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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第622页 > CD74HCT154EN
CD54HC154 ， CD74HC154 ，
CD54HCT154 ， CD74HCT154
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS152D
1997年9月 - 修订2004年6月
高速CMOS逻辑器件
4至16线译码器/多路解复用器
一高在任使能输入强制输出到高
状态。解复用的功能是通过使用执行
四条输入线A0至A3 ，选择线Y0到输出
Y15 ，并使用一个使作为数据输入的同时，保持
其它的使能低。
特点
[ /标题
(CD74
HC154
,
CD74
HCT15
4)
/子
拍摄对象
（高
速度
CMOS
逻辑
4-to-16
LINE
DECOD
ER / DEM
两个使能输入，以促进解复用和
级联功能
扇出（整个温度范围内）
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性：不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 ％
CC
at
V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容，
V
IL
= 0.8V （最大值） ，V
IH
= 2V （最小值）
- CMOS兼容输入，我
l
≤
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC154F3A
CD54HCT154F3A
CD74HC154E
CD74HC154EN
CD74HC154M
CD74HC154M96
CD74HCT154E
CD74HCT154EN
CD74HCT154M
CD74HCT154M96
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
包
24 Ld的CERDIP
24 Ld的CERDIP
24 Ld的PDIP
24 Ld的PDIP
24 Ld的SOIC
24 Ld的SOIC
24 Ld的PDIP
24 Ld的PDIP
24 Ld的SOIC
24 Ld的SOIC
描述
的“ HC154和' HCT154是4到16线
有两个解码器/解复用器使能输入， E1和E2 。
注：订货时，使用整个零件编号。该SUF科幻×96
表示磁带和卷轴。
引脚
CD54HC154 ， CD54HCT154
（ CERDIP ）
CD74HC154 ， CD74HCT154
（ PDIP ， SOIC ）
顶视图
Y0 1
Y1 2
Y2 3
Y3 4
Y4 5
Y5 6
Y6 7
Y7 8
Y8 9
Y9 10
Y10 11
GND 12
24 V
CC
23 A0
22 A1
21 A2
20 A3
19 E2
18 E1
17 Y15
16 Y14
15 Y13
14 Y12
13 Y11
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2004年，德州仪器
1
CD54HC154 ， CD74HC154 ， CD54HCT154 ， CD74HCT154
工作原理图
1
2
3
4
5
6
7
A0 23
A1 22
A2
A3
21
20
8
9
10
11
13
14
15
E1
E2
18
19
16
17
Y0
Y1
Y2
Y3
Y4
Y5
Y6
Y7
Y8
Y9
Y10
Y11
Y12
Y13
Y14
Y15 GND = 12
V
CC
= 24
真值表
输入
E1
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
H
E2
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
L
H
A3
L
L
L
L
L
L
L
L
H
H
H
H
H
H
H
H
X
X
X
A2
L
L
L
L
H
H
H
H
L
L
L
L
H
H
H
H
X
X
X
A1
L
L
H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
X
X
X
A0
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
X
X
X
Y0
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
Y1
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
Y2
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
Y3
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
Y4
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
Y5
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
Y6
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
输出
Y7
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
Y8
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
Y9
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
Y10
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
Y11
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
Y12
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
Y13
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
Y14
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
Y15
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H =高电平， L =低电压等级， X = Do not护理
2
CD54HC154 ， CD74HC154 ， CD54HCT154 ， CD74HCT154
绝对最大额定值
直流电源电压，V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流，I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流，I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流，我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流，I
cc或
I
GND
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻（典型值）
θ
JA
(
o
C / W ）
E（ PDIP ）包（ 0.600 ） （注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
67
EN （ PDIP ）包（ .300 ） （注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
67
M（ SOIC ）封装（注2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
46
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
温度范围（T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围，V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压，V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns （最大值）
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns （最大值）
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns （最大值）
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意事项：
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-3 。
2.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
I
I
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
-
4
5.2
-
0
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
8
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
80
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
160
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
符号
V
I
(V)
I
O
（MA ）
V
CC
(V)
25
o
C
民
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
民
最大
民
最大
单位
3
CD54HC154 ， CD74HC154 ， CD54HCT154 ， CD74HCT154
直流电特定网络阳离子
（续）
TEST
条件
参数
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子： 1机组负荷
注意：
3.对于双电源系统的理论最坏的情况下（V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V ）规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
（注3）
V
CC
和
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
OL
V
IH
或V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
或V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
V
I
(V)
I
O
（MA ）
25
o
C
民
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
民
最大
民
最大
单位
V
CC
(V)
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
5.5
5.5
4.5
5.5
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
HCT输入负载表
输入
A0 - A3
E1, E2
单位负载
1.4
1.3
注：机组负荷为
I
CC
在DC电气表限制特定网络版，例如，
最大360μA 25
o
C.
