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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第1053页 > CD74HCT27M96
CD54HC27 ， CD74HC27 ，
CD54HCT27 ， CD74HCT27
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS132C
1997年8月 - 修订2003年9月
高速CMOS逻辑器件
三路3输入NOR门
描述
在“ HC27和” HCT27逻辑门采用硅栅CMOS
技术，实现运行速度类似于LSTTL
闸门与标准CMOS的低功耗
集成电路。所有器件都具有驱动10的能力
LSTTL负载。在HCT逻辑系列在功能引脚
与标准LS逻辑系列兼容。
特点
缓冲输入
[ /标题
(CD74
HC27,
CD74
HCT27
)
/子
拍摄对象
（高
速度
CMOS
逻辑
典型传播延迟：为7ns在V
CC
= 5V,
C
L
= 15pF的，T
A
= 25
o
C
扇出（整个温度范围内）
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性：不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 ％
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容，
V
IL
= 0.8V （最大值） ，V
IH
= 2V （最小值）
- CMOS兼容输入，我
l
≤
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC27F3A
CD54HCT27F3A
CD74HC27E
CD74HC27M
CD74HC27MT
CD74HC27M96
CD74HCT27E
CD74HCT27M
CD74HCT27MT
CD74HCT27M96
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
包
14 Ld的CERDIP
14 Ld的CERDIP
14 Ld的PDIP
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的PDIP
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
注：订货时，使用整个零件编号。该SUF科幻×96
表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示小批量卷轴
250 。
引脚
CD54HC27 ， CD54HCT27
（ CERDIP ）
CD74HC27 ， CD74HCT27
（ PDIP ， SOIC ）
顶视图
1A 1
1B 2
2A 3
2B 4
2C 5
2Y 6
7 GND
14 V
CC
13 1C
12 1Y
11 3C
10 3B
9 3A
8 3Y
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年，德州仪器
1
CD54HC27 ， CD74HC27 ， CD54HCT27 ， CD74HCT27
工作原理图
1
1A
2
1B
2A
2B
2C
2Y
GND
3
4
5
6
7
12
1Y
11
3C
10
3B
9
3A
8
3Y
13
1C
14
V
CC
真值表
输入
nA
L
L
L
H
H
L
H
H
nB
L
L
H
L
H
H
L
H
nC
L
H
L
L
L
H
H
H
产量
nY
H
L
L
L
L
L
L
L
H =高电平， L =低电压电平
逻辑符号
nA
nB
nY
nC
2
CD54HC27 ， CD74HC27 ， CD54HCT27 ， CD74HCT27
绝对最大额定值
直流电源电压，V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流，I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流，I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流，我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流，I
cc或
I
GND
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻（典型值，注1 ）
θ
JA
(
o
C / W ）
E（ PDIP ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
80
M（ SOIC ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
86
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
温度范围（T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围，V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压，V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns （最大值）
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns （最大值）
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns （最大值）
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意：
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
I
I
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
OH
V
IH
or
V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
-
4
5.2
-
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
符号
V
I
(V)
I
O
（毫安）V
CC
(V)
民
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
民
最大
-55
o
C至125
o
C
民
最大
单位
3
CD54HC27 ， CD74HC27 ， CD54HCT27 ， CD74HCT27
直流电特定网络阳离子
（续）
TEST
条件
参数
静态器件
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子： 1机组负荷
注意：
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下（V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V ）规格1.8毫安。
I
I
V
CC
和
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
or
V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
I
CC
V
I
(V)
V
CC
or
GND
I
O
（毫安）V
CC
(V)
0
6
民
-
25
o
C
典型值
-
最大
2
-40
o
C至85
o
C
民
-
最大
20
-55
o
C至125
o
C
民
-
最大
40
单位
A
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
5.5
-
±0.1
-
±1
-
±1
A
I
CC
I
CC
（注2 ）
0
-
5.5
4.5
5.5
-
-
-
100
2
360
-
-
20
450
-
-
40
490
A
A
HCT输入负载表
输入
所有
单位负载
1.5
注：机组负荷为
I
CC
在直流电气限制特定网络版
特定网络阳离子表，如最大360μA 25
o
C.
