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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第984页 > CD74HC85PWRG4
CD54HC85 , CD74HC85 ,
CD54HCT85 , CD74HCT85
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS136E
1997年8月 - 修订2003年10月
高速CMOS逻辑器件
4位数值比较器
描述
在“ HC85和” HCT85是高速级
使用硅栅CMOS技术的比较
实现运行速度类似于LSTTL与低
标准CMOS的功耗集成电路。
这4位设备比较两个二进制, BCD ,或其他
单调的代码和现在的三个可能的幅度
结果在输出端(A > B,A < B和A = B) 。 4位
输入词语进行加权(A0至A3和B0至B3 ),其中A3
和B
3
最显着的位。
该设备是可扩展的,无需外部门,在这两个
串行和并行的方式。该真值表的上部
表示使用单个设备或多个设备的操作在一
串行扩展的应用程序。并行扩展
计划由最近三个条目中描述的真相
表。
特点
缓冲输入和输出
[ /标题
(CD74
HC85,
CD74
HCT85
)
/子
拍摄对象
(高
速度
CMOS
逻辑
4-Bit
Magni-
突地
COM-
典型传播延迟: 13ns (数据到输出的
V
CC
= 5V ,C
L
= 15pF的,T
A
= 25
o
C
串行或并行扩展,无需外部选通
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
at
V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC85F3A
CD54HCT85F3A
CD74HC85E
CD74HC85M
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
引脚
CD54HC85 , CD54HCT85 ( CERDIP )
CD74HC85 ( PDIP , SOIC , SOP , TSSOP )
CD74HCT85 ( PDIP , SOIC )
顶视图
B3 1
(A <二) 2
( A = B )3
(A >二) 4
(A > B) 5
( A = B) OUT 6
(A < B) OUT 7
GND 8
16 V
CC
15 A3
14 B2
13 A2
12 A1
11 B1
10 A0
9 B0
CD74HC85MT
CD74HC85M96
CD74HC85NSR
CD74HC85PW
CD74HC85PWR
CD74HC85PWT
CD74HCT85E
CD74HCT85M
CD74HCT85MT
CD74HCT85M96
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF网络XES 96
而R表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示小量
卷轴250 。
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD54HC85 , CD74HC85 , CD54HCT85 , CD74HCT85
PFunctional图
A3
A2
A1
A0
(A <二)
( A = B )的
(A >二)
B3
B2
11
B1
9
B0
15
13
12
10
2
3
4
1
14
7
6
5
(A < B) OUT
( A = B) OUT
(A > B) OUT
真值表
INPUTS模式对比
A3,B3
A2,B2
A1,B1
A0,B0
级联输入
A>B
A<B
A-B
A>B
输出
A<B
A-B
单台设备或一系列连锁反应
A3 > B3
A3 < B3
A3 = B3
A3 = B3
A3 = B3
A3 = B3
A3 = B3
A3 = B3
A3 = B3
A3 = B3
A3 = B3
X
X
A2 >B2
A2 B2 <
A2 = B2
A2 = B2
A2 = B2
A2 = B2
A2 = B2
A2 = B2
A2 = B2
X
X
X
X
A1 B1 >
A1 B1 <
A1 = B1
A1 = B1
A1 = B1
A1 = B1
A1 = B1
X
X
X
X
X
X
A0 > B0
A0 < B0
A0 = B0
A0 = B0
A0 = B0
X
X
X
X
X
X
X
X
H
L
L
X
X
X
X
X
X
X
X
L
H
L
X
X
X
X
X
X
X
X
L
L
H
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
L
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
并行CASCADING
A3 = B3
A3 = B3
A3 = B3
A2 = B2
A2 = B2
A2 = B2S
A1 = B1
A1 = B1
A1 = B1
A0 = B0
A0 = B0
A0 = B0
X
H
L
X
H
L
H
L
L
L
L
H
L
L
H
H
L
L
H =高电平, L =低电压等级, X = Do not护理
2
CD54HC85 , CD74HC85 , CD54HCT85 , CD74HCT85
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
cc或
I
GND
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
封装的热阻抗,
θ
JA
(见注1 ) :
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 67
o
C / W
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 73
o
C / W
NS ( SOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 64
o
C / W
PW ( TSSOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 108
o
C / W
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
I
I
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
4
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
4.5
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.26
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.33
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.4
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
符号
V
I
(V)
I
O
(MA )
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
5.2
-
0
6
6
6
-
-
-
-
-
-
0.26
±0.1
8
-
-
-
0.33
±1
80
-
-
-
0.4
±1
160
V
A
A
3
CD54HC85 , CD74HC85 , CD54HCT85 , CD74HCT85
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
注意:
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
(注2 )
V
CC
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
OL
V
IH
或V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
或V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
V
I
(V)
I
O
(MA )
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
V
CC
(V)
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
5.5
5.5
4.5
5.5
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
HCT输入负载表
输入
A0 -A3 , B0 - B3和(A = B )的
(A >二) , (A <二)
单位负载
1.5
1
注:机组负荷为
I
CC
限制特定网络版的DC电气表,如
最大360μA 25
o
C.
