添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线:13692101218  13751165337
51电子网联系电话:13692101218
位置:首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第163页 > CD74HCT126M96
CD54HC126 , CD74HC126 ,
CD54HCT126 , CD74HCT126
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS144C
1997年11月 - 修订2003年9月
高速CMOS逻辑器件
四缓冲器,三态
描述
在“ HC126和” HCT126包含四个独立的三
态缓冲器,每一个都具有自己的输出使能输入端,其
当“低”把在高阻抗状态的输出。
特点
[ /标题
(CD74
HC126
,
CD74
HCT12
6)
/子
拍摄对象
(高
速度
CMOS
逻辑
缓冲液,
状态)
三态输出
独立的输出使能输入
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC126F3A
CD54HCT126F3A
CD74HC126E
CD74HC126M
CD74HC126MT
CD74HC126M96
CD74HCT126E
CD74HCT126M
CD74HCT126MT
CD74HCT126M96
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
14 Ld的CERDIP
14 Ld的CERDIP
14 Ld的PDIP
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的PDIP
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF科幻×96
表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示的小批量卷轴
250.
引脚
CD54HC126 , CD54HC126
( CERDIP )
CD74HC126 , CD74HC126
( PDIP , SOIC )
顶视图
10E中1
1A 2
1Y 3
2OE 4
2A 5
2Y 6
7 GND
14 V
CC
13如图40E所示
12 4A
11 4Y
10 3Oe时
9 3A
8 3Y
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD54HC126 , CD74HC126 , CD54HCT126 , CD74HCT126
工作原理图
1OE
1A
2OE
2A
10
3OE
9
3A
13
4OE
12
4A
11
4Y
GND = 7
V
CC
= 14
8
3Y
1
2
4
5
6
3
1Y
2Y
真值表
输入
nA
H
L
X
H =高电压电平
L =低电压电平
X =无关
Z =高阻抗,关闭状态
诺埃
H
H
L
输出
nY
H
L
Z
逻辑图
P
nA
n
诺埃
nY
2
CD54HC126 , CD74HC126 , CD54HCT126 , CD74HCT126
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流,每个输出,我
O
为-0.5V < V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 35毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 70毫安
热信息
热电阻(典型值,注1 )
θ
JA
(
o
C / W )
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
80
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
86
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
V
OH
V
IH
or
V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
V
OL
V
IH
or
V
IL
-6
-7.8
0.02
0.02
0.02
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
I
I
V
CC
or
GND
6
7.8
-
2
4.5
6
4.5
6
2
4.5
6
4.5
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
±0.1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
±1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
±1
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
符号
V
I
(V)
I
O
(毫安)V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
最大
-55
o
C至125
o
C
最大
单位
3
CD54HC126 , CD74HC126 , CD54HCT126 , CD74HCT126
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
静态器件
当前
三态泄漏
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
三态泄漏
当前
注意:
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
(注2 )
I
OZ
V
CC
to
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
IL
or
V
IH
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
or
V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
I
CC
I
OZ
V
I
(V)
V
CC
or
GND
V
IL
or
V
IH
I
O
(毫安)V
CC
(V)
0
-
6
6
-
-
25
o
C
典型值
-
-
最大
8
±0.5
-40
o
C至85
o
C
-
-
最大
80
±5
-55
o
C至125
o
C
-
-
最大
160
±10
单位
A
A
-6
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
6
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
5.5
5.5
4.5
5.5
5.5
-
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
-
-
-
±0.5
-
±5
-
±10
A
HCT输入负载表
输入
呐, NOE
单位负载
1
注:机组负荷为
I
CC
在直流电气限制特定网络版
特定网络阳离子表,例如,最大360μA 25
o
C.
4
CD54HC126 , CD74HC126 , CD54HCT126 , CD74HCT126
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
TEST
条件
25
o
C
V
CC
(V)
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
参数
HC类型
传播延迟数据
到输出
符号
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
2
4.5
-
-
8
-
-
-
10
-
-
-
10
-
-
-
-
-
-
30
100
20
-
17
125
25
-
21
125
25
-
21
60
12
10
10
20
-
125
25
-
21
155
31
-
26
155
31
-
26
75
15
13
10
20
-
150
30
-
36
190
38
-
32
190
38
-
32
90
18
15
10
20
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
C
L
= 15pF的
CL = 50pF的
启用延迟时间
t
PZL ,
t
PZH
C
L
= 50pF的
5
6
2
4.5
C
L
= 15pF的
CL = 50pF的
禁用延迟时间
t
PLZ
, t
PHZ
CL = 50pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
CL = 50pF的
输出转换时间
t
TLH
, t
THL
C
L
= 50pF的
5
6
2
4.5
5
6
2
4.5
6
输入电容
三态输出
电容
功耗
电容
(注3,4)
HCT类型
传播延迟时间
到输出
输出使能时间
C
I
C
O
C
PD
-
-
-
-
-
5
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
4.5
5
4.5
5
4.5
5
4.5
-
-
5
-
9
-
10
-
11
-
-
-
36
24
-
25
-
28
-
12
10
20
-
30
-
31
-
35
-
15
10
20
-
36
-
38
-
42
-
18
10
20
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
t
PZL ,
t
PZH
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
输出禁用时
t
PLZ
, t
PHZ
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
输出转换时间
输入电容
三态输出
电容
功耗
电容
(注3,4)
注意事项:
t
TLH
, t
THL
C
I
C
O
C
PD
C
L
= 50pF的
-
-
-
3. C
PD
被用于确定所述动态功耗,每个多路转换器。
4. P
D
= V
CC2
