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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第172页 > CD74HCT123E
CD54 / 74HC123 , CD54 / 74HCT123 ,
CD74HC423 , CD74HCT423
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS142F
1997年9月 - 修订2003年10月
高速CMOS逻辑双路可重触发
单稳态触发器与复位
订购信息
产品型号
CD54HC123F3A
CD54HCT123F3A
CD74HC123E
CD74HC123M
CD74HC123MT
CD74HC123M96
CD74HC123NSR
CD74HC123PW
CD74HC123PWR
CD74HC123PWT
CD74HC423E
CD74HC423M
CD74HC423MT
CD74HC423M96
CD74HC423NSR
CD74HCT123E
CD74HCT123M
CD74HCT123MT
CD74HCT123M96
CD74HCT423E
CD74HCT423MT
CD74HCT423M96
TEMP 。 RANGE (
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
特点
重写复位终止输出脉冲
[ /标题
(CD74
HC123
,
CD74
HCT12
3,
CD74
HC423
,
CD74
HCT42
3)
/子
拍摄对象
(高
速度
从上升或下降沿触发
Q和Q输出缓冲
独立的复位
输出脉冲宽度宽范围
施密特触发器的A和B输入
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
at
V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
描述
在“ HC123 ” HCT123 , CD74HC423和CD74HCT423是
双单稳态触发器与复位。它们都是
可再触发的,不同点只在于, 123类型可以是
由负到正复位脉冲触发;而
423型不具备此功能。外部电阻器(R
X
)
和一个外部电容器(C
X
)控制的定时和
精度的电路。接收和C调整
X
提供
宽范围的输出脉冲的宽度从Q和Q
终端。脉冲触发的A和B输入发生在
特定的电压电平,并且不涉及到的上升和下降
触发脉冲的时间。
一旦被触发,输出脉冲宽度可通过延长
重新触发输入端A和B的输出脉冲可
由上电复位( R) - 管脚低电平终止。尾随
边沿触发( A)和前缘触发(B )输入
提供了用于从输入的任一边沿触发
脉搏。如果任一单未使用的每个输入上的未用
装置( A,B和R) ,必须终止高还是低。
外部电阻的最小值, R x是典型地
5kΩ的。最小值外部电容, CX ,是0pF 。
计算的脉冲宽度为t
W
= 0.45 R
X
C
X
at
V
CC
= 5V.
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF网络XES 96
而R表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示小量
卷轴250 。
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD54 / 74HC123 , CD54 / 74HCT123 , CD74HC423 , CD74HCT423
引脚
CD54HC123 , CD54HCT123
( CERDIP )
CD74HC123
( PDIP , SOIC , SOP , TSSOP )
CD74HC423
( PDIP , SOIC , SOP )
CD74HCT123 , CD74HCT423
( PDIP , SOIC )
顶视图
1A 1
1B 2
1R 3
1Q 4
2Q 5
2C
X
6
2R
X
C
X
7
GND 8
16 V
CC
15 1R
X
C
X
14 1C
X
13 1Q
12 2Q
11 2R
10 2B
9 2A
2B
2Cx
6
2Cx
2RxCx
7
2Rx
V
CC
2R
2A
10
MONO 2
12
2Q
工作原理图
1Cx
14
1Cx
1A
1
1B
2
1R
3
11
9
5
2Q
MONO 1
4
1Q
15
1RxCx
13
1Q
1Rx
V
CC
真值表
输入
A
CD74HC/HCT123
H
X
L
X
L
CD74HC/HCT423
H
X
L
X
X
L
H
X
H
H
H
H
L
L
H
L
L
H
H
X
L
H
X
H
H
H
H
H
L
L
H
L
L
H
H
B
R
Q
输出
Q
H =高电平, L =低电压电平,
X =不在乎。
2
CD54 / 74HC123 , CD54 / 74HCT123 , CD74HC423 , CD74HCT423
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
cc或
I
GND
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
封装的热阻抗,
θ
JA
(见注1 ) :
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 67
o
C / W
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 73
o
C / W
NS ( SOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 64
o
C / W
PW ( TSSOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 108
o
C / W
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
I
I
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
-
4
5.2
-
0
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
8
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
80
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
160
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
符号
V
I
(V)
I
O
(MA )
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
3
CD54 / 74HC123 , CD54 / 74HCT123 , CD74HC423 , CD74HCT423
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
注意:
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
(注2 )
V
CC
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
OL
V
IH
或V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
或V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
V
I
(V)
I
O
(MA )
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
V
CC
(V)
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
5.5
5.5
4.5
5.5
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
HCT输入负载表
输入
所有
单位负载
0.35
注:机组负荷为
I
CC
限制特定网络版的DC电气表,如
最大360μA 25
o
C.