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
TEST
条件
25
o
C
V
CC
(V)
民
典型值
最大
-40
o
C到
85
o
C
民
最大
-55
o
C至125
o
C
民
最大
单位
参数
HC类型
传播延迟（图1 ）
地址输出
符号
t
PLH ，
t
PHL
C
L
= 50pF的
2
4.5
-
-
-
-
-
-
14
-
175
35
-
30
-
-
-
-
220
44
-
37
-
-
-
-
265
53
-
45
ns
ns
ns
ns
C
L
=15pF
C
L
= 50pF的
5
6
4
CD54HC154 ， CD74HC154 ， CD54HCT154 ， CD74HCT154
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
（续）
25
o
C
V
CC
(V)
2
4.5
C
L
=15pF
C
L
= 50pF的
E2到输出
t
PLH ，
t
PHL
C
L
= 50pF的
5
6
2
4.5
C
L
=15pF
C
L
= 50pF的
输出转换时间
（图1）
t
TLH
, t
THL
C
L
= 50pF的
5
6
2
4.5
6
输入电容
功率耗散电容
（注4,5）
HCT类型
传播延迟（图2 ）
地址输出
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
=15pF
E1到输出
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
=15pF
E2到输出
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
=15pF
输出转换时间
输入电容
功率耗散电容
（注4,5）
注意事项：
4. C
PD
被用于确定所述动态功耗，每个门。
5. P
D
= V
CC2
f
i
(C
PD
+ C
L
） ，其中F
i
=输入频率，C
L
=输出负载电容，V
CC
=电源电压。
t
TLH
, t
THL
C
L
= 50pF的
C
IN
C
PD
-
-
4.5
5
4.5
5
4.5
5
4.5
-
5
-
-
-
-
-
-
-
-
14
-
-
84
-
14
-
14
35
-
34
-
34
-
15
10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
43
-
43
-
19
10
-
44
-
-
-
-
-
-
-
-
-
53
-
51
-
51
-
22
10
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
C
IN
C
PD
-
-
-
5
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
14
-
-
-
14
-
-
-
-
-
88
最大
175
35
-
30
175
35
-
30
75
15
13
10
-
-40
o
C到
85
o
C
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
220
44
-
37
220
44
-
37
95
19
16
10
-
-55
o
C至125
o
C
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
265
53
-
45
265
53
-
45
110
22
19
10
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
参数
E1到输出
符号
TEST
条件
t
PLH ，
t
PHL
C
L
= 50pF的
5
CD54HC154 ， CD74HC154 ，
CD54HCT154 ， CD74HCT154
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS152D
1997年9月 - 修订2004年6月
高速CMOS逻辑器件
4至16线译码器/多路解复用器
一高在任使能输入强制输出到高
状态。解复用的功能是通过使用执行
四条输入线A0至A3 ，选择线Y0到输出
Y15 ，并使用一个使作为数据输入的同时，保持
其它的使能低。
特点
[ /标题
(CD74
HC154
,
CD74
HCT15
4)
/子
拍摄对象
（高
速度
CMOS
逻辑
4-to-16
LINE
DECOD
ER / DEM
两个使能输入，以促进解复用和
级联功能
扇出（整个温度范围内）
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性：不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 ％
CC
at
V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容，
V
IL
= 0.8V （最大值） ，V
IH
= 2V （最小值）
- CMOS兼容输入，我
l
≤
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC154F3A
CD54HCT154F3A
CD74HC154E
CD74HC154EN
CD74HC154M
CD74HC154M96
CD74HCT154E
CD74HCT154EN
CD74HCT154M
CD74HCT154M96
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
包
24 Ld的CERDIP
24 Ld的CERDIP
24 Ld的PDIP
24 Ld的PDIP
24 Ld的SOIC
24 Ld的SOIC
24 Ld的PDIP
24 Ld的PDIP
24 Ld的SOIC
24 Ld的SOIC
描述
的“ HC154和' HCT154是4到16线
有两个解码器/解复用器使能输入， E1和E2 。
注：订货时，使用整个零件编号。该SUF科幻×96
表示磁带和卷轴。
引脚
CD54HC154 ， CD54HCT154
（ CERDIP ）
CD74HC154 ， CD74HCT154
（ PDIP ， SOIC ）
顶视图
Y0 1
Y1 2
Y2 3
Y3 4
Y4 5
Y5 6
Y6 7
Y7 8
Y8 9
Y9 10
Y10 11
GND 12
24 V
CC
23 A0
22 A1
21 A2
20 A3
19 E2
18 E1
17 Y15
16 Y14
15 Y13
14 Y12
13 Y11
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2004年，德州仪器
1
CD54HC154 ， CD74HC154 ， CD54HCT154 ， CD74HCT154
工作原理图
1
2
3
4
5
6
7
A0 23
A1 22
A2
A3
21
20
8
9
10
11
13
14
15
E1
E2
18
19
16
17
Y0
Y1
Y2
Y3
Y4
Y5
Y6
Y7
Y8
Y9
Y10
Y11
Y12
Y13
Y14
Y15 GND = 12
V
CC
= 24
真值表
输入
E1
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
H
E2
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
L
H
A3
L
L
L
L
L
L
L
L
H
H
H
H
H
H
H
H
X
X
X
A2
L
L
L
L
H
H
H
H
L
L
L
L
H
H
H
H
X
X
X
A1
L