f
i
(C
PD
+ C
L
) ,其中F
i
=输入频率,C
L
=输出负载电容,V
CC
=电源电压。
5
CD54HC126 , CD74HC126 ,
CD54HCT126 , CD74HCT126
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS144C
1997年11月 - 修订2003年9月
高速CMOS逻辑器件
四缓冲器,三态
描述
在“ HC126和” HCT126包含四个独立的三
态缓冲器,每一个都具有自己的输出使能输入端,其
当“低”把在高阻抗状态的输出。
特点
[ /标题
(CD74
HC126
,
CD74
HCT12
6)
/子
拍摄对象
(高
速度
CMOS
逻辑
缓冲液,
状态)
三态输出
独立的输出使能输入
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC126F3A
CD54HCT126F3A
CD74HC126E
CD74HC126M
CD74HC126MT
CD74HC126M96
CD74HCT126E
CD74HCT126M
CD74HCT126MT
CD74HCT126M96
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
14 Ld的CERDIP
14 Ld的CERDIP
14 Ld的PDIP
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的PDIP
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF科幻×96
表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示的小批量卷轴
250.
引脚
CD54HC126 , CD54HC126
( CERDIP )
CD74HC126 , CD74HC126
( PDIP , SOIC )
顶视图
10E中1
1A 2
1Y 3
2OE 4
2A 5
2Y 6
7 GND
14 V
CC
13如图40E所示
12 4A
11 4Y
10 3Oe时
9 3A
8 3Y
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD54HC126 , CD74HC126 , CD54HCT126 , CD74HCT126
工作原理图
1OE
1A
2OE
2A
10
3OE
9
3A
13
4OE
12
4A
11
4Y
GND = 7
V
CC
= 14
8
3Y
1
2
4
5
6
3
1Y
2Y
真值表
输入
nA
H
L
X
H =高电压电平
L =低电压电平
X =无关
Z =高阻抗,关闭状态
诺埃
H
H
L
输出
nY
H
L
Z
逻辑图
P
nA
n
诺埃
nY
2
CD54HC126 , CD74HC126 , CD54HCT126 , CD74HCT126
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流,每个输出,我
O
为-0.5V < V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 35毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 70毫安
热信息
热电阻(典型值,注1 )
θ
JA
(
o
C / W )
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
80
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
86
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
V
OH
V
IH
or
V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
V
OL
V
IH
or
V
IL
-6
-7.8
0.02
0.02
0.02
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
I
I
V
CC
or
GND
6
7.8
-
2
4.5
6
4.5
6
2
4.5
6
4.5
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
±0.1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
±1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
±1
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
符号
V
I
(V)
I
O
(毫安)V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
最大
-55
o
C至125
o
C
最大
单位
3
CD54HC126 , CD74HC126 , CD54HCT126 , CD74HCT126
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
静态器件
当前
三态泄漏
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
三态泄漏
当前
注意:
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
(注2 )
I
OZ
V
CC
to
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
IL
or
V
IH
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
or
V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
I
CC
I
OZ
V
I
(V)
V
CC
or
GND
V
IL
or
V
IH
I
O
(毫安)V
CC
(V)
0
-
6
6
-
-
25
o
C
典型值
-
-
最大
8
±0.5
-40
o
C至85
o
C
-
-
最大
80
±5
-55
o
C至125
o
C
-
-
最大
160
±10
单位
A
A
-6
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
6
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
5.5
5.5
4.5
5.5
5.5
-
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
-
-
-
±0.5
-
±5
-
±10
A
HCT输入负载表
输入
呐, NOE
单位负载
1
注:机组负荷为
I
CC
在直流电气限制特定网络版
特定网络阳离子表,例如,最大360μA 25
o
C.
4
CD54HC126 , CD74HC126 , CD54HCT126 , CD74HCT126
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
TEST
条件
25
o
C
V
CC
(V)
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
参数
HC类型
传播延迟数据
到输出
符号
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
2
4.5
-
-
8
-
-
-
10
-
-
-
10
-
-
-
-
-
-
30
100
20
-
17
125
25
-
21
125
25
-
21
60
12
10
10
20
-
125
25
-
21
155
31
-
26
155
31
-
26
75
15
13
10
20
-
150
30
-
36
190
38
-
32
190
38
-
32
90
18
15
10
20
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
C
L
= 15pF的
CL = 50pF的
启用延迟时间
t
PZL ,
t
PZH
C
L
= 50pF的
5
6
2
4.5
C
L
= 15pF的
CL = 50pF的
禁用延迟时间
t
PLZ
, t
PHZ
CL = 50pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
CL = 50pF的
输出转换时间
t
TLH
, t
THL
C
L
= 50pF的
5
6
2
4.5
5
6
2
4.5
6
输入电容
三态输出
电容
功耗
电容
(注3,4)
HCT类型
传播延迟时间
到输出
输出使能时间
C
I
C
O
C
PD
-
-
-
-
-
5
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
4.5
5
4.5
5
4.5
5
4.5
-
-
5
-
9
-
10
-
11
-
-
-
36
24
-
25
-
28
-
12
10
20
-
30
-
31
-
35
-
15
10
20
-
36
-
38
-
42
-
18
10
20
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
t
PZL ,
t
PZH
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
输出禁用时
t
PLZ
, t
PHZ
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
输出转换时间
输入电容
三态输出
电容
功耗
电容
(注3,4)
注意事项:
t
TLH
, t
THL
C
I
C
O
C
PD
C
L
= 50pF的
-
-
-
3. C
PD
被用于确定所述动态功耗,每个多路转换器。
4. P
D
= V
CC2
f
i
(C
PD
+ C
L
) ,其中F
i
=输入频率,C
L
=输出负载电容,V
CC
=电源电压。
5
CD54HC126 , CD74HC126 ,
CD54HCT126 , CD74HCT126