用于交换特定网络阳离子前提条件
25
o
C
参数
HC类型
最小的投入,
脉冲宽度
A
t
WL
2
4.5
6
B
t
WH
2
4.5
6
100
20
17
100
20
17
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
125
25
21
125
25
21
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
150
30
26
150
30
26
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
符号
V
CC
(V)
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
典型值
最大
-55
o
C至125
o
C
典型值
最大
单位
4
CD54 / 74HC123 , CD54 / 74HCT123 , CD74HC423 , CD74HCT423
用于交换特定网络阳离子前提条件
(续)
25
o
C
参数
R
符号
t
WL
V
CC
(V)
2
4.5
6
A和B保持时间
t
H
2
4.5
6
复位移走时间
t
REM
2
4.5
6
重新触发时间数
R
X
= 10kΩ的,C
X
= 0
输出脉冲宽度
Q或Q
R
X
= 10kΩ的,C
X
= 10nF的
HCT类型
最小的投入,
脉冲宽度
A
B
R
A和B保持时间
复位移走时间
重新触发时间数
(注3)
R
X
= 10kΩ的,C
X
= 0
输出脉冲宽度Q或Q
R
X
= 10kΩ的,C
X
= 10nF的
注意:
3.时间触发取决于R的值
X
和C
X
。输出脉冲宽度只能延长时主动 - 之间的时间
触发输入脉冲的沿的满足最小重新触发时间要求。
t
rT
t
W
5
5
-
40
50
-
-
50
-
38.7
63
-
-
51.3
-
38.2
76
-
-
51.8
ns
s
t
WH
t
WL
t
H
t
REM
5
5
-
t
WL
5
20
20
20
10
10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
25
25
25
13
13
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
30
30
30
15
15
-
-
-
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
40
-
50
38.7
-
51.3
38.2
-
51.8
s
t
W
5
t
rT
5
100
20
17
50
10
9
50
10
9
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
50
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-40
o
C至85
o
C
125
25
21
65
13
11
65
13
11
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
63
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-55
o
C至125
o
C
150
30
26
75
15
13
75
15
13
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
76
最大
150
30
26
75
15
13
75
15
13
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
5
CD54 / 74HC123 , CD54 / 74HCT123 ,
CD74HC423 , CD74HCT423
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS142F
1997年9月 - 修订2003年10月
高速CMOS逻辑双路可重触发
单稳态触发器与复位
订购信息
产品型号
CD54HC123F3A
CD54HCT123F3A
CD74HC123E
CD74HC123M
CD74HC123MT
CD74HC123M96
CD74HC123NSR
CD74HC123PW
CD74HC123PWR
CD74HC123PWT
CD74HC423E
CD74HC423M
CD74HC423MT
CD74HC423M96
CD74HC423NSR
CD74HCT123E
CD74HCT123M
CD74HCT123MT
CD74HCT123M96
CD74HCT423E
CD74HCT423MT
CD74HCT423M96
TEMP 。 RANGE (
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
特点
重写复位终止输出脉冲
[ /标题
(CD74
HC123
,
CD74
HCT12
3,
CD74
HC423
,
CD74
HCT42
3)
/子
拍摄对象
(高
速度
从上升或下降沿触发
Q和Q输出缓冲
独立的复位
输出脉冲宽度宽范围
施密特触发器的A和B输入
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
at
V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
描述
在“ HC123 ” HCT123 , CD74HC423和CD74HCT423是
双单稳态触发器与复位。它们都是
可再触发的,不同点只在于, 123类型可以是
由负到正复位脉冲触发;而
423型不具备此功能。外部电阻器(R
X
)
和一个外部电容器(C
X
)控制的定时和
精度的电路。接收和C调整
X
提供
宽范围的输出脉冲的宽度从Q和Q
终端。脉冲触发的A和B输入发生在
特定的电压电平,并且不涉及到的上升和下降
触发脉冲的时间。
一旦被触发,输出脉冲宽度可通过延长
重新触发输入端A和B的输出脉冲可
由上电复位( R) - 管脚低电平终止。尾随
边沿触发( A)和前缘触发(B )输入
提供了用于从输入的任一边沿触发
脉搏。如果任一单未使用的每个输入上的未用
装置( A,B和R) ,必须终止高还是低。
外部电阻的最小值, R x是典型地
5kΩ的。最小值外部电容, CX ,是0pF 。
计算的脉冲宽度为t
W
= 0.45 R
X
C
X
at
V
CC
= 5V.
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF网络XES 96
而R表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示小量
卷轴250 。
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD54 / 74HC123 , CD54 / 74HCT123 , CD74HC423 , CD74HCT423
引脚
CD54HC123 , CD54HCT123
( CERDIP )
CD74HC123
( PDIP , SOIC , SOP , TSSOP )
CD74HC423
( PDIP , SOIC , SOP )
CD74HCT123 , CD74HCT423
( PDIP , SOIC )
顶视图
1A 1
1B 2
1R 3
1Q 4
2Q 5
2C
X
6
2R
X
C
X
7
GND 8
16 V
CC
15 1R
X
C
X
14 1C
X
13 1Q
12 2Q
11 2R
10 2B
9 2A
2B
2Cx
6
2Cx
2RxCx
7
2Rx
V
CC
2R
2A
10
MONO 2
12
2Q
工作原理图
1Cx
14
1Cx
1A
1
1B
2
1R
3
11
9
5
2Q
MONO 1
4
1Q
15
1RxCx
13
1Q
1Rx
V
CC
真值表
输入
A
CD74HC/HCT123
H
X
L
X
L
CD74HC/HCT423
H
X
L
X
X
L
H
X
H
H
H
H
L
L
H
L
L
H
H
X
L
H
X
H
H
H
H
H
L
L
H
L
L
H
H
B
R
Q
输出
Q
H =高电平, L =低电压电平,
X =不在乎。
2
CD54 / 74HC123 , CD54 / 74HCT123 , CD74HC423 , CD74HCT423
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
cc或
I
GND
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
封装的热阻抗,
θ
JA
(见注1 ) :
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 67
o
C / W
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 73
o
C / W
NS ( SOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 64
o
C / W
PW ( TSSOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 108
o
C / W
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
I
I
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
-
4
5.2
-
0
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
8
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
80
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
160
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
符号
V
I
(V)
I
O
(MA )
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
3
CD54 / 74HC123 , CD54 / 74HCT123 , CD74HC423 , CD74HCT423
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
注意:
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
(注2 )
V
CC
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
OL
V
IH
或V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
或V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
V
I
(V)
I
O
(MA )
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
V
CC
(V)
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
5.5
5.5
4.5
5.5
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
HCT输入负载表
输入
所有
单位负载
0.35
注:机组负荷为
I
CC
限制特定网络版的DC电气表,如
最大360μA 25
o
C.
用于交换特定网络阳离子前提条件
25
o
C
参数
HC类型
最小的投入,
脉冲宽度
A
t
WL
2
4.5
6
B
t
WH
2
4.5
6
100
20
17
100
20
17
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
125
25
21
125
25
21
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
150
30
26
150
30
26
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
符号
V
CC
(V)
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
典型值
最大
-55
o
C至125
o
C
典型值
最大
单位
4
CD54 / 74HC123 , CD54 / 74HCT123 , CD74HC423 , CD74HCT423
用于交换特定网络阳离子前提条件
(续)
25
o
C
参数
R
符号
t
WL
V
CC
(V)
2
4.5
6
A和B保持时间
t
H
2
4.5
6
复位移走时间
t
REM
2
4.5
6
重新触发时间数
R
X
= 10kΩ的,C
X
= 0
输出脉冲宽度
Q或Q
R
X
= 10kΩ的,C
X
= 10nF的
HCT类型
最小的投入,
脉冲宽度
A
B
R
A和B保持时间
复位移走时间
重新触发时间数
(注3)
R
X
= 10kΩ的,C
X
= 0
输出脉冲宽度Q或Q
R
X
= 10kΩ的,C
X
= 10nF的
注意:
3.时间触发取决于R的值
X
和C
X
。输出脉冲宽度只能延长时主动 - 之间的时间
触发输入脉冲的沿的满足最小重新触发时间要求。
t
rT
t
W
5
5
-
40
50
-
-
50
-
38.7
63
-
-
51.3
-
38.2
76
-
-
51.8
ns
s
t
WH
t
WL
t
H
t
REM
5
5
-
t
WL
5
20
20
20
10
10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
25
25
25
13
13
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
30
30
30
15
15
-
-
-
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
40
-
50
38.7
-
51.3
38.2
-
51.8
s
t
W
5
t
rT
5
100
20
17
50
10
9
50
10
9
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
50
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-40
o
C至85
o
C
125
25
21
65
13
11
65
13
11
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
63
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-55
o
C至125
o
C
150
30
26
75
15
13
75
15
13
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
76
最大
150
30
26
75
15
13
75
15
13
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
5
性S E M I C 0 N D ü (C T)
CD74HC123 , CD74HCT123 ,
CD74HC423 , CD74HCT423
高速CMOS逻辑双路可重触发
单稳态触发器与复位
描述
哈里斯CD74HC123 , CD74HCT123 , CD74HC423和
CD74HCT423是双单稳态触发器与
复位。它们都是可重触发的和唯一的不同之处在于
123类型可以由负到正复位触发
脉冲;而423型不具备此功能。一
外部电阻器(R
X
)和一个外部电容器(C
X
)控制
的定时和用于电路的准确性。接收调整
和C
X
提供从各种输出脉冲宽度的
在Q和Q端。脉冲触发的A和B
输入发生在特定的电压电平,并且不涉及到
触发脉冲的上升和下降时间。
一旦被触发,输出脉冲宽度可通过延长
重新触发输入端A和B的输出脉冲可
由上电复位( R) - 管脚低电平终止。尾随
边沿触发( A)和前缘触发(B )输入
提供了用于从输入的任一边沿触发
脉搏。如果任一单未使用的每个输入上的未用
装置( A,B和R) ,必须终止高还是低。
外部电阻的最小值, R x是通常为5kΩ的。
最小值外接电容,C
X
是0pF 。该
对于脉冲宽度的计算是叔
W
= 0.45 R
X
C
X
在V
CC
= 5V.
