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CD54HC109 , CD74HC109 ,
CD54HCT109 , CD74HCT109
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS140E
1998年3月 - 修订2003年10月
双J- K触发器具有置位和复位
上升沿触发
描述
在“ HC109和” HCT109是双JK IP- FL佛罗里达州与OPS和集
复位。在IP- FL佛罗里达州运改变状态的积极转变
时钟( 1CP和2CP ) 。
在IP- FL FL OP设置和低电平有效的S和R复位,
分别。低上都置位和复位输入
同时将迫使Q和Q输出高电平。
然而,无论置位和复位同时将高
结果,在一个不可预知的输出条件。
特点
异步置位和复位
[ /标题
(CD74H
C109,
CD74H
CT109)
/主题
(双J-
倒装
拍击
与集
RESET
施密特触发器时钟输入
典型F
最大
=在V 54MHz的
CC
= 5V ,C
L
= 15pF的,
T
A
= 25
o
C
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC109F3A
CD54HCT109F3A
CD74HC109E
CD74HC109M
CD74HC109MT
CD74HC109M96
CD74HCT109E
CD74HCT109M
CD74HCT109MT
CD74HCT109M96
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
引脚
CD54HC109 , CD54HCT109
( CERDIP )
CD74HC109 , CD74HCT109
( PDIP , SOIC )
顶视图
1R 1
1J 2
1K 3
1CP 4
1S 5
1Q 6
1Q 7
GND 8
16 V
CC
15 2R
14 2J
13 2K
12 2CP
11 2S
10 2Q
9 2Q
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF科幻×96
表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示的小批量卷轴
250.
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD54HC109 , CD74HC109 , CD54HCT109 , CD74HCT109
工作原理图
1S
1J
1K
1CP
1R
5
2
3
4
1
F/F 1
6
1Q
7
1Q
2S
2J
2K
2CP
2R
11
14
13
12
15
F/F 2
10
2Q
9
2Q
GND = 8
V
CC
= 16
真值表
输入
S
L
H
L
H
H
H
H
H
R
H
L
L
H
H
H
H
H
CP
X
X
X
J
X
X
X
L
H
L
H
X
K
X
X
X
L
L
H
H
X
H
没有变化
Q
H
L
H(注1 )
L
切换
没有变化
L
输出
Q
L
H
H(注1 )
H
L
H =高级别(稳态)
L =低电平(稳态)
X =无关
=低到高的转变
注意:
如果S和R两个变高同时1.不可预测和不稳定的条件
逻辑图
5(11)
S
2(14)
J
3(13)
K
4(12)
CP
1(15)
R
16
V
CC
GND
8
6(10)
Q
7(9)
Q
S
FF
K
CL
CL
Q
R Q
2
CD54HC109 , CD74HC109 , CD54HCT109 , CD74HCT109
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流,每个输出,我
O
为-0.5V < V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻(典型,注2 )
θ
JA
(
o
C / W )
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
67
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
73
最高结温(密封包装或死亡) 。 。 。 175
o
C
最高结温(塑料封装) 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围,T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
C
P
输入上升和下降时间,t
r
, t
f
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.0ms的(最大)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.0ms的(最大)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.0ms的(最大)
输入上升和下降时间(所有输入除C
P
), t
r
, t
f
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
2.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
V
OH
V
IH
or
V
IL
-0.02
2
4.5
6
-
-4
-5.2
-
4.5
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.96
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
符号
V
I
(V)
I
O
(毫安)V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
最大
-55
o
C至125
o
C
最大
单位
3
CD54HC109 , CD74HC109 , CD54HCT109 , CD74HCT109
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
注意:
3.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
I
I
V
CC
GND
V
CC
or
GND
V
CC
- 2.1
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
or
V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
I
I
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
符号
V
OL
V
I
(V)
V
IH
or
V
IL
I
O
(毫安)V
CC
(V)
0.02
2
4.5
6
-
4
5.2
-
0
-
4.5
6
6
6
-
-
-
-
-
-
-
-
25
o
C
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
4
-40
o
C至85
o
C
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
40
-55
o
C至125
o
C
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
80
单位
V
V
V
V
V
V
A
A
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4
4.5
4.5
-
-
-
-
0.1
0.26
-
-
0.1
0.33
-
-
0.1
0.4
V
V
-
5.5
-
±0.1
-
±1
-
±1
A
I
CC
I
CC
(注3)
0
-
5.5
4.5
5.5
-
-
-
100
4
360
-
-
40
450
-
-
80
490
A
A
HCT输入负载表
输入
所有
单位负载
0.3
注:机组负荷为
I
CC
在直流电气连接特定钙限制特定网络版
系统蒸发散表,例如, 360μA最大值在25
o
C.