L
H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
X
X
X
A0
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
X
X
X
Y0
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
Y1
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
Y2
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
Y3
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
Y4
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
Y5
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
Y6
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
输出
Y7
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
Y8
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
Y9
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
Y10
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
Y11
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
Y12
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
Y13
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
Y14
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
Y15
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H =高电平， L =低电压等级， X = Do not护理
2
CD54HC154 ， CD74HC154 ， CD54HCT154 ， CD74HCT154
绝对最大额定值
直流电源电压，V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流，I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流，I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流，我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流，I
cc或
I
GND
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻（典型值）
θ
JA
(
o
C / W ）
E（ PDIP ）包（ 0.600 ） （注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
67
EN （ PDIP ）包（ .300 ） （注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
67
M（ SOIC ）封装（注2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
46
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
温度范围（T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围，V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压，V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns （最大值）
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns （最大值）
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns （最大值）
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意事项：
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-3 。
2.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
I
I
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
-
4
5.2
-
0
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
8
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
80
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
160
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
符号
V
I
(V)
I
O
（MA ）
V
CC
(V)
25
o
C
民
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
民
最大
民
最大
单位
3
CD54HC154 ， CD74HC154 ， CD54HCT154 ， CD74HCT154
直流电特定网络阳离子
（续）
TEST
条件
参数
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子： 1机组负荷
注意：
3.对于双电源系统的理论最坏的情况下（V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V ）规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
（注3）
V
CC
和
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
OL
V
IH
或V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
或V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
V
I
(V)
I
O
（MA ）
25
o
C
民
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
民
最大
民
最大
单位
V
CC
(V)
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
5.5
5.5
4.5
5.5
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
HCT输入负载表
输入
A0 - A3
E1, E2
单位负载
1.4
1.3
注：机组负荷为
I
CC
在DC电气表限制特定网络版，例如，
最大360μA 25
o
C.