1997年9月
特点
重写复位终止输出脉冲
从上升或下降沿触发
Q和Q输出缓冲
独立的复位
输出脉冲宽度宽范围
施密特触发器的A和B输入
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
at
V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD74HC123E
CD74HCT123E
TEMP 。 RANGE (
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
16 Ld的PDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
PKG 。
E16.3
E16.3
E16.3
E16.3
M16.15
M16.15
M16.15
M16.15
引脚
CD74HC123 , CD74HCT123 , CD74HC423 , CD74HCT423
( PDIP , SOIC )
顶视图
1A 1
1B 2
1R 3
1Q 4
2Q 5
2C
X
6
2R
X
C
X
7
GND 8
16 V
CC
15 1R
X
C
X
14 1C
X
13 1Q
12 2Q
11 2R
10 2B
9 2A
CD74HC423E
CD74HCT423E
CD74HC123M
CD74HCT123M
CD74HC423M
CD74HCT423M
注意事项:
1,订货时,使用整个零件编号。添加SUF音响X 96
获得在磁带和卷轴的变种。
2.晶圆或死亡的这一部分数量可满足所有elec-
Trical公司规范。请联系您当地的销售办事处或
哈里斯的客户服务订购信息。
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
1997年哈里斯公司
网络文件编号
1708.1
1
CD74HC123 , CD74HCT123 , CD74HC423 , CD74HCT423
工作原理图
1Cx
14
1Cx
1A
1
1B
2
1R
2R
2A
10
2B
2Cx
6
2Cx
2RxCx
7
2Rx
V
CC
MONO 2
12
2Q
3
11
9
5
2Q
MONO 1
4
1Q
15
1RxCx
13
1Q
1Rx
V
CC
真值表
输入
A
CD74HC/HCT123
H
X
L
X
L
CD74HC/HCT423
H
X
L
X
X
L
H
X
H
H
H
H
L
L
H
L
L
H
H
X
L
H
X
H
H
H
H
H
L
L
H
L
L
H
H
B
R
Q
输出
Q
注: H =高电平, L =低电压电平,
X =不在乎。
2
CD74HC123 , CD74HCT123 , CD74HC423 , CD74HCT423
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
cc或
I
GND
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻(典型,注3 )
θ
JA
(
o
C / W )
PDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
90
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
115
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
3.
θ
JA
测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
I
I
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
-
4
5.2
-
0
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
8
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
80
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
160
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
符号
V
I
(V)
I
O
(MA )
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
3
CD74HC123 , CD74HCT123 , CD74HC423 , CD74HCT423
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
I
I
I
CC
I
CC
V
CC
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
OL
V
IH
或V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
或V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
V
I
(V)
I
O
(MA )
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
V
CC
(V)
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
5.5
5.5
4.5
5.5
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
注:对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )特定网络阳离子是1.8毫安。
HCT输入负载表
输入
所有
单位负载
0.35
注:机组负荷为
I
CC
限制特定网络版的DC电气表,如
最大360μA 25
o
C.
用于交换特定网络阳离子前提条件
25
o
C
参数
HC类型
最小的投入,
脉冲宽度
A
t
WL
2
4.5
6
B
t
WH
2
4.5
6
100
20
17
100
20
17
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
125
25
21
125
25
21
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
150
30
26
150
30
26
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
符号
V
CC
(V)
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
典型值
最大
-55
o
C至125
o
C
典型值
最大
单位
4
CD74HC123 , CD74HCT123 , CD74HC423 , CD74HCT423
用于交换特定网络阳离子前提条件
(续)
25
o
C
参数
R
符号
t
WL
V
CC
(V)
2
4.5
6
A和B保持时间
t
H
2
4.5
6
复位移走时间
t
REM
2
4.5
6
重新触发时间数
R
X
= 10kΩ的,C
X
= 0
输出脉冲宽度
Q或Q
R
X
= 10kΩ的,C
X
= 10nF的
HCT类型
最小的投入,
脉冲宽度
A
B
R
A和B保持时间
复位移走时间
重新触发时间数
(注4 )
R
X
= 10kΩ的,C
X
= 0
输出脉冲宽度Q或Q
R
X
= 10kΩ的,C
X
= 10nF的
注意:
4.时间触发取决于R的值
X
和C
X
。输出脉冲宽度只能延长时主动 - 之间的时间
触发输入脉冲的沿的满足最小重新触发时间要求。
t
rT
t
W
5
5
-
40
50
-
-
50
-
38.7
63
-
-
51.3
-
38.2
76
-
-
51.8
ns
s
t
WH
t
WL
t
H
t
REM
5
5
-
t
WL
5
20
20
20
10
10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
25
25
25
13
13
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
30
30
30
15
15
-
-
-
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
40
-
50
38.7
-
51.3
38.2
-
51.8
s
t
W
5
t
rT
5
100
20
17
50
10
9
50
10
9
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
50
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-40
o
C至85
o
C
125
25
21
65
13
11
65
13
11
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
63
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-55
o
C至125
o
C
150
30
26
75
15
13
75
15
13
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
76
最大
150
30
26
75
15
13
75
15
13
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
5
CD54 / 74HC123 , CD54 / 74HCT123 ,
CD74HC423 , CD74HCT423
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS142F
1997年9月 - 修订2003年10月
高速CMOS逻辑双路可重触发
单稳态触发器与复位
订购信息
产品型号
CD54HC123F3A
CD54HCT123F3A
CD74HC123E
CD74HC123M
CD74HC123MT
CD74HC123M96
CD74HC123NSR
CD74HC123PW
CD74HC123PWR
CD74HC123PWT
CD74HC423E
CD74HC423M
CD74HC423MT
CD74HC423M96
CD74HC423NSR
CD74HCT123E
CD74HCT123M
CD74HCT123MT
CD74HCT123M96
CD74HCT423E
CD74HCT423MT
CD74HCT423M96
TEMP 。 RANGE (
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
特点
重写复位终止输出脉冲
[ /标题
(CD74
HC123
,
CD74
HCT12
3,
CD74
HC423
,
CD74
HCT42
3)
/子
拍摄对象
(高
速度
从上升或下降沿触发
Q和Q输出缓冲
独立的复位
输出脉冲宽度宽范围
施密特触发器的A和B输入
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
at
V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
