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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第1284页 > CD74HCT299MG4
CD54HC299 ， CD74HC299 ，
CD54HCT299 ， CD74HCT299
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS178C
1998年1月 - 修订2003年5月
高速CMOS逻辑器件
8位通用移位寄存器;三态
描述
在“ HC259和” HCT299是8位移位/存储寄存器
三态总线接口功能。该寄存器有四个
由两个选择控制同步工作模式
如图所示，模式选择（ S0，S1 ）的表的输入。模式
选择时，串行数据（ DS0 ， DS7 ）和并行数据（ I / O的
0
- I / O
7
）只响应时钟低到高的转变
（ CP ）脉冲。 S0，S1和数据的输入必须是稳定的1设定
起来之前，在时钟正跳变时间。
主复位（ MR）是一个异步低电平有效输入。
当MR输出为低电平时，寄存器不管清除
所有其它输入的状态。该寄存器可扩展
通过捆绑的串行输出（ Q0 ）级联到单位相同
前寄存器的串行数据（ DS7 ）输入，以及
绑串行输出（ Q7 ），以串行数据（ DS0 ）输入
以下寄存器。循环的第（n ×8）位的
通过把末级的Q7协作的DS0完成
在网络连接第一个阶段。
三态输入/输出I （输入/输出）端口有三种模式
操作：
1.两个输出使能（ OE1和OE2 ）输入是低的和S0
或S1或两者都低时，在寄存器中的数据被呈现
在八个输出。
2.将两个S0和S1是高， I / O端子是在
高阻抗状态，但作为输入端口，准备好杆
等位基因的数据被加载到八个寄存器与一个时钟
过渡不论OE1和OE2的状态。
3.无论是两个输出中的一个使能输入为高意愿
力I / O端子是在关闭状态。应该注意的是
每个I / O端子是一个三态输出和CMOS
缓冲器输入。
特点
缓冲输入
[ /标题
(CD74
HC299
,
CD74
HCT29
9)
/子
拍摄对象
（高
速度
CMOS
逻辑
8-Bit
统一企业
通用开
移
四种工作模式：左移，右移，负载
与商店
可级联的N位字长
- I / O
0
- I / O
7
总线驱动能力和三态的
公交导向的应用
典型F
最大
=在V 50MHz的
CC
= 5V ，C
L
= 15pF的，T
A
= 25
o
C
扇出（整个温度范围内）
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性：不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 ％
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容，
V
IL
= 0.8V （最大值） ，V
IH
= 2V （最小值）
- CMOS兼容输入，我
l
≤
1μA在V
OL
, V
OH
引脚
CD54HC299 ， CD54HCT299
（ CERDIP ）
CD74HC299 ， CD74HCT299
（ PDIP ， SOIC ）
顶视图
S0
OE1
OE2
I / O
6
I / O
4
I / O
2
I / O
0
Q0
MR
1
2
3
4
5
6
7
8
9
20 V
CC
19 S1
18 DS7
17 Q7
16 I / O
7
15 I / O
5
14 I / O
3
13 I / O
1
12 CP
11 DS0
订购信息
产品型号
CD54HC299F3A
CD54HCT299F3A
CD74HC299E
CD74HC299M
CD74HC299M96
CD74HCT299E
CD74HCT299M
CD74HCT299M96
TEMP 。 RANGE （
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
包
20 Ld的CERDIP
20 Ld的CERDIP
20 Ld的PDIP
20 Ld的SOIC
20 Ld的SOIC
20 Ld的PDIP
20 Ld的SOIC
20 Ld的SOIC
GND 10
注：订货时，使用整个零件编号。该SUF科幻×96
表示磁带和卷轴。
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年，德州仪器
1
CD54HC299 ， CD74HC299 ， CD54HCT299 ， CD74HCT299
工作原理图
CP OE1 OE2
12
2 3
三
状态
控制
MR
9
20
V
CC
7
I / O
0
公交线路
输出
I / O
2
I / O
4
6
5
I / O
三态
输出
移
注册
I / O
三态
输出
4
I / O
6
8
标准
Q0
产量
1
S0
10
GND
模式选择
11
18
DS0 DS7
13
I / O
1
14
I / O
3
公交线路
15
I / O
5
输出
16
I / O
7
17
标准
Q7输出
19
S1
模式选择功能表三态I / O端口工作模式
输入
功能
阅读注册
OE1
L
L
L
L
装入寄存器
禁用I / O
X
H
X
OE2
L
L
输入/输出
S1
X
X
L
L
H
X
X
QN （ REGISTER ）
L
H
L
H
QN = I /开
X
X
I / O0 - I / O7
L
H
L
H
I /开=输入
(Z)
(Z)
S0
L
L
L
L
X
X
H
X
X
H
X
X
真值表
输入
功能
复位（清）
右移
MR
L
H
H
左移
H
H
持有（做什么）
并行加载
H
H
H
CP
X
↑
↑
↑
↑
↑
↑
↑
S0
X
h
h
l
l
l
h
h
S1
X
l
l
h
h
l
h
h
DS0
X
l
h
X
X
X
X
X
DS7
X
X
X
l
h
X
X
X
I /对
X
X
X
X
X
X
l
h
Q0
L
L
H
q
1
q
1
q
0
L
H
寄存器输出
Q1
L
q
0
q
0
q2
q
2
q
1
L
H
---
---
---
---
---
---
---
---
---
Q6
L
q
5
q
5
q
7
q
7
q
6
L
H
Q7
L
q
6
Q6
L
H
q
7
L
H
H =输入电压高电平， H =输入电压高的一组定时器的时钟前的过渡; L =输入电压低电平; L =输入电压
低一个建立时间之前，时钟跳变; = QN小写字母表示的参考输出一组行动之前，时钟时间状态
过渡; X - 逻辑状态的电压等级不关心; Z =输出高阻抗状态，
↑
=低到高时钟转换。
2
CD54HC299 ， CD74HC299 ， CD54HCT299 ， CD74HCT299
绝对最大额定值
直流电源电压，V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流，I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流，I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流，每个输出，我
O,
为-0.5V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5V
对于Q输出
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
对于I / O输出
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 35毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流，我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流，I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻（典型值，注1 ）
