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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第1127页 > CD74HCT377M96
CD54HC377 , CD74HC377 ,
CD54HCT377 , CD74HCT377
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS184C
1997年9月 - 修订2004年2月
高速CMOS逻辑器件
八D型触发器随着数据启用
描述
在“ HC377和” HCT377是八进制D- FL型IP- FL OPS用
缓冲时钟( CP )适用于所有8 FL IP- FL欢声笑语。所有的IP- FL
FL OPS同时装上的上升沿
时钟(CP) ,当数据使能(E)为低。
特点
缓冲公共时钟
[ /标题
(CD74
HC377
,
CD74
HCT37
7)
/子
拍摄对象
(高
速度
CMOS
逻辑
八进制
D-
TYPE
倒装
缓冲输入
典型传播延迟位于C
L
= 15pF的,
V
CC
= 5V ,T
A
= 25
o
C
- 14纳秒( HC类型
- 16纳秒( HCT类型)
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
at
V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC377F3A
CD54HCT377F3A
CD74HC377E
CD74HC377M
CD74HC377M96
CD74HC377PW
CD74HC377PWR
CD74HCT377E
CD74HCT377M
CD74HCT377M96
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
20 Ld的CERDIP
20 Ld的CERDIP
20 Ld的PDIP
20 Ld的SOIC
20 Ld的SOIC
20 Ld的TSSOP
20 Ld的TSSOP
20 Ld的PDIP
20 Ld的SOIC
20 Ld的SOIC
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF网络XES
96和R表示磁带和卷轴。
引脚
CD54HC377 , CD54HCT377
( CERDIP )
CD74HC377
( PDIP , SOIC , TSSOP )
CD74HCT377
( PDIP , SOIC )
顶视图
E
Q
0
D
0
D
1
Q
1
Q
2
D
2
D
3
Q
3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
20 V
CC
19 Q
7
18 D
7
17 D
6
16 Q
6
15 Q
5
14 D
5
13 D
4
12 Q
4
11 CP
GND 10
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2004年,德州仪器
1
CD54HC377 , CD74HC377 , CD54HCT377 , CD74HCT377
工作原理图
D
0
D
1
D
2
D
3
D
4
D
5
D
6
D
7
CP
E
3
4
7
8
13
14
17
18
11
1
GND = 10
V
CC
= 20
2
5
6
9
12
15
16
19
Q
0
Q
1
Q
2
Q
3
Q
4
Q
5
Q
6
Q
7
真值表
输入
经营模式
加载'1'
负载'0'
持有(做什么)
CP
X
E
l
l
h
H
D
n
h
l
X
X
OUPUTS
Q
n
H
L
没有变化
没有变化
H =高电平稳态。
H =高电压等级低到高时钟跳变一个建立时间之前。
L =低电平稳态。
L =低电平一建立时间之前低到高时钟转换。
X =不在乎。
=低到高时钟转换。
逻辑图
D
0
E
D
1
D
2
D
3
D
4
D
5
D
6
D
7
Q
CP
CP
Q
0
Q
CP
Q
CP
Q
CP
Q
CP
Q
CP
Q
CP
Q
CP
Q
1
Q
2
Q
3
Q
4
Q
5
Q
6
Q
7
2
CD54HC377 , CD74HC377 , CD54HCT377 , CD74HCT377
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
cc或
I
GND
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻(典型值,注1 )
θ
JA
(
o
C / W )
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
69
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
58
PW ( TSSOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
83
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
I
I
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
-
4
5.2
-
0
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
8
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
80
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
160
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
符号
V
I
(V)
I
O
(MA )
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
3
CD54HC377 , CD74HC377 , CD54HCT377 , CD74HCT377
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
注意:
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
(注2 )
V
CC
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
OL
V
IH
或V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
或V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
V
I
(V)
I
O
(MA )
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
V
CC
(V)
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
5.5
5.5
4.5
5.5
-
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
HCT输入负载表
输入
E
CP
所有D型
n
输入
单位负载
1.5
0.5
0.25
注:机组负荷为
I
CC
在DC电气表限制特定网络版,例如,
最大360μA 25
o
C.
