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CD54HC03 , CD74HC03 ,
CD54HCT03 , CD74HCT03
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS126D
1998年2月 - 修订2003年9月
高速CMOS逻辑器件
四2输入与非门与漏极开路
描述
在“ HC03和” HCT03逻辑门采用硅栅CMOS
技术,实现运行速度类似于LSTTL
闸门与标准CMOS的低功耗
集成电路。所有器件都具有驱动10的能力
LSTTL负载。在HCT逻辑系列在功能和
引脚与标准LS逻辑系列兼容。
这些漏极开路与非门可以开车进入阻性负载
到的输出电压高达10V。的R最小值
L
需要相对于负载电压示于图2中。
特点
缓冲输入
[ /标题
(CD74H
C03,
CD74H
CT03)
/主题
(高
速度
CMOS
逻辑
四2-
输入
典型传播延迟:为8ns在V
CC
= 5V,
C
L
= 15pF的,T
A
= 25
o
C
输出上拉至10V
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC03F3A
CD54HCT03F3A
CD74HC03E
CD74HC03M
CD74HC03MT
CD74HC03M96
CD74HCT03E
CD74HCT03M
CD74HCT03MT
CD74HCT03M96
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
14 Ld的CERDIP
14 Ld的CERDIP
14 Ld的PDIP
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的PDIP
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF科幻×96
表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示小批量卷轴
250 。
引脚
CD54HC03 , CD54HCT03
( CERDIP )
CD74HC03 , CD74HCT03
( PDIP , SOIC )
顶视图
1A 1
1B 2
1Y 3
2A 4
2B 5
2Y 6
7 GND
14 V
CC
13 4B
12 4A
11 4Y
10 3B
9 3A
8 3Y
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD54HC03 , CD74HC03 , CD54HCT03 , CD74HCT03
工作原理图
1A
1B
2A
2B
3A
3B
4A
4B
1
2
4
5
9
10
12
13
3
6
8
1Y
2Y
3Y
11
4Y
GND = 7
V
CC
= 14
真值表
A
L
H
L
H
注意事项:
1.在不拉(高阻抗)
2.需要上拉(R
L
到V
L
)
B
L
L
H
H
Z(注1 )
Z(注1 )
Z(注1 )
L
Y
的H(注2)
的H(注2)
的H(注2)
L
逻辑符号
nA
nY
nB
2
CD54HC03 , CD74HC03 , CD54HCT , CD74HCT03
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
直流漏电流,每个输出,我
O
为-0.5V < V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -25mA
DC V
CC
或接地电流,I
cc或
I
GND
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻(典型,注3 )
θ
JA
(
o
C / W )
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 80
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 86
最高结温(密封包装或死亡) 。 。 。 175
o
C
最高结温(塑料封装) 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
3.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
V
IH
V
IL
-
-
-
-
4.5
5.5
4.5
5.5
2
-
-
-
-
0.8
2
-
-
0.8
2
-
-
0.8
V
V
I
I
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
or
V
IL
0.02
0.02
0.02
-
4
5.2
-
0
2
4.5
6
-
4.5
6
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
2
1.5
3.15
4.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
20
1.5
3.15
4.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
40
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
符号
V
I
(V)
I
O
(毫安)V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
最大
-55
o
C至125
o
C
最大
单位
3
CD54HC03 , CD74HC03 , CD54HCT03 , CD74HCT03
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
低电平输出
电压CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
注意:
4.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
I
I
V
CC
GND
V
CC
or
GND
V
CC
- 2.1
符号
V
OL
V
I
(V)
V
IH
or
V
IL
I
O
(毫安)V
CC
(V)
0.02
4
4.5
4.5
-
-
25
o
C
典型值
-
-
最大
0.1
0.26
-40
o
C至85
o
C
-
-
最大
0.1
0.33
-55
o
C至125
o
C
-
-
最大
0.1
0.4
单位
V
V
-
5.5
-
±0.1
-
±1
-
±1
A
I
CC
I
CC
(注4 )
0
-
5.5
4.5
5.5
-
-
-
100
2
360
-
-
20
450
-
-
40
490
A
A
HCT输入负载表
输入
呐, NB
单位负载
1
注:机组负荷为
I
CC
在直流电气连接特定钙限制特定网络版
系统蒸发散表,例如, 360μA最大值在25
o
C.
