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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第801页 > CD74HCT157E
性S E M I C 0 N D ü （C T）
CD74HC157 ， CD74HCT157 ，
CD74HC158 ， CD74HCT158
高速CMOS逻辑
四2输入多路复用器
描述
哈里斯CD74HC157 ， CD74HCT157 ， CD74HC158和
CD74HCT158是其选择的四2输入多路复用器
的控制下， 4位来自两个源的数据的
常见的选择输入（ S） 。使能输入（ E）为低电平有效。
当（E）为高，所有的输出在158中，反相
型， （ 1Y - 4Y ）被强制为高电平，并在157中，非
反相型，所有的输出（ 1Y - 4Y ）被强制为低电平，
而与所有其他的输入条件。
移动从两组寄存器的数据四种常见
输出总线是一种常见的这些装置的使用。国家
选择输入的确定从特定的寄存器
该数据来自。它们也可以用作函数
发电机。
1997年9月
特点
通用选择输入
独立的使能输入
缓冲输入和输出
扇出（整个温度范围内）
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性：不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 ％
CC
at
V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容，
V
IL
= 0.8V （最大值） ，V
IH
= 2V （最小值）
- CMOS兼容输入，我
l
≤
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD74HC157E
CD74HCT157E
CD74HC158E
CD74HCT158E
CD74HC157M
TEMP 。 RANGE （
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
包
16 Ld的PDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
PKG 。
号
E16.3
E16.3
E16.3
E16.3
M16.15
M16.15
M16.15
引脚
CD74HC157 ， CD74HCT157 ， CD74HC158 ， CD74HCT158
（ PDIP ， SOIC ）
顶视图
S 1
1I
0
2
1I
1
3
1Y 4
2I
0
5
2I
1
6
2Y 7
GND 8
16 V
CC
15 E
14 4I
0
13 4I
1
12 4Y
11 3I
0
10 3I
1
9 3Y
CD74HCT157M
CD74HC158M
注意事项：
1，订货时，使用整个零件编号。添加SUF音响X 96
获得在磁带和卷轴的变种。
2.晶圆或死亡的这一部分数量可满足所有elec-
Trical公司规范。请联系您当地的销售办事处或
哈里斯的客户服务订购信息。
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
1997年哈里斯公司
网络文件编号
1642.2
1
CD74HC157 ， CD74HCT157 ， CD74HC158 ， CD74HCT158
工作原理图
HC / HCT HC / HCT
157
158
1I
0
1I
1
2I
0
2I
1
3I
0
3I
1
4I
0
4I
1
S
E
2
3
5
6
11
10
14
13
1
15
4
1Y
1Y
7
2Y
2Y
9
3Y
3Y
12
4Y
4Y
真值表
产量
启用
E
H
L
L
L
L
SELECT
输入
S
X
L
L
H
H
数据输入
I0
X
L
H
X
X
I1
X
X
X
L
H
157
Y
L
L
H
L
H
158
Y
H
H
L
H
L
注： H =高电平， L =低电压等级， X = Do not护理
2
CD74HC157 ， CD74HCT157 ， CD74HC158 ， CD74HCT158
绝对最大额定值
直流电源电压，V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流，I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流，I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流，我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流，I
cc或
I
GND
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻（典型，注3 ）
θ
JA
(
o
C / W ）
PDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
90
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
115
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
温度范围（T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围，V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压，V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns （最大值）
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns （最大值）
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns （最大值）
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意：
3.
θ
JA
测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
I
I
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
-
4
5.2
-
0
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
8
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
80
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
160
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
符号
V
I
(V)
I
O
（MA ）
V
CC
(V)
25
o
C
民
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
民
最大
民
最大
单位
3
CD74HC157 ， CD74HCT157 ， CD74HC158 ， CD74HCT158
直流电特定网络阳离子
（续）
TEST
条件
参数
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子： 1机组负荷
I
I
I
CC
I
CC
V
CC
和
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
OL
V
IH
或V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
或V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
V
I
(V)
I
O
（MA ）
25
o
C
民
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
民
最大
民
最大
单位
V
CC
(V)
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
5.5
5.5
4.5
5.5
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
注：对于双电源系统的理论最坏的情况下（V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V ）特定网络阳离子是1.8毫安。
HCT输入负载表
单位负载
输入
我（全）
E
S
HCT157
0.95
0.6
3
HCT158
0.4
0.6
2.8
注：机组负荷为
I
CC
在DC电气表限制特定网络版，例如，
最大360μA 25
o
C.