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
TEST
条件
25
o
C
V
CC
(V)
民
典型值
最大
-40
o
C到
85
o
C
民
最大
-55
o
C至125
o
C
民
最大
单位
参数
HC类型
传播延迟（图1 ）
地址输出
符号
t
PLH ，
t
PHL
C
L
= 50pF的
2
4.5
-
-
-
-
-
-
14
-
175
35
-
30
-
-
-
-
220
44
-
37
-
-
-
-
265
53
-
45
ns
ns
ns
ns
C
L
=15pF
C
L
= 50pF的
5
6
4
CD54HC154 ， CD74HC154 ， CD54HCT154 ， CD74HCT154
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
（续）
25
o
C
V
CC
(V)
2
4.5
C
L
=15pF
C
L
= 50pF的
E2到输出
t
PLH ，
t
PHL
C
L
= 50pF的
5
6
2
4.5
C
L
=15pF
C
L
= 50pF的
输出转换时间
（图1）
t
TLH
, t
THL
C
L
= 50pF的
5
6
2
4.5
6
输入电容
功率耗散电容
（注4,5）
HCT类型
传播延迟（图2 ）
地址输出
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
=15pF
E1到输出
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
=15pF
E2到输出
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
=15pF
输出转换时间
输入电容
功率耗散电容
（注4,5）
注意事项：
4. C
PD
被用于确定所述动态功耗，每个门。
5. P
D
= V
CC2
f
i
(C
PD
+ C
L
） ，其中F
i
=输入频率，C
L
=输出负载电容，V
CC
=电源电压。
t
TLH
, t
THL
C
L
= 50pF的
C
IN
C
PD
-
-
4.5
5
4.5
5
4.5
5
4.5
-
5
-
-
-
-
-
-
-
-
14
-
-
84
-
14
-
14
35
-
34
-
34
-
15
10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
43
-
43
-
19
10
-
44
-
-
-
-
-
-
-
-
-
53
-
51
-
51
-
22
10
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
C
IN
C
PD
-
-
-
5
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
14
-
-
-
14
-
-
-
-
-
88
最大
175
35
-
30
175
35
-
30
75
15
13
10
-
-40
o
C到
85
o
C
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
220
44
-
37
220
44
-
37
95
19
16
10
-
-55
o
C至125
o
C
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
265
53
-
45
265
53
-
45
110
22
19
10
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
参数
E1到输出
符号
TEST
条件
t
PLH ，
t
PHL
C
L
= 50pF的
5
CD54HC154 ， CD74HC154 ，
CD54HCT154 ， CD74HCT154
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS152D
1997年9月 - 修订2004年6月
高速CMOS逻辑器件
4至16线译码器/多路解复用器
一高在任使能输入强制输出到高
状态。解复用的功能是通过使用执行
四条输入线A0至A3 ，选择线Y0到输出
Y15 ，并使用一个使作为数据输入的同时，保持
其它的使能低。
特点
[ /标题
(CD74
HC154
,
CD74
HCT15
4)
/子
拍摄对象
（高
速度
CMOS
逻辑
4-to-16
LINE
DECOD
ER / DEM
两个使能输入，以促进解复用和
级联功能
扇出（整个温度范围内）
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性：不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 ％
CC
at
V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容，
V
IL
= 0.8V （最大值） ，V
IH
= 2V （最小值）
- CMOS兼容输入，我
l
≤
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC154F3A
CD54HCT154F3A
CD74HC154E
CD74HC154EN
CD74HC154M
CD74HC154M96
CD74HCT154E
CD74HCT154EN
CD74HCT154M
CD74HCT154M96
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
包
24 Ld的CERDIP
24 Ld的CERDIP
24 Ld的PDIP
24 Ld的PDIP
24 Ld的SOIC
24 Ld的SOIC
24 Ld的PDIP
24 Ld的PDIP
24 Ld的SOIC
24 Ld的SOIC
描述
的“ HC154和' HCT154是4到16线
有两个解码器/解复用器使能输入， E1和E2 。
注：订货时，使用整个零件编号。该SUF科幻×96
表示磁带和卷轴。
引脚
CD54HC154 ， CD54HCT154
（ CERDIP ）
CD74HC154 ， CD74HCT154
（ PDIP ， SOIC ）
顶视图
Y0 1
Y1 2
Y2 3
Y3 4
Y4 5
Y5 6
Y6 7
Y7 8
Y8 9
Y9 10
Y10 11
GND 12
24 V
CC
23 A0
22 A1
21 A2
20 A3
19 E2
18 E1
17 Y15
16 Y14
15 Y13
14 Y12
13 Y11
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2004年，德州仪器
1
CD54HC154 ， CD74HC154 ， CD54HCT154 ， CD74HCT154
工作原理图
1
2
3
4
5
6
7
A0 23
A1 22
A2
A3
21
20
8
9
10
11
13
14
15
E1
E2
18
19
16
17
Y0
Y1
Y2
Y3
Y4
Y5
Y6
Y7
Y8
Y9
Y10
Y11
Y12
Y13
Y14
Y15 GND = 12
V
CC
= 24
真值表
输入
E1
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
H
E2
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
L
H
A3
L
L
L
L
L
L
L
L
H
H
H
H
H
H
H
H
X
X
X
A2
L
L
L
L
H
H
H
H
L
L
L
L
H
H
H
H
X
X
X
A1
L
L
H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
X
X
X
A0
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
X
X
X
Y0
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
Y1
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
Y2
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
Y3
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
Y4
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
Y5
