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CD54HC175 , CD74HC175 ,
CD54HCT175 , CD74HCT175
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS160C
1997年8月 - 修订2003年10月
高速CMOS逻辑器件
四D型触发器与复位
利用标准CMOS IC和驱动10的能力
LSTTL设备。
在D输入的信息传送到Q,Q输出上
在时钟脉冲的正向边沿。所有四个触发器
由共同的时钟(CP)和一个共同的复位控制
(先生) 。复位是由一个低电压电平来实现
独立的时钟。所有四个Q输出复位到一
逻辑0和所有四个Q输出为逻辑1 。
特点
[ /标题
(CD74
HC175
,
CD74
HCT17
5)
/子
拍摄对象
(高
速度
CMOS
逻辑
D-
TYPE
倒装
公共时钟和异步的4个复位
D型触发器
上升沿脉冲触发
互补输出
缓冲输入
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC175F3A
CD54HCT175F3A
CD74HC175E
CD74HC175M
CD74HC175MT
CD74HC175M96
CD74HCT175E
CD74HCT175M
CD74HCT175MT
CD74HCT175M96
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
描述
在“ HC175和” HCT175是高速四D型倒装
触发器与个别D输入端和Q ,Q互补
输出。该设备使用硅栅CMOS制造
技术。它们具有低功耗
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF科幻×96
表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示的小批量卷轴
250.
引脚
CD54HC175 , CD54HCT175
( CERDIP )
CD74HC175 , CD74HCT175
( PDIP , SOIC )
顶视图
MR 1
Q
0
2
Q
0
3
D
0
4
D
1
5
Q
1
6
Q
1
7
GND 8
16 V
CC
15 Q
3
14 Q
3
13 D
3
12 D
2
11 Q
2
10 Q
2
9 CP
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD54HC175 , CD74HC175 , CD54HCT175 , CD74HCT175
工作原理图
4
D
0
CP
MR
5
D
1
D
CP
R
12
D
2
D
CP
R
13
D
3
D
CP
R
Q
Q
14
Q
3
Q
15
Q
3
Q
11
Q
2
Q
10
Q
2
Q
6
Q
1
D
9
CP
1
R
Q
Q
3
Q
0
7
Q
1
2
Q
0
真值表
输入
复位( MR)
L
H
H
H
时钟CP
X
L
数据D
n
X
H
L
X
Q
n
L
H
L
Q
0
输出
Q
n
H
L
H
Q
0
H =高电平, L =低电压等级, X = Do not护理,
=转型从低到高级别,
Q
0
=前水平的指示稳态输入条件成立。
逻辑图
C
L
4 (5, 12, 13)
D
n
D
p
n
C
L
C
L
p
n
C
L
R
1
MR
9
CP
另外三个F / F
GND
V
CC
另外三个F / F
8
16
CP
C
L
C
L
p
n
C
L
C
L
p
n
C
L
C
L
2( 7, 10, 15)
Q
n
四种F / F ONE
3( 6, 11, 14)
Q
n
2
CD54HC175 , CD74HC175 , CD54HCT175 , CD74HCT175
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
cc或
I
GND
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻(典型值,注1 )
θ
JA
(
o
C / W )
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
67
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
73
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
I
I
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
OH
V
IH
or
V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
4
5.2
-
0
2
4.5
6
4.5
6
2
4.5
6
4.5
6
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
±0.1
8
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
±1
80
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
±1
160
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
符号
V
I
(V)
I
O
(毫安)V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至+ 85
o
C
最大
-55
o
C至125
o
C
最大
单位
3
CD54HC175 , CD74HC175 , CD54HCT175 , CD74HCT175
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
注意事项:
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
(注2 )
V
CC
to
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
or
V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
V
I
(V)
I
O
(毫安)V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至+ 85
o
C
最大
-55
o
C至125
o
C
最大
单位
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
5.5
5.5
4.5
5.5
-
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
HCT输入负载表
输入
MR
CP
D
单位负载
1
0.60
0.15
注:机组负荷为
I
CC
在直流电气限制特定网络版
特定网络阳离子表,如最大360μA 25
o
C.