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
参数
HC / HCT157类型
传播延迟（图1 ）T
PLH ，
t
PHL
C
L
= 50pF的
数据输出
HC157
HCT157
C
L
= 50pF的
6
C
L
=15pF
2
4.5
5
-
-
-
-
-
-
-
10
12
-
125
25
-
-
21
-
-
-
-
-
155
31
-
-
26
-
-
-
-
-
190
38
-
-
32
ns
ns
ns
ns
ns
符号
TEST
条件
V
CC
(V)
25
o
C
民
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
民
最大
-55
o
C至125
o
C
民
最大
单位
4
CD74HC157 ， CD74HCT157 ， CD74HC158 ， CD74HCT158
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
参数
使能到输出
符号
（续）
V
CC
(V)
2
4.5
HC157
HCT157
C
L
= 50pF的
选择输出
t
PLH ，
t
PHL
C
L
= 50pF的
6
2
4.5
HC157
HCT157
C
L
= 50pF的
功耗
电容（注4,5）
HC157
HCT157
HC / HCT158类型
数据输出
t
PLH ，
t
PHL
C
L
= 50pF的
2
4.5
HC158
HCT 158
C
L
= 50pF的
使能到输出
t
PLH ，
t
PHL
C
L
= 50pF的
6
2
4.5
HC158
HCT 158
C
L
= 50pF的
选择输出
t
PLH ，
t
PHL
C
L
= 50pF的
6
2
4.5
HC158
HCT 158
C
L
= 50pF的
输出转换时间
t
TLH ，
t
THL
C
L
= 50pF的
6
2
4.5
6
功耗
电容（注4,5）
HC158
HCT 158
输入电容
注意事项：
4. C
PD
被用于确定所述动态功耗，每个多路转换器。
5. P
D
= V
CC2
f
i
(C
PD
+ C
L
） ，其中F
i
=输入频率，C
L
=输出负载电容，V
CC
=电源电压。
C
IN
C
L
= 50pF的
-
C
PD
-
5
-
-
-
35
35
-
-
-
10
-
-
-
-
-
10
-
-
-
-
-
10
pF
pF
pF
C
L
=15pF
5
C
L
=15pF
5
C
L
=15pF
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
11
13
-
-
-
13
15
-
-
-
12
14
-
-
-
-
140
28
-
-
24
160
32
-
-
27
150
30
-
-
26
75
15
13
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
175
35
-
-
30
200
40
-
-
34
190
38
-
-
33
95
19
16
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
210
42
-
-
36
240
48
-
-
41
225
45
-
-
38
110
22
19
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
C
PD
-
6
5
-
-
62
70
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
pF
pF
C
L
=15pF
5
C
L
=15pF
5
25
o
C
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
11
12
-
-
-
12
15
-
最大
135
27
-
-
23
145
29
-
-
25
-40
o
C至85
o
C
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
170
34
-
-
29
180
36
-
-
31
-55
o
C至125
o
C
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
205
41
-
-
35
220
44
-
-
38
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
TEST
条件
t
PLH ，
t
PHL
C
L
= 50pF的
5
该CD54HC158和
CD74HC158已过时，
不再提供。
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS153C
CD54 / 74HC157 ， CD54 / 74HCT157 ，
CD54 / 74HC158 ， CD54 / 74HCT158
高速CMOS逻辑器件
四2输入多路复用器
描述
的“ HC157 ， ' HCT157 ， ” HC158 ，和' HCT158是四2-
这两个选择4位的数据输入多路
一个共同的选择输入端（ S）的控制下，源。该
使能输入（ E）为低电平有效。当（E）为高时，所有
在158输出，反相型， （ 1Y - 4Y ）被强制
高，并在157中，非反相型，所有的输出
（ 1Y - 4Y ）的所有其它输入强制为低电平，而不管
条件。
移动从两组寄存器的数据四种常见
输出总线是一种常见的这些装置的使用。状态
选择输入确定从特定的寄存器
该数据来自。它们也可以用作函数
发电机。
1997年9月 - 修订2003年10月
特点
通用选择输入
[ /标题
(CD74H
C157,
CD74H
CT157,
CD74H
C158,
CD74H
CT158)
/主题
（高
速度
独立的使能输入
缓冲输入和输出
扇出（整个温度范围内）
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性：不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 ％
CC
at
V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容，
V
IL
= 0.8V （最大值） ，V
IH
= 2V （最小值）
- CMOS兼容输入，我
l
≤
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC157F3A
CD54HCT157F3A
CD54HCT158F3A
CD74HC157E
CD74HC157M
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
包
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的PDIP
引脚
CD54HC157 ， CD54HCT157 ， CD54HC158 ， CD54HCT158
（ CERDIP ）
CD74HC157 ， CD74HCT157 ， CD74HC158
（ PDIP ， SOIC ）
CD74HCT158
（ PDIP ）
顶视图
S 1
1I
0
2
1I
1
3
1Y 4
2I
0
5
2I
1
6
2Y 7
GND 8
16 V
CC
15 E
14 4I
0
13 4I
1
12 4Y
11 3I
0
10 3I
1
9 3Y
CD74HC157MT
CD74HC157M96
CD74HCT157E
CD74HCT157M
CD74HCT157MT
CD74HCT157M96
CD74HCT158E
注：订货时，使用整个零件编号。该SUF科幻×96
表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示的小批量卷轴
250.