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
Y6
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
输出
Y7
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
Y8
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
Y9
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
Y10
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
Y11
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
Y12
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
Y13
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
Y14
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
Y15
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H =高电平， L =低电压等级， X = Do not护理
2
CD54HC154 ， CD74HC154 ， CD54HCT154 ， CD74HCT154
绝对最大额定值
直流电源电压，V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流，I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流，I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流，我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流，I
cc或
I
GND
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻（典型值）
θ
JA
(
o
C / W ）
E（ PDIP ）包（ 0.600 ） （注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
67
EN （ PDIP ）包（ .300 ） （注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
67
M（ SOIC ）封装（注2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
46
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
温度范围（T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围，V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压，V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns （最大值）
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns （最大值）
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns （最大值）
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意事项：
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-3 。
2.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
I
I
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
-
4
5.2
-
0
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
8
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
80
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
160
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
符号
V
I
(V)
I
O
（MA ）
V
CC
(V)
25
o
C
民
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
民
最大
民
最大
单位
3
CD54HC154 ， CD74HC154 ， CD54HCT154 ， CD74HCT154
直流电特定网络阳离子
（续）
TEST
条件
参数
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子： 1机组负荷
注意：
3.对于双电源系统的理论最坏的情况下（V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V ）规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
（注3）
V
CC
和
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
OL
V
IH
或V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
或V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
V
I
(V)
I
O
（MA ）
25
o
C
民
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
民
最大
民
最大
单位
V
CC
(V)
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
5.5
5.5
4.5
5.5
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
HCT输入负载表
输入
A0 - A3
E1, E2
单位负载
1.4
1.3
注：机组负荷为
I
CC
在DC电气表限制特定网络版，例如，
最大360μA 25
o
C.
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
TEST
条件
25
o
C
V
CC
(V)
民
典型值
最大
-40
o
C到
85
o
C
民
最大
-55
o
C至125
o
C
民
最大
单位
参数
HC类型
传播延迟（图1 ）
地址输出
符号
t
PLH ，
t
PHL
C
L
= 50pF的
2
4.5
-
-
-
-
-
-
14
-
175
35
-
30
-
-
-
-
220
44
-
37
-
-
-
-
265
53
-
45
ns
ns
ns
ns
C
L
=15pF
C
L
= 50pF的
5
6
4
CD54HC154 ， CD74HC154 ， CD54HCT154 ， CD74HCT154
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
（续）
25
o
C
V
CC
(V)
2
4.5
C
L
=15pF
C
L
= 50pF的
E2到输出
t
PLH ，
t
PHL
C
L
= 50pF的
5
6
2
4.5
C
L
=15pF
C
L
= 50pF的
输出转换时间
（图1）
t
TLH
, t
THL
C
L
= 50pF的
5
6
2
4.5
6
输入电容
功率耗散电容
（注4,5）
HCT类型
传播延迟（图2 ）
地址输出
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
=15pF
E1到输出
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
=15pF
E2到输出
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
=15pF
输出转换时间
输入电容
功率耗散电容
（注4,5）
注意事项：
4. C
PD
被用于确定所述动态功耗，每个门。
5. P
D
