半导体
CD74HCT356
高速CMOS逻辑器件
8输入多路复用器/寄存器，三态
描述
该CD74HCT356由数据选择器/多路复用器的
选择八个来源之一。数据选择位（ S0，S1，并
S 2 ）被存储在由低启用透明锁存器
锁存使能输入端（LE） 。
该数据被存储在边沿触发的佛罗里达州的ip-佛罗里达州欢声笑语是
由低到高的时钟跳变触发。
在这两种类型的三态输出由三个控制
输出使能输入（ OE1 ， OE2和OE3 ） 。
SCLS459A - 2001年6月 - 修订2003年5月
特点
边沿触发数据触发器
- 选择透明锁存器
缓冲输入
三态互补输出
公交线路驱动能力
典型传播延迟： V
CC
= 5V ，C
L
= 15pF的，
T
A
= 25
o
C
- 时钟到输出= 22ns
扇出（整个温度范围内）
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
4.5V至5.5V的操作
- 直接输入通道输入逻辑兼容，
V
IL
= 0.8V （最大值） ，V
IH
= 2V （最小值）
CMOS兼容输入，我
l
≤
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD74HCT356E
CD74HCT356M96
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
包
20 Ld的PDIP
20 Ld的SOIC
注：订货时，使用整个零件编号。该SUF科幻×96
表示磁带和卷轴。
引脚
CD74HCT356
（ PDIP或SOIC ）
顶视图
D7 1
D6 2
D5 3
D4 4
D3 5
D2 6
D1 7
D0 8
CP 9
GND 10
20 V
CC
19 Y
18 Y
17 OE3
16 OE2
15 OE1
14 S0
13 S1
12 S2
11 LE
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年，德州仪器
1
CD74HCT356
真值表（续）
输入
SELECT （注1 ）
S2
H
H
S1
H
H
S0
H
H
时钟
CP
↑
H或L
OE1
L
L
输出使
OE2
L
L
OE3
H
H
Y
D7
D7
n
输出
Y
D7
D7
n
H =高电平（稳态） ; L =低电压电平（稳态） ;
↑
=转型从低到高的水平;
X =无关; Z =高阻抗状态（ OFF状态） ; D0
n
...D7
n
=稳态输入D0至D7的电平，分别
之前，数据控制的最新低到高的转变。
注意：
1.此列显示输入地址的设置与LE低。
框图
15
OE1
16
OE2
17
OE3
9
CP
8
D0
7
D1
6
D2
5
D3
4
D4
3
D5
2
D6
1
D7
11
LE
14
S0
13
S1
12
S2
A
D
D
R
E
S
S
R
E
G
I
S
T
E
R
地址
解码
D
A
T
A
R
E
G
I
S
T
E
R
S
1
O
F
8
S
E
L
E
C
T
O
R
19
Y
启用逻辑
18
Y
缓冲器
3
CD74HCT356
绝对最大额定值
直流电源电压，V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流，I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流，I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流，每个输出，我
O
为-0.5V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 35毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流，我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流，I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻（典型，注2 ）
θ
JA
(
o
C / W ）
E（ PDIP ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
69
M（ SOIC ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
58
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
温度范围，T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围，V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压，V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns （最大值）
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns （最大值）
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns （最大值）
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意：
2.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子： 1机组负荷
三态泄漏
当前
注意：
3.对于双电源系统的理论最坏的情况下（V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V ）规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
（注3）
I
OZ
V
CC
to
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
IL
or
V
IH
V
OL
V
IH
or
V
IL
符号
V
IH
V
IL
V
OH
V
I
(V)
-
-
V
IH
or
V
IL
I
O
（毫安）V
CC
(V)
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
民
2
-
4.4
25
o
C
典型值
-
-
-
最大
-
0.8
-
-40
o
C至85
o
C
民
2
-
4.4
最大
-
0.8
-
-55
o
C至125
o
C
民
2
-
4.4
最大
-
0.8
-
单位
V
V
V
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
5.5
5.5
4.5
5.5
5.5
-
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
V
O
=
V
CC
or
GND
-
-
±0.5
-
±5
-
±10
A
5
半导体
