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CD74HC253,
CD74HCT253
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS170B
1997年11月 - 修订2003年10月
高速CMOS逻辑器件
双路4输入多路复用器
描述
该CD74HC253和CD74HCT253是双4 ：1的行
具有三态输出选择器/多路复用器。一四
源的每一部分的选择通过共同选择
输入S0和S1 。当输出使能（ 10E， 2OE ）是
高电平时，输出处于高阻抗状态。
特点
通用选择输入
[ /标题
(CD74
HC253
,
CD74
HCT25
3)
/子
拍摄对象
（高
速度
CMOS
逻辑
双
4-Input
多
多路复用器）
独立的输出使能输入
三态输出
扇出（整个温度范围内）
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性：不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 ％
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容，
V
IL
= 0.8V （最大值） ，V
IH
= 2V （最小值）
- CMOS兼容输入，我
l
≤
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD74HC253E
CD74HC253M
CD74HC253MT
CD74HC253M96
CD74HCT253E
CD74HCT253M
CD74HCT253MT
CD74HCT253M96
TEMP 。 RANGE （
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
包
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
注：订货时，使用整个零件编号。该SUF科幻×96
表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示小批量卷轴
250 。
引脚
CD74HC253 ， CD74HCT253
（ PDIP ， SOIC ）
顶视图
10E中1
S1 2
1I
3
3
1I
2
4
1I
1
5
1I
0
6
1Y 7
GND 8
16 V
CC
15 2OE
14 S0
13 2I
3
12 2I
2
11 2I
1
10 2I
0
9 2Y
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
1
2003年，德州仪器
1
CD74HC253 ， CD74HCT253
功能图
2OE
15
2I
3
13
2I
2
12
2I
1
11
2I
0
10
S
0
14
S
1
2
1I
0
6
1I
1
5
1I
2
4
1I
3
3
1OE
1
2OE
2OE
1OE
1OE
16
V
CC
8
GND
P
2OE
9
2Y
N
2OE
N
1OE
1Y
P
1OE
7
真值表
选择输入
（注1 ）
S1
X
L
L
L
L
H
H
H
H
S0
X
L
L
H
H
L
L
H
H
I
0
X
L
H
X
X
X
X
X
X
产量
启用
I
3
X
X
X
X
X
X
X
L
H
OE
H
L
L
L
L
L
L
L
L
数据输入
I
1
X
X
X
L
H
X
X
X
X
I
2
X
X
X
X
X
L
H
X
X
产量
Y
Z
L
H
L
H
L
H
L
H
H =高电平， L =低电压等级，X =无关， Z =高阻抗（关） 。
注意：
1.选择输入S1和S0是共同的部分。
2
CD74HC253 ， CD74HCT253
绝对最大额定值
直流电源电压，V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流，I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流，I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流，每个输出，我
O
为-0.5V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 35毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流，我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流，I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻（典型，注2 ）
θ
JA
(
o
C / W ）
E（ PDIP ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
67
M（ SOIC ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
73
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
温度范围，T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围，V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压，V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns （最大值）
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns （最大值）
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns （最大值）
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意：
2.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
I
I
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-6
-7.8
0.02
0.02
0.02
-
-6
-7.8
-
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
符号
V
I
(V)
I
O
（MA ）
V
CC
(V)
25
o
C
民
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
民
最大
民
最大
单位
3
CD74HC253 ， CD74HCT253
直流电特定网络阳离子
（续）
TEST
条件
参数
静态器件
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子： 1机组负荷
三态泄漏
当前
注意：
3.对于双电源系统的理论最坏的情况下（V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V ）规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
（注3）
符号
I
CC
V
I
(V)
V
CC
or
GND
I
O
（MA ）
0
V
CC
(V)
6
25
o
C
民
-
典型值
-
最大
8
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
民
-
最大
80
民
-
最大
160
单位
A
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
或V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
V
OL
V
IH
或V
IL
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
V
CC
和
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
IL
或V
IH
0
0
-
5.5
5.5
4.5
5.5
5.5
-
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
I
OZ
V
O
=
V
CC
or
GND
-
-
±0.5
-
±5
-
±10
A
HCT输入负载表
输入
1I
O
- 1I
3
, 2I
O
-2l
3
1E
O
, 2E
O
, S
0
, S
1
单位负载
0.4
1
注：机组负荷为
I
CC
在DC电气表限制特定网络版，例如，
最大360μA 25
o
C.