= V
CC2
f
i
(C
PD
+ C
L
） ，其中F
i
=输入频率，C
L
=输出负载电容，V
CC
=电源电压。
t
TLH
, t
THL
C
L
= 50pF的
C
IN
C
PD
-
-
4.5
5
4.5
5
4.5
5
4.5
-
5
-
-
-
-
-
-
-
-
14
-
-
84
-
14
-
14
35
-
34
-
34
-
15
10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
43
-
43
-
19
10
-
44
-
-
-
-
-
-
-
-
-
53
-
51
-
51
-
22
10
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
C
IN
C
PD
-
-
-
5
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
14
-
-
-
14
-
-
-
-
-
88
最大
175
35
-
30
175
35
-
30
75
15
13
10
-
-40
o
C到
85
o
C
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
220
44
-
37
220
44
-
37
95
19
16
10
-
-55
o
C至125
o
C
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
265
53
-
45
265
53
-
45
110
22
19
10
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
参数
E1到输出
符号
TEST
条件
t
PLH ，
t
PHL
C
L
= 50pF的
5
CD54HC154 ， CD74HC154 ，
CD54HCT154 ， CD74HCT154
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS152D
1997年9月 - 修订2004年6月
高速CMOS逻辑器件
4至16线译码器/多路解复用器
一高在任使能输入强制输出到高
状态。解复用的功能是通过使用执行
四条输入线A0至A3 ，选择线Y0到输出
Y15 ，并使用一个使作为数据输入的同时，保持
其它的使能低。
特点
[ /标题
(CD74
HC154
,
CD74
HCT15
4)
/子
拍摄对象
（高
速度
CMOS
逻辑
4-to-16
LINE
DECOD
ER / DEM
两个使能输入，以促进解复用和
级联功能
扇出（整个温度范围内）
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性：不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 ％
CC
at
V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容，
V
IL
= 0.8V （最大值） ，V
IH
= 2V （最小值）
- CMOS兼容输入，我
l
≤
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC154F3A
CD54HCT154F3A
CD74HC154E
CD74HC154EN
CD74HC154M
CD74HC154M96
CD74HCT154E
CD74HCT154EN
CD74HCT154M
CD74HCT154M96
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
包
24 Ld的CERDIP
24 Ld的CERDIP
24 Ld的PDIP
24 Ld的PDIP
24 Ld的SOIC
24 Ld的SOIC
24 Ld的PDIP
24 Ld的PDIP
24 Ld的SOIC
24 Ld的SOIC
描述
的“ HC154和' HCT154是4到16线
有两个解码器/解复用器使能输入， E1和E2 。
注：订货时，使用整个零件编号。该SUF科幻×96
表示磁带和卷轴。
引脚
CD54HC154 ， CD54HCT154
（ CERDIP ）
CD74HC154 ， CD74HCT154
（ PDIP ， SOIC ）
顶视图
Y0 1
Y1 2
Y2 3
Y3 4
Y4 5
Y5 6
Y6 7
Y7 8
Y8 9
Y9 10
Y10 11
GND 12
24 V
CC
23 A0
22 A1
21 A2
20 A3
19 E2
18 E1
17 Y15
16 Y14
15 Y13
14 Y12
13 Y11
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2004年，德州仪器
1
CD54HC154 ， CD74HC154 ， CD54HCT154 ， CD74HCT154
工作原理图
1
2
3
4
5
6
7
A0 23
A1 22
A2
A3
21
20
8
9
10
11
13
14
15
E1
E2
18
19
16
17
Y0
Y1
Y2
Y3
Y4
Y5
Y6
Y7
Y8
Y9
Y10
Y11
Y12
Y13
Y14
Y15 GND = 12
V
CC
= 24
真值表
输入
E1
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
H
E2
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
L
H
A3
L
L
L
L
L
L
L
L
H
H
H
H
H
H
H
H
X
X
X
A2
L
L
L
L
H
H
H
H
L
L
L
L
H
H
H
H
X
X
X
A1
L
L
H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
X
X
X
A0
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
X
X
X
Y0
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
Y1
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
Y2
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
Y3
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
Y4
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
Y5
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
Y6
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
输出
Y7
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
Y8
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
Y9
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
Y10
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
Y11
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
Y12
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
Y13
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
Y14
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
Y15
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H =高电平， L =低电压等级， X = Do not护理
2
CD54HC154 ， CD74HC154 ， CD54HCT154 ， CD74HCT154
绝对最大额定值
直流电源电压，V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流，I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流，I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流，我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流，I