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
参数
HC类型
传播延迟，输入到
输出（图1）
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
2
4.5
6
传播延迟，数据输入到
输出y
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 15pF的
5
-
-
-
-
-
-
-
7
95
19
16
-
-
-
-
-
120
24
20
-
-
-
-
-
145
29
25
-
ns
ns
ns
ns
符号
TEST
条件
V
CC
(V)
25
o
C
民
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
民
最大
民
最大
单位
4
CD54HC27 ， CD74HC27 ， CD54HCT27 ， CD74HCT27
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
参数
转换时间（图1 ）
符号
t
TLH
, t
THL
（续）
V
CC
(V)
2
4.5
6
输入电容
功率耗散电容
（注3,4）
HCT类型
传播延迟，输入到
输出（图2）
传播延迟，数据输入到
输出y
转换时间（图2 ）
输入电容
功率耗散电容
（注3,4）
注意事项：
3. C
PD
被用于确定所述动态功耗，每个门。
4. P
D
= V
CC2
f
i
(C
PD
+ C
L
） ，其中F
i
=输入频率，C
L
=输出负载电容，V
CC
=电源电压。
t
PLH
, t
PHL
t
PLH
, t
PHL
t
TLH
, t
THL
C
I
C
PD
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
-
-
4.5
5
4.5
-
5
-
-
-
-
-
-
9
-
-
28
23
-
15
10
-
-
-
-
-
-
29
-
19
10
-
-
-
-
-
-
35
-
22
10
-
ns
ns
ns
pF
pF
C
I
C
PD
-
-
-
5
25
o
C
民
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
26
最大
75
15
13
10
-
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
民
-
-
-
-
-
最大
95
19
16
10
-
民
-
-
-
-
-
最大
110
22
19
10
-
单位
ns
ns
ns
pF
pF
TEST
条件
C
L
= 50pF的
测试电路和波形
t
r
= 6ns的
输入
90%
50%
10%
t
f
= 6ns的
V
CC
t
r
= 6ns的
输入
GND
2.7V
1.3V
0.3V
t
f
= 6ns的
3V
GND
t
TLH
90%
t
THL
t
TLH
90%
50%
10%
t
PHL
t
PLH
t
THL
反相
产量
反相
产量
t
PHL
t
PLH
1.3V
10%
图1. HC和HCU转换时间PROPAGA-
TION延迟时间的组合逻辑
图2. HCT过渡时间和传输
延迟时间的组合逻辑
5
CD54HC27 ， CD74HC27 ，
CD54HCT27 ， CD74HCT27
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS132C
1997年8月 - 修订2003年9月
高速CMOS逻辑器件
三路3输入NOR门
描述
在“ HC27和” HCT27逻辑门采用硅栅CMOS
技术，实现运行速度类似于LSTTL
闸门与标准CMOS的低功耗
集成电路。所有器件都具有驱动10的能力
LSTTL负载。在HCT逻辑系列在功能引脚
与标准LS逻辑系列兼容。
特点
缓冲输入
[ /标题
(CD74
HC27,
CD74
HCT27
)
/子
拍摄对象
（高
速度
CMOS
逻辑
典型传播延迟：为7ns在V
CC
= 5V,
C
L
= 15pF的，T
A
= 25
o
C
扇出（整个温度范围内）
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性：不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 ％
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容，
V
IL
= 0.8V （最大值） ，V
IH
= 2V （最小值）
- CMOS兼容输入，我
l
≤
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC27F3A
CD54HCT27F3A
CD74HC27E
CD74HC27M
CD74HC27MT
CD74HC27M96
CD74HCT27E
CD74HCT27M
CD74HCT27MT
CD74HCT27M96
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
包
14 Ld的CERDIP
14 Ld的CERDIP
14 Ld的PDIP
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的PDIP
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
注：订货时，使用整个零件编号。该SUF科幻×96
表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示小批量卷轴