4
CD54HC109 , CD74HC109 , CD54HCT109 , CD74HCT109
用于交换特定网络阳离子前提条件
参数
HC类型
建立时间J,K ,到CP
t
SU
-
2
4.5
6
保持时间J,K,给CP的
t
H
-
2
4.5
6
除去时间R,S,向CP
t
REM
-
2
4.5
6
脉冲宽度CP ,R,S
t
W
-
2
4.5
6
CP频率
f
最大
-
2
4.5
6
HCT类型
建立时间J,K为CP
保持时间J,K为CP
除去时间R,S,向CP
脉冲宽度CP ,R,S
CP频率
t
SU
t
H
t
REM
t
W
f
最大
-
-
-
-
-
4.5
4.5
4.5
4.5
4.5
18
3
18
18
27
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
23
3
23
23
22
-
-
-
-
-
27
3
27
27
18
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
兆赫
80
16
14
5
5
5
80
16
14
80
16
14
6
30
35
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
100
20
17
5
5
5
100
20
17
100
20
17
5
25
29
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
120
24
20
5
5
5
120
24
20
120
24
20
4
20
23
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
兆赫
兆赫
兆赫
符号
TEST
条件
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
参数
HC类型
传播延迟,
CP
Q, Q
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
传播延迟,
S
Q
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
传播延迟,
S
Q
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
2
4.5
5
6
2
4.5
5
6
2
4.5
5
6
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
14
-
-
-
9
-
-
-
13
-
175
35
-
30
120
24
-
20
155
31
-
26
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
220
44
-
37
150
30
-
26
195
39
-
33
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
265
53
-
45
180
36
-
31
235
47
-
40
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
符号
TEST
条件
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
5
CD54HC109 , CD74HC109 ,
CD54HCT109 , CD74HCT109
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS140E
1998年3月 - 修订2003年10月
双J- K触发器具有置位和复位
上升沿触发
描述
在“ HC109和” HCT109是双JK IP- FL佛罗里达州与OPS和集
复位。在IP- FL佛罗里达州运改变状态的积极转变
时钟( 1CP和2CP ) 。
在IP- FL FL OP设置和低电平有效的S和R复位,
分别。低上都置位和复位输入
同时将迫使Q和Q输出高电平。
然而,无论置位和复位同时将高
结果,在一个不可预知的输出条件。
特点
异步置位和复位
[ /标题
(CD74H
C109,
CD74H
CT109)
/主题
(双J-
倒装
拍击
与集
RESET
施密特触发器时钟输入
典型F
最大
=在V 54MHz的
CC
= 5V ,C
L
= 15pF的,
T
A
= 25
o
C
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC109F3A
CD54HCT109F3A
CD74HC109E
CD74HC109M
CD74HC109MT
CD74HC109M96
CD74HCT109E
CD74HCT109M
CD74HCT109MT
CD74HCT109M96
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
引脚
CD54HC109 , CD54HCT109
( CERDIP )
CD74HC109 , CD74HCT109
( PDIP , SOIC )
顶视图
1R 1
1J 2
1K 3
1CP 4
1S 5
1Q 6
1Q 7
GND 8
16 V
CC
15 2R
14 2J
13 2K
12 2CP
11 2S
10 2Q
9 2Q
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF科幻×96
表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示的小批量卷轴
250.
