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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第249页 > CD74HCT354EE4
半导体
CD54HC354 , CD74HC354 ,
CD74HCT354
8号线到1线数据选择器/多路复用器/寄存器
具有三态输出
SCHS277D - 1997年11月 - 修订2003年5月
特点
[ /标题
(CD74
HC354
,
CD74
HCT35
4)
/子
拍摄对象
(高
速度
CMOS
逻辑
8-Input
MULTIP
词法/
寄存器
HC / HCT354
- 透明的数据和选择锁存器
缓冲输入
三态互补输出
公交线路驱动能力
典型传播延迟: V
CC
= 5V ,C
L
= 15pF的,
T
A
= 25
o
C
- 数据到输出= 18ns
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
描述
该CD54HC354 , CD74HC354和CD74HCT354是数据
选择/选择这八个来源之一多路复用器。在这两种
类型,数据选择比特S0,S1和S2被存储在
是由一个低锁存启用透明锁存使能
输入LE 。
在HC / HCT354数据使能输入, E,控制
传递数据到输出时, E是透明锁存器
高,锁存新的数据时, E为低。
在这两种类型的三态输出由三个控制
输出使能输入OE1 , OE2和OE3 。
订购信息
产品型号
CD54HC354F3A
CD74HC354E
CD74HCT354E
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
20 Ld的CERDIP
20 Ld的PDIP
20 Ld的PDIP
引脚
CD54HC354
( CERDIP )
CD74HC354 , CD74HCT354
( PDIP )
顶视图
D7 1
D6 2
D5 3
D4 4
D3 5
D2 6
D1 7
D0 8
E 9
GND 10
20 V
CC
19 Y
18 Y
17 OE3
16 OE2
15 OE1
14 S0
13 S1
12 S2
11 LE
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD54HC354 , CD74HC354 , CD74HCT354
工作原理图
S0
S1
13
S2
12
D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
8
7
6
5
4
3
2
1
11
LE
OE1
OE2
OE3
E
15
16
17
9
18
19
14
Y
Y
真值表
输入
SELECT (注1 )
S2
X
X
X
L
L
L
L
L
L
L
L
H
H
H
H
H
H
S1
X
X
X
L
L
L
L
H
H
H
H
L
L
L
L
H
H
S0
X
X
X
L
L
H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
L
L
启用
数据
E
X
X
X
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
OE1
H
X
X
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
输出使
OE2
X
H
X
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
OE3
X
X
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
Y
Z
Z
Z
D0
D0
n
D1
D1
n
D2
D2
n
D3
D3
n
D4
D4
n
D5
D5
n
D6
D6
n
输出
Y
Z
Z
Z
D0
D0
n
D1
D1
n
D2
D2
n
D3
D3
n
D4
D4
n
D5
D5
n
D6
D6
n
2
CD54HC354 , CD74HC354 , CD74HCT354
真值表(续)
输入
SELECT (注1 )
S2
H
H
S1
H
H
S0
H
H
启用
数据
E
L
H
OE1
L
L
输出使
OE2
L
L
OE3
H
H
Y
D7
D7
n
输出
Y
D7
D7
n
H =高电平(稳态) ; L =低电压电平(稳态) ; X =无关; Z =高阻抗状态(关
国) ; D0
n
...D7
n
=通过D7 ,分别稳态输入D0水平,最近一次由低到高的转变之前,
数据控制。
注意:
1.此列显示输入地址的设置与LE低。
框图
15
OE1
16
OE2
17
OE3
9
启用逻辑
E
8
D0
7
D1
6
D2
5
D3
4
D4
3
D5
2
D6
1
D7
11
LE
14
S0
13
S1
12
S2
A
D
D
R
E
S
S
R
E
G
I
S
T
E
R
地址
解码
D
A
T
A
R
E
G
I
S
T
E
R
S
1
O
F
8
S
E
L
E
C
T
O
R
18
Y
19
Y
缓冲器
3
CD54HC354 , CD74HC354 , CD74HCT354
逻辑图
15
OE1
16
OE2
OE3
17
P
18
Y
V
CC
1 8个锁存器
E
P
N
E
N
8 (7, 6, 5, 4, 3, 2, 1)
D0
E
P
N
E
E
E
GND
P
N
V
CC
P
19
Y
N
9
E
7其他
锁存器
其他7
锁存器输出
CONNECT这里
TO等7个锁存器
SEL0
20
V
CC
10
GND
LE
P
N
LE
SL0
SL0
LE
P
N
LE
SL1
SL1
LE
P
N
LE
SL2
SL2
LE
SEL1
SEL2
SEL3
SEL4
SEL5
SEL6
SEL7
SEL0
GND
LE
14
S0
P
N
LE
LE
13
S1
P
N
LE
LE
12
S2
P
N
11
LE
LE
LE
图1. HC / HCT354逻辑图
4
CD54HC354 , CD74HC354 , CD74HCT354
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流,每个输出,我
O
为-0.5V < V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 35毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻(典型,注2 )
θ
JA
(
o
C / W )
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
69
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围,T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
2.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
(公交车司机)
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
(公交车司机)
输入漏
当前
I
I
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
OH
V
IH
or
V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-6
-7.8
2
4.5
6
4.5
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.84
5.34
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.7
5.2
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
符号
V
I
(V)
I
O
(毫安)V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
最大
-55
o
C至125
o
C
最大
单位
0.02
0.02
0.02
6
7.8
2
4.5
6
4.5
6
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
V
V
V
V
V
-
6
-
-
±0.1
-
±1
-
±1
A
5
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