CD74HCT356
高速CMOS逻辑器件
8输入多路复用器/寄存器，三态
描述
该CD74HCT356由数据选择器/多路复用器的
选择八个来源之一。数据选择位（ S0，S1，并
S 2 ）被存储在由低启用透明锁存器
锁存使能输入端（LE） 。
该数据被存储在边沿触发的佛罗里达州的ip-佛罗里达州欢声笑语是
由低到高的时钟跳变触发。
在这两种类型的三态输出由三个控制
输出使能输入（ OE1 ， OE2和OE3 ） 。
SCLS459A - 2001年6月 - 修订2003年5月
特点
边沿触发数据触发器
- 选择透明锁存器
缓冲输入
三态互补输出
公交线路驱动能力
典型传播延迟： V
CC
= 5V ，C
L
= 15pF的，
T
A
= 25
o
C
- 时钟到输出= 22ns
扇出（整个温度范围内）
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
4.5V至5.5V的操作
- 直接输入通道输入逻辑兼容，
V
IL
= 0.8V （最大值） ，V
IH
= 2V （最小值）
CMOS兼容输入，我
l
≤
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD74HCT356E
CD74HCT356M96
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
包
20 Ld的PDIP
20 Ld的SOIC
注：订货时，使用整个零件编号。该SUF科幻×96
表示磁带和卷轴。
引脚
CD74HCT356
（ PDIP或SOIC ）
顶视图
D7 1
D6 2
D5 3
D4 4
D3 5
D2 6
D1 7
D0 8
CP 9
GND 10
20 V
CC
19 Y
18 Y
17 OE3
16 OE2
15 OE1
14 S0
13 S1
12 S2
11 LE
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年，德州仪器
1
CD74HCT356
真值表（续）
输入
SELECT （注1 ）
S2
H
H
S1
H
H
S0
H
H
时钟
CP
↑
H或L
OE1
L
L
输出使
OE2
L
L
OE3
H
H
Y
D7
D7
n
输出
Y
D7
D7
n
H =高电平（稳态） ; L =低电压电平（稳态） ;
↑
=转型从低到高的水平;
X =无关; Z =高阻抗状态（ OFF状态） ; D0
n
...D7
n
=稳态输入D0至D7的电平，分别
之前，数据控制的最新低到高的转变。
注意：
1.此列显示输入地址的设置与LE低。
框图
15
OE1
16
OE2
17
OE3
9
CP
8
D0
7
D1
6
D2
5
D3
4
D4
3
D5
2
D6
1
D7
11
LE
14
S0
13
S1
12
S2
A
D
D
R
E
S
S
R
E
G
I
S
T
E
R
地址
解码
D
A
T
A
R
E
G
I
S
T
E
R
S
1
O
F
8
S
E
L
E
C
T
O
R
19
Y
启用逻辑
18
Y
缓冲器
3
CD74HCT356
绝对最大额定值
直流电源电压，V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流，I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流，I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流，每个输出，我
O
为-0.5V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 35毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流，我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流，I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻（典型，注2 ）
θ
JA
(
o
C / W ）
E（ PDIP ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
69
M（ SOIC ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
58
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
温度范围，T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围，V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压，V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns （最大值）
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns （最大值）
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns （最大值）
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意：
2.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子： 1机组负荷
三态泄漏
当前
注意：
3.对于双电源系统的理论最坏的情况下（V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V ）规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
（注3）
I
OZ
V
CC
to
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
IL
or
V
IH
V
OL
V
IH
or
V
IL
符号
V
IH
V
IL
V
OH
V
I
(V)
-
-
V
IH
or
V
IL
I
O
（毫安）V
CC
(V)
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
民
2
-
4.4
25
o
C
典型值
-
-
-
最大
-
0.8
-
-40
o
C至85
o
C
民
2
-
4.4
最大
-
0.8
-
-55
o
C至125
o
C
民
2
-
4.4
最大
-
0.8
-
单位
V
V
V
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
5.5
5.5
4.5
5.5
5.5
-
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
V
O
=
V
CC
or
GND
-
-
±0.5
-
±5
-
±10
A
5
QQ：2880707522 复制
