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CD54HC40105 , CD74HC40105 ,
CD54HCT40105 , CD74HCT40105
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS222C
1998年2月 - 修订2003年10月
高速CMOS逻辑器件
4位x 16字FIFO寄存器
描述
在“ HC40105和” HCT40105是高速硅栅
CMOS器件是兼容的,除了“移出”
电路,与CD40105B 。它们是低功耗的网络连接RST - IN-OUT
( FIFO)的“弹性”存储寄存器,可存储16个4位
话。在40105能处理输入和输出
在不同的换挡速度的数据。这一特性使得它
作为异步之间的缓冲区中特别有用
系统。
在寄存器中的每个工作位置上的时钟由一个控制IP- FL
FL运算,存储标志位。 “1”显上课的位置
化的数据网络连接LLED和“ 0 ”表示空缺的位置
化。控制IP- FL佛罗里达州运检测前的状态
FL IP- FL运算和通信自己的状态到后续
FL IP- FL操作。当控制FL IP- FL op是在“0”状态,并看到了
“ 1 ”,在前述FL IP- FL运算,它会产生一个时钟脉冲
从前面的四个数据传输的数据锁存到其
自己的四个数据锁存器和复位前FL IP- FL运到
“0”。该网络首先和最后一个控制FL IP- FL OPS有缓冲输出。
由于在输入所有空位置“泡沫”自动
端,并且所有的有效数据,通过脉动的输出端,所述
在第一个连接控制IP- FL佛罗里达州运的状态(数据就绪)表示
如果FIFO满,最后FL IP- FL运算的状态( DATA-
OUT READY )表示,如果FIFO中包含的数据。作为
最早的数据从数据堆栈的底部被去除
(输出端) ,所有的数据后自动将输入的
传播(纹波)向输出。
特点
独立的异步输入和输出
[ /标题
(CD74
HC401
05,
CD74
HCT40
105)
/子
拍摄对象
(高
速度
CMOS
可扩展的任一方向
复位能力
输入和输出状态指示灯
三态输出
移出三态控制功能的独立
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC40105F3A
CD54HCT40105F3A
CD74HC40105E
CD74HC40105M
CD74HC40105MT
CD74HC40105M96
CD74HCT40105E
CD74HCT40105M
CD74HCT40105MT
CD74HCT40105M96
TEMP 。 RANGE (
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
应用
比特率平滑
CPU /终端缓冲
数据通信
外围缓冲
行式打印机输入缓冲器
自动拨号程序
CRT缓冲存储器
雷达数据采集
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF科幻×96
表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示小批量卷轴
250 。
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD54HC40105 , CD74HC40105 , CD54HCT40105 , CD74HCT40105
引脚
CD54HC40105 , CD54HCT40105
( CERDIP )
CD74HC40105 , CD74HCT40105
( PDIP , SOIC )
顶视图
三态
1
控制
DIR 2
SI 3
D0 4
D1 5
D2 6
D3 7
GND 8
16 V
CC
15 SO
14 DOR
13 Q0
12 Q1
11 Q2
10 Q3
9 MR
三态输出
为了方便数据的校车,三态输出( Q0到
Q3),设置在数据输出线,而负载
可以通过的状态进行检测的寄存器的条件
DOR输出。在三态控制FL AG高(输出
使能输入OE )强制输出为高阻
OFF态模式。注意,移出信号,不像在
该CD40105B ,是独立的三态输出的
控制权。在CD40105B ,三态控制切不可
由高转向低时移出信号为低
(会发生数据丢失) 。在高速CMOS版本
这个限制已经消除。
级联
在40105可以级联,以形成较长只需注册
通过连接到DIR SO和DOR为SI 。在级联
模式,主复位脉冲后,必须在应用
电源电压被接通。单词比四位宽,
DIR和DOR输出必须与被选通和
城门。它们的输出驱动的SI和SO输入并行,如果
膨胀是在两个方向(参见图12和13 )来完成。
加载数据
可以将数据输入时的输入数据就绪( DIR )
FL AG高,由低到上的SHIFT -IN高转换( SI )
输入。先下一此输入必须变为低电平瞬间
字是由FIFO接受。在DIR FL AG将变低
是瞬间的,直到数据已被转移到仲
OND位置。在FL公司将保持低电平时,所有的16个字的某些地区可能
系统蒸发散是科幻LLED有效数据,并在SI上的脉冲
输入将被忽略,直到DIR变高。
卸载数据
一旦网络连接第一个字也波及到输出端,所述数据 -
出就绪输出( DOR)变为高电平,科幻RST字的数据
可在输出端。的其他字的数据可以是
由上移出输入的负跳变除去
( SO ) 。这种负跳变导致DOR信号
去低而下一个单词移动到输出。只要
为有效的数据在FIFO中可用时, DOR信号变
再高,表示下一个字是准备好了
输出。当FIFO为空, DOR将维持低位,并
任何进一步的命令将被忽略,直到“1”的标记
涟漪到最后控制寄存器和DOR去
HIGH 。如果在卸载过程中的SI为HIGH , ( FIFO为满)的数据上
FIFO的数据输入被输入到网络连接第一个位置。
主复位
在主复位( MR)的高设置所有的控制
逻辑标志位为“0”。 DOR变低, DIR变高。
该数据寄存器的内容不改变,只
宣布无效,并且将被替代时,网络连接第一个字
被加载。因此,MR确实寄存器内没有明确的数据
但仅在控制逻辑。如果换档在佛罗里达州股份公司(SI )为高电平
主复位脉冲期间,出现在输入数据(D0
到D3 )后立即移动到第一个网络位置