cc或
I
GND
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻（典型值）
θ
JA
(
o
C / W ）
E（ PDIP ）包（ 0.600 ） （注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
67
EN （ PDIP ）包（ .300 ） （注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
67
M（ SOIC ）封装（注2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
46
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
温度范围（T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围，V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压，V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns （最大值）
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns （最大值）
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns （最大值）
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意事项：
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-3 。
2.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
I
I
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
-
4
5.2
-
0
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
8
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
80
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
160
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
符号
V
I
(V)
I
O
（MA ）
V
CC
(V)
25
o
C
民
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
民
最大
民
最大
单位
3
CD54HC154 ， CD74HC154 ， CD54HCT154 ， CD74HCT154
直流电特定网络阳离子
（续）
TEST
条件
参数
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子： 1机组负荷
注意：
3.对于双电源系统的理论最坏的情况下（V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V ）规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
（注3）
V
CC
和
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
OL
V
IH
或V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
或V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
V
I
(V)
I
O
（MA ）
25
o
C
民
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
民
最大
民
最大
单位
V
CC
(V)
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
5.5
5.5
4.5
5.5
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
HCT输入负载表
输入
A0 - A3
E1, E2
单位负载
1.4
1.3
注：机组负荷为
I
CC
在DC电气表限制特定网络版，例如，
最大360μA 25
o
C.
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
TEST
条件
25
o
C
V
CC
(V)
民
典型值
最大
-40
o
C到
85
o
C
民
最大
-55
o
C至125
o
C
民
最大
单位
参数
HC类型
传播延迟（图1 ）
地址输出
符号
t
PLH ，
t
PHL
C
L
= 50pF的
2
4.5
-
-
-
-
-
-
14
-
175
35
-
30
-
-
-
-
220
44
-
37
-
-
-
-
265
53
-
45
ns
ns
ns
ns
C
L
=15pF
C
L
= 50pF的
5
6
4
CD54HC154 ， CD74HC154 ， CD54HCT154 ， CD74HCT154
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
（续）
25
o
C
V
CC
(V)
2
4.5
C
L
=15pF
C
L
= 50pF的
E2到输出
t
PLH ，
t
PHL
C
L
= 50pF的
5
6
2
4.5
C
L
=15pF
C
L
= 50pF的
输出转换时间
（图1）
t
TLH
, t
THL
C
L
= 50pF的
5
6
2
4.5
6
输入电容
功率耗散电容
（注4,5）
HCT类型
传播延迟（图2 ）
地址输出
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
=15pF
E1到输出
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
=15pF
E2到输出
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
=15pF
输出转换时间
输入电容
功率耗散电容
（注4,5）
注意事项：
4. C
PD
被用于确定所述动态功耗，每个门。
5. P
D
= V
CC2
f
i
(C
PD
+ C
L
） ，其中F
i
=输入频率，C
L
=输出负载电容，V
CC
=电源电压。
t
TLH
, t
THL
C
L
= 50pF的
C
IN
C
PD
-
-
4.5
5
4.5
5
4.5
5
4.5
-
5
-
-
-
-
-
-
-
-
14
-
-
84
-
14
-
14
35
-
34
-
34
-
15
10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
43
-
43
-
19
10
-
44
-
-
-
-
-
-
-
-
-
53
-
51
-
51
-
22
10
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
C
IN
C
PD
-
-
-
5
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
14
-
-
-
14
-
-
-
-
-
88
最大
175
35
-
30
175
35
-
30
75
15
13
10
-
-40
o
C到
85
o
C
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
220
44
-
37
220
44
-
37
95
19
16
10
-
-55
o
C至125
o
C
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
265
53
-
45
265
53
-
45
110
22
19
10
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
参数
E1到输出
符号
TEST
条件
t
PLH ，
t
PHL
C
L
= 50pF的
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