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS144C
1997年11月 - 修订2003年9月
高速CMOS逻辑器件
四缓冲器,三态
描述
在“ HC126和” HCT126包含四个独立的三
态缓冲器,每一个都具有自己的输出使能输入端,其
当“低”把在高阻抗状态的输出。
特点
[ /标题
(CD74
HC126
,
CD74
HCT12
6)
/子
拍摄对象
(高
速度
CMOS
逻辑
缓冲液,
状态)
三态输出
独立的输出使能输入
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC126F3A
CD54HCT126F3A
CD74HC126E
CD74HC126M
CD74HC126MT
CD74HC126M96
CD74HCT126E
CD74HCT126M
CD74HCT126MT
CD74HCT126M96
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
14 Ld的CERDIP
14 Ld的CERDIP
14 Ld的PDIP
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的PDIP
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF科幻×96
表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示的小批量卷轴
250.
引脚
CD54HC126 , CD54HC126
( CERDIP )
CD74HC126 , CD74HC126
( PDIP , SOIC )
顶视图
10E中1
1A 2
1Y 3
2OE 4
2A 5
2Y 6
7 GND
14 V
CC
13如图40E所示
12 4A
11 4Y
10 3Oe时
9 3A
8 3Y
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD54HC126 , CD74HC126 , CD54HCT126 , CD74HCT126
工作原理图
1OE
1A
2OE
2A
10
3OE
9
3A
13
4OE
12
4A
11
4Y
GND = 7
V
CC
= 14
8
3Y
1
2
4
5
6
3
1Y
2Y
真值表
输入
nA
H
L
X
H =高电压电平
L =低电压电平
X =无关
Z =高阻抗,关闭状态
诺埃
H
H
L
输出
nY
H
L
Z
逻辑图
P
nA
n
诺埃
nY
2
CD54HC126 , CD74HC126 , CD54HCT126 , CD74HCT126
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流,每个输出,我
O
为-0.5V < V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 35毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 70毫安
热信息
热电阻(典型值,注1 )
θ
JA
(
o
C / W )
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
80
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
86
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
V
OH
V
IH
or
V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
V
OL
V
IH
or
V
IL
-6
-7.8
0.02
0.02
0.02
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
I
I
V
CC
or
GND
6
7.8
-
2
4.5
6
4.5
6
2
4.5
6
4.5
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
±0.1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
±1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
±1
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
符号
V
I
(V)
I
O
(毫安)V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
最大
-55
o
C至125
o
C
最大
单位
3
CD54HC126 , CD74HC126 , CD54HCT126 , CD74HCT126
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
静态器件
当前
三态泄漏
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
三态泄漏
当前
注意:
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
(注2 )
I
OZ
V
CC
to
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
IL
or
V
IH
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
or
V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
I
CC
I
OZ
V
I
(V)
V
CC
or
GND
V
IL
or
V
IH
I
O
(毫安)V
CC
(V)
0
-
6
6
-
-
25
o
C
典型值
-
-
最大
8
±0.5
-40
o
C至85
o
C
-
-
最大
80
±5
-55
o
C至125
o
C
-
-
最大
160
±10
单位
A
A
-6
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
6
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
5.5
5.5
4.5
5.5
5.5
-
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
-
-
-
±0.5
-
±5
-
±10
A
HCT输入负载表
输入
呐, NOE
单位负载
1
注:机组负荷为
I
CC
在直流电气限制特定网络版
特定网络阳离子表,例如,最大360μA 25
o
C.
4
CD54HC126 , CD74HC126 , CD54HCT126 , CD74HCT126
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
TEST
条件
25
o
C
V
CC
(V)
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
参数
HC类型
传播延迟数据
到输出
符号
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
2
4.5
-
-
8
-
-
-
10
-
-
-
10
-
-
-
-
-
-
30
100
20
-
17
125
25
-
21
125
25
-
21
60
12
10
10
20
-
125
25
-
21
155
31
-
26
155
31
-
26
75
15
13
10
20
-
150
30
-
36
190
38
-
32
190
38
-
32
90
18
15
10
20
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
C
L
= 15pF的
CL = 50pF的
启用延迟时间
t
PZL ,
t
PZH
C
L
= 50pF的
5
6
2
4.5
C
L
= 15pF的
CL = 50pF的
禁用延迟时间
t
PLZ
, t
PHZ
CL = 50pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
CL = 50pF的
输出转换时间
t
TLH
, t
THL
C
L
= 50pF的
5
6
2
4.5
5
6
2
4.5
6
输入电容
三态输出
电容
功耗
电容
(注3,4)
HCT类型
传播延迟时间
到输出
输出使能时间
C
I
C
O
C
PD
-
-
-
-
-
5
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
4.5
5
4.5
5
4.5
5
4.5
-
-
5
-
9
-
10
-
11
-
-
-
36
24
-
25
-
28
-
12
10
20
-
30
-
31
-
35
-
15
10
20
-
36
-
38
-
42
-
18
10
20
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
t
PZL ,
t
PZH
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
输出禁用时
t
PLZ
, t
PHZ
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
输出转换时间
输入电容
三态输出
电容
功耗
电容
(注3,4)
注意事项:
t
TLH
, t
THL
C
I
C
O
C
PD
C
L
= 50pF的
-
-
-
3. C
PD
被用于确定所述动态功耗,每个多路转换器。
4. P
D
= V
CC2
f
i
(C
PD
+ C
L
) ,其中F
i
=输入频率,C
L
=输出负载电容,V
CC
=电源电压。
5
查看更多CD74HCT126M96PDF信息
推荐型号
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    CD74HCT126M96
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2273544375 复制 点击这里给我发消息 QQ:1402770874 复制