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD54HC109 , CD74HC109 , CD54HCT109 , CD74HCT109
工作原理图
1S
1J
1K
1CP
1R
5
2
3
4
1
F/F 1
6
1Q
7
1Q
2S
2J
2K
2CP
2R
11
14
13
12
15
F/F 2
10
2Q
9
2Q
GND = 8
V
CC
= 16
真值表
输入
S
L
H
L
H
H
H
H
H
R
H
L
L
H
H
H
H
H
CP
X
X
X
J
X
X
X
L
H
L
H
X
K
X
X
X
L
L
H
H
X
H
没有变化
Q
H
L
H(注1 )
L
切换
没有变化
L
输出
Q
L
H
H(注1 )
H
L
H =高级别(稳态)
L =低电平(稳态)
X =无关
=低到高的转变
注意:
如果S和R两个变高同时1.不可预测和不稳定的条件
逻辑图
5(11)
S
2(14)
J
3(13)
K
4(12)
CP
1(15)
R
16
V
CC
GND
8
6(10)
Q
7(9)
Q
S
FF
K
CL
CL
Q
R Q
2
CD54HC109 , CD74HC109 , CD54HCT109 , CD74HCT109
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流,每个输出,我
O
为-0.5V < V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻(典型,注2 )
θ
JA
(
o
C / W )
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
67
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
73
最高结温(密封包装或死亡) 。 。 。 175
o
C
最高结温(塑料封装) 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围,T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
C
P
输入上升和下降时间,t
r
, t
f
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.0ms的(最大)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.0ms的(最大)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.0ms的(最大)
输入上升和下降时间(所有输入除C
P
), t
r
, t
f
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
2.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
V
OH
V
IH
or
V
IL
-0.02
2
4.5
6
-
-4
-5.2
-
4.5
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.96
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
符号
V
I
(V)
I
O
(毫安)V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
最大
-55
o
C至125
o
C
最大
单位
3
CD54HC109 , CD74HC109 , CD54HCT109 , CD74HCT109
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
注意:
3.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
I
I
V
CC
GND
V
CC
or
GND
V
CC
- 2.1
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
or
V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
I
I
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
符号
V
OL
V
I
(V)
V
IH
or
V
IL
I
O
(毫安)V
CC
(V)
0.02
2
4.5
6
-
4
5.2
-
0
-
4.5
6
6
6
-
-
-
-
-
-
-
-
25
o
C
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
4
-40
o
C至85
o
C
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
40
-55
o
C至125
o
C
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
80
单位
V
V
V
V
V
V
A
A
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4
4.5
4.5
-
-
-
-
0.1
0.26
-
-
0.1
0.33
-
-
0.1
0.4
V
V
-
5.5
-
±0.1
-
±1
-
±1
A
I
CC
I
CC
(注3)
0
-
5.5
4.5
5.5
-
-
-
100
4
360
-
-
40
450
-
-
80
490
A
A
HCT输入负载表
输入
所有
单位负载
0.3
注:机组负荷为
I
CC
在直流电气连接特定钙限制特定网络版
系统蒸发散表,例如, 360μA最大值在25
o
C.
4
CD54HC109 , CD74HC109 , CD54HCT109 , CD74HCT109
用于交换特定网络阳离子前提条件
参数
HC类型
建立时间J,K ,到CP
t
SU
-
2
4.5
6
保持时间J,K,给CP的
t
H
-
2
4.5
6
除去时间R,S,向CP
t
REM
-
2
4.5
6
脉冲宽度CP ,R,S
t
W
-
2
4.5
6
CP频率
f
最大
-
2
4.5
6
HCT类型
建立时间J,K为CP
保持时间J,K为CP
除去时间R,S,向CP
脉冲宽度CP ,R,S
CP频率
t
SU
t
H
t
REM
t
W
f
最大
-
-
-
-
-
4.5
4.5
4.5
4.5
4.5
18
3
18
18
27
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
23
3
23
23
22
-
-
-
-
-
27
3
27
27
18
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
兆赫
80
16
14
5
5
5
80
16
14
80
16
14
6
30
35
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
100
20
17
5
5
5
100
20
17
100
20
17
5
25
29
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
120
24
20
5
5
5
120
24
20
120
24
20
4
20
23
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
兆赫
兆赫
兆赫
符号
TEST
条件
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
参数
HC类型
传播延迟,
CP
Q, Q
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
传播延迟,
S
Q
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
传播延迟,
S
Q
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
2
4.5
5
6
2
4.5
5
6
2
4.5
5
6
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
14
-
-
-
9
-
-
-
13
-
175
35
-
30
120
24
-
20
155
31
-
26
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