用于交换特定网络阳离子前提条件
参数
HC类型
最大时钟
频率
f
最大
-
2
4.5
6
时钟脉冲宽度
t
W
-
2
4.5
6
6
30
35
80
16
14
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
5
25
29
100
20
17
-
-
-
-
-
-
4
20
23
120
24
20
-
-
-
-
-
-
兆赫
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
符号
TEST
条件
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
4
CD54HC377 , CD74HC377 , CD54HCT377 , CD74HCT377
用于交换特定网络阳离子前提条件
参数
设置时间,
E,数据为CP
符号
t
SU
TEST
条件
-
(续)
V
CC
(V)
2
4.5
6
保持时间,
数据CP
t
H
-
2
4.5
6
保持时间,
E至CP
t
H
-
2
4.5
6
HCT类型
最大时钟
频率
时钟脉冲宽度
设置,时间
E,数据为CP
保持时间,
数据CP
保持时间,
E至CP
f
最大
t
W
t
SU
t
H
t
H
-
-
-
-
-
4.5
4.5
4.5
4.5
4.5
25
20
12
3
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
20
25
15
3
5
-
-
-
-
-
16
30
18
3
5
-
-
-
-
-
兆赫
ns
ns
ns
ns
25
o
C
60
12
10
3
3
3
5
5
5
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
75
15
13
3
3
3
5
5
5
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
90
18
15
3
3
3
5
5
5
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
TEST
符号条件
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C到
85
o
C
最大
-55
o
C至125
o
C
最大
单位
参数
HC类型
传播延迟(图1 )
CP到Q
t
PLH ,
t
PHL
C
L
= 50pF的
2
4.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
14
-
-
-
-
-
60
31
175
35
-
30
75
15
13
10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
220
44
-
37
95
19
16
10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
265
53
-
45
110
22
19
10
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
兆赫
pF
C
L
=15pF
C
L
= 50pF的
输出转换时间
(图1)
t
TLH
, t
THL
C
L
= 50pF的
5
6
2
4.5
6
输入电容
最大时钟频率
功率耗散电容
(注3,4)
HCT类型
传播延迟(图1 )
CP到Q
输出转换时间
(图1)
输入电容
C
IN
f
最大
C
PD
C
L
= 50pF的
C
L
=15pF
C
L
=15pF
-
5
5
t
PLH ,
t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
=15pF
4.5
5
4.5
-
-
-
-
-
-
16
-
-
38
-
15
10
-
-
-
-
48
-
19
10
-
-
-
-
57
-
22
10
ns
ns
ns
pF
t
TLH
, t
THL
C
L
= 50pF的
C
IN
C
L
= 50pF的
5
CD54HC377 , CD74HC377 ,
CD54HCT377 , CD74HCT377
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS184C
1997年9月 - 修订2004年2月
高速CMOS逻辑器件
八D型触发器随着数据启用
描述
在“ HC377和” HCT377是八进制D- FL型IP- FL OPS用
缓冲时钟( CP )适用于所有8 FL IP- FL欢声笑语。所有的IP- FL
FL OPS同时装上的上升沿
时钟(CP) ,当数据使能(E)为低。
特点
缓冲公共时钟
[ /标题
(CD74
HC377
,
CD74
HCT37
7)
/子
拍摄对象
(高
速度
CMOS
逻辑
八进制
D-
TYPE
倒装
缓冲输入
典型传播延迟位于C
L
= 15pF的,
V
CC
= 5V ,T
A
= 25
o
C
- 14纳秒( HC类型
- 16纳秒( HCT类型)
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
at
V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC377F3A
CD54HCT377F3A
CD74HC377E
CD74HC377M
CD74HC377M96
CD74HC377PW
CD74HC377PWR
CD74HCT377E
CD74HCT377M
CD74HCT377M96
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
20 Ld的CERDIP
20 Ld的CERDIP
20 Ld的PDIP
20 Ld的SOIC
20 Ld的SOIC
20 Ld的TSSOP
20 Ld的TSSOP
20 Ld的PDIP
20 Ld的SOIC
20 Ld的SOIC
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF网络XES
96和R表示磁带和卷轴。
引脚
CD54HC377 , CD54HCT377
( CERDIP )
CD74HC377
( PDIP , SOIC , TSSOP )
CD74HCT377
( PDIP , SOIC )
顶视图
E
Q
0
D
0
D
1
Q
1
Q
2
D
2
D
3
Q
3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
20 V
CC
19 Q
7
18 D
7
17 D
6
16 Q
6
15 Q
5
14 D
5
13 D
4
12 Q
4
11 CP
GND 10
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2004年,德州仪器
1
CD54HC377 , CD74HC377 , CD54HCT377 , CD74HCT377
工作原理图
D
0
D
1
D
2
D
3
D
4
D
5
D
6
D
7
CP
E
3
4
7
8
13
14
17
18
11
1
GND = 10
V
CC
= 20
2
5
6
9
12
15
16
19
Q
0
Q
1
Q
2
Q
3
Q
4
Q
5
Q
6
Q
7
真值表
输入
经营模式
加载'1'
负载'0'
持有(做什么)
CP
X
E
l
l
h
H
D
n
h
l
X
X
OUPUTS
Q
n
H
L
没有变化
没有变化
H =高电平稳态。
H =高电压等级低到高时钟跳变一个建立时间之前。
L =低电平稳态。
L =低电平一建立时间之前低到高时钟转换。
X =不在乎。
=低到高时钟转换。
逻辑图
D
0
E
D
1
D
2
D
3
D
4
D
5
D
6
D
7
Q
CP
CP
Q
0
Q
CP
Q
CP
Q
CP
Q
CP
Q
CP
Q
CP
Q