在复位过程的完成。
工作原理图
状态
控制
4
D0
5
D1
6
D2
D3
7
1
13
12
11
10
Q3
Q0
Q1
Q2
转变
移出
RESET
3
15
9
14 DATA -OUT
准备
2
数据在
准备
GND = 8
V
CC
= 16
2
CD54HC40105 , CD74HC40105 , CD54HCT40105 , CD74HCT40105
输入
缓冲器
D0
D1
D2
D3
4
5
6
7
4 x 16
数据
注册
产量
缓冲器
13 Q0
12 Q1
11 Q2
10 Q3
1
三态控制
DATA -OUT READY ( DOR )
控制逻辑
输入数据就绪( DIR )
2
14
移出( SO )
3
移( SI )
9
RESET
(先生)
15
图1.功能框图
3
CD54HC40105 , CD74HC40105 , CD54HCT40105 , CD74HCT40105
9
MR
14
DOR
SI
3
15
F / FS
2-15
R Q
F/F16
R Q
S0
R Q
F/F1
R Q
S Q
S Q
S Q
S Q
R
2
DIR
14 x
4
D0
5
D1
6
D2
7
D3
L1
位置1
14× L1
位置2-15
L16
位置16
4
锁存器
4 x 14
锁存器
4
锁存器
状态
产量
缓冲器
E
E
CL
CL
CL
CL
CL
CL
12
Q1
11
Q2
10
Q3
13
Q0
14 x
S Q
1
OE
“S”覆盖“R” 。
“R”覆盖“S” 。
图2.逻辑图
4
CD54HC40105 , CD74HC40105 , CD54HCT40105 , CD74HCT40105
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻(典型值,注1 )
θ
JA
(
o
C / W )
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
67
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
73
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
I
I
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
-
4
5.2
-
0
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
8
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
80
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
160
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
符号
V
I
(V)
I
O
(MA )
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
5
CD54HC40105 , CD74HC40105 ,
CD54HCT40105 , CD74HCT40105
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS222C
1998年2月 - 修订2003年10月
高速CMOS逻辑器件
4位x 16字FIFO寄存器
描述
在“ HC40105和” HCT40105是高速硅栅
CMOS器件是兼容的,除了“移出”
电路,与CD40105B 。它们是低功耗的网络连接RST - IN-OUT
( FIFO)的“弹性”存储寄存器,可存储16个4位
话。在40105能处理输入和输出
在不同的换挡速度的数据。这一特性使得它
作为异步之间的缓冲区中特别有用
系统。
在寄存器中的每个工作位置上的时钟由一个控制IP- FL
FL运算,存储标志位。 “1”显上课的位置
化的数据网络连接LLED和“ 0 ”表示空缺的位置
化。控制IP- FL佛罗里达州运检测前的状态
FL IP- FL运算和通信自己的状态到后续
FL IP- FL操作。当控制FL IP- FL op是在“0”状态,并看到了
“ 1 ”,在前述FL IP- FL运算,它会产生一个时钟脉冲
从前面的四个数据传输的数据锁存到其
自己的四个数据锁存器和复位前FL IP- FL运到
“0”。该网络首先和最后一个控制FL IP- FL OPS有缓冲输出。
由于在输入所有空位置“泡沫”自动
端,并且所有的有效数据,通过脉动的输出端,所述
在第一个连接控制IP- FL佛罗里达州运的状态(数据就绪)表示
如果FIFO满,最后FL IP- FL运算的状态( DATA-
OUT READY )表示,如果FIFO中包含的数据。作为
最早的数据从数据堆栈的底部被去除
(输出端) ,所有的数据后自动将输入的
传播(纹波)向输出。
特点
独立的异步输入和输出
[ /标题
(CD74
HC401
05,
CD74
HCT40
105)
/子
拍摄对象
(高
速度
CMOS
可扩展的任一方向
复位能力
输入和输出状态指示灯
三态输出
移出三态控制功能的独立
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC40105F3A
CD54HCT40105F3A
CD74HC40105E
CD74HC40105M
CD74HC40105MT
CD74HC40105M96
CD74HCT40105E
CD74HCT40105M
CD74HCT40105MT
CD74HCT40105M96
TEMP 。 RANGE (
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
应用
比特率平滑
CPU /终端缓冲
数据通信
外围缓冲
行式打印机输入缓冲器
自动拨号程序
CRT缓冲存储器
雷达数据采集
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF科幻×96
表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示小批量卷轴
250 。