250 。
引脚
CD54HC27 ， CD54HCT27
（ CERDIP ）
CD74HC27 ， CD74HCT27
（ PDIP ， SOIC ）
顶视图
1A 1
1B 2
2A 3
2B 4
2C 5
2Y 6
7 GND
14 V
CC
13 1C
12 1Y
11 3C
10 3B
9 3A
8 3Y
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年，德州仪器
1
CD54HC27 ， CD74HC27 ， CD54HCT27 ， CD74HCT27
工作原理图
1
1A
2
1B
2A
2B
2C
2Y
GND
3
4
5
6
7
12
1Y
11
3C
10
3B
9
3A
8
3Y
13
1C
14
V
CC
真值表
输入
nA
L
L
L
H
H
L
H
H
nB
L
L
H
L
H
H
L
H
nC
L
H
L
L
L
H
H
H
产量
nY
H
L
L
L
L
L
L
L
H =高电平， L =低电压电平
逻辑符号
nA
nB
nY
nC
2
CD54HC27 ， CD74HC27 ， CD54HCT27 ， CD74HCT27
绝对最大额定值
直流电源电压，V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流，I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流，I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流，我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流，I
cc或
I
GND
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻（典型值，注1 ）
θ
JA
(
o
C / W ）
E（ PDIP ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
80
M（ SOIC ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
86
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
温度范围（T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围，V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压，V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns （最大值）
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns （最大值）
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns （最大值）
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意：
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
I
I
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
OH
V
IH
or
V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
-
4
5.2
-
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
符号
V
I
(V)
I
O
（毫安）V
CC
(V)
民
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
民
最大
-55
o
C至125
o
C
民
最大
单位
3
CD54HC27 ， CD74HC27 ， CD54HCT27 ， CD74HCT27
直流电特定网络阳离子
（续）
TEST
条件
参数
静态器件
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子： 1机组负荷
注意：
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下（V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V ）规格1.8毫安。
I
I
V
CC
和
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
or
V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
I
CC
V
I
(V)
V
CC
or
GND
I
O
（毫安）V
CC
(V)
0
6
民
-
25
o
C
典型值
-
最大
2
-40
o
C至85
o
C
民
-
最大
20
-55
o
C至125
o
C
民
-
最大
40
单位
A
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
5.5
-
±0.1
-
±1
-
±1
A
I
CC
I
CC
（注2 ）
0
-
5.5
4.5
5.5
-
-
-
100
2
360
-
-
20
450
-
-
40
490
A
A
HCT输入负载表
输入
所有
单位负载
1.5
注：机组负荷为
I
CC
在直流电气限制特定网络版
特定网络阳离子表，如最大360μA 25
o
C.
