从哈里斯半导体数据表收购
SCHS159
CD74HC174,
CD74HCT174
高速CMOS逻辑
六路D型触发器与复位
描述
哈里斯CD74HC174和CD74HCT174是边缘
触发的触发器其利用硅栅的CMOS电路，以
实现的D型触发器。他们拥有低功耗和
速度媲美的低功率肖特基TTL电路。该
器件包含6主从佛罗里达州IP- FL OPS有一个共同的
时钟和共同复位。上具有的D输入端的数据
特定网络版建立和保持时间传送到Q输出
在低时钟输入的高电平跳变。在MR
输入为低电平时，设置所有的输出为低电平状态。
每路输出可驱动10低功率肖特基TTL
等效负载。该CD74HCT174是功能以及，
引脚兼容的74LS174 。
1997年8月
特点
缓冲上升沿触发时钟
通用异步复位
扇出（整个温度范围内）
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性：不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 ％
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容，
V
IL
= 0.8V （最大值） ，V
IH
= 2V （最小值）
- CMOS兼容输入，我
l
≤
1μA在V
OL
, V
OH
[ /标题
(CD74
HC174
,
CD74
HCT17
4)
/子
拍摄对象
（高
速度
CMOS
逻辑
六角D-
TYPE
倒装
拍击
订购信息
产品型号
CD74HC174E
CD74HCT174E
CD74HC174M
CD74HCT174M
CD74HCT174W
注意事项：
1，订货时，使用整个零件编号。添加SUF音响X 96
获得在磁带和卷轴的变种。
2.模具的这一部分数量可满足所有电气
规格。请联系您当地的销售办事处或哈里斯
客户服务的订购信息。
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
包
16 Ld的PDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
晶圆
PKG 。
号
E16.3
E16.3
M16.15
M16.15
引脚
CD74HC174 ， CD74HCT174
（ PDIP ， SOIC ）
顶视图
MR 1
Q
0
2
D
0
3
D
1
4
Q
1
5
D
2
6
Q
2
7
GND 8
16 V
CC
15 Q
5
14 D
5
13 D
4
12 Q
4
11 D
3
10 Q
3
9 CP
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
1997年哈里斯公司
网络文件编号
1608.1
1
CD74HC174 ， CD74HCT174
工作原理图
CP
D
0
CP
D
R
Q
0
D
1
Q
1
D
2
Q
2
D
3
Q
3
D
4
Q
4
D
5
MR
Q
5
真值表
输入
复位（ MR）
L
H
H
H
时钟CP
X
↑
↑
L
数据D
n
X
H
L
X
产量
Q
n
L
H
L
Q
0
注： H =高电平， L =低电压等级，X =无关，
↑
=从低转换
以高层次，Q
0
=前水平的指示稳态输入条件成立
逻辑图
C
L
3 (4, 6, 11, 13, 14)
D
n
D
p
n
C
L
C
L
p
n
C
L
R
1
MR
9
CP
CP
C
L
p
n
C
L
C
L
p
n
C
L
C
L
C
L
作者： SIX F / F ONE
Q 2 (5, 7, 10, 12, 15)
Q
n
8
16
TO FIVE其他F / F
V
CC
TO FIVE其他F / F
2
CD74HC174 ， CD74HCT174
绝对最大额定值
直流电源电压，V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流，I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流，I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流，我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流，I
cc或
I
GND
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻（典型，注3 ）
θ
JA
(
o
C / W ）
PDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
85
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
110
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
温度范围（T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围，V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压，V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns （最大值）
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns （最大值）
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns （最大值）
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意：
3.
θ
JA
测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
I
I
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
OH
V
IH
or
V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
4
5.2
-
0
2
4.5
6
4.5
6
2
4.5
6
4.5
6
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
±0.1
8
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
±1
80
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
±1
160
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
符号
V
I
(V)
I
O
（毫安）V
CC
(V)
民
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至+ 85
o
C
民
最大
-55
o
C至125
o
C
民
最大
单位
3
QQ：2880707522 复制