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年，德州仪器
1
CD54 / 74HC157 ， CD54 / 74HCT157 ， CD54 / 74HC158 ， CD54 / 74HCT158
工作原理图
HC / HCT HC / HCT
157
158
1I
0
1I
1
2I
0
2I
1
3I
0
3I
1
4I
0
4I
1
S
E
2
3
5
6
11
10
14
13
1
15
4
1Y
1Y
7
2Y
2Y
9
3Y
3Y
12
4Y
4Y
真值表
产量
启用
E
H
L
L
L
L
SELECT
输入
S
X
L
L
H
H
数据输入
I0
X
L
H
X
X
I1
X
X
X
L
H
157
Y
L
L
H
L
H
158
Y
H
H
L
H
L
H =高电平， L =低电压等级， X = Do not护理
2
CD54 / 74HC157 ， CD54 / 74HCT157 ， CD54 / 74HC158 ， CD54 / 74HCT158
绝对最大额定值
直流电源电压，V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流，I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流，I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流，我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流，I
cc或
I
GND
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻（典型值，注1 ）
θ
JA
(
o
C / W ）
E（ PDIP ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
67
M（ SOIC ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
73
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
温度范围（T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围，V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压，V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns （最大值）
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns （最大值）
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns （最大值）
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意：
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
I
I
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
-
4
5.2
-
0
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
8
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
80
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
160
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
符号
V
I
(V)
I
O
（MA ）
V
CC
(V)
25
o
C
民
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
民
最大
民
最大
单位
3
CD54 / 74HC157 ， CD54 / 74HCT157 ， CD54 / 74HC158 ， CD54 / 74HCT158
直流电特定网络阳离子
（续）
TEST
条件
参数
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子： 1机组负荷
注意：
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下（V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V ）规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
（注2 ）
V
CC
和
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
OL
V
IH
或V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
或V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
V
I
(V)
I
O
（MA ）
25
o
C
民
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
民
最大
民
最大
单位
V
CC
(V)
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
5.5
5.5
4.5
5.5
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
HCT输入负载表
单位负载
输入
我（全）
E
S
HCT157
0.95
0.6
3
HCT158
0.4
0.6
2.8
注：机组负荷为
I
CC
在DC电气表限制特定网络版，例如，
最大360μA 25
o
C.
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
参数
HC / HCT157类型
传播延迟（图1 ）T
PLH ，
t
PHL
C
L
= 50pF的
数据输出
HC157
HCT157
C
L
= 50pF的
6
C
L
=15pF
2
4.5
5
-
-
-
-
-
-
-
10
12
-
125
25
-
-
21
-
-
-
-
-
155
31
-
-
26
-
-
-
-
-
190
38
-
-
32
ns
ns
ns
ns
ns
符号
TEST
条件
V
CC
(V)
25
o
C
民
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
民
最大
-55
o
C至125
o
C
民
最大
单位
4
CD54 / 74HC157 ， CD54 / 74HCT157 ， CD54 / 74HC158 ， CD54 / 74HCT158
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
参数
使能到输出
符号
（续）
V
CC
(V)
2
4.5
HC157
HCT157
C
L
= 50pF的
选择输出
t
PLH ，
t
PHL
C
L
= 50pF的
6
2
4.5
HC157
HCT157
C
L
= 50pF的
功耗
电容（注3,4）
HC157
HCT157
HC / HCT158类型
数据输出
t
PLH ，
t
PHL
C
L
= 50pF的
2
4.5
HC158
HCT 158
C
L
= 50pF的
使能到输出
t
PLH ，
t
PHL
C
L
= 50pF的
6
2
4.5
HC158
HCT 158
C
L
= 50pF的
选择输出
t
PLH ，
t
PHL
C
L
= 50pF的
6
2
4.5
HC158
HCT 158
C
L
= 50pF的
输出转换时间
t
TLH ，
t
THL
C
L
= 50pF的
6
2
4.5
6
功耗
电容（注3,4）
HC158
HCT 158
输入电容
注意事项：
3. C
PD
被用于确定所述动态功耗，每个多路转换器。
4. P
D
= V
CC2
f
i
(C
PD
+ C
L
） ，其中F
i
=输入频率，C
L
=输出负载电容，V
CC
=电源电压。
C
IN
C
L
= 50pF的
-
C
PD
-
5
-
-
-
35
35
-
-
-
10
-
-
-
-
-
10
-
-
-
-
-
10
pF
pF
pF
C
L
=15pF
5
C
L
=15pF
5
C
L
=15pF
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
11
13
-
-
-
13
15
-
-
-
12
14
-
-
-
-
140
28
-
-
24
160
32
-
-
27
150
30
-
-
26
75
15
13
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
175
35
-
-
30
200
40
-
-
34
190
38
-
-
33
95
19
16
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
210
42
-
-
36
240
48
-
-
41
225
45
-
-
38
110
22
19
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
C
PD
-
6
5
-
-
62
70
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
pF
pF
C
L
=15pF
5
C
L
=15pF
5
