CD54HC14 ， CD74HC14 ，
CD54HCT14 ， CD74HCT14
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS129E
1998年1月 - 修订2004年7月
高速CMOS逻辑器件
六角反相施密特触发器
描述
在“ HC14和” HCT14各包含6施密特
触发器在一个封装中。
特点
无限输入上升和下降时间
[ /标题
(CD74H
C14,
CD74H
CT14)
/主题
（高
速度
CMOS
逻辑
（十六进制）
Invert-
非常高噪声抗扰度
扇出（整个温度范围内）
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性：不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 ％
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容，
V
IL
= 0.8V （最大值） ，V
IH
= 2V （最小值）
- CMOS兼容输入，我
l
≤
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC14F3A
CD54HCT14F3A
CD74HC14E
CD74HC14M
CD74HC14MT
CD74HC14M96
CD74HC14PW
CD74HC14PWR
CD74HCT14E
CD74HCT14M
CD74HCT14MT
CD74HCT14M96
CD74HCT14PW
CD74HCT14PWR
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
包
14 Ld的CERDIP
14 Ld的CERDIP
14 Ld的PDIP
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的TSSOP
14 Ld的TSSOP
14 Ld的PDIP
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的TSSOP
14 Ld的TSSOP
注：订货时，使用整个零件编号。该SUF科幻×96
表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示小批量卷轴
250 。
引脚
CD54HC14 ， CD54HCT14
（ CERDIP ）
CD74HC14 ， CD74HCT14
（ PDIP ， SOIC ， TSSOP ）
顶视图
1A 1
1Y 2
2A 3
2Y 4
3A 5
3Y 6
7 GND
14 V
CC
13 6A
12 6Y
11 5A
10 5Y
9 4A
8 4Y
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2004年，德州仪器
1
CD54HC14 ， CD74HC14 ， CD54HCT14 ， CD74HCT14
工作原理图
1A
1
2
1Y
2A
3
4
2Y
3A
5
6
3Y
4A
9
8
4Y
5A
11
10
5Y
6A
13
12
6Y
GND = 7
V
CC
= 14
真值表
输入（ A）
L
H
H =高电平
L =低电平
输出（Y ）
H
L
逻辑图
nA
nY
V
O
V
H
V
H
= V
T
+ - V
T
-
V
I
V
T
-
V
T
+
V
T
+
V
T
-
V
CC
V
I
GND
V
CC
V
O
GND
V
H
图3.滞后的定义，特征，测试设置
2
CD54HC14 ， CD74HC14 ， CD54HCT ， CD74HCT14
绝对最大额定值
直流电源电压，V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流，I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流，I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流，每个输出，我
O
为-0.5V < V
O
＆ LT ; V
CC
+0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流，我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流，I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻（典型值，注1 ）
θ
JA
(
o
C / W ）
E（ PDIP ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 80
M（ SOIC ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 86
PW （ TSSOP ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 113
最高结温（密封包装或死亡） 。 。 。 175
o
C
最高结温（塑料封装） 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
温度范围，T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围，V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压，V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意：
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入切换点
V
T
+
-
-
2
4.5
6
V
T
-
-
-
2
4.5
6
V
H
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压CMOS负载
V
OH
V
T
- 或
V
T
+
-0.02
-0.02
-0.02
高电平输出
电压TTL负载
-
-4
-5.2
低电平输出电压
CMOS负载
V
OL
V
IH
or
V
IL
0.02
0.02
0.02
低电平输出电压
TTL负载
-
4
5.2
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
0.7
1.7
2.1
0.3
0.9
1.2
0.2
0.4
0.6
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
1.5
3.15
4.2
1.0
2.2
3.0
1.0
1.4
1.6
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
0.7
1.7
2.1
0.3
0.9
1.2
0.2
0.4
0.6
