2
2Z 3
2Y 4
2E 5
3E 6
7 GND
14 V
CC
13 1E
12 4E
11 4Y
10 4Z
9 3Z
8 3Y
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD54HC4066 , CD74HC4066 , CD74HCT4066
工作原理图
13
1E
2
5
2E
3
6
3E
9
12
4E
10
11
8
4
1
1Y
1Z
2Y
2Z
3Y
3Z
4Y
4Z
GND = 7
V
CC
= 14
真值表
输入
nE
L
H
H =高电平
L =低电平
开关
关闭
On
逻辑图
nY
p
p
n
n
nZ
nE
2
CD54HC4066 , CD74HC4066 , CD74HCT4066
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至10.5V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC开关电流,I
O
(注1 )
为-0.5V < V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻(典型,注2 )
θ
JA
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
80
o
C / W
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
86
o
C / W
PW ( TSSOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
113
o
C / W
最高结温(密封包装或死亡) 。 。 。 175
o
C
最高结温(塑料封装) 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围,T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至10V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意事项:
1.在某些应用中,外部负载电阻器的电流可包括V
CC
和信号线组件。为了避免绘制V
CC
当前
当开关电流流入传输门的输入端, (端子1 , 4,8和11)穿过的双向开关的电压降
不能超过0.6V (自R计算
ON
在直流电气规格表中所示的值) 。无V
CC
电流将流过
R
L
如果开关电流流入端子2,3, 9和10 。
2.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
9
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
9
输入漏
当前
(任何控制)
离漏电开关
当前
I
IL
V
CC
or
GND
V
IL
-
10
1.5
3.15
6.3
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
2.7
±0.1
1.5
3.15
6.3
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
2.7
±1
1.5
3.15
6.3
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
2.7
±1
V
V
V
V
V
V
A
符号
V
I
(V)
V
IS
(V)
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
最大
-55
o
C至125
o
C
最大
单位
I
Z
V
CC
or
GND
10
-
-
±0.1
-
±1
-
±1
A
3
CD54HC4066 , CD74HC4066 , CD74HCT4066
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
'ON'性
I
O
= 1毫安
(图1)
符号
R
ON
V
I
(V)
V
CC
V
IS
(V)
V
CC
or
GND
V
CC
(V)
4.5
6
9
V
CC
to
GND
4.5
6
9
'ON'性
任意两个之间
开关
静态器件
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
输入漏
当前
(任何控制)
离漏电开关
当前
'ON'性
I
O
= 1毫安
(图1)
V
IH
V
IL
I
IL
-
-
V
CC
or
GND
V
IL
V
CC
-
-
-
4.5
5.5
4.5
5.5
5.5
2
-
-
-
-
-
-
0.8
±0.1
2
-
-
-
0.8
±1
2
-
-
-
0.8
±1
V
V
A
R
ON
V
CC
-
4.5
6
9
I
CC
V
CC
or
GND
-
6
10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
25
o
C
典型值
25
20
15
35
24
16
1
0.75
0.5
-
-
最大
80
75
60
95
84
70
-
-
-
2
16
-40
o
C至85
o
C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
106
94
78
118
105
88
-
-
-
20
160
-55
o
C至125
o
C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
128
113
95
142
126
105
-
-
-
40
320
单位
A
A
I
Z
R
ON
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
CC
to
GND
5.5
4.5
4.5
4.5
-
-
-
-
-
25
35
1
±0.1
80
95
-
-
-
-
-
±1
106
118
-
-
-
-
-
±1
128
142
-
A
'ON'性
任意两个之间
开关
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
注意:
R
ON
V
CC
-
I
CC
I
CC
(注3)
V
CC
or
GND
V
CC
- 2.1
-
-
5.5
4.5
5.5
-
-
-
100
2
360
-
-
20
450
-
-
40
490
A
A
3.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
HCT输入负载表
输入
所有
单位负载
1
注:机组负荷为
I
CC
在直流电气连接特定钙限制特定网络版
系统蒸发散表,例如, 360μA最大值在25
o
C.