25
o
C
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
11
12
-
-
-
12
15
-
最大
135
27
-
-
23
145
29
-
-
25
-40
o
C至85
o
C
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
170
34
-
-
29
180
36
-
-
31
-55
o
C至125
o
C
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
205
41
-
-
35
220
44
-
-
38
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
TEST
条件
t
PLH ，
t
PHL
C
L
= 50pF的
5
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS153
CD74HC157 ， CD74HCT157 ，
CD74HC158 ， CD74HCT158
高速CMOS逻辑
四2输入多路复用器
1997年9月
特点
通用选择输入
独立的使能输入
缓冲输入和输出
扇出（整个温度范围内）
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性：不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 ％
CC
at
V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容，
V
IL
= 0.8V （最大值） ，V
IH
= 2V （最小值）
- CMOS兼容输入，我
l
≤
1μA在V
OL
, V
OH
[ /标题
(CD74H
C157,
CD74H
CT157,
CD74H
C158,
CD74H
CT158)
/主题
（高
速度
引脚
CD74HC157 ， CD74HCT157 ， CD74HC158 ， CD74HCT158
（ PDIP ， SOIC ）
顶视图
S 1
1I
0
2
1I
1
3
1Y 4
2I
0
5
2I
1
6
2Y 7
GND 8
16 V
CC
15 E
14 4I
0
13 4I
1
12 4Y
11 3I
0
10 3I
1
9 3Y
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
1997年哈里斯公司
网络文件编号
1642.2
1
CD74HC157 ， CD74HCT157 ， CD74HC158 ， CD74HCT158
描述
哈里斯CD74HC157 ， CD74HCT157 ， CD74HC158和
CD74HCT158是其选择的四2输入多路复用器
的控制下， 4位来自两个源的数据的
常见的选择输入（ S） 。使能输入（ E）为低电平有效。
当（E）为高，所有的输出在158中，反相
型， （ 1Y - 4Y ）被强制为高电平，并在157中，非
反相型，所有的输出（ 1Y - 4Y ）被强制为低电平，
而与所有其他的输入条件。
移动从两组寄存器的数据四种常见
输出总线是一种常见的这些装置的使用。国家
选择输入的确定从特定的寄存器
该数据来自。它们也可以用作函数
发电机。
订购信息
产品型号
CD74HC157E
CD74HCT157E
CD74HC158E
CD74HCT158E
CD74HC157M
CD74HCT157M
CD74HC158M
注意事项：
1，订货时，使用整个零件编号。添加SUF音响X 96
获得在磁带和卷轴的变种。
2.晶圆或死亡的这一部分数量可满足所有elec-
Trical公司规范。请联系您当地的销售办事处或
哈里斯的客户服务订购信息。
TEMP 。 RANGE （
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
包
16 Ld的PDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
PKG 。
号
E16.3
E16.3
E16.3
E16.3
M16.15
M16.15
M16.15
2
CD74HC157 ， CD74HCT157 ， CD74HC158 ， CD74HCT158
工作原理图
HC / HCT HC / HCT
157
158
1I
0
1I
1
2I
0
2I
1
3I
0
3I
1
4I
0
4I
1
S
E
2
3
5
6
11
10
14
13
1
15
4
1Y
1Y
7
2Y
2Y
9
3Y
3Y
12
4Y
4Y
真值表
产量
启用
E
H
L
L
L
L
SELECT
输入
S
X
L
L
H
H
数据输入
I0
X
L
H
X
X
I1
X
X
X
L
H
157
Y
L
L
H
L
H
158
Y
H
H
L
H
L
注： H =高电平， L =低电压等级， X = Do not护理
3
CD74HC157 ， CD74HCT157 ， CD74HC158 ， CD74HCT158
绝对最大额定值
直流电源电压，V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流，I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流，I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流，我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流，I
cc或
I
GND
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻（典型，注3 ）
θ
JA
(
o
C / W ）
PDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
90
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
115
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
温度范围（T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围，V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压，V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns （最大值）
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns （最大值）
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns （最大值）
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意：
3.
θ
JA
测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
I
I
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
-
4
5.2
-
0
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
8
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
80
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
160
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
符号
V
I
(V)
I
O
（MA ）
V
CC
(V)
25
o
C
民
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
民
最大
民
最大
单位
4
CD74HC157 ， CD74HCT157 ， CD74HC158 ， CD74HCT158
直流电特定网络阳离子
（续）
TEST
条件
参数
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子： 1机组负荷
I
I
I
CC
I
CC
V
CC
和
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
OL
V
IH
或V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
或V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
V
I
(V)
I
O
（MA ）
25
o
C
民
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
民
最大
民
最大
单位
V
CC
(V)
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
5.5
5.5
4.5
5.5
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
注：对于双电源系统的理论最坏的情况下（V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V ）特定网络阳离子是1.8毫安。
HCT输入负载表
单位负载
输入
我（全）
E
S
HCT157
0.95
0.6
3
HCT158
0.4
0.6
2.8
注：机组负荷为
I
CC
在DC电气表限制特定网络版，例如，
最大360μA 25
o
C.