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
TEST
符号条件
V
CC
(V)
25
o
C
民
典型值
最大
-40
o
C到
85
o
C
民
最大
-55
o
C到
125
o
C
民
最大
单位
参数
HC类型
传播延迟
选择输出
t
PLH ，
t
PHL
C
L
= 50pF的
2
4.5
-
-
-
-
-
-
14
-
175
35
-
30
-
-
-
-
220
44
-
37
-
-
-
-
265
53
-
45
ns
ns
ns
ns
C
L
=15pF
C
L
= 50pF的
5
6
4
CD74HC253 ， CD74HCT253
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
（续）
25
o
C
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
14
-
-
-
12
-
-
-
9
-
-
-
-
-
-
46
最大
175
35
-
30
150
30
-
26
110
22
-
19
60
12
10
10
20
-
-40
o
C到
85
o
C
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
220
44
-
37
190
38
-
33
140
28
-
24
75
15
13
10
20
-
-55
o
C到
125
o
C
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
265
53
-
45
225
45
-
38
165
33
-
28
90
18
15
10
20
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
参数
数据输出
TEST
符号条件
t
PLH ，
t
PHL
C
L
= 50pF的
V
CC
(V)
2
4.5
C
L
=15pF
C
L
= 50pF的
关闭延迟时间
t
PHZ ，
t
PLZ
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
CL = 15pF的
C
L
= 50pF的
启用延迟时间
t
PZH
,
t
PZL
C
L
= 50pF的
CL = 50pF的
CL = 15pF的
CL = 50pF的
输出转换时间
t
TLH
, t
THL
C
L
= 50pF的
5
6
2
4.5
5
6
2
4.5
5
6
2
4.5
6
输入电容
三态输出电容
功率耗散电容
（注4,5）
HCT类型
传播延迟
选择输出
C
I
C
O
C
PD
-
-
-
-
-
5
t
PLH
,
t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
=15pF
4.5
5
4.5
5
4.5
5
4.5
5
4.5
-
-
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
16
-
16
40
-
38
-
30
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
50
-
-
60
-
57
-
45
-
45
-
18
10
20
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
数据输出
t
PLH
,
t
PHL
t
PLH
,
t
PHL
t
PZH
,
t
PZL
C
L
= 50pF的
C
L
=15pF
C
L
= 50pF的
C
L
=15pF
C
L
= 50pF的
C
L
=15pF
48
-
38
-
38
-
15
10
20
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
关闭延迟时间
12
-
12
-
-
-
52
-
30
-
12
10
20
-
启用延迟时间
输出转换时间
输入电容
三态输出电容
功率耗散电容
（注4,5）
注意事项：
t
TLH
, t
THL
C
L
= 50pF的
C
IN
C
O
C
PD
-
-
-
4. C
PD
被用于确定所述动态功耗，每个多路转换器。
5. P
D
= V
CC2
f
i
(C
PD
+ C
L
） ，其中F
i
=输入频率，C
L
=输出负载电容，V
CC
=电源电压。
5
CD74HC253,
CD74HCT253
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS170B
1997年11月 - 修订2003年10月
高速CMOS逻辑器件
双路4输入多路复用器
描述
该CD74HC253和CD74HCT253是双4 ：1的行
具有三态输出选择器/多路复用器。一四
源的每一部分的选择通过共同选择
输入S0和S1 。当输出使能（ 10E， 2OE ）是
高电平时，输出处于高阻抗状态。
特点
通用选择输入
[ /标题
(CD74
HC253
,
CD74
HCT25
3)
/子
拍摄对象
（高
速度
CMOS
逻辑
双
4-Input
多
多路复用器）
独立的输出使能输入
三态输出
扇出（整个温度范围内）
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性：不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 ％
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容，
V
IL
= 0.8V （最大值） ，V
IH
= 2V （最小值）
- CMOS兼容输入，我
l
≤
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD74HC253E
CD74HC253M
CD74HC253MT
CD74HC253M96
CD74HCT253E
CD74HCT253M
CD74HCT253MT
CD74HCT253M96
TEMP 。 RANGE （
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
包
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
注：订货时，使用整个零件编号。该SUF科幻×96
表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示小批量卷轴
250 。
引脚
CD74HC253 ， CD74HCT253
（ PDIP ， SOIC ）
顶视图
10E中1
S1 2
1I
3
3
1I
2
4
1I
1
5
1I
0
6
1Y 7
GND 8
16 V
CC
15 2OE
14 S0
13 2I
3
12 2I
2
11 2I
1
10 2I
0
9 2Y
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
1
2003年，德州仪器
1
CD74HC253 ， CD74HCT253
功能图
2OE
15
2I
3
13
2I
2
12
2I
1
11
2I
0
10
S
0
14
S
1
2
1I
0
6
1I
1
5
1I
2
4
1I
3
3
1OE
1
2OE
2OE
1OE
1OE
16
V
CC
8
GND
P
2OE
9
2Y
N
2OE
N
1OE
1Y
P
1OE
7
真值表
选择输入
（注1 ）
S1
X
L
L
L
L
H
H
H
H
S0
X
L
L
H
H
L
L
H
H
I
0
X
L
H
X
X
X
X
X
X
产量
启用
I
3
X
X
X
X
X
X
X
L
H
OE
H
L
L
L
L
L
L
L
L
数据输入
I
1
X
X
X
L
H
X
X
X
X
I
2
X
X
X
X
X
L
H
X
X
产量
Y
Z
L
H
L
H
L
H
L
H
H =高电平， L =低电压等级，X =无关， Z =高阻抗（关） 。
注意：
1.选择输入S1和S0是共同的部分。
2
CD74HC253 ， CD74HCT253
绝对最大额定值
直流电源电压，V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流，I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流，I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流，每个输出，我
O
为-0.5V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 35毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流，我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流，I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻（典型，注2 ）