θ
JA
(
o
C / W ）
E（ PDIP ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 69
M（ SOIC ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 58
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
温度范围，T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围，V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压，V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns （最大值）
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns （最大值）
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns （最大值）
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意：
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
I
I
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
2
4.5
6
Qn
-4
-5.2
I /对
-6
-7.8
-
4.5
6
2
4.5
6
Qn
4
5.2
-
I /对
6
7.8
-
4.5
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
符号
V
I
(V)
I
O
（MA ）
V
CC
(V)
25
o
C
民
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
民
最大
民
最大
单位
0.02
3
CD54HC299 ， CD74HC299 ， CD54HCT299 ， CD74HCT299
直流电特定网络阳离子
（续）
TEST
条件
参数
静态器件
当前
符号
I
CC
V
I
(V)
V
CC
or
GND
I
O
（MA ）
0
-
25
o
C
民
-
-
典型值
-
-
最大
8
±0.5
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
民
-
-
最大
80
±5
民
-
-
最大
160
±10
单位
A
A
V
CC
(V)
6
6
三态泄漏V
IL
或V
IH
V
O
= V
CC
或GND
目前的年龄
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
I
I
I
CC
V
CC
和
GND
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
或V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
-
5.5
5.5
6
4.5
5.5
-
-
-
-
-
-
100
±0.1
8
±0.5
360
-
-
-
-
±1
80
±5
450
-
-
-
-
±1
160
±10
490
A
A
A
A
三态泄漏V
IL
或V
IH
V
O
= V
CC
目前的年龄
或GND
其他Quies-
分设备电流
租金每
输入端子： 1组
负载
注意：
I
CC
（注2 ）
V
CC
-2.1
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下（V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V ）规格1.8毫安。
HCT输入负载表
输入
S1 ，MR
I / O
0
- I / O
7
DS0 ， DS7
S0 ， CP
OE1 ， OE2
单位负载
0.25
0.25
0.25
0.6
0.3
注：机组负荷为
I
CC
在静态特定网络阳离子表限制特定网络连接C，
例如，最大360μA 。在25
o
C.
4
CD54HC299 ， CD74HC299 ， CD54HCT299 ， CD74HCT299
用于交换特定网络阳离子前提条件
25
o
C
参数
HC类型
最大时钟
频率
f
最大
2
4.5
6
MR脉冲宽度
t
W
2
4.5
6
时钟脉冲宽度
t
W
2
4.5
6
建立时间
DS0 ， DS7 ，我上的/时钟
t
SU
2
4.5
6
保持时间DS0 ， DS7 ，
I /对， S0 ， S1到时钟
t
H
2
4.5
6
恢复时间
MR时钟
t
REC
2
4.5
6
建立时间
S1 ， S0到时钟
t
SU
2
4.5
6
HCT类型
最大时钟
频率
MR脉冲宽度
时钟脉冲宽度
建立时间DS0 ， DS7 ，
I /对， S0 ， S1到时钟
保持时间DS0 ， DS7 ，
I /对， S0 ， S1到时钟
恢复时间先生
时钟
建立时间S1 ， S0为
时钟
f
最大
t
W
t
W
t
SU
t
H
t
REC
t
SU
4.5
25
-
-
20
-
-
16
-
-
兆赫
6
30
35
50
10
9
80
16
14
100
20
17
0
0
0
5
5
5
120
24
20
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
5
25
29
65
13
11
100
20
17
125
25
21
0
0
0
5
5
5
150
30
26
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
4
20
23
75
15
13
120
24
20
150
30
26
0
0
0
5
5
5
180
36
31
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
兆赫
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
符号
V
CC
(V)
民
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
民
典型值
最大
-55
o
C至125
o
C
民
典型值
最大
单位
4.5
4.5
4.5
15
20
20
-
-
-
-
-
-
19
25
25
-
-
-
-
-
-
22
30
30
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
4.5
0
-
-
0
-
-
0
-
-
ns
4.5
5
-
-
5
-
-
5
-
-
ns
4.5
27
-
-
34
-
-
41
-
-
ns
5
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CB1GLU321553329
CTTF0201F-0N2S
CN1E4KTTD101J
CY7C277-40WMB
CA89
CD83
CDLL969A
CDSOT236-0502
CY3764VP160-83UXC
CC2220
CLM4041DN
CD54HCT534
C0402C225M9PACTU
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