描述
在“ HC123 ” HCT123 , CD74HC423和CD74HCT423是
双单稳态触发器与复位。它们都是
可再触发的,不同点只在于, 123类型可以是
由负到正复位脉冲触发;而
423型不具备此功能。外部电阻器(R
X
)
和一个外部电容器(C
X
)控制的定时和
精度的电路。接收和C调整
X
提供
宽范围的输出脉冲的宽度从Q和Q
终端。脉冲触发的A和B输入发生在
特定的电压电平,并且不涉及到的上升和下降
触发脉冲的时间。
一旦被触发,输出脉冲宽度可通过延长
重新触发输入端A和B的输出脉冲可
由上电复位( R) - 管脚低电平终止。尾随
边沿触发( A)和前缘触发(B )输入
提供了用于从输入的任一边沿触发
脉搏。如果任一单未使用的每个输入上的未用
装置( A,B和R) ,必须终止高还是低。
外部电阻的最小值, R x是典型地
5kΩ的。最小值外部电容, CX ,是0pF 。
计算的脉冲宽度为t
W
= 0.45 R
X
C
X
at
V
CC
= 5V.
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF网络XES 96
而R表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示小量
卷轴250 。
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD54 / 74HC123 , CD54 / 74HCT123 , CD74HC423 , CD74HCT423
引脚
CD54HC123 , CD54HCT123
( CERDIP )
CD74HC123
( PDIP , SOIC , SOP , TSSOP )
CD74HC423
( PDIP , SOIC , SOP )
CD74HCT123 , CD74HCT423
( PDIP , SOIC )
顶视图
1A 1
1B 2
1R 3
1Q 4
2Q 5
2C
X
6
2R
X
C
X
7
GND 8
16 V
CC
15 1R
X
C
X
14 1C
X
13 1Q
12 2Q
11 2R
10 2B
9 2A
2B
2Cx
6
2Cx
2RxCx
7
2Rx
V
CC
2R
2A
10
MONO 2
12
2Q
工作原理图
1Cx
14
1Cx
1A
1
1B
2
1R
3
11
9
5
2Q
MONO 1
4
1Q
15
1RxCx
13
1Q
1Rx
V
CC
真值表
输入
A
CD74HC/HCT123
H
X
L
X
L
CD74HC/HCT423
H
X
L
X
X
L
H
X
H
H
H
H
L
L
H
L
L
H
H
X
L
H
X
H
H
H
H
H
L
L
H
L
L
H
H
B
R
Q
输出
Q
H =高电平, L =低电压电平,
X =不在乎。
2
CD54 / 74HC123 , CD54 / 74HCT123 , CD74HC423 , CD74HCT423
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
cc或
I
GND
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
封装的热阻抗,
θ
JA
(见注1 ) :
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 67
o
C / W
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 73
o
C / W
NS ( SOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 64
o
C / W
PW ( TSSOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 108
o
C / W
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
I
I
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
-
4
5.2
-
0
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
8
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
80
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
160
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
符号
V
I
(V)
I
O
(MA )
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
3
CD54 / 74HC123 , CD54 / 74HCT123 , CD74HC423 , CD74HCT423
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
注意:
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
(注2 )
V
CC
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
OL
V
IH
或V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
或V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
V
I
(V)
I
O
(MA )
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
V
CC
(V)
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
5.5
5.5
4.5
5.5
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
HCT输入负载表
输入
所有
单位负载
0.35
注:机组负荷为
I
CC
限制特定网络版的DC电气表,如
最大360μA 25
o
C.
用于交换特定网络阳离子前提条件
25
o
C
参数
HC类型
最小的投入,
脉冲宽度
A
t
WL
2
4.5
6
B
t
WH
2
4.5
6
100
20
17
100
20
17
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
125
25
21
125
25
21
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
150
30
26
150
30
26
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
符号
V
CC
(V)
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
典型值
最大
-55
o
C至125
o
C
典型值
最大
单位
4
CD54 / 74HC123 , CD54 / 74HCT123 , CD74HC423 , CD74HCT423
用于交换特定网络阳离子前提条件
(续)
25
o
C
参数
R
符号
t
WL
V
CC
(V)
2
4.5
6
A和B保持时间
t
H
2
4.5
6
复位移走时间
t
REM
2
4.5
6
重新触发时间数
R
X
= 10kΩ的,C
X
= 0
输出脉冲宽度
Q或Q
R
X
= 10kΩ的,C
X
= 10nF的
HCT类型
最小的投入,
脉冲宽度
A
B
R
A和B保持时间
复位移走时间
重新触发时间数
(注3)
R
X
= 10kΩ的,C
X
= 0
输出脉冲宽度Q或Q
R
X
= 10kΩ的,C
X
= 10nF的
注意:
3.时间触发取决于R的值
X
和C
X
。输出脉冲宽度只能延长时主动 - 之间的时间
触发输入脉冲的沿的满足最小重新触发时间要求。
t
rT
t
W
5
5
-
40
50
-
-
50
-
38.7
63
-
-
51.3
-
38.2
76
-
-
51.8
ns
s
t
WH
t
WL
t
H
t
REM
5
5
-
t
WL
5
20
20
20
10
10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
25
25
25
13
13
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
30
30
30
15
15
-
-
-
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
40
-
50
38.7
-
51.3
38.2
-
51.8
s
t
W
5
t
rT
5
100
20
17
50
10
9
50
10
9
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
50
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-40
o
C至85
o
C
125
25
21
65
13
11
65
13
11
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
63
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-55
o
C至125
o
C
150
30
26
75
15
13
75
15
13
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
76
最大
150
30
26
75
15
13
75
15
13
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
5
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS142
CD74HC123 , CD74HCT123 ,
CD74HC423 , CD74HCT423
高速CMOS逻辑双路可重触发
单稳态触发器与复位
描述
哈里斯CD74HC123 , CD74HCT123 , CD74HC423和
CD74HCT423是双单稳态触发器与
复位。它们都是可重触发的和唯一的不同之处在于
123类型可以由负到正复位触发
脉冲;而423型不具备此功能。一
外部电阻器(R
X
)和一个外部电容器(C
X
)控制
的定时和用于电路的准确性。接收调整
和C
X
提供从各种输出脉冲宽度的
在Q和Q端。脉冲触发的A和B
输入发生在特定的电压电平,并且不涉及到
触发脉冲的上升和下降时间。
一旦被触发,输出脉冲宽度可通过延长
重新触发输入端A和B的输出脉冲可
由上电复位( R) - 管脚低电平终止。尾随
边沿触发( A)和前缘触发(B )输入
提供了用于从输入的任一边沿触发
脉搏。如果任一单未使用的每个输入上的未用
装置( A,B和R) ,必须终止高还是低。
外部电阻的最小值, R x是通常为5kΩ的。
最小值外接电容,C
X
是0pF 。该
对于脉冲宽度的计算是叔
W
= 0.45 R
X
C
X
在V
CC
= 5V.