CP
Q
1
Q
2
Q
3
Q
4
Q
5
Q
6
Q
7
2
CD54HC377 , CD74HC377 , CD54HCT377 , CD74HCT377
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
cc或
I
GND
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻(典型值,注1 )
θ
JA
(
o
C / W )
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
69
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
58
PW ( TSSOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
83
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
I
I
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
-
4
5.2
-
0
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
8
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
80
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
160
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
符号
V
I
(V)
I
O
(MA )
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
3
CD54HC377 , CD74HC377 , CD54HCT377 , CD74HCT377
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
注意:
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
(注2 )
V
CC
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
OL
V
IH
或V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
或V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
V
I
(V)
I
O
(MA )
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
V
CC
(V)
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
5.5
5.5
4.5
5.5
-
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
HCT输入负载表
输入
E
CP
所有D型
n
输入
单位负载
1.5
0.5
0.25
注:机组负荷为
I
CC
在DC电气表限制特定网络版,例如,
最大360μA 25
o
C.
用于交换特定网络阳离子前提条件
参数
HC类型
最大时钟
频率
f
最大
-
2
4.5
6
时钟脉冲宽度
t
W
-
2
4.5
6
6
30
35
80
16
14
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
5
25
29
100
20
17
-
-
-
-
-
-
4
20
23
120
24
20
-
-
-
-
-
-
兆赫
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
符号
TEST
条件
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
4
CD54HC377 , CD74HC377 , CD54HCT377 , CD74HCT377
用于交换特定网络阳离子前提条件
参数
设置时间,
E,数据为CP
符号
t
SU
TEST
条件
-
(续)
V
CC
(V)
2
4.5
6
保持时间,
数据CP
t
H
-
2
4.5
6
保持时间,
E至CP
t
H
-
2
4.5
6
HCT类型
最大时钟
频率
时钟脉冲宽度
设置,时间
E,数据为CP
保持时间,
数据CP
保持时间,
E至CP
f
最大
t
W
t
SU
t
H
t
H
-
-
-
-
-
4.5
4.5
4.5
4.5
4.5
25
20
12
3
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
20
25
15
3
5
-
-
-
-
-
16
30
18
3
5
-
-
-
-
-
兆赫
ns
ns
ns
ns
25
o
C
60
12
10
3
3
3
5
5
5
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
75
15
13
3
3
3
5
5
5
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
90
18
15
3
3
3
5
5
5
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
TEST
符号条件
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C到
85
o
C
最大
-55
o
C至125
o
C
最大
单位
参数
HC类型
传播延迟(图1 )
CP到Q
t
PLH ,
t
PHL
C
L
= 50pF的
2
4.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
14
-
-
-
-
-
60
31
175
35
-
30
75
15
13
10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
220
44
-
37
95
19
16
10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
265
53
-
45
110
22
19
10
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
兆赫
pF
C
L
=15pF
C
L
= 50pF的
输出转换时间
(图1)
t
TLH
, t
THL
C
L
= 50pF的
5
6
2
4.5
6
输入电容
最大时钟频率
功率耗散电容
(注3,4)
HCT类型
传播延迟(图1 )
CP到Q
输出转换时间
(图1)
输入电容
C
IN
f
最大
C
PD
C
L
= 50pF的
C
L
=15pF
C
L
=15pF
-
5
5
t
PLH ,
t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
=15pF
4.5
5
4.5
-
-
-
-
-
-
16
-
-
38
-
15
10
-
-
-
-
48
-
19
10
-
-
-
-
57
-
22
10
ns
ns
ns
pF
t
TLH
, t
THL
C
L
= 50pF的
C
IN
C
L
= 50pF的
5
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    电话:0755-82780082
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    CD74HCT377M96
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