用于交换特定网络阳离子前提条件
参数
HC类型
时钟脉冲宽度
t
w
-
2
4.5
6
MR脉冲宽度
t
w
-
2
4.5
6
80
16
14
80
16
14
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
100
20
17
100
20
17
-
-
-
-
-
-
120
24
20
120
24
20
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
符号
TEST
条件
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
4
CD54HC175 , CD74HC175 , CD54HCT175 , CD74HCT175
用于交换特定网络阳离子前提条件
参数
建立时间,数据时钟
符号
t
SU
(续)
V
CC
(V)
2
4.5
6
保持时间,数据时钟
t
H
-
2
4.5
6
搬迁时间,MR时钟
t
REM
-
2
4.5
6
时钟频率
f
最大
-
2
4.5
6
HCT类型
时钟脉冲宽度
MR脉冲宽度
建立时间的数据,以时钟
数据保持时间,以时钟
拆除时间MR到时钟
时钟频率
t
w
t
w
t
SU
t
H
t
REM
f
最大
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
25
o
C
V
CC
(V)
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
最大
-55
o
C到
125
o
C
最大
单位
-
-
-
-
-
-
4.5
4.5
4.5
4.5
4.5
4.5
20
20
20
5
5
25
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
25
25
25
5
5
20
-
-
-
-
-
-
30
30
30
5
5
16
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
兆赫
25
o
C
80
16
14
5
5
5
5
5
5
6
30
35
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
100
20
17
5
5
5
5
5
5
5
25
29
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
120
24
20
5
5
5
5
5
5
4
20
23
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
兆赫
兆赫
兆赫
TEST
条件
-
交换特定网络阳离子
参数
HC类型
传播延迟,时钟到
Q或Q
符号
TEST
条件
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
2
4.5
6
-
-
-
14
-
-
-
14
-
-
-
-
65
175
35
30
-
175
35
30
-
75
15
13
10
-
220
44
37
-
220
44
37
-
95
19
16
10
-
265
53
45
-
265
53
45
-
110
22
19
10
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
C
L
= 15pF的
传播延迟,
MR到Q或Q
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
5
2
4.5
6
C
L
= 15pF的
输出转换时间
t
TLH
, t
THL
C
L
= 50pF的
5
2
4.5
6
输入电容
功耗
电容
(注3,4)
C
IN
C
PD
-
-
-
5
5
CD54HC175 , CD74HC175 ,
CD54HCT175 , CD74HCT175
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS160C
1997年8月 - 修订2003年10月
高速CMOS逻辑器件
四D型触发器与复位
利用标准CMOS IC和驱动10的能力
LSTTL设备。
在D输入的信息传送到Q,Q输出上
在时钟脉冲的正向边沿。所有四个触发器
由共同的时钟(CP)和一个共同的复位控制
(先生) 。复位是由一个低电压电平来实现
独立的时钟。所有四个Q输出复位到一
逻辑0和所有四个Q输出为逻辑1 。
特点
[ /标题
(CD74
HC175
,
CD74
HCT17
5)
/子
拍摄对象
(高
速度
CMOS
逻辑
D-
TYPE
倒装
公共时钟和异步的4个复位
D型触发器
上升沿脉冲触发
互补输出
缓冲输入
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC175F3A
CD54HCT175F3A
CD74HC175E
CD74HC175M
CD74HC175MT
CD74HC175M96
CD74HCT175E
CD74HCT175M
CD74HCT175MT
CD74HCT175M96
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
描述
在“ HC175和” HCT175是高速四D型倒装
触发器与个别D输入端和Q ,Q互补
输出。该设备使用硅栅CMOS制造
技术。它们具有低功耗
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF科幻×96
表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示的小批量卷轴
250.