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
1.5
3.15
4.2
1.0
2.2
3.0
1.0
1.4
1.6
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
0.7
1.7
2.1
0.3
0.9
1.2
0.2
0.4
0.6
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
1.5
3.15
4.2
1.0
2.2
3.0
1.0
1.4
1.6
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
符号
V
I
(V)
I
O
（毫安）V
CC
(V)
民
25
o
C
最大
-40
o
C至85
o
C
民
最大
-55
o
C至125
o
C
民
最大
单位
3
CD54HC14 ， CD74HC14 ， CD54HCT14 ， CD74HCT14
直流电特定网络阳离子
（续）
TEST
条件
参数
输入漏电流
静态器件
当前
HCT类型
输入切换点
V
T
+
-
-
4.5
5.5
V
T
-
4.5
5.5
V
H
4.5
5.5
高电平输出
电压CMOS负载
高电平输出
电压TTL负载
低电平输出电压
CMOS负载
低电平输出电压
TTL负载
输入漏电流
I
I
V
CC
和
GND
V
CC
or
GND
V
CC
- 2.1
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
OH
V
IH
or
V
IL
-0.02
-4
0.02
4
-
4.5
4.5
4.5
4.5
5.5
1.2
1.4
0.5
0.6
0.4
0.4
4.4
3.98
-
-
-
1.9
2.1
1.2
1.4
1.4
1.5
-
-
0.1
0.26
±0.1
1.2
1.4
0.5
0.6
0.4
0.4
4.4
3.84
-
-
-
1.9
2.1
1.2
1.4
1.4
1.5
-
-
0.1
0.33
±1
1.2
1.4
0.5
0.6
0.4
0.4
4.4
3.7
-
-
-
1.9
2.1
1.2
1.4
1.4
1.5
-
-
0.1
0.4
±1
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
符号
I
I
I
CC
V
I
(V)
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
I
O
（毫安）V
CC
(V)
-
0
6
6
民
-
-
25
o
C
最大
±0.1
2
-40
o
C至85
o
C
民
-
-
最大
±1
20
-55
o
C至125
o
C
民
-
-
最大
±1
40
单位
A
A
静态器件
当前
其他静态
器件电流每输入
脚： 1机组负荷
注意：
I
CC
I
CC
（注2 ）
0
-
5.5
4.5
5.5
-
-
2
360
-
-
20
450
-
-
40
490
A
A
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下（V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V ）规格1.8毫安。
HCT输入负载表
输入
nA
单位负载
0.6
注：机组负荷为
I
CC
在直流电气连接特定钙限制特定网络版
系统蒸发散表，例如， 360μA最大值在25
o
C.
4
CD54HC14 ， CD74HC14 ，
CD54HCT14 ， CD74HCT14
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS129E
1998年1月 - 修订2004年7月
高速CMOS逻辑器件
六角反相施密特触发器
描述
在“ HC14和” HCT14各包含6施密特
触发器在一个封装中。
特点
无限输入上升和下降时间
[ /标题
(CD74H
C14,
CD74H
CT14)
/主题
（高
速度
CMOS
逻辑
（十六进制）
Invert-
非常高噪声抗扰度
扇出（整个温度范围内）
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性：不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 ％
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容，
V
IL
= 0.8V （最大值） ，V
IH
= 2V （最小值）
- CMOS兼容输入，我
l
≤
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC14F3A
CD54HCT14F3A
CD74HC14E
CD74HC14M
CD74HC14MT
CD74HC14M96
CD74HC14PW
CD74HC14PWR
CD74HCT14E
CD74HCT14M
CD74HCT14MT
CD74HCT14M96
CD74HCT14PW
CD74HCT14PWR
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
包
14 Ld的CERDIP
14 Ld的CERDIP
14 Ld的PDIP
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的TSSOP
14 Ld的TSSOP
14 Ld的PDIP
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的TSSOP
14 Ld的TSSOP
注：订货时，使用整个零件编号。该SUF科幻×96
表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示小批量卷轴
250 。
引脚
CD54HC14 ， CD54HCT14
（ CERDIP ）
CD74HC14 ， CD74HCT14
（ PDIP ， SOIC ， TSSOP ）
顶视图
1A 1
1Y 2
2A 3
2Y 4
3A 5
3Y 6
7 GND
14 V
CC
13 6A
12 6Y
11 5A
10 5Y
9 4A
8 4Y
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2004年，德州仪器
1
CD54HC14 ， CD74HC14 ， CD54HCT14 ， CD74HCT14
工作原理图
1A
1
2
1Y
2A
3
4
2Y
3A
5
6
3Y
4A
9
8
4Y
5A
11
10
5Y
6A
13
12
6Y
GND = 7
V
CC
= 14
真值表
输入（ A）
L
H
H =高电平
L =低电平
输出（Y ）
H
L
逻辑图
nA
nY
V
O
V
H
V
H
= V
T
+ - V
T
-
V
I
V
T
-
V
T
+
V
T
+
V
T
-
V
CC
V
I
GND