4
CD54HC4066 , CD74HC4066 , CD74HCT4066
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
参数
HC类型
传播延迟时间
在切换到输出
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
2
4.5
9
C
L
= 15pF的
传播延迟时间
开关导通延迟
t
PZH
, t
PZL
C
L
= 50pF的
5
2
4.5
9
C
L
= 15pF的
传播延迟时间
开关延时关闭
t
PHZ
, t
PLZ
C
L
= 50pF的
5
2
4.5
9
C
L
= 15pF的
输入(控制)电容
功率耗散电容
(注4,5)
HCT类型
传播延迟时间
在切换到输出
传播延迟时间
开关导通延迟
传播延迟时间
开关延时关闭
输入(控制)电容
功率耗散电容
(注4,5)
注意事项:
5. P
D
= C
PD
V
CC2
f
i
+
Σ
(C
L
+ C
S
) V
CC2
f
o
其中f
i
=输入频率f
o
=输出频率,C
L
=输出负载电容,C
S
=开关
电容,V
CC
=电源电压。
T
A
= 25
o
C
测试条件
图5 ,注意事项6 , 7
V
CC
(V)
4.5
HC4066
200
CD74HCT4066
200
单位
兆赫
4. C
PD
被用于确定所述动态功耗,每包。
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
t
PZH
, t
PZL
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
t
PHZ
, t
PLZ
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
I
C
PD
-
-
4.5
5
4.5
5
4.5
5
-
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
4
-
9
-
14
-
38
12
-
24
-
35
-
10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
15
-
30
-
44
-
10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
18
-
36
-
53
-
10
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
C
I
C
PD
-
-
5
-
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
4
-
-
-
8
-
-
-
12
-
25
60
12
8
-
100
20
12
-
150
30
24
-
10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
75
15
11
-
125
25
15
-
190
38
30
-
10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
90
18
13
-
150
30
18
-
225
45
36
-
10
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
符号
TEST
条件
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
模拟通道特定网络阳离子
参数
在-3dB开关频率响应带宽
图2
相声任意两点间的开关图3
总谐波失真
图4 ,注意事项7 , 8
图6中,为1kHz ,
V
IS
= 4V
P-P
图6中,为1kHz ,
V
IS
= 8V
P-P
4.5
4.5
-72
0.022
-72
0.023
dB
%
9
0.008
不适用
%
5
CD54HC4066 , CD74HC4066 ,
CD74HCT4066
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS208D
1998年2月 - 修订2003年8月
高速CMOS逻辑器件
四路双向开关
描述
在' HC4066和CD74HCT4066包含四个独立的
使用硅栅数字控制模拟开关
CMOS技术来实现运行速度相似
输入通道与标准CMOS的低功耗
集成电路。
这些开关具有的特征线“ON”
该金属栅CD4066B的阻力。每个开关
通过在其控制输入端的高电平电压导通。
特点
宽模拟输入电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V - 10V
[ /标题
(CD74H
C4066,
CD74H
CT4066
)
/主题
(高
速度
CMOS
逻辑
·低“的”性
- V
CC
= 4.5V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .25
- V
CC
= 9V . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .15
快速切换和传输延迟时间
低“OFF”漏电流
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
HC类型
- 2V至10V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V和10V
HCT类型
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC4066F3A
CD74HC4066E
CD74HC4066M
CD74HC4066MT
CD74HC4066M96
CD74HC4066PW
CD74HC4066PWR
CD74HC4066PWT
CD74HCT4066E
CD74HCT4066M
CD74HCT4066MT
CD74HCT4066M96
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
14 Ld的CERDIP
14 Ld的PDIP
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的TSSOP
14 Ld的TSSOP
14 Ld的TSSOP
14 Ld的PDIP
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF网络XES 96
而R表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示小量
卷轴250 。
引脚
CD54HC4066 ( CERDIP )
CD74HC4066 ( PDIP , SOIC , TSSOP )
CD74HCT4066 ( PDIP , SOIC )
顶视图
1Y 1
1Z 2
2Z 3
2Y 4
2E 5
3E 6
7 GND
14 V
CC
13 1E
12 4E
11 4Y
10 4Z
9 3Z
8 3Y
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD54HC4066 , CD74HC4066 , CD74HCT4066
工作原理图
13
1E
2
5
2E
3
6
3E
9
12
4E
10
11
8
4
1
1Y
1Z
2Y
2Z
3Y
3Z
4Y
4Z
GND = 7
V
CC
= 14
真值表
输入
nE
L
H
H =高电平
L =低电平
开关
关闭
On
逻辑图
nY
p
p
n
n
nZ
nE
2
CD54HC4066 , CD74HC4066 , CD74HCT4066
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至10.5V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC开关电流,I
O
(注1 )
为-0.5V < V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻(典型,注2 )
θ
JA
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
80
o
C / W
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
86
o
C / W
PW ( TSSOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
113
o
C / W
最高结温(密封包装或死亡) 。 。 。 175
o
C
最高结温(塑料封装) 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围,T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至10V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意事项:
