【CD54/74HC30,CD54/74HCT30从哈里斯半导体数据表收购SCHS121D1997年8】,IC型号CD74HCT30M96,CD74HCT30M96 PDF资料,CD74HCT30M96经销商,ic,电子元器件-51电子网

CD54/74HC30,

CD54/74HCT30

从哈里斯半导体数据表收购

SCHS121D

1997年8月 - 修订2003年9月

高速CMOS逻辑

8输入与非门

描述

的“ HC30和'各自HCT30包含一个8输入与非门

在一个封装中。它们所提供的系统设计师用

直接执行的正逻辑8输入NAND的

功能。逻辑门电路利用硅栅CMOS技术

实现运行速度类似于LSTTL门与

标准CMOS的低功耗集成税务局局长

cuits 。所有器件都具有驱动10 LSTTL负载的能力。

在HCT逻辑系列在功能引脚兼容

LS标准逻辑系列。

特点

缓冲输入

[ /标题

(CD54H

C30,

CD74H

C30,

CD74H

CT30)

/主题

（高

速度

CMOS

逻辑8

典型传播延迟： 10ns的在V

CC

= 5V,

C

L

= 15pF的，T

A

= 25

o

C

扇出（整个温度范围内）

- 标准输出。。。。。。。。。。。。。。。 10输入通道负载

- 公交驱动器输出。。。。。。。。。。。。。 15输入通道负载

宽工作温度范围。。。 -55

o

C至125

o

C

平衡传输延迟和转换时间

显着的功耗相比减少LSTTL

逻辑IC

HC类型

- 2V至6V工作

- 高抗噪性：不适用

IL

= 30%, N

IH

的V = 30 ％

CC

在V

CC

= 5V

HCT类型

- 4.5V至5.5V工作电压

- 直接输入通道输入逻辑兼容，

V

IL

= 0.8V （最大值），V

IH

= 2V （最小值）

- CMOS兼容输入，我

l

≤

1μA在V

OL

, V

OH

订购信息

产品型号

CD54HC30F3A

CD54HCT30F3A

CD74HC30E

CD74HC30M

CD74HC30MT

CD74HC30M96

CD74HC30NSR

TEMP 。 RANGE

(

o

C)