V
CC
V
O
GND
V
H
图3.滞后的定义，特征，测试设置
2
CD54HC14 ， CD74HC14 ， CD54HCT ， CD74HCT14
绝对最大额定值
直流电源电压，V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流，I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流，I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流，每个输出，我
O
为-0.5V < V
O
＆ LT ; V
CC
+0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流，我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流，I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻（典型值，注1 ）
θ
JA
(
o
C / W ）
E（ PDIP ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 80
M（ SOIC ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 86
PW （ TSSOP ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 113
最高结温（密封包装或死亡） 。 。 。 175
o
C
最高结温（塑料封装） 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
温度范围，T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围，V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压，V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意：
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入切换点
V
T
+
-
-
2
4.5
6
V
T
-
-
-
2
4.5
6
V
H
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压CMOS负载
V
OH
V
T
- 或
V
T
+
-0.02
-0.02
-0.02
高电平输出
电压TTL负载
-
-4
-5.2
低电平输出电压
CMOS负载
V
OL
V
IH
or
V
IL
0.02
0.02
0.02
低电平输出电压
TTL负载
-
4
5.2
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
0.7
1.7
2.1
0.3
0.9
1.2
0.2
0.4
0.6
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
1.5
3.15
4.2
1.0
2.2
3.0
1.0
1.4
1.6
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
0.7
1.7
2.1
0.3
0.9
1.2
0.2
0.4
0.6
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
1.5
3.15
4.2
1.0
2.2
3.0
1.0
1.4
1.6
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
0.7
1.7
2.1
0.3
0.9
1.2
0.2
0.4
0.6
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
1.5
3.15
4.2
1.0
2.2
3.0
1.0
1.4
1.6
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
符号
V
I
(V)
I
O
（毫安）V
CC
(V)
民
25
o
C
最大
-40
o
C至85
o
C
民
最大
-55
o
C至125
o
C
民
最大
单位
3
CD54HC14 ， CD74HC14 ， CD54HCT14 ， CD74HCT14
直流电特定网络阳离子
（续）
TEST
条件
参数
输入漏电流
静态器件
当前
HCT类型
输入切换点
V
T
+
-
-
4.5
5.5
V
T
-
4.5
5.5
V
H
4.5
5.5
高电平输出
电压CMOS负载
高电平输出
电压TTL负载
低电平输出电压
CMOS负载
低电平输出电压
TTL负载
输入漏电流
I
I
V
CC
和
GND
V
CC
or
GND
V
CC
- 2.1
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
OH
V
IH
or
V
IL
-0.02
-4
0.02
4
-
4.5
4.5
4.5
4.5
5.5
1.2
1.4
0.5
0.6
0.4
0.4
4.4
3.98
-
-
-
1.9
2.1
1.2
1.4
1.4
1.5
-
-
0.1
0.26
±0.1
1.2
1.4
0.5
0.6
0.4
0.4
4.4
3.84
-
-
-
1.9
2.1
1.2
1.4
1.4
1.5
-
-
0.1
0.33
±1
1.2
1.4
0.5
0.6
0.4
0.4
4.4
3.7
-
-
-
1.9
2.1
1.2
1.4
1.4
1.5
-
-
0.1
0.4
±1
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
符号
I
I
I
CC
V
I
(V)
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
I
O
（毫安）V
CC
(V)
-
0
6
6
民
-
-
25
o
C
最大
±0.1
2
-40
o
C至85
o
C
民
-
-
最大
±1
20
-55
o
C至125
o
C
民
-
-
最大
±1
40
单位
A
A
静态器件
当前
其他静态
器件电流每输入
脚： 1机组负荷
注意：
I
CC
I
CC
（注2 ）
0
-
5.5
4.5
5.5
-
-
2
360
-
-
20
450
-
-
40
490
A
A
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下（V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V ）规格1.8毫安。
HCT输入负载表
输入
nA
单位负载
0.6
注：机组负荷为
I
CC
在直流电气连接特定钙限制特定网络版
系统蒸发散表，例如， 360μA最大值在25
o
C.