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
TEST
条件
25
o
C
V
CC
(V)
2
4.5
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
A
n
, B
n
以( A = B) OUT
t
PLH ,
t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
5
6
2
4.5
5
6
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
16
-
-
-
14
-
最大
195
39
-
33
175
35
-
30
-40
o
C到
85
o
C
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
245
47
-
42
240
44
-
37
-55
o
C到
125
o
C
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
295
59
-
50
265
53
-
45
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
参数
HC类型
传播延迟,
A
n
, B
n
以(A > B) OUT ,
(A < B) OUT
符号
t
PLH ,
t
PHL
C
L
= 50pF的
4
CD54HC85 , CD74HC85 , CD54HCT85 , CD74HCT85
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
(续)
25
o
C
V
CC
(V)
2
4.5
5
6
2
4.5
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
功率耗散电容
(注3,4)
输出转换时间
(图1)
C
PD
-
5
6
5
2
4.5
6
输入电容
HCT类型
传播延迟,
一,BN为(A > B) OUT ,
(A < B) OUT
一,BN为(A = B) OUT
C
IN
-
-
4.5
5
4.5
5
4.5
5
4.5
5
4.5
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
11
-
-
-
9
-
24
-
-
-
-
-
15
-
17
-
12
-
13
-
26
-
最大
140
28
-
24
120
24
-
20
-
75
15
13
10
37
-
40
-
30
-
31
-
15
-
10
-40
o
C到
85
o
C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
175
35
-
30
150
30
-
26
-
95
19
16
10
46
-
50
-
38
-
39
-
19
-
10
-55
o
C到
125
o
C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
210
42
-
36
180
36
-
31
-
110
22
19
10
56
-
60
-
45
-
47
-
22
-
10
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
ns
ns
ns
pF
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
参数
符号
TEST
条件
(A >二) , (A <二) , (A = B) T中
PLH ,
t
PHL
C
L
= 50pF的
以(A > B) OUT (A < B) OUT
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
(A >二)至( A = B) OUT
t
PLH ,
t
PHL
C
L
= 50pF的
t
TLH
, t
THL
C
L
= 50pF的
t
PLH ,
t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
t
PLH ,
t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
(A >二) , (A <二) , (A = B) T中
PLH ,
t
PHL
C
L
= 50pF的
以(A > B) OUT (A < B) OUT
C
L
= 15pF的
(A >二)至( A = B) OUT
输出转换时间
(图1)
功率耗散电容
(注3,4)
输入电容
注意事项:
t
PLH ,
t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
t
TLH
, t
THL
C
L
= 50pF的
C
PD
C
IN
-
3. C
PD
被用于确定所述动态功耗,每个门/包。
4. P
D
= V
CC2
f
i
(C
PD
+ C
L
) ,其中F
i
=输入频率,C
L
=输出负载电容,V
CC
=电源电压。
测试电路和波形
t
r
= 6ns的
输入
90%
50%
10%
t
TLH
90%
50%
10%
t
PHL
t
PLH
t
f
= 6ns的
V
CC
输入
GND
t
THL
t
r
= 6ns的
2.7V
1.3V
0.3V
t
TLH
90%
反相
产量
t
PHL
t
PLH
1.3V
10%
t
f
= 6ns的
3V
GND
t
THL
反相
产量
图1. HC和HCU转换时间PROPAGA-
TION延迟时间的组合逻辑
图2. HCT过渡时间和传输
延迟时间的组合逻辑
5
CD54HC85 , CD74HC85 ,
CD54HCT85 , CD74HCT85
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS136E
1997年8月 - 修订2003年10月
高速CMOS逻辑器件
4位数值比较器
描述
在“ HC85和” HCT85是高速级
使用硅栅CMOS技术的比较
实现运行速度类似于LSTTL与低
标准CMOS的功耗集成电路。
这4位设备比较两个二进制, BCD ,或其他
单调的代码和现在的三个可能的幅度
结果在输出端(A > B,A < B和A = B) 。 4位
输入词语进行加权(A0至A3和B0至B3 ),其中A3
和B
3
最显着的位。
该设备是可扩展的,无需外部门,在这两个
串行和并行的方式。该真值表的上部
表示使用单个设备或多个设备的操作在一
串行扩展的应用程序。并行扩展
计划由最近三个条目中描述的真相
表。
特点
缓冲输入和输出
[ /标题
(CD74
HC85,
CD74
HCT85
)
/子
拍摄对象
(高
速度
CMOS
逻辑
4-Bit
Magni-
突地
COM-
典型传播延迟: 13ns (数据到输出的
V
CC
= 5V ,C
L
= 15pF的,T
A
= 25
o
C
串行或并行扩展,无需外部选通
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
at
V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC85F3A