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD54HC40105 , CD74HC40105 , CD54HCT40105 , CD74HCT40105
引脚
CD54HC40105 , CD54HCT40105
( CERDIP )
CD74HC40105 , CD74HCT40105
( PDIP , SOIC )
顶视图
三态
1
控制
DIR 2
SI 3
D0 4
D1 5
D2 6
D3 7
GND 8
16 V
CC
15 SO
14 DOR
13 Q0
12 Q1
11 Q2
10 Q3
9 MR
三态输出
为了方便数据的校车,三态输出( Q0到
Q3),设置在数据输出线,而负载
可以通过的状态进行检测的寄存器的条件
DOR输出。在三态控制FL AG高(输出
使能输入OE )强制输出为高阻
OFF态模式。注意,移出信号,不像在
该CD40105B ,是独立的三态输出的
控制权。在CD40105B ,三态控制切不可
由高转向低时移出信号为低
(会发生数据丢失) 。在高速CMOS版本
这个限制已经消除。
级联
在40105可以级联,以形成较长只需注册
通过连接到DIR SO和DOR为SI 。在级联
模式,主复位脉冲后,必须在应用
电源电压被接通。单词比四位宽,
DIR和DOR输出必须与被选通和
城门。它们的输出驱动的SI和SO输入并行,如果
膨胀是在两个方向(参见图12和13 )来完成。
加载数据
可以将数据输入时的输入数据就绪( DIR )
FL AG高,由低到上的SHIFT -IN高转换( SI )
输入。先下一此输入必须变为低电平瞬间
字是由FIFO接受。在DIR FL AG将变低
是瞬间的,直到数据已被转移到仲
OND位置。在FL公司将保持低电平时,所有的16个字的某些地区可能
系统蒸发散是科幻LLED有效数据,并在SI上的脉冲
输入将被忽略,直到DIR变高。
卸载数据
一旦网络连接第一个字也波及到输出端,所述数据 -
出就绪输出( DOR)变为高电平,科幻RST字的数据
可在输出端。的其他字的数据可以是
由上移出输入的负跳变除去
( SO ) 。这种负跳变导致DOR信号
去低而下一个单词移动到输出。只要
为有效的数据在FIFO中可用时, DOR信号变
再高,表示下一个字是准备好了
输出。当FIFO为空, DOR将维持低位,并
任何进一步的命令将被忽略,直到“1”的标记
涟漪到最后控制寄存器和DOR去
HIGH 。如果在卸载过程中的SI为HIGH , ( FIFO为满)的数据上
FIFO的数据输入被输入到网络连接第一个位置。
主复位
在主复位( MR)的高设置所有的控制
逻辑标志位为“0”。 DOR变低, DIR变高。
该数据寄存器的内容不改变,只
宣布无效,并且将被替代时,网络连接第一个字
被加载。因此,MR确实寄存器内没有明确的数据
但仅在控制逻辑。如果换档在佛罗里达州股份公司(SI )为高电平
主复位脉冲期间,出现在输入数据(D0
到D3 )后立即移动到第一个网络位置
在复位过程的完成。
工作原理图
状态
控制
4
D0
5
D1
6
D2
D3
7
1
13
12
11
10
Q3
Q0
Q1
Q2
转变
移出
RESET
3
15
9
14 DATA -OUT
准备
2
数据在
准备
GND = 8
V
CC
= 16
2
CD54HC40105 , CD74HC40105 , CD54HCT40105 , CD74HCT40105
输入
缓冲器
D0
D1
D2
D3
4
5
6
7
4 x 16
数据
注册
产量
缓冲器
13 Q0
12 Q1
11 Q2
10 Q3
1
三态控制
DATA -OUT READY ( DOR )
控制逻辑
输入数据就绪( DIR )
2
14
移出( SO )
3
移( SI )
9
RESET
(先生)
15
图1.功能框图
3
CD54HC40105 , CD74HC40105 , CD54HCT40105 , CD74HCT40105
9
MR
14
DOR
SI
3
15
F / FS
2-15
R Q
F/F16
R Q
S0
R Q
F/F1
R Q
S Q
S Q
S Q
S Q
R
2
DIR
14 x
4
D0
5
D1
6
D2
7
D3
L1
位置1
14× L1
位置2-15
L16
位置16
4
锁存器
4 x 14
锁存器
4
锁存器
状态
产量
缓冲器
E
E
CL
CL
CL
CL
CL
CL
12
Q1
11
Q2
10
Q3
13
Q0
14 x
S Q
1
OE
“S”覆盖“R” 。
“R”覆盖“S” 。
图2.逻辑图
4
CD54HC40105 , CD74HC40105 , CD54HCT40105 , CD74HCT40105
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻(典型值,注1 )
θ
JA
(
o
C / W )
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
67
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
73
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
I
I
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
-
4
5.2
-
0
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
8
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
80
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
160
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
符号
V
I
(V)
I
O
(MA )
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
5
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