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
参数
HC类型
传播延迟,
输入到输出(图1 )
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
2
4.5
6
传播延迟,数据输入到
输出y
转换时间(图1 )
t
PLH
, t
PHL
t
TLH
, t
THL
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
5
2
4.5
6
输入电容
功率耗散电容
(注5,6)
HCT类型
传播延迟,
输入到输出(图1 )
传播延迟,数据输入到
输出y
转换时间(图1 )
输入电容
t
PLH
, t
PHL
t
PLH
, t
PHL
t
TLH
, t
THL
C
I
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
-
4.5
5
4.5
-
-
-
-
-
-
9
-
-
24
-
15
10
-
-
-
-
30
-
19
10
-
-
-
-
36
-
22
10
ns
ns
ns
pF
C
I
C
PD
-
-
-
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
8
-
-
-
-
6.4
100
20
17
-
75
15
13
10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
125
25
21
-
95
19
16
10
-
-
-
-
-
18
-
-
-
-
150
30
26
-
110
22
19
10
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
符号
TEST
条件
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
4
CD54HC03 , CD74HC03 , CD54HCT03 , CD74HCT03
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
参数
功率耗散电容
(注5,6)
注意事项:
5. C
PD
被用于确定所述动态功耗,每个门。
6. P
D
= C
PD
V
CC2
f
i
+
Σ
(C
L
V
CC2
f
o
) +
Σ
(V
L2
/R
L
) (占空比系数“低” )
其中f
i
=输入频率f
o
=输出频率,C
L
=输出负载电容,V
CC
=电源电压,占空比“低” =百分比
时间的输出为“低” ,V
L
=输出电压,R
L
=上拉电阻。
符号
C
PD
(续)
V
CC
(V)
5
25
o
C
-
典型值
9
最大
-
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
-
最大
-
-
最大
-
单位
pF
TEST
条件
-
测试电路和波形
输入电平
R
L
MIN ,上拉电阻( Ω )
V
S
t
PLZ
90%
nY
10%
t
THL
产量
NA( NB )
产量
关闭
开放
NAND
V
CC
产量
1k
V
CC
50pF
0
1
2
3
4
5
6
7
V
L
,负载电压(V )
8
9
10
V
S
t
PZL
V
OH
V
OL
800
700
600
500
400
300
200
100
HC/HCT03
V
CC
= 5V
±10%
V
L
HC
R
L
V
O
V
L
0.8V ( HCT V
IL
MAX )
1.35V ( HC V
IL
MAX )
R
L
0.26V
最大值=
R
=
4mA
V
65Ω AT 25
o
C
R
ON
HCT
NB ( NA)
图1.转换时间,传输延迟
时间和测试电路
t
r
= 6ns的
输入
90%
50%
10%
t
TLH
90%
50%
10%
t
PHL
t
PLH
t
f
= 6ns的
V
CC
图2.最小负载电阻与负载电压
t
r
= 6ns的
输入
GND
t
THL
2.7V
1.3V
0.3V
t
f
= 6ns的
3V
GND
t
TLH
90%
t
THL
反相
产量
反相
产量
t
PHL
t
PLH
1.3V
10%
图3. HC和HCU转换时间PROPAGA-
TION延迟时间的组合逻辑
图4. HCT过渡时间和传输
延迟时间的组合逻辑
5
CD54HC03 , CD74HC03 ,
CD54HCT03 , CD74HCT03
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS126D
1998年2月 - 修订2003年9月
高速CMOS逻辑器件
四2输入与非门与漏极开路
描述
在“ HC03和” HCT03逻辑门采用硅栅CMOS
技术,实现运行速度类似于LSTTL
闸门与标准CMOS的低功耗
集成电路。所有器件都具有驱动10的能力
LSTTL负载。在HCT逻辑系列在功能和
引脚与标准LS逻辑系列兼容。
这些漏极开路与非门可以开车进入阻性负载
到的输出电压高达10V。的R最小值
L
需要相对于负载电压示于图2中。
特点
缓冲输入
[ /标题
(CD74H
C03,
CD74H
CT03)
/主题
(高
速度
CMOS
逻辑
四2-
输入
典型传播延迟:为8ns在V
CC
= 5V,
C
L
= 15pF的,T
A
= 25
o
C
输出上拉至10V
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC03F3A
CD54HCT03F3A
CD74HC03E
CD74HC03M
CD74HC03MT