1997年9月
特点
重写复位终止输出脉冲
从上升或下降沿触发
Q和Q输出缓冲
独立的复位
输出脉冲宽度宽范围
施密特触发器的A和B输入
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
at
V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
[ /标题
(CD74
HC123
,
CD74
HCT12
3,
CD74
HC423
,
CD74
HCT42
3)
/子
拍摄对象
(高
速度
订购信息
产品型号
CD74HC123E
CD74HCT123E
TEMP 。 RANGE (
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
16 Ld的PDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
PKG 。
E16.3
E16.3
E16.3
E16.3
M16.15
M16.15
M16.15
M16.15
引脚
CD74HC123 , CD74HCT123 , CD74HC423 , CD74HCT423
( PDIP , SOIC )
顶视图
1A 1
1B 2
1R 3
1Q 4
2Q 5
2C
X
6
2R
X
C
X
7
GND 8
16 V
CC
15 1R
X
C
X
14 1C
X
13 1Q
12 2Q
11 2R
10 2B
9 2A
CD74HC423E
CD74HCT423E
CD74HC123M
CD74HCT123M
CD74HC423M
CD74HCT423M
注意事项:
1,订货时,使用整个零件编号。添加SUF音响X 96
获得在磁带和卷轴的变种。
2.晶圆或死亡的这一部分数量可满足所有elec-
Trical公司规范。请联系您当地的销售办事处或
哈里斯的客户服务订购信息。
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
1997年哈里斯公司
网络文件编号
1708.1
1
CD74HC123 , CD74HCT123 , CD74HC423 , CD74HCT423
工作原理图
1Cx
14
1Cx
1A
1
1B
2
1R
2R
2A
10
2B
2Cx
6
2Cx
2RxCx
7
2Rx
V
CC
MONO 2
12
2Q
3
11
9
5
2Q
MONO 1
4
1Q
15
1RxCx
13
1Q
1Rx
V
CC
真值表
输入
A
CD74HC/HCT123
H
X
L
X
L
CD74HC/HCT423
H
X
L
X
X
L
H
X
H
H
H
H
L
L
H
L
L
H
H
X
L
H
X
H
H
H
H
H
L
L
H
L
L
H
H
B
R
Q
输出
Q
注: H =高电平, L =低电压电平,
X =不在乎。
2
CD74HC123 , CD74HCT123 , CD74HC423 , CD74HCT423
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
cc或
I
GND
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻(典型,注3 )
θ
JA
(
o
C / W )
PDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
90
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
115
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
3.
θ
JA
测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
I
I
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
-
4
5.2
-
0
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
8
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
80
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
160
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
符号
V
I
(V)
I
O
(MA )
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
3
CD74HC123 , CD74HCT123 , CD74HC423 , CD74HCT423
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
I
I
I
CC
I
CC
V
CC
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
OL
V
IH
或V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
或V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
V
I
(V)
I
O
(MA )
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
V
CC
(V)
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
5.5
5.5
4.5
5.5
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
注:对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )特定网络阳离子是1.8毫安。
HCT输入负载表
输入
所有
单位负载
0.35
注:机组负荷为
I
CC
限制特定网络版的DC电气表,如
最大360μA 25
o
C.
用于交换特定网络阳离子前提条件
25
o
C
参数
HC类型
最小的投入,
脉冲宽度
A
t
WL
2
4.5
6
B
t
WH
2
4.5
6
100
20
17
100
20
17
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
125
25
21
125
25
21
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
150
30
26
150
30
26
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
符号
V
CC
(V)
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
典型值
最大
-55
o
C至125
o
C
典型值
最大
单位
4
CD74HC123 , CD74HCT123 , CD74HC423 , CD74HCT423
用于交换特定网络阳离子前提条件
(续)
25
o
C
参数
R
符号
t
WL
V
CC
(V)
2
4.5
6
A和B保持时间
t
H
2
4.5
6
复位移走时间
t
REM
2
4.5
6
重新触发时间数
R
X
= 10kΩ的,C
X
= 0
输出脉冲宽度
Q或Q
R
X
= 10kΩ的,C
X
= 10nF的
HCT类型
最小的投入,
脉冲宽度
A
B
R
A和B保持时间
复位移走时间
重新触发时间数
(注4 )
R
X
= 10kΩ的,C
X
= 0
输出脉冲宽度Q或Q
R
X
= 10kΩ的,C
X
= 10nF的
注意:
4.时间触发取决于R的值
X
和C
X
。输出脉冲宽度只能延长时主动 - 之间的时间
触发输入脉冲的沿的满足最小重新触发时间要求。
t
rT
t
W
5
5
-
40
50
-
-
50
-
38.7
63
-
-
51.3
-
38.2
76
-
-
51.8
ns
s
t
WH
t
WL
t
H
t
REM
5
5
-
t
WL
5
20
20
20
10
10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
25
25
25
13
13
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
30
30
30
15
15
-
-
-
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
40
-
50
38.7
-
51.3
38.2
-
51.8
s
t
W
5
t
rT
5
100
20
17
50
10
9
50
10
9
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
50
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-40
o
C至85
o
C
125
25
21
65
13
11
65
13
11
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
63
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-55
o
C至125
o
C
150
30
26
75
15
13
75
15
13
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
76
最大
150
30
26
75
15
13
75
15
13
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
5
性S E M I C 0 N D ü (C T)
CD74HC123 , CD74HCT123 ,
CD74HC423 , CD74HCT423
高速CMOS逻辑双路可重触发
单稳态触发器与复位
描述
哈里斯CD74HC123 , CD74HCT123 , CD74HC423和
CD74HCT423是双单稳态触发器与
复位。它们都是可重触发的和唯一的不同之处在于
123类型可以由负到正复位触发
脉冲;而423型不具备此功能。一
外部电阻器(R
X
)和一个外部电容器(C
X
)控制
的定时和用于电路的准确性。接收调整
和C
X
提供从各种输出脉冲宽度的
在Q和Q端。脉冲触发的A和B
输入发生在特定的电压电平,并且不涉及到
触发脉冲的上升和下降时间。
一旦被触发,输出脉冲宽度可通过延长
重新触发输入端A和B的输出脉冲可
由上电复位( R) - 管脚低电平终止。尾随
边沿触发( A)和前缘触发(B )输入
提供了用于从输入的任一边沿触发
脉搏。如果任一单未使用的每个输入上的未用
装置( A,B和R) ,必须终止高还是低。
外部电阻的最小值, R x是通常为5kΩ的。
最小值外接电容,C
X
是0pF 。该
对于脉冲宽度的计算是叔
W
= 0.45 R
X
C
X
在V
CC
= 5V.