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
参数
HC / HCT157类型
传播延迟（图1 ）T
PLH ，
t
PHL
C
L
= 50pF的
数据输出
HC157
HCT157
C
L
= 50pF的
6
C
L
=15pF
2
4.5
5
-
-
-
-
-
-
-
10
12
-
125
25
-
-
21
-
-
-
-
-
155
31
-
-
26
-
-
-
-
-
190
38
-
-
32
ns
ns
ns
ns
ns
符号
TEST
条件
V
CC
(V)
25
o
C
民
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
民
最大
-55
o
C至125
o
C
民
最大
单位
5
性S E M I C 0 N D ü （C T）
CD74HC157 ， CD74HCT157 ，
CD74HC158 ， CD74HCT158
高速CMOS逻辑
四2输入多路复用器
描述
哈里斯CD74HC157 ， CD74HCT157 ， CD74HC158和
CD74HCT158是其选择的四2输入多路复用器
的控制下， 4位来自两个源的数据的
常见的选择输入（ S） 。使能输入（ E）为低电平有效。
当（E）为高，所有的输出在158中，反相
型， （ 1Y - 4Y ）被强制为高电平，并在157中，非
反相型，所有的输出（ 1Y - 4Y ）被强制为低电平，
而与所有其他的输入条件。
移动从两组寄存器的数据四种常见
输出总线是一种常见的这些装置的使用。国家
选择输入的确定从特定的寄存器
该数据来自。它们也可以用作函数
发电机。
1997年9月
特点
通用选择输入
独立的使能输入
缓冲输入和输出
扇出（整个温度范围内）
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性：不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 ％
CC
at
V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容，
V
IL
= 0.8V （最大值） ，V
IH
= 2V （最小值）
- CMOS兼容输入，我
l
≤
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD74HC157E
CD74HCT157E
CD74HC158E
CD74HCT158E
CD74HC157M
TEMP 。 RANGE （
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
包
16 Ld的PDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
PKG 。
号
E16.3
E16.3
E16.3
E16.3
M16.15
M16.15
M16.15
引脚
CD74HC157 ， CD74HCT157 ， CD74HC158 ， CD74HCT158
（ PDIP ， SOIC ）
顶视图
S 1
1I
0
2
1I
1
3
1Y 4
2I
0
5
2I
1
6
2Y 7
GND 8
16 V
CC
15 E
14 4I
0
13 4I
1
12 4Y
11 3I
0
10 3I
1
9 3Y
CD74HCT157M
CD74HC158M
注意事项：
1，订货时，使用整个零件编号。添加SUF音响X 96
获得在磁带和卷轴的变种。
2.晶圆或死亡的这一部分数量可满足所有elec-
Trical公司规范。请联系您当地的销售办事处或
哈里斯的客户服务订购信息。
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
1997年哈里斯公司
网络文件编号
1642.2
1
CD74HC157 ， CD74HCT157 ， CD74HC158 ， CD74HCT158
工作原理图
HC / HCT HC / HCT
157
158
1I
0
1I
1
2I
0
2I
1
3I
0
3I
1
4I
0
4I
1
S
E
2
3
5
6
11
10
14
13
1
15
4
1Y
1Y
7
2Y
2Y
9
3Y
3Y
12
4Y
4Y
真值表
产量
启用
E
H
L
L
L
L
SELECT
输入
S
X
L
L
H
H
数据输入
I0
X
L
H
X
X
I1
X
X
X
L
H
157
Y
L
L
H
L
H
158
Y
H
H
L
H
L
注： H =高电平， L =低电压等级， X = Do not护理
2
CD74HC157 ， CD74HCT157 ， CD74HC158 ， CD74HCT158
绝对最大额定值
直流电源电压，V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流，I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流，I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流，我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流，I
cc或
I
GND
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻（典型，注3 ）
θ
JA
(
o
C / W ）
PDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
90
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
115
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
温度范围（T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围，V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压，V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns （最大值）
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns （最大值）
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns （最大值）
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意：
3.
θ
JA
测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
I
I
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
-
4
5.2
-
0
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
8
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
80
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
160
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
符号
V
I
(V)
I
O
（MA ）
V
CC
(V)
25
o
C
民
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
民
最大
民
最大
单位
3
CD74HC157 ， CD74HCT157 ， CD74HC158 ， CD74HCT158
直流电特定网络阳离子
（续）
TEST
条件
参数
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子： 1机组负荷
I
I
I
CC
I
CC
V
CC
和
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
OL
V
IH
或V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
或V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
V
I
(V)
I
O
（MA ）
25
o
C
民
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
民
最大
民
最大
单位
V
CC
(V)
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
5.5
5.5
4.5
5.5
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
注：对于双电源系统的理论最坏的情况下（V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V ）特定网络阳离子是1.8毫安。
HCT输入负载表
单位负载
输入
我（全）
E
S
HCT157
0.95
0.6
3
HCT158
0.4
0.6
2.8
注：机组负荷为
I
CC
在DC电气表限制特定网络版，例如，
最大360μA 25
o
C.