CD74HC03M96
CD74HCT03E
CD74HCT03M
CD74HCT03MT
CD74HCT03M96
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
14 Ld的CERDIP
14 Ld的CERDIP
14 Ld的PDIP
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的PDIP
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF科幻×96
表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示小批量卷轴
250 。
引脚
CD54HC03 , CD54HCT03
( CERDIP )
CD74HC03 , CD74HCT03
( PDIP , SOIC )
顶视图
1A 1
1B 2
1Y 3
2A 4
2B 5
2Y 6
7 GND
14 V
CC
13 4B
12 4A
11 4Y
10 3B
9 3A
8 3Y
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD54HC03 , CD74HC03 , CD54HCT03 , CD74HCT03
工作原理图
1A
1B
2A
2B
3A
3B
4A
4B
1
2
4
5
9
10
12
13
3
6
8
1Y
2Y
3Y
11
4Y
GND = 7
V
CC
= 14
真值表
A
L
H
L
H
注意事项:
1.在不拉(高阻抗)
2.需要上拉(R
L
到V
L
)
B
L
L
H
H
Z(注1 )
Z(注1 )
Z(注1 )
L
Y
的H(注2)
的H(注2)
的H(注2)
L
逻辑符号
nA
nY
nB
2
CD54HC03 , CD74HC03 , CD54HCT , CD74HCT03
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
直流漏电流,每个输出,我
O
为-0.5V < V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -25mA
DC V
CC
或接地电流,I
cc或
I
GND
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻(典型,注3 )
θ
JA
(
o
C / W )
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 80
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 86
最高结温(密封包装或死亡) 。 。 。 175
o
C
最高结温(塑料封装) 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
3.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
V
IH
V
IL
-
-
-
-
4.5
5.5
4.5
5.5
2
-
-
-
-
0.8
2
-
-
0.8
2
-
-
0.8
V
V
I
I
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
or
V
IL
0.02
0.02
0.02
-
4
5.2
-
0
2
4.5
6
-
4.5
6
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
2
1.5
3.15
4.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
20
1.5
3.15
4.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
40
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
符号
V
I
(V)
I
O
(毫安)V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
最大
-55
o
C至125
o
C
最大
单位
3
CD54HC03 , CD74HC03 , CD54HCT03 , CD74HCT03
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
低电平输出
电压CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
注意:
4.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
I
I
V
CC
GND
V
CC
or
GND
V
CC
- 2.1
符号
V
OL
V
I
(V)
V
IH
or
V
IL
I
O
(毫安)V
CC
(V)
0.02
4
4.5
4.5
-
-
25
o
C
典型值
-
-
最大
0.1
0.26
-40
o
C至85
o
C
-
-
最大
0.1
0.33
-55
o
C至125
o
C
-
-
最大
0.1
0.4
单位
V
V
-
5.5
-
±0.1
-
±1
-
±1
A
I
CC
I
CC
(注4 )
0
-
5.5
4.5
5.5
-
-
-
100
2
360
-
-
20
450
-
-
40
490
A
A
HCT输入负载表
输入
呐, NB
单位负载
1
注:机组负荷为
I
CC
在直流电气连接特定钙限制特定网络版
系统蒸发散表,例如, 360μA最大值在25
o
C.