引脚
CD54HC175 , CD54HCT175
( CERDIP )
CD74HC175 , CD74HCT175
( PDIP , SOIC )
顶视图
MR 1
Q
0
2
Q
0
3
D
0
4
D
1
5
Q
1
6
Q
1
7
GND 8
16 V
CC
15 Q
3
14 Q
3
13 D
3
12 D
2
11 Q
2
10 Q
2
9 CP
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD54HC175 , CD74HC175 , CD54HCT175 , CD74HCT175
工作原理图
4
D
0
CP
MR
5
D
1
D
CP
R
12
D
2
D
CP
R
13
D
3
D
CP
R
Q
Q
14
Q
3
Q
15
Q
3
Q
11
Q
2
Q
10
Q
2
Q
6
Q
1
D
9
CP
1
R
Q
Q
3
Q
0
7
Q
1
2
Q
0
真值表
输入
复位( MR)
L
H
H
H
时钟CP
X
L
数据D
n
X
H
L
X
Q
n
L
H
L
Q
0
输出
Q
n
H
L
H
Q
0
H =高电平, L =低电压等级, X = Do not护理,
=转型从低到高级别,
Q
0
=前水平的指示稳态输入条件成立。
逻辑图
C
L
4 (5, 12, 13)
D
n
D
p
n
C
L
C
L
p
n
C
L
R
1
MR
9
CP
另外三个F / F
GND
V
CC
另外三个F / F
8
16
CP
C
L
C
L
p
n
C
L
C
L
p
n
C
L
C
L
2( 7, 10, 15)
Q
n
四种F / F ONE
3( 6, 11, 14)
Q
n
2
CD54HC175 , CD74HC175 , CD54HCT175 , CD74HCT175
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
cc或
I
GND
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻(典型值,注1 )
θ
JA
(
o
C / W )
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
67
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
73
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
I
I
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
OH
V
IH
or
V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
4
5.2
-
0
2
4.5
6
4.5
6
2
4.5
6
4.5
6
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
±0.1
8
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
±1
80
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
±1
160
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
符号
V
I
(V)
I
O
(毫安)V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至+ 85
o
C
最大
-55
o
C至125
o
C
最大
单位
3
CD54HC175 , CD74HC175 , CD54HCT175 , CD74HCT175
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
注意事项:
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
(注2 )
V
CC
to
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
or
V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
V
I
(V)
I
O
(毫安)V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至+ 85
o
C
最大
-55
o
C至125
o
C
最大
单位
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
5.5
5.5
4.5
5.5
-
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
HCT输入负载表
输入
MR
CP
D
单位负载
1
0.60
0.15
注:机组负荷为
I
CC
在直流电气限制特定网络版
特定网络阳离子表,如最大360μA 25
o
C.