220
44
-
37
150
30
-
26
195
39
-
33
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
265
53
-
45
180
36
-
31
235
47
-
40
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
符号
TEST
条件
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
5
CD54HC109 , CD74HC109 ,
CD54HCT109 , CD74HCT109
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS140E
1998年3月 - 修订2003年10月
双J- K触发器具有置位和复位
上升沿触发
描述
在“ HC109和” HCT109是双JK IP- FL佛罗里达州与OPS和集
复位。在IP- FL佛罗里达州运改变状态的积极转变
时钟( 1CP和2CP ) 。
在IP- FL FL OP设置和低电平有效的S和R复位,
分别。低上都置位和复位输入
同时将迫使Q和Q输出高电平。
然而,无论置位和复位同时将高
结果,在一个不可预知的输出条件。
特点
异步置位和复位
[ /标题
(CD74H
C109,
CD74H
CT109)
/主题
(双J-
倒装
拍击
与集
RESET
施密特触发器时钟输入
典型F
最大
=在V 54MHz的
CC
= 5V ,C
L
= 15pF的,
T
A
= 25
o
C
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC109F3A
CD54HCT109F3A
CD74HC109E
CD74HC109M
CD74HC109MT
CD74HC109M96
CD74HCT109E
CD74HCT109M
CD74HCT109MT
CD74HCT109M96
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
引脚
CD54HC109 , CD54HCT109
( CERDIP )
CD74HC109 , CD74HCT109
( PDIP , SOIC )
顶视图
1R 1
1J 2
1K 3
1CP 4
1S 5
1Q 6
1Q 7
GND 8
16 V
CC
15 2R
14 2J
13 2K
12 2CP
11 2S
10 2Q
9 2Q
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF科幻×96
表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示的小批量卷轴
250.
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD54HC109 , CD74HC109 , CD54HCT109 , CD74HCT109
工作原理图
1S
1J
1K
1CP
1R
5
2
3
4
1
F/F 1
6
1Q
7
1Q
2S
2J
2K
2CP
2R
11
14
13
12
15
F/F 2
10
2Q
9
2Q
GND = 8
V
CC
= 16
真值表
输入
S
L
H
L
H
H
H
H
H
R
H
L
L
H
H
H
H
H
CP
X
X
X
J
X
X
X
L
H
L
H
X
K
X
X
X
L
L
H
H
X
H
没有变化
Q
H
L
H(注1 )
L
切换
没有变化
L
输出
Q
L
H
H(注1 )
H
L
H =高级别(稳态)
L =低电平(稳态)
X =无关
=低到高的转变
注意:
如果S和R两个变高同时1.不可预测和不稳定的条件
逻辑图
5(11)
S
2(14)
J
3(13)
K
4(12)
CP
1(15)
R
16
V
CC
GND
8
6(10)
Q
7(9)
Q
S
FF
K
CL
CL
Q
R Q
2
CD54HC109 , CD74HC109 , CD54HCT109 , CD74HCT109
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流,每个输出,我
O
为-0.5V < V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻(典型,注2 )
θ
JA
(
o
C / W )
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
67
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
73
最高结温(密封包装或死亡) 。 。 。 175
o
C
最高结温(塑料封装) 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围,T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
C
P
输入上升和下降时间,t
r
, t
f
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.0ms的(最大)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.0ms的(最大)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.0ms的(最大)
输入上升和下降时间(所有输入除C
P
), t
r
, t
f
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
2.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
V
OH
V
IH
or
V
IL
-0.02
2
4.5
6
-
-4
-5.2
-
4.5
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.96
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
符号
V
I
(V)
I
O
(毫安)V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
最大
-55
o
C至125
o
C
最大
单位
3
CD54HC109 , CD74HC109 , CD54HCT109 , CD74HCT109
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
注意:
3.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
I
I
V
CC
GND
V
CC
or
GND
V
CC
- 2.1
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
or
V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
I
I
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
符号
V
OL
V
I
(V)
V
IH
or
V
IL
I
O
(毫安)V
CC
(V)
0.02
2
4.5
6
-
4
5.2
-
0
-
4.5
6
6
6
-
-
-
-
-
-
-
-
25
o
C
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
4
-40
o
C至85
o
C
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
40
-55
o
C至125
o
C
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
80
单位
V
V
V
V
V
V
A
A
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4
4.5
4.5
-
-
-
-
0.1
0.26
-
-
0.1
0.33
-
-
0.1
0.4
V
V
-
5.5
-
±0.1
-
±1
-
±1
A
I
CC
I
CC
(注3)
0
-
5.5
4.5
5.5
-
-
-
100
4
360
-
-
40
450
-
-
80
490
A
A
HCT输入负载表
输入
所有
单位负载
0.3
注:机组负荷为
I
CC
在直流电气连接特定钙限制特定网络版
系统蒸发散表,例如, 360μA最大值在25
o
C.