1997年9月
特点
重写复位终止输出脉冲
从上升或下降沿触发
Q和Q输出缓冲
独立的复位
输出脉冲宽度宽范围
施密特触发器的A和B输入
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
at
V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD74HC123E
CD74HCT123E
TEMP 。 RANGE (
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
16 Ld的PDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
PKG 。
E16.3
E16.3
E16.3
E16.3
M16.15
M16.15
M16.15
M16.15
引脚
CD74HC123 , CD74HCT123 , CD74HC423 , CD74HCT423
( PDIP , SOIC )
顶视图
1A 1
1B 2
1R 3
1Q 4
2Q 5
2C
X
6
2R
X
C
X
7
GND 8
16 V
CC
15 1R
X
C
X
14 1C
X
13 1Q
12 2Q
11 2R
10 2B
9 2A
CD74HC423E
CD74HCT423E
CD74HC123M
CD74HCT123M
CD74HC423M
CD74HCT423M
注意事项:
1,订货时,使用整个零件编号。添加SUF音响X 96
获得在磁带和卷轴的变种。
2.晶圆或死亡的这一部分数量可满足所有elec-
Trical公司规范。请联系您当地的销售办事处或
哈里斯的客户服务订购信息。
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
1997年哈里斯公司
网络文件编号
1708.1
1
CD74HC123 , CD74HCT123 , CD74HC423 , CD74HCT423
工作原理图
1Cx
14
1Cx
1A
1
1B
2
1R
2R
2A
10
2B
2Cx
6
2Cx
2RxCx
7
2Rx
V
CC
MONO 2
12
2Q
3
11
9
5
2Q
MONO 1
4
1Q
15
1RxCx
13
1Q
1Rx
V
CC
真值表
输入
A
CD74HC/HCT123
H
X
L
X
L
CD74HC/HCT423
H
X
L
X
X
L
H
X
H
H
H
H
L
L
H
L
L
H
H
X
L
H
X
H
H
H
H
H
L
L
H
L
L
H
H
B
R
Q
输出
Q
注: H =高电平, L =低电压电平,
X =不在乎。
2
CD74HC123 , CD74HCT123 , CD74HC423 , CD74HCT423
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
cc或
I
GND
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻(典型,注3 )
θ
JA
(
o
C / W )
PDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
90
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
115
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
3.
θ
JA
测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
I
I
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
-
4
5.2
-
0
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
8
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
80
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
160
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
符号
V
I
(V)
I
O
(MA )
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
3
CD74HC123 , CD74HCT123 , CD74HC423 , CD74HCT423
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
I
I
I
CC
I
CC
V
CC
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
OL
V
IH
或V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
或V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
V
I
(V)
I
O
(MA )
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
V
CC
(V)
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
5.5
5.5
4.5
5.5
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
注:对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )特定网络阳离子是1.8毫安。
HCT输入负载表
输入
所有
单位负载
0.35
注:机组负荷为
I
CC
限制特定网络版的DC电气表,如
最大360μA 25
o
C.
用于交换特定网络阳离子前提条件
25
o
C
参数
HC类型
最小的投入,
脉冲宽度
A
t
WL
2
4.5
6
B
t
WH
2
4.5
6
100
20
17
100
20
17
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
125
25
21
125
25
21
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
150
30
26
150
30
26
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
符号
V
CC
(V)
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
典型值
最大
-55
o
C至125
o
C
典型值
最大
单位
4
CD74HC123 , CD74HCT123 , CD74HC423 , CD74HCT423
用于交换特定网络阳离子前提条件
(续)
25
o
C
参数
R
符号
t
WL
V
CC
(V)
2
4.5
6
A和B保持时间
t
H
2
4.5
6
复位移走时间
t
REM
2
4.5
6
重新触发时间数
R
X
= 10kΩ的,C
X
= 0
输出脉冲宽度
Q或Q
R
X
= 10kΩ的,C
X
= 10nF的
HCT类型
最小的投入,
脉冲宽度
A
B
R
A和B保持时间
复位移走时间
重新触发时间数
(注4 )
R
X
= 10kΩ的,C
X
= 0
输出脉冲宽度Q或Q
R
X
= 10kΩ的,C
X
= 10nF的
注意:
4.时间触发取决于R的值
X
和C
X
。输出脉冲宽度只能延长时主动 - 之间的时间
触发输入脉冲的沿的满足最小重新触发时间要求。
t
rT
t
W
5
5
-
40
50
-
-
50
-
38.7
63
-
-
51.3
-
38.2
76
-
-
51.8
ns
s
t
WH
t
WL
t
H
t
REM
5
5
-
t
WL
5
20
20
20
10
10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
25
25
25
13
13
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
30
30
30
15
15
-
-
-
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
40
-
50
38.7
-
51.3
38.2
-
51.8
s
t
W
5
t
rT
5
100
20
17
50
10
9
50
10
9
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
50
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-40
o
C至85
o
C
125
25
21
65
13
11
65
13
11
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
63
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-55
o
C至125
o
C
150
30
26
75
15
13
75
15
13
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
76
最大
150
30
26
75
15
13
75
15
13
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
5
CD54 / 74HC123 , CD54 / 74HCT123 ,
CD74HC423 , CD74HCT423
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS142F
1997年9月 - 修订2003年10月
高速CMOS逻辑双路可重触发
单稳态触发器与复位
订购信息
产品型号
CD54HC123F3A
CD54HCT123F3A
CD74HC123E
CD74HC123M
CD74HC123MT
CD74HC123M96
CD74HC123NSR
CD74HC123PW
CD74HC123PWR
CD74HC123PWT
CD74HC423E
CD74HC423M
CD74HC423MT
CD74HC423M96
CD74HC423NSR
CD74HCT123E
CD74HCT123M
CD74HCT123MT
CD74HCT123M96
CD74HCT423E
CD74HCT423MT
CD74HCT423M96
TEMP 。 RANGE (
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
特点
重写复位终止输出脉冲
[ /标题
(CD74
HC123
,
CD74
HCT12
3,
CD74
HC423
,
CD74
HCT42
3)
/子
拍摄对象
(高
速度
从上升或下降沿触发
Q和Q输出缓冲
独立的复位
输出脉冲宽度宽范围
施密特触发器的A和B输入
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
at
V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
描述
在“ HC123 ” HCT123 , CD74HC423和CD74HCT423是
双单稳态触发器与复位。它们都是
可再触发的,不同点只在于, 123类型可以是
由负到正复位脉冲触发;而
423型不具备此功能。外部电阻器(R
X
)
和一个外部电容器(C
X
)控制的定时和
精度的电路。接收和C调整
X
提供
宽范围的输出脉冲的宽度从Q和Q
终端。脉冲触发的A和B输入发生在
特定的电压电平,并且不涉及到的上升和下降
触发脉冲的时间。
一旦被触发,输出脉冲宽度可通过延长
重新触发输入端A和B的输出脉冲可
由上电复位( R) - 管脚低电平终止。尾随
边沿触发( A)和前缘触发(B )输入
提供了用于从输入的任一边沿触发
脉搏。如果任一单未使用的每个输入上的未用
装置( A,B和R) ,必须终止高还是低。
外部电阻的最小值, R x是典型地
5kΩ的。最小值外部电容, CX ,是0pF 。
计算的脉冲宽度为t
W
= 0.45 R
X
C
X
at
V
CC
= 5V.