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
参数
HC类型
传播延迟，输入到
输出（图1）
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
2
4.5
6
传播延迟，数据输入到
输出y
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 15pF的
5
-
-
-
-
-
-
-
7
95
19
16
-
-
-
-
-
120
24
20
-
-
-
-
-
145
29
25
-
ns
ns
ns
ns
符号
TEST
条件
V
CC
(V)
25
o
C
民
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
民
最大
民
最大
单位
4
CD54HC27 ， CD74HC27 ， CD54HCT27 ， CD74HCT27
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
参数
转换时间（图1 ）
符号
t
TLH
, t
THL
（续）
V
CC
(V)
2
4.5
6
输入电容
功率耗散电容
（注3,4）
HCT类型
传播延迟，输入到
输出（图2）
传播延迟，数据输入到
输出y
转换时间（图2 ）
输入电容
功率耗散电容
（注3,4）
注意事项：
3. C
PD
被用于确定所述动态功耗，每个门。
4. P
D
= V
CC2
f
i
(C
PD
+ C
L
） ，其中F
i
=输入频率，C
L
=输出负载电容，V
CC
=电源电压。
t
PLH
, t
PHL
t
PLH
, t
PHL
t
TLH
, t
THL
C
I
C
PD
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
-
-
4.5
5
4.5
-
5
-
-
-
-
-
-
9
-
-
28
23
-
15
10
-
-
-
-
-
-
29
-
19
10
-
-
-
-
-
-
35
-
22
10
-
ns
ns
ns
pF
pF
C
I
C
PD
-
-
-
5
25
o
C
民
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
26
最大
75
15
13
10
-
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
民
-
-
-
-
-
最大
95
19
16
10
-
民
-
-
-
-
-
最大
110
22
19
10
-
单位
ns
ns
ns
pF
pF
TEST
条件
C
L
= 50pF的
测试电路和波形
t
r
= 6ns的
输入
90%
50%
10%
t
f
= 6ns的
V
CC
t
r
= 6ns的
输入
GND
2.7V
1.3V
0.3V
t
f
= 6ns的
3V
GND
t
TLH
90%
t
THL
t
TLH
90%
50%
10%
t
PHL
t
PLH
t
THL
反相
产量
反相
产量
t
PHL
t
PLH
1.3V
10%
图1. HC和HCU转换时间PROPAGA-
TION延迟时间的组合逻辑
图2. HCT过渡时间和传输
延迟时间的组合逻辑
5
CD54HC27 ， CD74HC27 ，
CD54HCT27 ， CD74HCT27
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS132C
1997年8月 - 修订2003年9月
高速CMOS逻辑器件
三路3输入NOR门
描述
在“ HC27和” HCT27逻辑门采用硅栅CMOS
技术，实现运行速度类似于LSTTL
闸门与标准CMOS的低功耗
集成电路。所有器件都具有驱动10的能力
LSTTL负载。在HCT逻辑系列在功能引脚
与标准LS逻辑系列兼容。
特点
缓冲输入
[ /标题
(CD74
HC27,
CD74
HCT27
)
/子
拍摄对象
（高
速度
CMOS
逻辑
典型传播延迟：为7ns在V
CC
= 5V,
C
L
= 15pF的，T
A
= 25
o
C
扇出（整个温度范围内）
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性：不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 ％
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容，
V
IL
= 0.8V （最大值） ，V
IH
= 2V （最小值）
- CMOS兼容输入，我
l
≤
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC27F3A
CD54HCT27F3A
CD74HC27E
CD74HC27M
CD74HC27MT
CD74HC27M96
CD74HCT27E
CD74HCT27M
CD74HCT27MT
CD74HCT27M96
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
包
14 Ld的CERDIP
14 Ld的CERDIP
14 Ld的PDIP
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的PDIP
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
注：订货时，使用整个零件编号。该SUF科幻×96
表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示小批量卷轴
250 。
引脚
CD54HC27 ， CD54HCT27
（ CERDIP ）
CD74HC27 ， CD74HCT27
（ PDIP ， SOIC ）
顶视图
1A 1
1B 2
2A 3
2B 4
2C 5
2Y 6
7 GND
14 V
CC
13 1C
12 1Y
11 3C
10 3B
9 3A
8 3Y
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年，德州仪器
1
CD54HC27 ， CD74HC27 ， CD54HCT27 ， CD74HCT27
工作原理图
1
1A
2
1B
2A
2B
2C
2Y
GND
3
4
5
6
7
12
1Y
11
3C
10
3B
9
3A
8
3Y
13
1C
14
V
CC
真值表
输入
nA
L
L
L
H
H
L
H
H
nB
L
L
H
L
H
H
L
H
nC
L
H
L
L
L
H
H
H
产量
nY
H
L
L
L
L
L
L
L
H =高电平， L =低电压电平
逻辑符号
nA
nB
nY
nC
2
CD54HC27 ， CD74HC27 ， CD54HCT27 ， CD74HCT27
绝对最大额定值
直流电源电压，V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流，I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流，I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流，我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流，I