4
CD54HC109 , CD74HC109 , CD54HCT109 , CD74HCT109
用于交换特定网络阳离子前提条件
参数
HC类型
建立时间J,K ,到CP
t
SU
-
2
4.5
6
保持时间J,K,给CP的
t
H
-
2
4.5
6
除去时间R,S,向CP
t
REM
-
2
4.5
6
脉冲宽度CP ,R,S
t
W
-
2
4.5
6
CP频率
f
最大
-
2
4.5
6
HCT类型
建立时间J,K为CP
保持时间J,K为CP
除去时间R,S,向CP
脉冲宽度CP ,R,S
CP频率
t
SU
t
H
t
REM
t
W
f
最大
-
-
-
-
-
4.5
4.5
4.5
4.5
4.5
18
3
18
18
27
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
23
3
23
23
22
-
-
-
-
-
27
3
27
27
18
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
兆赫
80
16
14
5
5
5
80
16
14
80
16
14
6
30
35
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
100
20
17
5
5
5
100
20
17
100
20
17
5
25
29
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
120
24
20
5
5
5
120
24
20
120
24
20
4
20
23
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
兆赫
兆赫
兆赫
符号
TEST
条件
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
参数
HC类型
传播延迟,
CP
Q, Q
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
传播延迟,
S
Q
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
传播延迟,
S
Q
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
2
4.5
5
6
2
4.5
5
6
2
4.5
5
6
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
14
-
-
-
9
-
-
-
13
-
175
35
-
30
120
24
-
20
155
31
-
26
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
220
44
-
37
150
30
-
26
195
39
-
33
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
265
53
-
45
180
36
-
31
235
47
-
40
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
符号
TEST
条件
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
5
CD54HC109 , CD74HC109 ,
CD54HCT109 , CD74HCT109
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS140E
1998年3月 - 修订2003年10月
双J- K触发器具有置位和复位
上升沿触发
描述
在“ HC109和” HCT109是双JK IP- FL佛罗里达州与OPS和集
复位。在IP- FL佛罗里达州运改变状态的积极转变
时钟( 1CP和2CP ) 。
在IP- FL FL OP设置和低电平有效的S和R复位,
分别。低上都置位和复位输入
同时将迫使Q和Q输出高电平。
然而,无论置位和复位同时将高
结果,在一个不可预知的输出条件。
特点
异步置位和复位
[ /标题
(CD74H
C109,
CD74H
CT109)
/主题
(双J-
倒装
拍击
与集
RESET
施密特触发器时钟输入
典型F
最大
=在V 54MHz的
CC
= 5V ,C
L
= 15pF的,
T
A
= 25
o
C
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC109F3A
CD54HCT109F3A
CD74HC109E
CD74HC109M
CD74HC109MT
CD74HC109M96
CD74HCT109E
CD74HCT109M
CD74HCT109MT
CD74HCT109M96
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
引脚
CD54HC109 , CD54HCT109
( CERDIP )
CD74HC109 , CD74HCT109
( PDIP , SOIC )
顶视图
1R 1
1J 2
1K 3
1CP 4
1S 5
1Q 6
1Q 7
GND 8
16 V
CC
15 2R
14 2J
13 2K
12 2CP
11 2S
10 2Q
9 2Q
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF科幻×96
表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示的小批量卷轴
250.