4
CD54HC14 ， CD74HC14 ，
CD54HCT14 ， CD74HCT14
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS129F
1998年1月 - 修订2005年5月
高速CMOS逻辑器件
六角反相施密特触发器
描述
在“ HC14和” HCT14各包含6施密特
触发器在一个封装中。
特点
无限输入上升和下降时间
[ /标题
(CD74H
C14,
CD74H
CT14)
/主题
（高
速度
CMOS
逻辑
（十六进制）
Invert-
非常高噪声抗扰度
扇出（整个温度范围内）
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性：不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 ％
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- CMOS兼容输入，我
l
≤
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC14F3A
CD54HCT14F3A
CD74HC14E
CD74HC14M
CD74HC14MT
CD74HC14M96
CD74HC14PW
CD74HC14PWR
CD74HCT14E
CD74HCT14M
CD74HCT14MT
CD74HCT14M96
CD74HCT14PW
CD74HCT14PWR
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
包
14 Ld的CERDIP
14 Ld的CERDIP
14 Ld的PDIP
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的TSSOP
14 Ld的TSSOP
14 Ld的PDIP
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的TSSOP
14 Ld的TSSOP
注：订货时，使用整个零件编号。该SUF科幻×96
表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示小批量卷轴
250 。
引脚
CD54HC14 ， CD54HCT14
（ CERDIP ）
CD74HC14 ， CD74HCT14
（ PDIP ， SOIC ， TSSOP ）
顶视图
1A 1
1Y 2
2A 3
2Y 4
3A 5
3Y 6
7 GND
14 V
CC
13 6A
12 6Y
11 5A
10 5Y
9 4A
8 4Y
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2005年，德州仪器
1
CD54HC14 ， CD74HC14 ， CD54HCT14 ， CD74HCT14
工作原理图
1A
1
2
1Y
2A
3
4
2Y
3A
5
6
3Y
4A
9
8
4Y
5A
11
10
5Y
6A
13
12
6Y
GND = 7
V
CC
= 14
真值表
输入（ A）
L
H
H =高电平
L =低电平
输出（Y ）
H
L
逻辑图
nA
nY
V
O
V
H
V
H
= V
T
+ - V
T
-
V
I
V
T
-
V
T
+
V
T
+
V
T
-
V
CC
V
I
GND
V
CC
V
O
GND
V
H
图3.滞后的定义，特征，测试设置
2
CD54HC14 ， CD74HC14 ， CD54HCT ， CD74HCT14
绝对最大额定值
直流电源电压，V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流，I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流，I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流，每个输出，我
O
为-0.5V < V
O
＆ LT ; V
CC
+0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流，我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流，I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻（典型值，注1 ）
θ
JA
(
o
C / W ）
E（ PDIP ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 80
M（ SOIC ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 86
PW （ TSSOP ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
113
最高结温（密封包装或死亡） 。 。 。 175
o
C
最高结温（塑料封装） 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