θ
JA
(
o
C / W ）
E（ PDIP ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
67
M（ SOIC ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
73
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
温度范围，T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围，V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压，V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns （最大值）
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns （最大值）
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns （最大值）
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意：
2.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
I
I
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-6
-7.8
0.02
0.02
0.02
-
-6
-7.8
-
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
符号
V
I
(V)
I
O
（MA ）
V
CC
(V)
25
o
C
民
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
民
最大
民
最大
单位
3
CD74HC253 ， CD74HCT253
直流电特定网络阳离子
（续）
TEST
条件
参数
静态器件
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子： 1机组负荷
三态泄漏
当前
注意：
3.对于双电源系统的理论最坏的情况下（V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V ）规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
（注3）
符号
I
CC
V
I
(V)
V
CC
or
GND
I
O
（MA ）
0
V
CC
(V)
6
25
o
C
民
-
典型值
-
最大
8
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
民
-
最大
80
民
-
最大
160
单位
A
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
或V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
V
OL
V
IH
或V
IL
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
V
CC
和
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
IL
或V
IH
0
0
-
5.5
5.5
4.5
5.5
5.5
-
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
I
OZ
V
O
=
V
CC
or
GND
-
-
±0.5
-
±5
-
±10
A
HCT输入负载表
输入
1I
O
- 1I
3
, 2I
O
-2l
3
1E
O
, 2E
O
, S
0
, S
1
单位负载
0.4
1
注：机组负荷为
I
CC
在DC电气表限制特定网络版，例如，
最大360μA 25
o
C.
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
TEST
符号条件
V
CC
(V)
25
o
C
民
典型值
最大
-40
o
C到
85
o
C
民
最大
-55
o
C到
125
o
C
民
最大
单位
参数
HC类型
传播延迟
选择输出
t
PLH ，
t
PHL
C
L
= 50pF的
2
4.5
-
-
-
-
-
-
14
-
175
35
-
30
-
-
-
-
220
44
-
37
-
-
-
-
265
53
-
45
ns
ns
ns
ns
C
L
=15pF
C
L
= 50pF的
5
6
4
CD74HC253 ， CD74HCT253
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
（续）
25
o
C
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
14
-
-
-
12
-
-
-
9
-
-
-
-
-
-
46
最大
175
35
-
30
150
30
-
26
110
22
-
19
60
12
10
10
20
-
-40
o
C到
85
o
C
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
220
44
-
37
190
38
-
33
140
28
-
24
75
15
13
10
20
-
-55
o
C到
125
o
C
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
265
53
-
45
225
45
-
38
165
33
-
28
90
18
15
10
20
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
参数
数据输出
TEST
符号条件
t
PLH ，
t
PHL
C
L
= 50pF的
V
CC
(V)
2
4.5
C
L
=15pF
C
L
= 50pF的
关闭延迟时间
t
PHZ ，
t
PLZ
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
CL = 15pF的
C
L
= 50pF的
启用延迟时间
t
PZH
,
t
PZL
C
L
= 50pF的
CL = 50pF的
CL = 15pF的
CL = 50pF的
输出转换时间
t
TLH
, t
THL
C
L
= 50pF的
5
6
2
4.5
5
6
2
4.5
5
6
2
4.5
6
输入电容
三态输出电容
功率耗散电容
（注4,5）
HCT类型
传播延迟
选择输出
C
I
C
O
C
PD
-
-
-
-
-
5
t
PLH
,
t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
=15pF
4.5
5
4.5
5
4.5
5
4.5
5
4.5
-
-
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
16
-
16
40
-
38
-
30
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
50
-
-
60
-
57
-
45
-
45
-
18
10
20
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
数据输出
t
PLH
,
t
PHL
t
PLH
,
t
PHL
t
PZH
,
t
PZL
C
L
= 50pF的
C
L
=15pF
C
L
= 50pF的
C
L
=15pF
C
L
= 50pF的
C
L
=15pF
48
-
38
-
38
-
15
10
20
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
关闭延迟时间
12
-
12
-
-
-
52
-
30
-
12
10
20
-
启用延迟时间
输出转换时间
输入电容
三态输出电容
功率耗散电容
（注4,5）
注意事项：
t
TLH
, t
THL
C
L
= 50pF的
C
IN
C
O
C
PD
-
-
-
4. C
PD
被用于确定所述动态功耗，每个多路转换器。
5. P
D
= V
CC2
f
i
(C
PD
+ C
L
） ，其中F
i
=输入频率，C
L
=输出负载电容，V
CC
=电源电压。
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