cc或
I
GND
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻（典型值，注1 ）
θ
JA
(
o
C / W ）
E（ PDIP ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
80
M（ SOIC ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
86
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
温度范围（T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围，V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压，V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns （最大值）
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns （最大值）
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns （最大值）
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意：
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
I
I
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
OH
V
IH
or
V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
-
4
5.2
-
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
符号
V
I
(V)
I
O
（毫安）V
CC
(V)
民
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
民
最大
-55
o
C至125
o
C
民
最大
单位
3
CD54HC27 ， CD74HC27 ， CD54HCT27 ， CD74HCT27
直流电特定网络阳离子
（续）
TEST
条件
参数
静态器件
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子： 1机组负荷
注意：
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下（V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V ）规格1.8毫安。
I
I
V
CC
和
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
or
V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
I
CC
V
I
(V)
V
CC
or
GND
I
O
（毫安）V
CC
(V)
0
6
民
-
25
o
C
典型值
-
最大
2
-40
o
C至85
o
C
民
-
最大
20
-55
o
C至125
o
C
民
-
最大
40
单位
A
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
5.5
-
±0.1
-
±1
-
±1
A
I
CC
I
CC
（注2 ）
0
-
5.5
4.5
5.5
-
-
-
100
2
360
-
-
20
450
-
-
40
490
A
A
HCT输入负载表
输入
所有
单位负载
1.5
注：机组负荷为
I
CC
在直流电气限制特定网络版
特定网络阳离子表，如最大360μA 25
o
C.
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
参数
HC类型
传播延迟，输入到
输出（图1）
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
2
4.5
6
传播延迟，数据输入到
输出y
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 15pF的
5
-
-
-
-
-
-
-
7
95
19
16
-
-
-
-
-
120
24
20
-
-
-
-
-
145
29
25
-
ns
ns
ns
ns
符号
TEST
条件
V
CC
(V)
25
o
C
民
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
民
最大
民
最大
单位
4
CD54HC27 ， CD74HC27 ， CD54HCT27 ， CD74HCT27
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
参数
转换时间（图1 ）
符号
t
TLH
, t
THL
（续）
V
CC
(V)
2
4.5
6
输入电容
功率耗散电容
（注3,4）
HCT类型
传播延迟，输入到
输出（图2）
传播延迟，数据输入到
输出y
转换时间（图2 ）
输入电容
功率耗散电容
（注3,4）
注意事项：
3. C
PD
被用于确定所述动态功耗，每个门。
4. P
D
= V
CC2
f
i
(C
PD
+ C
L
） ，其中F
i
=输入频率，C
L
=输出负载电容，V
CC
=电源电压。
t
PLH
, t
PHL
t
PLH
, t
PHL
t
TLH
, t
THL
C
I
C
PD
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
-
-
4.5
5
4.5
-
5
-
-
-
-
-
-
9
-
-
28
23
-
15
10
-
-
-
-
-
-
29
-
19
10
-
-
-
-
-
-
35
-
22
10
-
ns
ns
ns
pF
pF
C
I
C
PD
-
-
-
5
25
o
C
民
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
26
最大
75
15
13
10
-
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
民
-
-
-
-
-
最大
95
19
16
10
-
民
-
-
-
-
-
最大
110
22
19
10
-
单位
ns
ns
ns
pF
pF
TEST
条件
C
L
= 50pF的
测试电路和波形
t
r
= 6ns的
输入
90%
50%
10%
t
f
= 6ns的
V
CC
t
r
= 6ns的
输入
GND
2.7V
1.3V
0.3V
t
f
= 6ns的
3V
GND
t
TLH
90%
t
THL
t
TLH
90%
50%
10%
t
PHL
t
PLH
t
THL
反相
产量
反相
产量
t
PHL
t
PLH
1.3V
10%
图1. HC和HCU转换时间PROPAGA-
TION延迟时间的组合逻辑
图2. HCT过渡时间和传输
延迟时间的组合逻辑
5
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