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
参数
HC类型
传播延迟,
输入到输出(图1 )
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
2
4.5
6
传播延迟,数据输入到
输出y
转换时间(图1 )
t
PLH
, t
PHL
t
TLH
, t
THL
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
5
2
4.5
6
输入电容
功率耗散电容
(注5,6)
HCT类型
传播延迟,
输入到输出(图1 )
传播延迟,数据输入到
输出y
转换时间(图1 )
输入电容
t
PLH
, t
PHL
t
PLH
, t
PHL
t
TLH
, t
THL
C
I
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
-
4.5
5
4.5
-
-
-
-
-
-
9
-
-
24
-
15
10
-
-
-
-
30
-
19
10
-
-
-
-
36
-
22
10
ns
ns
ns
pF
C
I
C
PD
-
-
-
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
8
-
-
-
-
6.4
100
20
17
-
75
15
13
10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
125
25
21
-
95
19
16
10
-
-
-
-
-
18
-
-
-
-
150
30
26
-
110
22
19
10
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
符号
TEST
条件
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
4
CD54HC03 , CD74HC03 , CD54HCT03 , CD74HCT03
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
参数
功率耗散电容
(注5,6)
注意事项:
5. C
PD
被用于确定所述动态功耗,每个门。
6. P
D
= C
PD
V
CC2
f
i
+
Σ
(C
L
V
CC2
f
o
) +
Σ
(V
L2
/R
L
) (占空比系数“低” )
其中f
i
=输入频率f
o
=输出频率,C
L
=输出负载电容,V
CC
=电源电压,占空比“低” =百分比
时间的输出为“低” ,V
L
=输出电压,R
L
=上拉电阻。
符号
C
PD
(续)
V
CC
(V)
5
25
o
C
-
典型值
9
最大
-
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
-
最大
-
-
最大
-
单位
pF
TEST
条件
-
测试电路和波形
输入电平
R
L
MIN ,上拉电阻( Ω )
V
S
t
PLZ
90%
nY
10%
t
THL
产量
NA( NB )
产量
关闭
开放
NAND
V
CC
产量
1k
V
CC
50pF
0
1
2
3
4
5
6
7
V
L
,负载电压(V )
8
9
10
V
S
t
PZL
V
OH
V
OL
800
700
600
500
400
300
200
100
HC/HCT03
V
CC
= 5V
±10%
V
L
HC
R
L
V
O
V
L
0.8V ( HCT V
IL
MAX )
1.35V ( HC V
IL
MAX )
R
L
0.26V
最大值=
R
=
4mA
V
65Ω AT 25
o
C
R
ON
HCT
NB ( NA)
图1.转换时间,传输延迟
时间和测试电路
t
r
= 6ns的
输入
90%
50%
10%
t
TLH
90%
50%
10%
t
PHL
t
PLH
t
f
= 6ns的
V
CC
图2.最小负载电阻与负载电压
t
r
= 6ns的
输入
GND
t
THL
2.7V
1.3V
0.3V
t
f
= 6ns的
3V
GND
t
TLH
90%
t
THL
反相
产量
反相
产量
t
PHL
t
PLH
1.3V
10%
图3. HC和HCU转换时间PROPAGA-
TION延迟时间的组合逻辑
图4. HCT过渡时间和传输
延迟时间的组合逻辑
5
CD54HC03 , CD74HC03 ,
CD54HCT03 , CD74HCT03
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS126D
1998年2月 - 修订2003年9月
高速CMOS逻辑器件
四2输入与非门与漏极开路
描述
在“ HC03和” HCT03逻辑门采用硅栅CMOS
技术,实现运行速度类似于LSTTL
闸门与标准CMOS的低功耗
集成电路。所有器件都具有驱动10的能力
LSTTL负载。在HCT逻辑系列在功能和
引脚与标准LS逻辑系列兼容。
这些漏极开路与非门可以开车进入阻性负载
到的输出电压高达10V。的R最小值
L
需要相对于负载电压示于图2中。
特点
缓冲输入
[ /标题
(CD74H
C03,
CD74H
CT03)
/主题
(高
速度
CMOS
逻辑
四2-
输入
典型传播延迟:为8ns在V
CC
= 5V,
C
L
= 15pF的,T
A
= 25
o
C
输出上拉至10V
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC03F3A
CD54HCT03F3A
CD74HC03E
CD74HC03M
CD74HC03MT
CD74HC03M96
CD74HCT03E
CD74HCT03M
CD74HCT03MT
CD74HCT03M96
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
14 Ld的CERDIP
14 Ld的CERDIP
14 Ld的PDIP
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的PDIP
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF科幻×96
表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示小批量卷轴
250 。
引脚
CD54HC03 , CD54HCT03
( CERDIP )
CD74HC03 , CD74HCT03
( PDIP , SOIC )
顶视图
1A 1
1B 2
1Y 3
2A 4
2B 5
2Y 6
7 GND
14 V
CC
13 4B
12 4A
11 4Y
10 3B
9 3A
8 3Y
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD54HC03 , CD74HC03 , CD54HCT03 , CD74HCT03
工作原理图
1A
1B
2A
2B
3A
3B
4A
4B
1
2
4
5
9
10
12
13
3
6
8
1Y
2Y
3Y
11
4Y
GND = 7
V
CC
= 14
真值表
A
L
H
L
H
注意事项:
1.在不拉(高阻抗)
2.需要上拉(R
L
到V
L
)
B
L
L
H
H
Z(注1 )
Z(注1 )
Z(注1 )
L
Y
的H(注2)
的H(注2)
的H(注2)
L
逻辑符号
nA
nY
nB
2
CD54HC03 , CD74HC03 , CD54HCT , CD74HCT03