温度范围，T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围，V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压，V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意：
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入切换点
V
T
+
-
-
2
4.5
6
V
T
-
-
-
2
4.5
6
V
H
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压CMOS负载
V
OH
V
T
-
-0.02
-0.02
-0.02
高电平输出
电压TTL负载
-
-4
-5.2
低电平输出电压
CMOS负载
V
OL
V
T
+
0.02
0.02
0.02
低电平输出电压
TTL负载
-
4
5.2
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
0.7
1.7
2.1
0.3
0.9
1.2
0.2
0.4
0.6
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
1.5
3.15
4.2
1.0
2.2
3.0
1.0
1.4
1.6
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
0.7
1.7
2.1
0.3
0.9
1.2
0.2
0.4
0.6
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
1.5
3.15
4.2
1.0
2.2
3.0
1.0
1.4
1.6
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
0.7
1.7
2.1
0.3
0.9
1.2
0.2
0.4
0.6
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
1.5
3.15
4.2
1.0
2.2
3.0
1.0
1.4
1.6
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
符号
V
I
(V)
I
O
（毫安）V
CC
(V)
民
25
o
C
最大
-40
o
C至85
o
C
民
最大
-55
o
C至125
o
C
民
最大
单位
3
CD54HC14 ， CD74HC14 ， CD54HCT14 ， CD74HCT14
直流电特定网络阳离子
（续）
TEST
条件
参数
输入漏电流
静态器件
当前
HCT类型
输入切换点
V
T
+
-
-
4.5
5.5
V
T
-
4.5
5.5
V
H
4.5
5.5
高电平输出
电压CMOS负载
高电平输出
电压TTL负载
低电平输出电压
CMOS负载
低电平输出电压
TTL负载
输入漏电流
I
I
V
CC
和
GND
V
CC
or
GND
V
CC
- 2.1
V
OL
V
T
+
V
OH
V
T
-
-0.02
-4
0.02
4
-
4.5
4.5
4.5
4.5
5.5
1.2
1.4
0.5
0.6
0.4
0.4
4.4
3.98
-
-
-
1.9
2.1
1.2
1.4
1.4
1.5
-
-
0.1
0.26
±0.1
1.2
1.4
0.5
0.6
0.4
0.4
4.4
3.84
-
-
-
1.9
2.1
1.2
1.4
1.4
1.5
-
-
0.1
0.33
±1
1.2
1.4
0.5
0.6
0.4
0.4
4.4
3.7
-
-
-
1.9
2.1
1.2
1.4
1.4
1.5
-
-
0.1
0.4
±1
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
符号
I
I
I
CC
V
I
(V)
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
I
O
（毫安）V
CC
(V)
-
0
6
6
民
-
-
25
o
C
最大
±0.1
2
-40
o
C至85
o
C
民
-
-
最大
±1
20
-55
o
C至125
o
C
民
-
-
最大
±1
40
单位
A
A
静态器件
当前
其他静态
器件电流每输入
脚： 1机组负荷
注意：
I
CC
I
CC
（注2 ）
0
-
5.5
4.5
5.5
-
-
2
360
-
-
20
450
-
-
40
490
A
A
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下（V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V ）规格1.8毫安。
HCT输入负载表
输入
nA
单位负载
0.6
注：机组负荷为
I
CC
在直流电气连接特定钙限制特定网络版
系统蒸发散表，例如， 360μA最大值在25
o
C.