用于交换特定网络阳离子前提条件
参数
HC类型
时钟脉冲宽度
t
w
-
2
4.5
6
MR脉冲宽度
t
w
-
2
4.5
6
80
16
14
80
16
14
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
100
20
17
100
20
17
-
-
-
-
-
-
120
24
20
120
24
20
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
符号
TEST
条件
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
4
CD54HC175 , CD74HC175 , CD54HCT175 , CD74HCT175
用于交换特定网络阳离子前提条件
参数
建立时间,数据时钟
符号
t
SU
(续)
V
CC
(V)
2
4.5
6
保持时间,数据时钟
t
H
-
2
4.5
6
搬迁时间,MR时钟
t
REM
-
2
4.5
6
时钟频率
f
最大
-
2
4.5
6
HCT类型
时钟脉冲宽度
MR脉冲宽度
建立时间的数据,以时钟
数据保持时间,以时钟
拆除时间MR到时钟
时钟频率
t
w
t
w
t
SU
t
H
t
REM
f
最大
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
25
o
C
V
CC
(V)
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
最大
-55
o
C到
125
o
C
最大
单位
-
-
-
-
-
-
4.5
4.5
4.5
4.5
4.5
4.5
20
20
20
5
5
25
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
25
25
25
5
5
20
-
-
-
-
-
-
30
30
30
5
5
16
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
兆赫
25
o
C
80
16
14
5
5
5
5
5
5
6
30
35
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
100
20
17
5
5
5
5
5
5
5
25
29
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
120
24
20
5
5
5
5
5
5
4
20
23
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
兆赫
兆赫
兆赫
TEST
条件
-
交换特定网络阳离子
参数
HC类型
传播延迟,时钟到
Q或Q
符号
TEST
条件
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
2
4.5
6
-
-
-
14
-
-
-
14
-
-
-
-
65
175
35
30
-
175
35
30
-
75
15
13
10
-
220
44
37
-
220
44
37
-
95
19
16
10
-
265
53
45
-
265
53
45
-
110
22
19
10
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
C
L
= 15pF的
传播延迟,
MR到Q或Q
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
5
2
4.5
6
C
L
= 15pF的
输出转换时间
t
TLH
, t
THL
C
L
= 50pF的
5
2
4.5
6
输入电容
功耗
电容
(注3,4)
C
IN
C
PD
-
-
-
5
5
CD54HC175 , CD74HC175 ,
CD54HCT175 , CD74HCT175
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS160C
1997年8月 - 修订2003年10月
高速CMOS逻辑器件
四D型触发器与复位
利用标准CMOS IC和驱动10的能力
LSTTL设备。
在D输入的信息传送到Q,Q输出上
在时钟脉冲的正向边沿。所有四个触发器
由共同的时钟(CP)和一个共同的复位控制
(先生) 。复位是由一个低电压电平来实现
独立的时钟。所有四个Q输出复位到一
逻辑0和所有四个Q输出为逻辑1 。
特点
[ /标题
(CD74
HC175
,
CD74
HCT17
5)
/子
拍摄对象
(高
速度
CMOS
逻辑
D-
TYPE
倒装
公共时钟和异步的4个复位
D型触发器
上升沿脉冲触发
互补输出
缓冲输入
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC175F3A
CD54HCT175F3A
CD74HC175E
CD74HC175M
CD74HC175MT
CD74HC175M96
CD74HCT175E
CD74HCT175M
CD74HCT175MT
CD74HCT175M96
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
描述
在“ HC175和” HCT175是高速四D型倒装
触发器与个别D输入端和Q ,Q互补
输出。该设备使用硅栅CMOS制造
技术。它们具有低功耗
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF科幻×96
表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示的小批量卷轴
250.
引脚
CD54HC175 , CD54HCT175
( CERDIP )
CD74HC175 , CD74HCT175
( PDIP , SOIC )
顶视图
MR 1
Q
0
2
Q
0
3
D
0
4
D
1
5
Q
1
6
Q
1
7
GND 8
16 V
CC
15 Q
3
14 Q
3
13 D
3
12 D
2
11 Q
2
10 Q
2
9 CP
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD54HC175 , CD74HC175 , CD54HCT175 , CD74HCT175
工作原理图
4
D
0
CP
MR
5
D
1
D
CP
R
12
D
2
D
CP
R
13
D
3
D
CP
R
Q
Q
14
Q
3
Q
15
Q
3
Q
11
Q
2
Q
10
Q
2
Q
6
Q
1
D
9
CP
1
R
Q
Q
3
Q
0
7
Q
1
2
Q
0
真值表
输入
复位( MR)
L
H
H
H
时钟CP
X
L
数据D
n
X
H
L
X
Q
n
L
H
L
Q
0
输出
Q
n
H
L
H
Q
0
H =高电平, L =低电压等级, X = Do not护理,
=转型从低到高级别,
Q
0
=前水平的指示稳态输入条件成立。
逻辑图
C
L
4 (5, 12, 13)
D
n
D
p
n
C
L
C
L
p
n
C
L
R
1
MR
9
CP
另外三个F / F
GND
V
CC
另外三个F / F
8
16
CP
C
L
C
L
p
n
C
L
C
L
p
n
C
L
C
L
2( 7, 10, 15)
Q
n
四种F / F ONE
3( 6, 11, 14)
Q
n
2
CD54HC175 , CD74HC175 , CD54HCT175 , CD74HCT175