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
直流漏电流,每个输出,我
O
为-0.5V < V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -25mA
DC V
CC
或接地电流,I
cc或
I
GND
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻(典型,注3 )
θ
JA
(
o
C / W )
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 80
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 86
最高结温(密封包装或死亡) 。 。 。 175
o
C
最高结温(塑料封装) 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
3.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
V
IH
V
IL
-
-
-
-
4.5
5.5
4.5
5.5
2
-
-
-
-
0.8
2
-
-
0.8
2
-
-
0.8
V
V
I
I
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
or
V
IL
0.02
0.02
0.02
-
4
5.2
-
0
2
4.5
6
-
4.5
6
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
2
1.5
3.15
4.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
20
1.5
3.15
4.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
40
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
符号
V
I
(V)
I
O
(毫安)V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
最大
-55
o
C至125
o
C
最大
单位
3
CD54HC03 , CD74HC03 , CD54HCT03 , CD74HCT03
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
低电平输出
电压CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
注意:
4.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
I
I
V
CC
GND
V
CC
or
GND
V
CC
- 2.1
符号
V
OL
V
I
(V)
V
IH
or
V
IL
I
O
(毫安)V
CC
(V)
0.02
4
4.5
4.5
-
-
25
o
C
典型值
-
-
最大
0.1
0.26
-40
o
C至85
o
C
-
-
最大
0.1
0.33
-55
o
C至125
o
C
-
-
最大
0.1
0.4
单位
V
V
-
5.5
-
±0.1
-
±1
-
±1
A
I
CC
I
CC
(注4 )
0
-
5.5
4.5
5.5
-
-
-
100
2
360
-
-
20
450
-
-
40
490
A
A
HCT输入负载表
输入
呐, NB
单位负载
1
注:机组负荷为
I
CC
在直流电气连接特定钙限制特定网络版
系统蒸发散表,例如, 360μA最大值在25
o
C.
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
参数
HC类型
传播延迟,
输入到输出(图1 )
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
2
4.5
6
传播延迟,数据输入到
输出y
转换时间(图1 )
t
PLH
, t
PHL
t
TLH
, t
THL
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
5
2
4.5
6
输入电容
功率耗散电容
(注5,6)
HCT类型
传播延迟,
输入到输出(图1 )
传播延迟,数据输入到
输出y
转换时间(图1 )
输入电容
t
PLH
, t
PHL
t
PLH
, t
PHL
t
TLH
, t
THL
C
I
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
-
4.5
5
4.5
-
-
-
-
-
-
9
-
-
24
-
15
10
-
-
-
-
30
-
19
10
-
-
-
-
36
-
22
10
ns
ns
ns
pF
C
I
C
PD
-
-
-
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
8
-
-
-
-
6.4
100
20
17
-
75
15
13
10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
125
25
21
-
95
19
16
10
-
-
-
-
-
18
-
-
-
-
150
30
26
-
110
22
19
10
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
符号
TEST
条件
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
4
CD54HC03 , CD74HC03 , CD54HCT03 , CD74HCT03
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
参数
功率耗散电容
(注5,6)
注意事项:
5. C
PD
被用于确定所述动态功耗,每个门。
6. P
D
= C
PD
V
CC2
f
i
+
Σ
(C
L
V
CC2
f
o
) +
Σ
(V
L2
/R
L
) (占空比系数“低” )
其中f
i
=输入频率f
o
=输出频率,C
L
=输出负载电容,V
CC
=电源电压,占空比“低” =百分比
时间的输出为“低” ,V
L
=输出电压,R
L
=上拉电阻。
符号
C
PD
(续)
V
CC
(V)
5
25
o
C
-
典型值
9
最大
-
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
-
最大
-
-
最大
-
单位
pF
TEST
条件
-
测试电路和波形
输入电平
R
L
MIN ,上拉电阻( Ω )
V
S
t
PLZ
90%
nY
10%
t
THL
产量
NA( NB )
产量
关闭
开放
NAND
V
CC
产量
1k
V
CC
50pF
0
1
2
3
4
5
6
7
V
L
,负载电压(V )
8
9
10
V
S
t
PZL
V
OH
V
OL
800
700
600
500
400
300
200
100
HC/HCT03
V
CC
= 5V
±10%
V
L
HC
R
L
V
O
V
L
0.8V ( HCT V
IL
MAX )
1.35V ( HC V
IL
MAX )
R
L
0.26V
最大值=
R
=
4mA
V
65Ω AT 25
o
C
R
ON
HCT
NB ( NA)