4
CD54HC14 ， CD74HC14 ，
CD54HCT14 ， CD74HCT14
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS129F
1998年1月 - 修订2005年5月
高速CMOS逻辑器件
六角反相施密特触发器
描述
在“ HC14和” HCT14各包含6施密特
触发器在一个封装中。
特点
无限输入上升和下降时间
[ /标题
(CD74H
C14,
CD74H
CT14)
/主题
（高
速度
CMOS
逻辑
（十六进制）
Invert-
非常高噪声抗扰度
扇出（整个温度范围内）
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性：不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 ％
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- CMOS兼容输入，我
l
≤
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC14F3A
CD54HCT14F3A
CD74HC14E
CD74HC14M
CD74HC14MT
CD74HC14M96
CD74HC14PW
CD74HC14PWR
CD74HCT14E
CD74HCT14M
CD74HCT14MT
CD74HCT14M96
CD74HCT14PW
CD74HCT14PWR
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
包
14 Ld的CERDIP
14 Ld的CERDIP
14 Ld的PDIP
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的TSSOP
14 Ld的TSSOP
14 Ld的PDIP
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的TSSOP
14 Ld的TSSOP
注：订货时，使用整个零件编号。该SUF科幻×96
表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示小批量卷轴
250 。
引脚
CD54HC14 ， CD54HCT14
（ CERDIP ）
CD74HC14 ， CD74HCT14
（ PDIP ， SOIC ， TSSOP ）
顶视图
1A 1
1Y 2
2A 3
2Y 4
3A 5
3Y 6
7 GND
14 V
CC
13 6A
12 6Y
11 5A
10 5Y
9 4A
8 4Y
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2005年，德州仪器
1
CD54HC14 ， CD74HC14 ， CD54HCT14 ， CD74HCT14
工作原理图
1A
1
2
1Y
2A
3
4
2Y
3A
5
6
3Y
4A
9
8
4Y
5A
11
10
5Y
6A
13
12
6Y
GND = 7
V
CC
= 14
真值表
输入（ A）
L
H
H =高电平
L =低电平
输出（Y ）
H
L
逻辑图
nA
nY
V
O
V
H
V
H
= V
T
+ - V
T
-
V
I
V
T
-
V
T
+
V
T
+
V
T
-
V
CC
V
I
GND
V
CC
V
O
GND
V
H
图3.滞后的定义，特征，测试设置
2
CD54HC14 ， CD74HC14 ， CD54HCT ， CD74HCT14
绝对最大额定值
直流电源电压，V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流，I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流，I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流，每个输出，我
O
为-0.5V < V
O
＆ LT ; V
CC
+0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流，我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流，I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻（典型值，注1 ）
θ
JA
(
o
C / W ）
E（ PDIP ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 80
M（ SOIC ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 86
PW （ TSSOP ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
113
最高结温（密封包装或死亡） 。 。 。 175
o
C
最高结温（塑料封装） 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
温度范围，T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围，V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压，V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意：
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入切换点
V
T
+
-
-
2
4.5
6
V
T
-
-
-
2
4.5
6
V
H
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压CMOS负载
V
OH
V
T
-
-0.02
-0.02
-0.02
高电平输出
电压TTL负载
-
-4
-5.2
低电平输出电压
CMOS负载
V
OL
V
T
+
0.02
0.02
0.02
低电平输出电压
TTL负载
-
4
5.2
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
0.7
1.7
2.1
0.3
0.9
1.2
0.2
0.4
0.6
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
1.5
3.15
4.2
1.0
2.2
3.0
1.0
1.4
1.6
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
0.7
1.7
2.1
0.3
0.9
1.2
0.2
0.4
0.6