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF网络XES 96
而R表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示小量
卷轴250 。
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD54 / 74HC123 , CD54 / 74HCT123 , CD74HC423 , CD74HCT423
引脚
CD54HC123 , CD54HCT123
( CERDIP )
CD74HC123
( PDIP , SOIC , SOP , TSSOP )
CD74HC423
( PDIP , SOIC , SOP )
CD74HCT123 , CD74HCT423
( PDIP , SOIC )
顶视图
1A 1
1B 2
1R 3
1Q 4
2Q 5
2C
X
6
2R
X
C
X
7
GND 8
16 V
CC
15 1R
X
C
X
14 1C
X
13 1Q
12 2Q
11 2R
10 2B
9 2A
2B
2Cx
6
2Cx
2RxCx
7
2Rx
V
CC
2R
2A
10
MONO 2
12
2Q
工作原理图
1Cx
14
1Cx
1A
1
1B
2
1R
3
11
9
5
2Q
MONO 1
4
1Q
15
1RxCx
13
1Q
1Rx
V
CC
真值表
输入
A
CD74HC/HCT123
H
X
L
X
L
CD74HC/HCT423
H
X
L
X
X
L
H
X
H
H
H
H
L
L
H
L
L
H
H
X
L
H
X
H
H
H
H
H
L
L
H
L
L
H
H
B
R
Q
输出
Q
H =高电平, L =低电压电平,
X =不在乎。
2
CD54 / 74HC123 , CD54 / 74HCT123 , CD74HC423 , CD74HCT423
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
cc或
I
GND
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
封装的热阻抗,
θ
JA
(见注1 ) :
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 67
o
C / W
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 73
o
C / W
NS ( SOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 64
o
C / W
PW ( TSSOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 108
o
C / W
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
I
I
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
-
4
5.2
-
0
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
8
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
80
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
160
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
符号
V
I
(V)
I
O
(MA )
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
3
CD54 / 74HC123 , CD54 / 74HCT123 , CD74HC423 , CD74HCT423
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
注意:
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
(注2 )
V
CC
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
OL
V
IH
或V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
或V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
V
I
(V)
I
O
(MA )
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
V
CC
(V)
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
5.5
5.5
4.5
5.5
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
HCT输入负载表
输入
所有
单位负载
0.35
注:机组负荷为
I
CC
限制特定网络版的DC电气表,如
最大360μA 25
o
C.
用于交换特定网络阳离子前提条件
25
o
C
参数
HC类型
最小的投入,
脉冲宽度
A
t
WL
2
4.5
6
B
t
WH
2
4.5
6
100
20
17
100
20
17
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
125
25
21
125
25
21
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
150
30
26
150
30
26
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
符号
V
CC
(V)
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
典型值
最大
-55
o
C至125
o
C
典型值
最大
单位
4
CD54 / 74HC123 , CD54 / 74HCT123 , CD74HC423 , CD74HCT423
用于交换特定网络阳离子前提条件
(续)
25
o
C
参数
R
符号
t
WL
V
CC
(V)
2
4.5
6
A和B保持时间
t
H
2
4.5
6
复位移走时间
t
REM
2
4.5
6
重新触发时间数
R
X
= 10kΩ的,C
X
= 0
输出脉冲宽度
Q或Q
R
X
= 10kΩ的,C
X
= 10nF的
HCT类型
最小的投入,
脉冲宽度
A
B
R
A和B保持时间
复位移走时间
重新触发时间数
(注3)
R
X
= 10kΩ的,C
X
= 0
输出脉冲宽度Q或Q
R
X
= 10kΩ的,C
X
= 10nF的
注意:
3.时间触发取决于R的值
X
和C
X
。输出脉冲宽度只能延长时主动 - 之间的时间
触发输入脉冲的沿的满足最小重新触发时间要求。
t
rT
t
W
5
5
-
40
50
-
-
50
-
38.7
63
-
-
51.3
-
38.2
76
-
-
51.8
ns
s
t
WH
t
WL
t
H
t
REM
5
5
-
t
WL
5
20
20
20
10
10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
25
25
25
13
13
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
30
30
30
15
15
-
-
-
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
40
-
50
38.7
-
51.3
38.2
-
51.8
s
t
W
5
t
rT
5
100
20
17
50
10
9
50
10
9
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
50
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-40
o
C至85
o
C
125
25
21
65
13
11
65
13
11
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
63
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-55
o
C至125
o
C
150
30
26
75
15
13
75
15
13
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
76
最大
150
30
26
75
15
13
75
15
13
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
5
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS142
CD74HC123 , CD74HCT123 ,
CD74HC423 , CD74HCT423
高速CMOS逻辑双路可重触发
单稳态触发器与复位
描述
哈里斯CD74HC123 , CD74HCT123 , CD74HC423和
CD74HCT423是双单稳态触发器与
复位。它们都是可重触发的和唯一的不同之处在于
123类型可以由负到正复位触发
脉冲;而423型不具备此功能。一
外部电阻器(R
X
)和一个外部电容器(C
X
)控制
的定时和用于电路的准确性。接收调整
和C
X
提供从各种输出脉冲宽度的
在Q和Q端。脉冲触发的A和B
输入发生在特定的电压电平,并且不涉及到
触发脉冲的上升和下降时间。
一旦被触发,输出脉冲宽度可通过延长
重新触发输入端A和B的输出脉冲可
由上电复位( R) - 管脚低电平终止。尾随
边沿触发( A)和前缘触发(B )输入
提供了用于从输入的任一边沿触发
脉搏。如果任一单未使用的每个输入上的未用
装置( A,B和R) ,必须终止高还是低。
外部电阻的最小值, R x是通常为5kΩ的。
最小值外接电容,C
X
是0pF 。该
对于脉冲宽度的计算是叔
W
= 0.45 R
X
C
X
在V
CC
= 5V.