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
cc或
I
GND
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻(典型值,注1 )
θ
JA
(
o
C / W )
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
67
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
73
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
I
I
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
OH
V
IH
or
V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
4
5.2
-
0
2
4.5
6
4.5
6
2
4.5
6
4.5
6
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
±0.1
8
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
±1
80
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
±1
160
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
符号
V
I
(V)
I
O
(毫安)V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至+ 85
o
C
最大
-55
o
C至125
o
C
最大
单位
3
CD54HC175 , CD74HC175 , CD54HCT175 , CD74HCT175
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
注意事项:
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
(注2 )
V
CC
to
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
or
V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
V
I
(V)
I
O
(毫安)V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至+ 85
o
C
最大
-55
o
C至125
o
C
最大
单位
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
5.5
5.5
4.5
5.5
-
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
HCT输入负载表
输入
MR
CP
D
单位负载
1
0.60
0.15
注:机组负荷为
I
CC
在直流电气限制特定网络版
特定网络阳离子表,如最大360μA 25
o
C.
用于交换特定网络阳离子前提条件
参数
HC类型
时钟脉冲宽度
t
w
-
2
4.5
6
MR脉冲宽度
t
w
-
2
4.5
6
80
16
14
80
16
14
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
100
20
17
100
20
17
-
-
-
-
-
-
120
24
20
120
24
20
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
符号
TEST
条件
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
4
CD54HC175 , CD74HC175 , CD54HCT175 , CD74HCT175
用于交换特定网络阳离子前提条件
参数
建立时间,数据时钟
符号
t
SU
(续)
V
CC
(V)
2
4.5
6
保持时间,数据时钟
t
H
-
2
4.5
6
搬迁时间,MR时钟
t
REM
-
2
4.5
6
时钟频率
f
最大
-
2
4.5
6
HCT类型
时钟脉冲宽度
MR脉冲宽度
建立时间的数据,以时钟
数据保持时间,以时钟
拆除时间MR到时钟
时钟频率
t
w
t
w
t
SU
t
H
t
REM
f
最大
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
25
o
C
V
CC
(V)
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
最大
-55
o
C到
125
o
C
最大
单位
-
-
-
-
-
-
4.5
4.5
4.5
4.5
4.5
4.5
20
20
20
5
5
25
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
25
25
25
5
5
20
-
-
-
-
-
-
30
30
30
5
5
16
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
兆赫
25
o
C
80
16
14
5
5
5
5
5
5
6
30
35
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
100
20
17
5
5
5
5
5
5
5
25
29
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
120
24
20
5
5
5
5
5
5
4
20
23
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
兆赫
兆赫
兆赫
TEST
条件
-
交换特定网络阳离子
参数
HC类型
传播延迟,时钟到
Q或Q
符号
TEST
条件
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
2
4.5
6
-
-
-
14
-
-
-
14
-
-
-
-
65
175
35
30
-
175
35
30
-
75
15
13
10
-
220
44
37
-
220
44
37
-
95
19
16
10
-
265
53
45
-
265
53
45
-
110
22
19
10
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
C
L
= 15pF的
传播延迟,
MR到Q或Q
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
5
2
4.5
6
C
L
= 15pF的
输出转换时间
t
TLH
, t
THL
C
L
= 50pF的
5
2
4.5
6
输入电容
功耗
电容
(注3,4)
C
IN
C
PD
-
-
-
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联系人:雷小姐
地址:深圳市福田区华强北街道华红社区红荔路3002号交行大厦一单元711
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