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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第1048页 > CD74HCT245EE4
CD54HC245 , CD74HC245 ,
CD54HCT245 , CD74HCT245
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS119A
1997年11月 - 修订2003年5月
高速CMOS逻辑八路总线收发器,
三态,非反相
描述
该CD54HC245 , CD54HCT245和CD74HC245 ,
CD74HCT245是高速八三态双向
收发器
双向
异步
数据总线之间的通信。它们具有高驱动
电流输出这使高速运行的同时
驾驶大型客车电容。它们所提供的低功率
标准CMOS电路的速度消耗,
驱动能力媲美LSTTL电路。
该CD54HC245 , CD54HCT245 , CD74HC245和
CD74HCT245允许B总线或从数据传输
B总线到A总线。在该方向输入的逻辑电平
( DIR)的确定的方向。输出使能输入
( OE ) ,高的时候,会将I / O端口,在高阻抗
状态。
在HC / HCT245在操作上的HC / HCT640相似
和HC / HCT643 。
特点
缓冲输入
[ /标题
(CD54
HC245
,
CD54
HCT24
5,
CD74
HC245
,
CD74
HCT24
5)
/子
拍摄对象
(高
速度
三态输出
公交线路驱动能力
典型传播延迟(从A到B, B到A ) 9ns在V
CC
= 5V ,C
L
= 15pF的,T
A
= 25
o
C
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC245F3A
CD54HCT245F3A
CD74HC245E
CD74HC245M
温度。
RANGE (
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
20 Ld的CERDIP
20 Ld的CERDIP
20 Ld的PDIP
20 Ld的SOIC
20 Ld的SOIC
20 Ld的PDIP
20 Ld的SOIC
20 Ld的SOIC
引脚
CD54HC245 , CD54HCT245
( CERDIP )
CD74HC245 , CD74HCT245
( PDIP , SOIC )
顶视图
CD74HC245M96
CD74HCT245E
CD74HCT245M
CD74HCT245M96
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF科幻×96
表示磁带和卷轴。
DIR
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
1
2
3
4
5
6
7
8
9
20 V
CC
19 OE
18 B0
17 B1
16 B2
15 B3
14 B4
13 B5
12 B6
11 B7
GND 10
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD54HC245 , CD74HC245 , CD54HCT245 , CD74HCT245
工作原理图
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
2
3
4
5
6
7
8
9
1
DIR
OE
19
18
17
16
15
14
13
12
11
B0
B1
B2
B3
B4
B5
B6
B7
真值表
控制输入
OE
L
L
H
DIR
L
H
X
手术
B数据到总线
数据到B总线
隔离
H =水平高, L =水平低,X =无关
为了防止在高Z (隔离)多余的电流模式,所有的I / O
端应与10kΩ的终止到1MΩ电阻器。
2
CD54HC245 , CD74HC245 , CD54HCT245 , CD74HCT245
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流,每个输出,我
O
为-0.5V < V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 35毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻(典型值,注1 ) 。
. . . . . . . . . . . . . . . . θ
JA
(
o
C / W )
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
69
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
58
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围,T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
I
I
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
-
4
5.2
-
0
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
8
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
80
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
160
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
符号
V
I
(V)
I
O
(MA )
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
3
CD54HC245 , CD74HC245 , CD54HCT245 , CD74HCT245
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
三态泄漏
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
三态泄漏
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
注意:
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
OZ
V
CC
GND
V
CC
or
GND
V
IL
或V
IH
V
OL
V
IH
或V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
或V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
I
OZ
V
I
(V)
V
IL
或V
IH
I
O
(MA )
V
O
=
V
CC
or
GND
25
o
C
-
典型值
-
最大
±0.5
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
-
最大
±5
-
最大
±10
单位
A
V
CC
(V)
6
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
V
O
=
V
CC
or
GND
-
5.5
5.5
6
-
-
-
-
-
-
±0.1
8
±0.5
-
-
-
±1
80
±5
-
-
-
±1
160
±10
A
A
A
I
CC
(注2 )
V
CC
-2.1
4.5
5.5
-
100
360
-
450
-
490
A
HCT输入负载表
输入
一个或Bn的
OE
DIR
单位负载
0.4
1.5
0.9
注:机组负荷为
I
CC
在DC电气表限制特定网络版,例如,
最大360μA 25
o
C.
4
CD54HC245 , CD74HC245 , CD54HCT245 , CD74HCT245
交换特定网络阳离子
C
L
= 50pF的,输入吨
r
, t
f
= 6ns的
25
o
C
V
CC
(V)
典型值
最大
-40
o
C到
85
o
C
最大
-55
o
C到
125
o
C
最大
单位
参数
HC类型
传播延迟
数据输出
符号
TEST
条件
t
PHL
, t
PLH
C
L
= 50pF的
2
4.5
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
5
6
2
4.5
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
5
6
2
4.5
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
5
6
2
4.5
6
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
10
-
-
-
-
9
-
-
-
12
-
-
-
12
-
-
-
-
-
-
53
110
22
-
19
150
30
-
26
150
30
-
26
60
12
10
10
20
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
140
28
-
24
190
38
-
33
190
38
-
33
75
15
13
10
20
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
165
33
-
28
225
45
-
38
225
45
-
38
90
18
15
10
20
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
输出禁止输出
t
PHL ,
t
PLH
C
L
= 50pF的
输出使能输出
t
PHL ,
t
PLH
C
L
= 50pF的
输出转换时间
t
THL
, t
TLH
C
L
= 50pF的
输入电容
三态输出
电容
功率耗散电容
(注3,4)
HCT类型
传播延迟
数据输出
C
IN
C
O
C
PD
C
L
= 50pF的
-
-
-
-
5
t
PHL ,
t
PLH
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
4.5
5
4.5
5
4.5
5
4.5
-
-
5
-
-
-
-
-
-
-
10
-
-
-
10
-
12
-
13
-
-
-
55
26
-
30
-
32
-
12
10
20
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
33
-
38
-
40
-
15
10
20
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
39
-
45
-
48
-
18
10
20
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
输出禁止输出
t
PHL ,
t
PLH
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
输出使能输出
t
PHL ,
t
PLH
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
输出转换时间
输入电容
三态输出
电容
功率耗散电容
(注3,4)
注意事项:
t
THL
, t
TLH
C
IN
C
O
C
PD
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
-
-
3. C
PD
被用于确定所述动态功耗,每通道。
4. P
D
= V
CC2
f
i
(C
PD
+ C
L
) ,其中F
i
=输入频率,C
L
=输出负载电容,V
CC
=电源电压。
5
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    CD74HCT245EE4
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881147140 复制

电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
CD74HCT245EE4
Texas Instruments
24+
10000
20-PDIP
原厂一级代理,原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881147140 复制

电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
CD74HCT245EE4
Texas Instruments
24+
10000
20-DIP (0.300, 7.62mm)
原厂一级代理,原装现货
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电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
CD74HCT245EE4
Texas Instruments
24+
11512
20-PDIP
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联系人:小邹
地址:深圳市福田区上步工业区201栋西座228室
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TI
22+
4058
原厂封装
原装正品★真实库存★价格优势★欢迎洽谈
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联系人:吴先生/吴小姐/李小姐
地址:深圳市福田区航都大厦17F1
CD74HCT245EE4
Texas Instruments
23+
872
原厂原封装
全新原装,现货优势库存
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电话:755-83229865
联系人:刘红样
地址:深圳市福田区红荔路301号上步工业区23栋上航大厦东座4楼
CD74HCT245EE4
TI(德州仪器)
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6000
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21+
9561
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