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
参数
HC / HCT157类型
传播延迟（图1 ）T
PLH ，
t
PHL
C
L
= 50pF的
数据输出
HC157
HCT157
C
L
= 50pF的
6
C
L
=15pF
2
4.5
5
-
-
-
-
-
-
-
10
12
-
125
25
-
-
21
-
-
-
-
-
155
31
-
-
26
-
-
-
-
-
190
38
-
-
32
ns
ns
ns
ns
ns
符号
TEST
条件
V
CC
(V)
25
o
C
民
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
民
最大
-55
o
C至125
o
C
民
最大
单位
4
CD74HC157 ， CD74HCT157 ， CD74HC158 ， CD74HCT158
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
参数
使能到输出
符号
（续）
V
CC
(V)
2
4.5
HC157
HCT157
C
L
= 50pF的
选择输出
t
PLH ，
t
PHL
C
L
= 50pF的
6
2
4.5
HC157
HCT157
C
L
= 50pF的
功耗
电容（注4,5）
HC157
HCT157
HC / HCT158类型
数据输出
t
PLH ，
t
PHL
C
L
= 50pF的
2
4.5
HC158
HCT 158
C
L
= 50pF的
使能到输出
t
PLH ，
t
PHL
C
L
= 50pF的
6
2
4.5
HC158
HCT 158
C
L
= 50pF的
选择输出
t
PLH ，
t
PHL
C
L
= 50pF的
6
2
4.5
HC158
HCT 158
C
L
= 50pF的
输出转换时间
t
TLH ，
t
THL
C
L
= 50pF的
6
2
4.5
6
功耗
电容（注4,5）
HC158
HCT 158
输入电容
注意事项：
4. C
PD
被用于确定所述动态功耗，每个多路转换器。
5. P
D
= V
CC2
f
i
(C
PD
+ C
L
） ，其中F
i
=输入频率，C
L
=输出负载电容，V
CC
=电源电压。
C
IN
C
L
= 50pF的
-
C
PD
-
5
-
-
-
35
35
-
-
-
10
-
-
-
-
-
10
-
-
-
-
-
10
pF
pF
pF
C
L
=15pF
5
C
L
=15pF
5
C
L
=15pF
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
11
13
-
-
-
13
15
-
-
-
12
14
-
-
-
-
140
28
-
-
24
160
32
-
-
27
150
30
-
-
26
75
15
13
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
175
35
-
-
30
200
40
-
-
34
190
38
-
-
33
95
19
16
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
210
42
-
-
36
240
48
-
-
41
225
45
-
-
38
110
22
19
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
C
PD
-
6
5
-
-
62
70
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
pF
pF
C
L
=15pF
5
C
L
=15pF
5
25
o
C
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
11
12
-
-
-
12
15
-
最大
135
27
-
-
23
145
29
-
-
25
-40
o
C至85
o
C
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
170
34
-
-
29
180
36
-
-
31
-55
o
C至125
o
C
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
205
41
-
-
35
220
44
-
-
38
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
TEST
条件
t
PLH ，
t
PHL
C
L
= 50pF的
5
该CD54HC158和
CD74HC158已过时，
不再提供。
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS153C
CD54 / 74HC157 ， CD54 / 74HCT157 ，
CD54 / 74HC158 ， CD54 / 74HCT158
高速CMOS逻辑器件
四2输入多路复用器
描述
的“ HC157 ， ' HCT157 ， ” HC158 ，和' HCT158是四2-
这两个选择4位的数据输入多路
一个共同的选择输入端（ S）的控制下，源。该
使能输入（ E）为低电平有效。当（E）为高时，所有
在158输出，反相型， （ 1Y - 4Y ）被强制
高，并在157中，非反相型，所有的输出
（ 1Y - 4Y ）的所有其它输入强制为低电平，而不管
条件。
移动从两组寄存器的数据四种常见
输出总线是一种常见的这些装置的使用。状态
选择输入确定从特定的寄存器
该数据来自。它们也可以用作函数
发电机。
1997年9月 - 修订2003年10月
特点
通用选择输入
[ /标题
(CD74H
C157,
CD74H
CT157,
CD74H
C158,
CD74H
CT158)
/主题
（高
速度
独立的使能输入
缓冲输入和输出
扇出（整个温度范围内）
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性：不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 ％
CC
at
V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容，
V
IL
= 0.8V （最大值） ，V
IH
= 2V （最小值）
- CMOS兼容输入，我
l
≤
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC157F3A
CD54HCT157F3A
CD54HCT158F3A
CD74HC157E
CD74HC157M
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
包
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的PDIP
引脚
CD54HC157 ， CD54HCT157 ， CD54HC158 ， CD54HCT158
（ CERDIP ）
CD74HC157 ， CD74HCT157 ， CD74HC158
（ PDIP ， SOIC ）
CD74HCT158
（ PDIP ）
顶视图
S 1
1I
0
2
1I
1
3
1Y 4
2I
0
5
2I
1
6
2Y 7
GND 8
16 V
CC
15 E
14 4I
0
13 4I
1
12 4Y
11 3I
0
10 3I
1
9 3Y
CD74HC157MT
CD74HC157M96
CD74HCT157E
CD74HCT157M
CD74HCT157MT
CD74HCT157M96
CD74HCT158E
注：订货时，使用整个零件编号。该SUF科幻×96
表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示的小批量卷轴
250.