电话:13711580601
联系人:郭
地址:深圳市福田区华强北华强广场B座
CD74HCT126M96
TI
2039
1000
DSBGA-30
原装正品 力挺实单
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1248156793 复制 点击这里给我发消息 QQ:519794981 复制

电话:0755-83242658
联系人:廖先生
地址:广东深圳市福田区华强北路赛格科技园4栋西3楼3A31-32室★十佳优质供应商★
CD74HCT126M96
TI
24+
6400
SOP14
100%原装正品,只做原装正品
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885348317 复制 点击这里给我发消息 QQ:2885348339 复制

电话:0755-83209630 82519391
联系人:许小姐
地址:深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
CD74HCT126M96
HAR
24+
11880
3.9
优势现货,只做原装正品
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:996334048 复制 点击这里给我发消息 QQ:570120875 复制
电话:0755-82563615 82563213
联系人:王云
地址:深圳市华强北上步204栋五楼520室
CD74HCT126M96
TI
2425+
11280
SOP-14
进口原装!优势现货!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885741998 复制 点击这里给我发消息 QQ:2885742022 复制
电话:15112667855
联系人:谌小姐
地址:深圳市龙岗区横岗街道六约社区深峰路3号4E
CD74HCT126M96
TI
18+
16000
SOP14
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2938238007 复制 点击这里给我发消息 QQ:1840507767 复制

电话:0755-82578309/18898790342
联系人:李小姐
地址:深圳市福田区华强北海外装饰大厦B座7B33
CD74HCT126M96
TI
21+
12000
SOIC (D)
███全新原装正品,可配单
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881147140 复制

电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
CD74HCT126M96
Texas Instruments
24+
10000
14-SOIC
原厂一级代理,原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881147140 复制

电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
CD74HCT126M96
Texas Instruments
24+
10000
14-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
原厂一级代理,原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881147140 复制

电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
CD74HCT126M96
TI
24+
10000
SOP14
原厂一级代理,原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881501653 复制

电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
CD74HCT126M96
TIS
24+
8420
SOIC14
全新原装现货,原厂代理。
查询更多CD74HCT126M96供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功!