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
1.5
3.15
4.2
1.0
2.2
3.0
1.0
1.4
1.6
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
0.7
1.7
2.1
0.3
0.9
1.2
0.2
0.4
0.6
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
1.5
3.15
4.2
1.0
2.2
3.0
1.0
1.4
1.6
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
符号
V
I
(V)
I
O
（毫安）V
CC
(V)
民
25
o
C
最大
-40
o
C至85
o
C
民
最大
-55
o
C至125
o
C
民
最大
单位
3
CD54HC14 ， CD74HC14 ， CD54HCT14 ， CD74HCT14
直流电特定网络阳离子
（续）
TEST
条件
参数
输入漏电流
静态器件
当前
HCT类型
输入切换点
V
T
+
-
-
4.5
5.5
V
T
-
4.5
5.5
V
H
4.5
5.5
高电平输出
电压CMOS负载
高电平输出
电压TTL负载
低电平输出电压
CMOS负载
低电平输出电压
TTL负载
输入漏电流
I
I
V
CC
和
GND
V
CC
or
GND
V
CC
- 2.1
V
OL
V
T
+
V
OH
V
T
-
-0.02
-4
0.02
4
-
4.5
4.5
4.5
4.5
5.5
1.2
1.4
0.5
0.6
0.4
0.4
4.4
3.98
-
-
-
1.9
2.1
1.2
1.4
1.4
1.5
-
-
0.1
0.26
±0.1
1.2
1.4
0.5
0.6
0.4
0.4
4.4
3.84
-
-
-
1.9
2.1
1.2
1.4
1.4
1.5
-
-
0.1
0.33
±1
1.2
1.4
0.5
0.6
0.4
0.4
4.4
3.7
-
-
-
1.9
2.1
1.2
1.4
1.4
1.5
-
-
0.1
0.4
±1
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
符号
I
I
I
CC
V
I
(V)
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
I
O
（毫安）V
CC
(V)
-
0
6
6
民
-
-
25
o
C
最大
±0.1
2
-40
o
C至85
o
C
民
-
-
最大
±1
20
-55
o
C至125
o
C
民
-
-
最大
±1
40
单位
A
A
静态器件
当前
其他静态
器件电流每输入
脚： 1机组负荷
注意：
I
CC
I
CC
（注2 ）
0
-
5.5
4.5
5.5
-
-
2
360
-
-
20
450
-
-
40
490
A
A
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下（V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V ）规格1.8毫安。
HCT输入负载表
输入
nA
单位负载
0.6
注：机组负荷为
I
CC
在直流电气连接特定钙限制特定网络版
系统蒸发散表，例如， 360μA最大值在25
o
C.
4
CD54HC14 ， CD74HC14 ，
CD54HCT14 ， CD74HCT14
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS129F
1998年1月 - 修订2005年5月
高速CMOS逻辑器件
六角反相施密特触发器
描述
在“ HC14和” HCT14各包含6施密特
触发器在一个封装中。
特点
无限输入上升和下降时间
[ /标题
(CD74H
C14,
CD74H
CT14)
/主题
（高
速度
CMOS
逻辑
（十六进制）
Invert-
非常高噪声抗扰度
扇出（整个温度范围内）
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性：不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 ％
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- CMOS兼容输入，我
l
≤
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC14F3A
CD54HCT14F3A
CD74HC14E
CD74HC14M
CD74HC14MT
CD74HC14M96
CD74HC14PW
CD74HC14PWR
CD74HCT14E
CD74HCT14M
CD74HCT14MT
CD74HCT14M96
CD74HCT14PW
CD74HCT14PWR
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
包
14 Ld的CERDIP
14 Ld的CERDIP
14 Ld的PDIP
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的TSSOP
14 Ld的TSSOP
14 Ld的PDIP
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的TSSOP
14 Ld的TSSOP
注：订货时，使用整个零件编号。该SUF科幻×96
表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示小批量卷轴
250 。
引脚
CD54HC14 ， CD54HCT14
（ CERDIP ）
CD74HC14 ， CD74HCT14
（ PDIP ， SOIC ， TSSOP ）
顶视图
1A 1
1Y 2
2A 3
2Y 4
3A 5
3Y 6
7 GND
14 V
CC
13 6A
12 6Y
11 5A
10 5Y
9 4A
8 4Y
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2005年，德州仪器
1
CD54HC14 ， CD74HC14 ， CD54HCT14 ， CD74HCT14
工作原理图
1A
1
2
1Y
2A
3
4
2Y
3A
5
6
3Y
4A
9
8
4Y
5A
11
10
5Y
6A
13
12
6Y
GND = 7
V
CC
= 14
真值表
输入（ A）
L
H
H =高电平
L =低电平
输出（Y ）
H
L
逻辑图
nA
nY
V
O
V
H
V
H
= V
T
+ - V
T
-
V
I
V
T
-
V
T
+
V
T
+
V
T
-
V
CC
V
I
GND
V
CC
V
O
GND
V
H