-55至125

包

14 Ld的CERDIP

14 Ld的PDIP

14 Ld的SOIC

14 Ld的SOP

14 Ld的TSSOP

14 Ld的PDIP

14 Ld的SOIC

引脚

CD54HC30 ， CD54HCT30 （ CERDIP ）

CD74HC30 （ PDIP ， SOIC ， SOP ， TSSOP ）

CD74HCT30 （ PDIP ， SOIC ）

顶视图

A

B

C

D

E

F

GND

1

2

3

4

5

6

7

14 V

CC

13 NC

12 H

11 G

10 NC

9

8

NC

Y

CD74HC30PW

CD74HC30PWR

CD74HC30PWT

CD74HCT30E

CD74HCT30M

CD74HCT30MT

CD74HCT30M96

注：订货时，使用整个零件编号。该SUF网络XES 96

而R表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示小量

卷轴250 。

注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。

版权

2003年，德州仪器。

1

CD54 / 74HC30 ， CD54 / 74HCT30

工作原理图

1

A

2

B

3

C

4

D

5

E

6

F

11

G

12

H

8

Y

Y = ABCDEFGH

真值表

输入

A

L

X

H

B

X

L

X

H

C

X

L

X

H

D

X

L

X

H

E

X

L

X

H

F

X

L

X

H

G

X

L

X

H

X

L

H

产量

H

L

注： H =高电平， L =低电压等级，X =无关

逻辑符号

1

A

2

B

C

3

D

4

8

5

Y

E

6

F

11

G

H

12

2

CD54 / 74HC30 ， CD54 / 74HCT30

绝对最大额定值

直流电源电压，V

CC

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.5V至7V

DC输入二极管电流，I

IK

对于V

I

< -0.5V或V

I

＆ GT ; V

CC

+ 0.5V

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 ± 20毫安

DC输出二极管电流，I

OK

对于V

O

< -0.5V或V

O

＆ GT ; V

CC

+ 0.5V

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 ± 20毫安

每个输出引脚的直流输出源或灌电流，我

O

对于V

O

> -0.5V或V

O

＆ LT ; V

CC

+ 0.5V

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 ± 25毫安

DC V

CC

或接地电流，I

cc或

I

GND

。。。。。。。。。。。。。。。。。。 ± 50毫安

热信息

封装的热阻抗，

θ

JA

（见注1 ）

E（ PDIP ）封装。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 80

o

C / W

M（ SOIC ）封装。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 86

o

C / W

NS （ SOP ）封装。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 76

o

C / W

PW （ TSSOP ）封装。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 113

o

C / W

最高结温（密封包装或死亡）。。。 175

o

C

最高结温（塑料封装）。。。。。。。。 150

o

C

最大存储温度范围。。。。。。。。。。 -65

o

C至150

o

C

最大的铅温度（焊接10秒）。。。。。。。。。。。。。 300

o

C

（ SOIC - 只会提示）

工作条件

温度范围（T

A

) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55

o

C至125

o

C

电源电压范围，V

CC

HC类型。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 .2V至6V

HCT类型。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 .4.5V至5.5V

DC输入或输出电压，V

I

, V

O

。。。。。。。。。。。。。。。。。 0V至V

CC

输入上升和下降时间

2V 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。最大1000ns （最大值）

4.5V 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。为500ns （最大值）

6V 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。为400ns （最大值）

注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作

该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。

注意：

1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。

直流电特定网络阳离子

TEST

条件

参数

HC类型

输入高电平

电压

V

IH

-

2

4.5

6

低电平输入

电压

V

IL

-

2

4.5

6

高电平输出

电压

CMOS负载

高电平输出

电压

TTL负载

低电平输出

电压

CMOS负载

低电平输出

电压

TTL负载

输入漏

当前

I

V

CC

or

GND

V

OL

V

IH

or

V

IL

V

OH

V

IH

or

V

IL

-0.02

-

-4

-5.2

0.02

-

4

5.2

-

2

4.5

6

-

4.5

6

2

4.5

6

-

4.5

6

1.5

3.15

4.2

-

1.9

4.4

5.9

-

3.98

5.48

-

0.5

1.35

1.8

-

0.1

-

0.26

±0.1

1.5

3.15

4.2

-

1.9

4.4

5.9

-

3.84

5.34

-

0.5

1.35

1.8

-

0.1

-

0.33

±1

1.5

3.15

4.2

-

1.9

4.4

5.9

-

3.7

5.2

-

0.5

1.35

1.8

-

0.1

-

0.4

±1

V

A

符号

V

I

(V)

I

O

（毫安）V

CC

(V)

民

25

o

C

典型值

最大

-40

o

C至+ 85

o

C

民

最大

-55

o

C至125

o

C

民

最大

单位

3

CD54 / 74HC30 ， CD54 / 74HCT30

直流电特定网络阳离子

（续）

TEST

条件

参数

静态器件

当前

HCT类型

输入高电平

电压

低电平输入

电压

高电平输出

电压

CMOS负载

高电平输出

电压

TTL负载

低电平输出

电压

CMOS负载

低电平输出

电压

TTL负载

输入漏

当前

静态器件

当前

其他静态

器件电流每

输入端子： 1机组负荷

（注2 ）

注意：

2.对于双电源系统的理论最坏的情况下（V

I

= 2.4V, V

CC

= 5.5V ）规格1.8毫安。

I

V

CC

和

GND

V

CC

or

GND

V

CC

-2.1

V

OL

V

IH

or

V

IL

V

IH

V

IL

V

OH

-

V

IH

or

V

IL

-

-0.02

4.5

5.5

4.5

5.5

4.5

2

-

4.4

-

0.8

-

2

-

4.4

-

0.8

-

2

-

4.4

-

0.8

-

V

符号

I

CC

V

I

(V)

V

CC

or

GND

I

O

（毫安）V

CC

(V)

0

6

民

-

25

o

C

典型值

-

最大

2

-40

o

C至+ 85

o

C

民

-

最大

20

-55

o

C至125

o

C

民

-

最大

40

单位

A

-4

4.5

3.98

-

3.84

-

3.7

-

V

-0.02

4.5

-

0.1

-

0.1

-

0.1

V

4

4.5

-

0.26

-

0.33

-

0.4

V

-

5.5

-

±0.1

-

±1

-

±1

A

I

CC

I

CC

0

-

5.5

4.5

5.5

-

100

2

360

-

20

450

-

40

490

A

HCT输入负载表

输入

所有

单位负载

0.6

注：机组负荷为

I

CC

在直流电气限制特定网络版

特定网络阳离子表，如最大360μA 25

o

C.

交换特定网络阳离子

输入吨

r

, t

f

= 6ns的

参数

HC类型

传播延迟，输入到

输出（图1）

t

PLH

, t

PHL

C

L

= 50pF的

2

4.5

6

传播延迟，数据输入到

输出y

t

PLH

, t

PHL

C

L

= 15pF的

5

-

10

130

26

22

-

165

33

28

-

195

39

33

-

ns

符号

TEST

条件

V

CC

(V)

25

o

C

民

典型值

最大

-40

o

C至85

o

C -55

o

C至125

o

C

民

最大

民

最大

单位

4

CD54 / 74HC30 ， CD54 / 74HCT30

交换特定网络阳离子

输入吨

r

, t

f

= 6ns的

参数

转换时间（图1 ）

符号

t

TLH

, t

THL

（续）

V

CC

(V)

2

4.5

6

输入电容

功率耗散电容

（注3,4）

HCT类型

传播延迟，输入到

输出（图2）

传播延迟，数据输入到

输出y

转换时间（图2 ）

输入电容

功率耗散电容

（注3,4）

注意事项：

3. C

PD

被用于确定所述动态功耗，每个门。

4. P

D

= V

CC2

f

i

(C

PD

+ C

L

），其中F

i

=输入频率，C

L

=输出负载电容，V

CC

=电源电压。

t

RHL

, t

PHL

t

PLH

, t

PHL

t

TLH

, t

THL

C

I

C

PD

C

L

= 50pF的

C

L

= 15pF的

C

L

= 50pF的

-

4.5

5

4.5

-

5

-

11

-

26

28

-

15

10

-

35

-

19

10

-

42

-

22

10

-

ns

pF

C

I

C

PD

-

5

25

o

C

民

-

典型值

-

25

最大

75

15

13

10

-

-40

o

C至85

o

C -55

o

C至125

o

C

民

-

最大

95

19

16

10

-

民

-

最大

110

22

19

10

-

单位

ns

pF

TEST

条件

C

L

= 50pF的

测试电路和波形

t

r

= 6ns的

输入

90%

50%

10%

t

TLH

90%

50%

10%

t

PHL

t

PLH

t

f

= 6ns的

V

CC

输入

GND

t

THL

t

r

= 6ns的

2.7V

1.3V

0.3V

t

TLH

90%

反相

产量

t

PHL

t

PLH

1.3V

10%

t

f

= 6ns的

3V

GND

t

THL

反相

产量

图1. HC和HCU转换时间PROPAGA-

TION延迟时间的组合逻辑

图2. HCT过渡时间和传输

延迟时间的组合逻辑

5