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD54HC109 , CD74HC109 , CD54HCT109 , CD74HCT109
工作原理图
1S
1J
1K
1CP
1R
5
2
3
4
1
F/F 1
6
1Q
7
1Q
2S
2J
2K
2CP
2R
11
14
13
12
15
F/F 2
10
2Q
9
2Q
GND = 8
V
CC
= 16
真值表
输入
S
L
H
L
H
H
H
H
H
R
H
L
L
H
H
H
H
H
CP
X
X
X
J
X
X
X
L
H
L
H
X
K
X
X
X
L
L
H
H
X
H
没有变化
Q
H
L
H(注1 )
L
切换
没有变化
L
输出
Q
L
H
H(注1 )
H
L
H =高级别(稳态)
L =低电平(稳态)
X =无关
=低到高的转变
注意:
如果S和R两个变高同时1.不可预测和不稳定的条件
逻辑图
5(11)
S
2(14)
J
3(13)
K
4(12)
CP
1(15)
R
16
V
CC
GND
8
6(10)
Q
7(9)
Q
S
FF
K
CL
CL
Q
R Q
2
CD54HC109 , CD74HC109 , CD54HCT109 , CD74HCT109
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流,每个输出,我
O
为-0.5V < V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻(典型,注2 )
θ
JA
(
o
C / W )
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
67
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
73
最高结温(密封包装或死亡) 。 。 。 175
o
C
最高结温(塑料封装) 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围,T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
C
P
输入上升和下降时间,t
r
, t
f
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.0ms的(最大)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.0ms的(最大)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.0ms的(最大)
输入上升和下降时间(所有输入除C
P
), t
r
, t
f
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
2.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
V
OH
V
IH
or
V
IL
-0.02
2
4.5
6
-
-4
-5.2
-
4.5
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.96
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
符号
V
I
(V)
I
O
(毫安)V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
最大
-55
o
C至125
o
C
最大
单位
3
CD54HC109 , CD74HC109 , CD54HCT109 , CD74HCT109
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
注意:
3.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
I
I
V
CC
GND
V
CC
or
GND
V
CC
- 2.1
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
or
V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
I
I
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
符号
V
OL
V
I
(V)
V
IH
or
V
IL
I
O
(毫安)V
CC
(V)
0.02
2
4.5
6
-
4
5.2
-
0
-
4.5
6
6
6
-
-
-
-
-
-
-
-
25
o
C
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
4
-40
o
C至85
o
C
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
40
-55
o
C至125
o
C
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
80
单位
V
V
V
V
V
V
A
A
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4
4.5
4.5
-
-
-
-
0.1
0.26
-
-
0.1
0.33
-
-
0.1
0.4
V
V
-
5.5
-
±0.1
-
±1
-
±1
A
I
CC
I
CC
(注3)
0
-
5.5
4.5
5.5
-
-
-
100
4
360
-
-
40
450
-
-
80
490
A
A
HCT输入负载表
输入
所有
单位负载
0.3
注:机组负荷为
I
CC
在直流电气连接特定钙限制特定网络版
系统蒸发散表,例如, 360μA最大值在25
o
C.
4
CD54HC109 , CD74HC109 , CD54HCT109 , CD74HCT109
用于交换特定网络阳离子前提条件
参数
HC类型
建立时间J,K ,到CP
t
SU
-
2
4.5
6
保持时间J,K,给CP的
t
H
-
2
4.5
6
除去时间R,S,向CP
t
REM
-
2
4.5
6
脉冲宽度CP ,R,S
t
W
-
2
4.5
6
CP频率
f
最大
-
2
4.5
6
HCT类型
建立时间J,K为CP
保持时间J,K为CP
除去时间R,S,向CP
脉冲宽度CP ,R,S
CP频率
t
SU
t
H
t
REM
t
W
f
最大
-
-
-
-
-
4.5
4.5
4.5
4.5
4.5
18
3
18
18
27
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
23
3
23
23
22
-
-
-
-
-
27
3
27
27
18
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
兆赫
80
16
14
5
5
5
80
16
14
80
16
14
6
30
35
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
100
20
17
5
5
5
100
20
17
100
20
17
5
25
29
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
120
24
20
5
5
5
120
24
20
120
24
20
4
20
23
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
兆赫
兆赫
兆赫
符号
TEST
条件
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
参数
HC类型
传播延迟,
CP
Q, Q
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
传播延迟,
S
Q
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
传播延迟,
S
Q
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
2
4.5
5
6
2
4.5
5
6
2
4.5
5
6
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
14
-
-
-
9
-
-
-
13
-
175
35
-
30
120
24
-
20
155
31
-
26
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
220
44
-
37
150
30
-
26
195
39
-
33
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
265
53
-
45
180
36
-
31
235
47
-
40
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
符号
TEST
条件
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
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