图1.转换时间,传输延迟
时间和测试电路
t
r
= 6ns的
输入
90%
50%
10%
t
TLH
90%
50%
10%
t
PHL
t
PLH
t
f
= 6ns的
V
CC
图2.最小负载电阻与负载电压
t
r
= 6ns的
输入
GND
t
THL
2.7V
1.3V
0.3V
t
f
= 6ns的
3V
GND
t
TLH
90%
t
THL
反相
产量
反相
产量
t
PHL
t
PLH
1.3V
10%
图3. HC和HCU转换时间PROPAGA-
TION延迟时间的组合逻辑
图4. HCT过渡时间和传输
延迟时间的组合逻辑
5
CD54HC03 , CD74HC03 ,
CD54HCT03 , CD74HCT03
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS126D
1998年2月 - 修订2003年9月
高速CMOS逻辑器件
四2输入与非门与漏极开路
描述
在“ HC03和” HCT03逻辑门采用硅栅CMOS
技术,实现运行速度类似于LSTTL
闸门与标准CMOS的低功耗
集成电路。所有器件都具有驱动10的能力
LSTTL负载。在HCT逻辑系列在功能和
引脚与标准LS逻辑系列兼容。
这些漏极开路与非门可以开车进入阻性负载
到的输出电压高达10V。的R最小值
L
需要相对于负载电压示于图2中。
特点
缓冲输入
[ /标题
(CD74H
C03,
CD74H
CT03)
/主题
(高
速度
CMOS
逻辑
四2-
输入
典型传播延迟:为8ns在V
CC
= 5V,
C
L
= 15pF的,T
A
= 25
o
C
输出上拉至10V
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC03F3A
CD54HCT03F3A
CD74HC03E
CD74HC03M
CD74HC03MT
CD74HC03M96
CD74HCT03E
CD74HCT03M
CD74HCT03MT
CD74HCT03M96
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
14 Ld的CERDIP
14 Ld的CERDIP
14 Ld的PDIP
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的PDIP
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF科幻×96
表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示小批量卷轴
250 。
引脚
CD54HC03 , CD54HCT03
( CERDIP )
CD74HC03 , CD74HCT03
( PDIP , SOIC )
顶视图
1A 1
1B 2
1Y 3
2A 4
2B 5
2Y 6
7 GND
14 V
CC
13 4B
12 4A
11 4Y
10 3B
9 3A
8 3Y
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD54HC03 , CD74HC03 , CD54HCT03 , CD74HCT03
工作原理图
1A
1B
2A
2B
3A
3B
4A
4B
1
2
4
5
9
10
12
13
3
6
8
1Y
2Y
3Y
11
4Y
GND = 7
V
CC
= 14
真值表
A
L
H
L
H
注意事项:
1.在不拉(高阻抗)
2.需要上拉(R
L
到V
L
)
B
L
L
H
H
Z(注1 )
Z(注1 )
Z(注1 )
L
Y
的H(注2)
的H(注2)
的H(注2)
L
逻辑符号
nA
nY
nB
2
CD54HC03 , CD74HC03 , CD54HCT , CD74HCT03
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
直流漏电流,每个输出,我
O
为-0.5V < V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -25mA
DC V
CC
或接地电流,I
cc或
I
GND
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻(典型,注3 )
θ
JA
(
o
C / W )
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 80
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 86
最高结温(密封包装或死亡) 。 。 。 175
o
C
最高结温(塑料封装) 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
3.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
V
IH
V
IL
-
-
-
-
4.5
5.5
4.5
5.5
2
-
-
-
-
0.8
2
-
-
0.8
2
-
-
0.8
V
V
I
I
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
or
V
IL
0.02
0.02
0.02
-
4
5.2
-
0
2
4.5
6
-
4.5
6
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
2
1.5
3.15
4.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
20
1.5
3.15
4.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
40
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
符号
V
I
(V)
I
O
(毫安)V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
最大
-55
o
C至125
o
C
最大
单位
3
CD54HC03 , CD74HC03 , CD54HCT03 , CD74HCT03
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
低电平输出
电压CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
注意:
4.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
I
I
V
CC
GND
V
CC
or
GND
V
CC
- 2.1
符号
V
OL
V
I
(V)
V
IH
or
V
IL
I
O
(毫安)V
CC
(V)
0.02
4
4.5
4.5
-
-
25
o
C
典型值
-
-
最大
0.1
0.26
-40
o
C至85
o
C
-
-
最大
0.1
0.33
-55
o
C至125
o
C
-
-
最大
0.1
0.4
单位
V
V
-
5.5
-
±0.1
-
±1
-
±1
A
I
CC
I
CC
(注4 )
0
-
5.5
4.5
5.5
-
-
-
100
2
360
-
-
20
450
-
-
40
490
A
A
HCT输入负载表
输入
呐, NB
单位负载
1
注:机组负荷为
I
CC
在直流电气连接特定钙限制特定网络版
系统蒸发散表,例如, 360μA最大值在25
o
C.