图3.滞后的定义，特征，测试设置
2
CD54HC14 ， CD74HC14 ， CD54HCT ， CD74HCT14
绝对最大额定值
直流电源电压，V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流，I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流，I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流，每个输出，我
O
为-0.5V < V
O
＆ LT ; V
CC
+0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流，我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流，I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻（典型值，注1 ）
θ
JA
(
o
C / W ）
E（ PDIP ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 80
M（ SOIC ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 86
PW （ TSSOP ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
113
最高结温（密封包装或死亡） 。 。 。 175
o
C
最高结温（塑料封装） 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
温度范围，T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围，V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压，V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意：
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入切换点
V
T
+
-
-
2
4.5
6
V
T
-
-
-
2
4.5
6
V
H
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压CMOS负载
V
OH
V
T
-
-0.02
-0.02
-0.02
高电平输出
电压TTL负载
-
-4
-5.2
低电平输出电压
CMOS负载
V
OL
V
T
+
0.02
0.02
0.02
低电平输出电压
TTL负载
-
4
5.2
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
0.7
1.7
2.1
0.3
0.9
1.2
0.2
0.4
0.6
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
1.5
3.15
4.2
1.0
2.2
3.0
1.0
1.4
1.6
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
0.7
1.7
2.1
0.3
0.9
1.2
0.2
0.4
0.6
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
1.5
3.15
4.2
1.0
2.2
3.0
1.0
1.4
1.6
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
0.7
1.7
2.1
0.3
0.9
1.2
0.2
0.4
0.6
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
1.5
3.15
4.2
1.0
2.2
3.0
1.0
1.4
1.6
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
符号
V
I
(V)
I
O
（毫安）V
CC
(V)
民
25
o
C
最大
-40
o
C至85
o
C
民
最大
-55
o
C至125
o
C
民
最大
单位
3
CD54HC14 ， CD74HC14 ， CD54HCT14 ， CD74HCT14
直流电特定网络阳离子
（续）
TEST
条件
参数
输入漏电流
静态器件
当前
HCT类型
输入切换点
V
T
+
-
-
4.5
5.5
V
T
-
4.5
5.5
V
H
4.5
5.5
高电平输出
电压CMOS负载
高电平输出
电压TTL负载
低电平输出电压
CMOS负载
低电平输出电压
TTL负载
输入漏电流
I
I
V
CC
和
GND
V
CC
or
GND
V
CC
- 2.1
V
OL
V
T
+
V
OH
V
T
-
-0.02
-4
0.02
4
-
4.5
4.5
4.5
4.5
5.5
1.2
1.4
0.5
0.6
0.4
0.4
4.4
3.98
-
-
-
1.9
2.1
1.2
1.4
1.4
1.5
-
-
0.1
0.26
±0.1
1.2
1.4
0.5
0.6
0.4
0.4
4.4
3.84
-
-
-
1.9
2.1
1.2
1.4
1.4
1.5
-
-
0.1
0.33
±1
1.2
1.4
0.5
0.6
0.4
0.4
4.4
3.7
-
-
-
1.9
2.1
1.2
1.4
1.4
1.5
-
-
0.1
0.4
±1
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
符号
I
I
I
CC
V
I
(V)
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
I
O
（毫安）V
CC
(V)
-
0
6
6
民
-
-
25
o
C
最大
±0.1
2
-40
o
C至85
o
C
民
-
-
最大
±1
20
-55
o
C至125
o
C
民
-
-
最大
±1
40
单位
A
A
静态器件
当前
其他静态
器件电流每输入
脚： 1机组负荷
注意：
I
CC
I
CC
（注2 ）
0
-
5.5
4.5
5.5
-
-
2
360
-
-
20
450
-
-
40
490
A
A
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下（V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V ）规格1.8毫安。
HCT输入负载表
输入
nA
单位负载
0.6
注：机组负荷为
I
CC
在直流电气连接特定钙限制特定网络版
系统蒸发散表，例如， 360μA最大值在25
o
C.
4
QQ：2880707522 复制