1997年9月
特点
重写复位终止输出脉冲
从上升或下降沿触发
Q和Q输出缓冲
独立的复位
输出脉冲宽度宽范围
施密特触发器的A和B输入
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
at
V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
[ /标题
(CD74
HC123
,
CD74
HCT12
3,
CD74
HC423
,
CD74
HCT42
3)
/子
拍摄对象
(高
速度
订购信息
产品型号
CD74HC123E
CD74HCT123E
TEMP 。 RANGE (
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
16 Ld的PDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
PKG 。
E16.3
E16.3
E16.3
E16.3
M16.15
M16.15
M16.15
M16.15
引脚
CD74HC123 , CD74HCT123 , CD74HC423 , CD74HCT423
( PDIP , SOIC )
顶视图
1A 1
1B 2
1R 3
1Q 4
2Q 5
2C
X
6
2R
X
C
X
7
GND 8
16 V
CC
15 1R
X
C
X
14 1C
X
13 1Q
12 2Q
11 2R
10 2B
9 2A
CD74HC423E
CD74HCT423E
CD74HC123M
CD74HCT123M
CD74HC423M
CD74HCT423M
注意事项:
1,订货时,使用整个零件编号。添加SUF音响X 96
获得在磁带和卷轴的变种。
2.晶圆或死亡的这一部分数量可满足所有elec-
Trical公司规范。请联系您当地的销售办事处或
哈里斯的客户服务订购信息。
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
1997年哈里斯公司
网络文件编号
1708.1
1
CD74HC123 , CD74HCT123 , CD74HC423 , CD74HCT423
工作原理图
1Cx
14
1Cx
1A
1
1B
2
1R
2R
2A
10
2B
2Cx
6
2Cx
2RxCx
7
2Rx
V
CC
MONO 2
12
2Q
3
11
9
5
2Q
MONO 1
4
1Q
15
1RxCx
13
1Q
1Rx
V
CC
真值表
输入
A
CD74HC/HCT123
H
X
L
X
L
CD74HC/HCT423
H
X
L
X
X
L
H
X
H
H
H
H
L
L
H
L
L
H
H
X
L
H
X
H
H
H
H
H
L
L
H
L
L
H
H
B
R
Q
输出
Q
注: H =高电平, L =低电压电平,
X =不在乎。
2
CD74HC123 , CD74HCT123 , CD74HC423 , CD74HCT423
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
cc或
I
GND
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻(典型,注3 )
θ
JA
(
o
C / W )
PDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
90
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
115
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
3.
θ
JA
测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
I
I
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
-
4
5.2
-
0
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
8
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
80
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
160
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
符号
V
I
(V)
I
O
(MA )
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
3
CD74HC123 , CD74HCT123 , CD74HC423 , CD74HCT423
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
I
I
I
CC
I
CC
V
CC
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
OL
V
IH
或V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
或V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
V
I
(V)
I
O
(MA )
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
V
CC
(V)
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
5.5
5.5
4.5
5.5
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
注:对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )特定网络阳离子是1.8毫安。
HCT输入负载表
输入
所有
单位负载
0.35
注:机组负荷为
I
CC
限制特定网络版的DC电气表,如
最大360μA 25
o
C.
用于交换特定网络阳离子前提条件
25
o
C
参数
HC类型
最小的投入,
脉冲宽度
A
t
WL
2
4.5
6
B
t
WH
2
4.5
6
100
20
17
100
20
17
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
125
25
21
125
25
21
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
150
30
26
150
30
26
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
符号
V
CC
(V)
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
典型值
最大
-55
o
C至125
o
C
典型值
最大
单位
4
CD74HC123 , CD74HCT123 , CD74HC423 , CD74HCT423
用于交换特定网络阳离子前提条件
(续)
25
o
C
参数
R
符号
t
WL
V
CC
(V)
2
4.5
6
A和B保持时间
t
H
2
4.5
6
复位移走时间
t
REM
2
4.5
6
重新触发时间数
R
X
= 10kΩ的,C
X
= 0
输出脉冲宽度
Q或Q
R
X
= 10kΩ的,C
X
= 10nF的
HCT类型
最小的投入,
脉冲宽度
A
B
R
A和B保持时间
复位移走时间
重新触发时间数
(注4 )
R
X
= 10kΩ的,C
X
= 0
输出脉冲宽度Q或Q
R
X
= 10kΩ的,C
X
= 10nF的
注意:
4.时间触发取决于R的值
X
和C
X
。输出脉冲宽度只能延长时主动 - 之间的时间
触发输入脉冲的沿的满足最小重新触发时间要求。
t
rT
t
W
5
5
-
40
50
-
-
50
-
38.7
63
-
-
51.3
-
38.2
76
-
-
51.8
ns
s
t
WH
t
WL
t
H
t
REM
5
5
-
t
WL
5
20
20
20
10
10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
25
25
25
13
13
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
30
30
30
15
15
-
-
-
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
40
-
50
38.7
-
51.3
38.2
-
51.8
s
t
W
5
t
rT
5
100
20
17
50
10
9
50
10
9
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
50
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-40
o
C至85
o
C
125
25
21
65
13
11
65
13
11
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
63
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-55
o
C至125
o
C
150
30
26
75
15
13
75
15
13
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
76
最大
150
30
26
75
15
13
75
15
13
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
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    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    CD74HCT123E
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    -
    -
    -
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联系人:郭
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21+
1000
DSBGA-30
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联系人:小邹
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CD74HCT123E
TI
25+
5630
原厂封装
只做原装★全系列销售★优势供应
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联系人:李
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TI/德州仪器
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24+
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联系人:李小姐
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