1.在某些应用中,外部负载电阻器的电流可包括V
CC
和信号线组件。为了避免绘制V
CC
当前
当开关电流流入传输门的输入端, (端子1 , 4,8和11)穿过的双向开关的电压降
不能超过0.6V (自R计算
ON
在直流电气规格表中所示的值) 。无V
CC
电流将流过
R
L
如果开关电流流入端子2,3, 9和10 。
2.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
9
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
9
输入漏
当前
(任何控制)
离漏电开关
当前
I
IL
V
CC
or
GND
V
IL
-
10
1.5
3.15
6.3
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
2.7
±0.1
1.5
3.15
6.3
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
2.7
±1
1.5
3.15
6.3
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
2.7
±1
V
V
V
V
V
V
A
符号
V
I
(V)
V
IS
(V)
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
最大
-55
o
C至125
o
C
最大
单位
I
Z
V
CC
or
GND
10
-
-
±0.1
-
±1
-
±1
A
3
CD54HC4066 , CD74HC4066 , CD74HCT4066
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
'ON'性
I
O
= 1毫安
(图1)
符号
R
ON
V
I
(V)
V
CC
V
IS
(V)
V
CC
or
GND
V
CC
(V)
4.5
6
9
V
CC
to
GND
4.5
6
9
'ON'性
任意两个之间
开关
静态器件
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
输入漏
当前
(任何控制)
离漏电开关
当前
'ON'性
I
O
= 1毫安
(图1)
V
IH
V
IL
I
IL
-
-
V
CC
or
GND
V
IL
V
CC
-
-
-
4.5
5.5
4.5
5.5
5.5
2
-
-
-
-
-
-
0.8
±0.1
2
-
-
-
0.8
±1
2
-
-
-
0.8
±1
V
V
A
R
ON
V
CC
-
4.5
6
9
I
CC
V
CC
or
GND
-
6
10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
25
o
C
典型值
25
20
15
35
24
16
1
0.75
0.5
-
-
最大
80
75
60
95
84
70
-
-
-
2
16
-40
o
C至85
o
C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
106
94
78
118
105
88
-
-
-
20
160
-55
o
C至125
o
C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
128
113
95
142
126
105
-
-
-
40
320
单位
A
A
I
Z
R
ON
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
CC
to
GND
5.5
4.5
4.5
4.5
-
-
-
-
-
25
35
1
±0.1
80
95
-
-
-
-
-
±1
106
118
-
-
-
-
-
±1
128
142
-
A
'ON'性
任意两个之间
开关
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
注意:
R
ON
V
CC
-
I
CC
I
CC
(注3)
V
CC
or
GND
V
CC
- 2.1
-
-
5.5
4.5
5.5
-
-
-
100
2
360
-
-
20
450
-
-
40
490
A
A
3.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
HCT输入负载表
输入
所有
单位负载
1
注:机组负荷为
I
CC
在直流电气连接特定钙限制特定网络版
系统蒸发散表,例如, 360μA最大值在25
o
C.
4
CD54HC4066 , CD74HC4066 , CD74HCT4066
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
参数
HC类型
传播延迟时间
在切换到输出
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
2
4.5
9
C
L
= 15pF的
传播延迟时间
开关导通延迟
t
PZH
, t
PZL
C
L
= 50pF的
5
2
4.5
9
C
L
= 15pF的
传播延迟时间
开关延时关闭
t
PHZ
, t
PLZ
C
L
= 50pF的
5
2
4.5
9
C
L
= 15pF的
输入(控制)电容
功率耗散电容
(注4,5)
HCT类型
传播延迟时间
在切换到输出
传播延迟时间
开关导通延迟
传播延迟时间
开关延时关闭
输入(控制)电容
功率耗散电容
(注4,5)
注意事项:
5. P
D
= C
PD
V
CC2
f
i
+
Σ
(C
L
+ C
S
) V
CC2
f
o
其中f
i
=输入频率f
o
=输出频率,C
L
=输出负载电容,C
S
=开关
电容,V
CC
=电源电压。
T
A
= 25
o
C
测试条件
图5 ,注意事项6 , 7
V
CC
(V)
4.5
HC4066
200
CD74HCT4066
200
单位
兆赫
4. C
PD
被用于确定所述动态功耗,每包。
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
t
PZH
, t
PZL
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
t
PHZ
, t
PLZ
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
I
C
PD
-
-
4.5
5
4.5
5
4.5
5
-
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
4
-
9
-
14
-
38
12
-
24
-
35
-
10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
15
-
30
-
44
-
10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
18
-
36
-
53
-
10
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
C
I
C
PD
-
-
5
-
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
4
-
-
-
8
-
-
-
12
-
25
60
12
8
-
100
20
12
-
150
30
24
-
10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
75
15
11
-
125
25
15
-
190
38
30
-
10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
90
18
13
-
150
30
18
-
225
45
36
-
10
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
符号
TEST
条件
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
模拟通道特定网络阳离子
参数
在-3dB开关频率响应带宽
图2
相声任意两点间的开关图3
总谐波失真
图4 ,注意事项7 , 8
图6中,为1kHz ,
V
IS
= 4V
P-P
图6中,为1kHz ,
V
IS
= 8V
P-P
4.5
4.5
-72
0.022
-72
0.023
dB
%
9
0.008
不适用
%
5
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    CD74HCT4066MT
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    -
    -
    -
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