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年，德州仪器
1
CD54 / 74HC157 ， CD54 / 74HCT157 ， CD54 / 74HC158 ， CD54 / 74HCT158
工作原理图
HC / HCT HC / HCT
157
158
1I
0
1I
1
2I
0
2I
1
3I
0
3I
1
4I
0
4I
1
S
E
2
3
5
6
11
10
14
13
1
15
4
1Y
1Y
7
2Y
2Y
9
3Y
3Y
12
4Y
4Y
真值表
产量
启用
E
H
L
L
L
L
SELECT
输入
S
X
L
L
H
H
数据输入
I0
X
L
H
X
X
I1
X
X
X
L
H
157
Y
L
L
H
L
H
158
Y
H
H
L
H
L
H =高电平， L =低电压等级， X = Do not护理
2
CD54 / 74HC157 ， CD54 / 74HCT157 ， CD54 / 74HC158 ， CD54 / 74HCT158
绝对最大额定值
直流电源电压，V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流，I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流，I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流，我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流，I
cc或
I
GND
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻（典型值，注1 ）
θ
JA
(
o
C / W ）
E（ PDIP ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
67
M（ SOIC ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
73
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
温度范围（T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围，V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压，V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns （最大值）
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns （最大值）
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns （最大值）
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意：
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
I
I
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
-
4
5.2
-
0
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
8
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
80
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
160
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
符号
V
I
(V)
I
O
（MA ）
V
CC
(V)
25
o
C
民
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
民
最大
民
最大
单位
3
CD54 / 74HC157 ， CD54 / 74HCT157 ， CD54 / 74HC158 ， CD54 / 74HCT158
直流电特定网络阳离子
（续）
TEST
条件
参数
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子： 1机组负荷
注意：
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下（V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V ）规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
（注2 ）
V
CC
和
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
OL
V
IH
或V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
或V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
V
I
(V)
I
O
（MA ）
25
o
C
民
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
民
最大
民
最大
单位
V
CC
(V)
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
5.5
5.5
4.5
5.5
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
HCT输入负载表
单位负载
输入
我（全）
E
S
HCT157
0.95
0.6
3
HCT158
0.4
0.6
2.8
注：机组负荷为
I
CC
在DC电气表限制特定网络版，例如，
最大360μA 25
o
C.
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
参数
HC / HCT157类型
传播延迟（图1 ）T
PLH ，
t
PHL
C
L
= 50pF的
数据输出
HC157
HCT157
C
L
= 50pF的
6
C
L
=15pF
2
4.5
5
-
-
-
-
-
-
-
10
12
-
125
25
-
-
21
-
-
-
-
-
155
31
-
-
26
-
-
-
-
-
190
38
-
-
32
ns
ns
ns
ns
ns
符号
TEST
条件
V
CC
(V)
25
o
C
民
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
民
最大
-55
o
C至125
o
C
民
最大
单位
4
CD54 / 74HC157 ， CD54 / 74HCT157 ， CD54 / 74HC158 ， CD54 / 74HCT158
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
参数
使能到输出
符号
（续）
V
CC
(V)
2
4.5
HC157
HCT157
C
L
= 50pF的
选择输出
t
PLH ，
t
PHL
C
L
= 50pF的
6
2
4.5
HC157
HCT157
C
L
= 50pF的
功耗
电容（注3,4）
HC157
HCT157
HC / HCT158类型
数据输出
t
PLH ，
t
PHL
C
L
= 50pF的
2
4.5
HC158
HCT 158
C
L
= 50pF的
使能到输出
t
PLH ，
t
PHL
C
L
= 50pF的
6
2
4.5
HC158
HCT 158
C
L
= 50pF的
选择输出
t
PLH ，
t
PHL
C
L
= 50pF的
6
2
4.5
HC158
HCT 158
C
L
= 50pF的
输出转换时间
t
TLH ，
t
THL
C
L
= 50pF的
6
2
4.5
6
功耗
电容（注3,4）
HC158
HCT 158
输入电容
注意事项：
3. C
PD
被用于确定所述动态功耗，每个多路转换器。
4. P
D
= V
CC2
f
i
(C
PD
+ C
L
） ，其中F
i
=输入频率，C
L
=输出负载电容，V
CC
=电源电压。
C
IN
C
L
= 50pF的
-
C
PD
-
5
-
-
-
35
35
-
-
-
10
-
-
-
-
-
10
-
-
-
-
-
10
pF
pF
pF
C
L
=15pF
5
C
L
=15pF
5
C
L
=15pF
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
11
13
-
-
-
13
15
-
-
-
12
14
-
-
-
-
140
28
-
-
24
160
32
-
-
27
150
30
-
-
26
75
15
13
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
175
35
-
-
30
200
40
-
-
34
190
38
-
-
33
95
19
16
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
210
42
-
-
36
240
48
-
-
41
225
45
-
-
38
110
22
19
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
C
PD
-
6
5
-
-
62
70
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
pF
pF
C
L
=15pF
5
C
L
=15pF
5
25
o
C
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
11
12
-
-
-
12
15
-
最大
135
27
-
-
23
145
29
-
-
25
-40
o
C至85
o
C
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
170
34
-
-
29
180
36
-
-
31
-55
o
C至125
o
C
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
205
41
-
-
35
220
44
-
-
38
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
TEST
条件
t
PLH ，
t
PHL
C
L
= 50pF的
5
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS153
CD74HC157 ， CD74HCT157 ，
CD74HC158 ， CD74HCT158
高速CMOS逻辑
四2输入多路复用器
1997年9月
特点
通用选择输入
独立的使能输入
缓冲输入和输出
扇出（整个温度范围内）
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性：不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 ％