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
参数
HC类型
传播延迟,
输入到输出(图1 )
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
2
4.5
6
传播延迟,数据输入到
输出y
转换时间(图1 )
t
PLH
, t
PHL
t
TLH
, t
THL
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
5
2
4.5
6
输入电容
功率耗散电容
(注5,6)
HCT类型
传播延迟,
输入到输出(图1 )
传播延迟,数据输入到
输出y
转换时间(图1 )
输入电容
t
PLH
, t
PHL
t
PLH
, t
PHL
t
TLH
, t
THL
C
I
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
-
4.5
5
4.5
-
-
-
-
-
-
9
-
-
24
-
15
10
-
-
-
-
30
-
19
10
-
-
-
-
36
-
22
10
ns
ns
ns
pF
C
I
C
PD
-
-
-
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
8
-
-
-
-
6.4
100
20
17
-
75
15
13
10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
125
25
21
-
95
19
16
10
-
-
-
-
-
18
-
-
-
-
150
30
26
-
110
22
19
10
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
符号
TEST
条件
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
4
CD54HC03 , CD74HC03 , CD54HCT03 , CD74HCT03
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
参数
功率耗散电容
(注5,6)
注意事项:
5. C
PD
被用于确定所述动态功耗,每个门。
6. P
D
= C
PD
V
CC2
f
i
+
Σ
(C
L
V
CC2
f
o
) +
Σ
(V
L2
/R
L
) (占空比系数“低” )
其中f
i
=输入频率f
o
=输出频率,C
L
=输出负载电容,V
CC
=电源电压,占空比“低” =百分比
时间的输出为“低” ,V
L
=输出电压,R
L
=上拉电阻。
符号
C
PD
(续)
V
CC
(V)
5
25
o
C
-
典型值
9
最大
-
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
-
最大
-
-
最大
-
单位
pF
TEST
条件
-
测试电路和波形
输入电平
R
L
MIN ,上拉电阻( Ω )
V
S
t
PLZ
90%
nY
10%
t
THL
产量
NA( NB )
产量
关闭
开放
NAND
V
CC
产量
1k
V
CC
50pF
0
1
2
3
4
5
6
7
V
L
,负载电压(V )
8
9
10
V
S
t
PZL
V
OH
V
OL
800
700
600
500
400
300
200
100
HC/HCT03
V
CC
= 5V
±10%
V
L
HC
R
L
V
O
V
L
0.8V ( HCT V
IL
MAX )
1.35V ( HC V
IL
MAX )
R
L
0.26V
最大值=
R
=
4mA
V
65Ω AT 25
o
C
R
ON
HCT
NB ( NA)
图1.转换时间,传输延迟
时间和测试电路
t
r
= 6ns的
输入
90%
50%
10%
t
TLH
90%
50%
10%
t
PHL
t
PLH
t
f
= 6ns的
V
CC
图2.最小负载电阻与负载电压
t
r
= 6ns的
输入
GND
t
THL
2.7V
1.3V
0.3V
t
f
= 6ns的
3V
GND
t
TLH
90%
t
THL
反相
产量
反相
产量
t
PHL
t
PLH
1.3V
10%
图3. HC和HCU转换时间PROPAGA-
TION延迟时间的组合逻辑
图4. HCT过渡时间和传输
延迟时间的组合逻辑
5
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