CC
at
V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容，
V
IL
= 0.8V （最大值） ，V
IH
= 2V （最小值）
- CMOS兼容输入，我
l
≤
1μA在V
OL
, V
OH
[ /标题
(CD74H
C157,
CD74H
CT157,
CD74H
C158,
CD74H
CT158)
/主题
（高
速度
引脚
CD74HC157 ， CD74HCT157 ， CD74HC158 ， CD74HCT158
（ PDIP ， SOIC ）
顶视图
S 1
1I
0
2
1I
1
3
1Y 4
2I
0
5
2I
1
6
2Y 7
GND 8
16 V
CC
15 E
14 4I
0
13 4I
1
12 4Y
11 3I
0
10 3I
1
9 3Y
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
1997年哈里斯公司
网络文件编号
1642.2
1
CD74HC157 ， CD74HCT157 ， CD74HC158 ， CD74HCT158
描述
哈里斯CD74HC157 ， CD74HCT157 ， CD74HC158和
CD74HCT158是其选择的四2输入多路复用器
的控制下， 4位来自两个源的数据的
常见的选择输入（ S） 。使能输入（ E）为低电平有效。
当（E）为高，所有的输出在158中，反相
型， （ 1Y - 4Y ）被强制为高电平，并在157中，非
反相型，所有的输出（ 1Y - 4Y ）被强制为低电平，
而与所有其他的输入条件。
移动从两组寄存器的数据四种常见
输出总线是一种常见的这些装置的使用。国家
选择输入的确定从特定的寄存器
该数据来自。它们也可以用作函数
发电机。
订购信息
产品型号
CD74HC157E
CD74HCT157E
CD74HC158E
CD74HCT158E
CD74HC157M
CD74HCT157M
CD74HC158M
注意事项：
1，订货时，使用整个零件编号。添加SUF音响X 96
获得在磁带和卷轴的变种。
2.晶圆或死亡的这一部分数量可满足所有elec-
Trical公司规范。请联系您当地的销售办事处或
哈里斯的客户服务订购信息。
TEMP 。 RANGE （
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
包
16 Ld的PDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
PKG 。
号
E16.3
E16.3
E16.3
E16.3
M16.15
M16.15
M16.15
2
CD74HC157 ， CD74HCT157 ， CD74HC158 ， CD74HCT158
工作原理图
HC / HCT HC / HCT
157
158
1I
0
1I
1
2I
0
2I
1
3I
0
3I
1
4I
0
4I
1
S
E
2
3
5
6
11
10
14
13
1
15
4
1Y
1Y
7
2Y
2Y
9
3Y
3Y
12
4Y
4Y
真值表
产量
启用
E
H
L
L
L
L
SELECT
输入
S
X
L
L
H
H
数据输入
I0
X
L
H
X
X
I1
X
X
X
L
H
157
Y
L
L
H
L
H
158
Y
H
H
L
H
L
注： H =高电平， L =低电压等级， X = Do not护理
3
CD74HC157 ， CD74HCT157 ， CD74HC158 ， CD74HCT158
绝对最大额定值
直流电源电压，V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流，I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流，I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流，我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流，I
cc或
I
GND
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻（典型，注3 ）
θ
JA
(
o
C / W ）
PDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
90
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
115
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
温度范围（T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围，V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压，V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns （最大值）
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns （最大值）
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns （最大值）
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意：
3.
θ
JA
测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
I
I
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
-
4
5.2
-
0
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
8
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
80
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
160
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
符号
V
I
(V)
I
O
（MA ）
V
CC
(V)
25
o
C
民
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
民
最大
民
最大
单位
4
CD74HC157 ， CD74HCT157 ， CD74HC158 ， CD74HCT158
直流电特定网络阳离子
（续）
TEST
条件
参数
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子： 1机组负荷
I
I
I
CC
I
CC
V
CC
和
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
OL
V
IH
或V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
或V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
V
I
(V)
I
O
（MA ）
25
o
C
民
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
民
最大
民
最大
单位
V
CC
(V)
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
5.5
5.5
4.5
5.5
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
注：对于双电源系统的理论最坏的情况下（V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V ）特定网络阳离子是1.8毫安。
HCT输入负载表
单位负载
输入
我（全）
E
S
HCT157
0.95
0.6
3
HCT158
0.4
0.6
2.8
注：机组负荷为
I
CC
在DC电气表限制特定网络版，例如，
最大360μA 25
o
C.
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
参数
HC / HCT157类型
传播延迟（图1 ）T
PLH ，
t
PHL
C
L
= 50pF的
数据输出
HC157
HCT157
C
L
= 50pF的
6
C
L
=15pF
2
4.5
5
-
-
-
-
-
-
-
10
12
-
125
25
-
-
21
-
-
-
-
-
155
31
-
-
26
-
-
-
-
-
190
38
-
-
32
ns
ns
ns
ns
ns
符号
TEST
条件
V
CC
(V)
25
o
C
民
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
民
最大
-55
o
C至125
o
C
民
最大
单位
5
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CY8C20424-12LQXIT
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    CD74HCT157E
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    -
    -
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联系人：李
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CD74HCT157E
TI
2021+
13779
NA
主营TI，ST,欢迎来电洽谈
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QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1046649961 复制 点击这里给我发消息 QQ：865326994 复制 点击这里给我发消息 QQ：920682673 复制
电话：0755-83286481李先生/0755-83272821朱小姐
联系人：李先生
地址：深圳市龙岗区坂田街道东坡路3号万致天地商业中心（A塔）1栋一单元1602
CD74HCT157E
HAR
95
649
原装
优势库存，实单来谈
深圳思诺康科技有限公司
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电话：0755-83286481李先生/0755-83272821朱小姐
联系人：李先生
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94
125
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