CD54HCT85F3A
CD74HC85E
CD74HC85M
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
引脚
CD54HC85 , CD54HCT85 ( CERDIP )
CD74HC85 ( PDIP , SOIC , SOP , TSSOP )
CD74HCT85 ( PDIP , SOIC )
顶视图
B3 1
(A <二) 2
( A = B )3
(A >二) 4
(A > B) 5
( A = B) OUT 6
(A < B) OUT 7
GND 8
16 V
CC
15 A3
14 B2
13 A2
12 A1
11 B1
10 A0
9 B0
CD74HC85MT
CD74HC85M96
CD74HC85NSR
CD74HC85PW
CD74HC85PWR
CD74HC85PWT
CD74HCT85E
CD74HCT85M
CD74HCT85MT
CD74HCT85M96
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF网络XES 96
而R表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示小量
卷轴250 。
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD54HC85 , CD74HC85 , CD54HCT85 , CD74HCT85
PFunctional图
A3
A2
A1
A0
(A <二)
( A = B )的
(A >二)
B3
B2
11
B1
9
B0
15
13
12
10
2
3
4
1
14
7
6
5
(A < B) OUT
( A = B) OUT
(A > B) OUT
真值表
INPUTS模式对比
A3,B3
A2,B2
A1,B1
A0,B0
级联输入
A>B
A<B
A-B
A>B
输出
A<B
A-B
单台设备或一系列连锁反应
A3 > B3
A3 < B3
A3 = B3
A3 = B3
A3 = B3
A3 = B3
A3 = B3
A3 = B3
A3 = B3
A3 = B3
A3 = B3
X
X
A2 >B2
A2 B2 <
A2 = B2
A2 = B2
A2 = B2
A2 = B2
A2 = B2
A2 = B2
A2 = B2
X
X
X
X
A1 B1 >
A1 B1 <
A1 = B1
A1 = B1
A1 = B1
A1 = B1
A1 = B1
X
X
X
X
X
X
A0 > B0
A0 < B0
A0 = B0
A0 = B0
A0 = B0
X
X
X
X
X
X
X
X
H
L
L
X
X
X
X
X
X
X
X
L
H
L
X
X
X
X
X
X
X
X
L
L
H
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
L
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
并行CASCADING
A3 = B3
A3 = B3
A3 = B3
A2 = B2
A2 = B2
A2 = B2S
A1 = B1
A1 = B1
A1 = B1
A0 = B0
A0 = B0
A0 = B0
X
H
L
X
H
L
H
L
L
L
L
H
L
L
H
H
L
L
H =高电平, L =低电压等级, X = Do not护理
2
CD54HC85 , CD74HC85 , CD54HCT85 , CD74HCT85
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
cc或
I
GND
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
封装的热阻抗,
θ
JA
(见注1 ) :
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 67
o
C / W
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 73
o
C / W
NS ( SOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 64
o
C / W
PW ( TSSOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 108
o
C / W
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
I
I
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
4
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
4.5
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.26
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.33
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.4
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
符号
V
I
(V)
I
O
(MA )
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
5.2
-
0
6
6
6
-
-
-
-
-
-
0.26
±0.1
8
-
-
-
0.33
±1
80
-
-
-
0.4
±1
160
V
A
A
3
CD54HC85 , CD74HC85 , CD54HCT85 , CD74HCT85
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
注意:
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
(注2 )
V
CC
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
OL
V
IH
或V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
或V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
V
I
(V)
I
O
(MA )
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
V
CC
(V)
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
5.5
5.5
4.5
5.5
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
HCT输入负载表
输入
A0 -A3 , B0 - B3和(A = B )的
(A >二) , (A <二)
单位负载
1.5
1
注:机组负荷为
I
CC
限制特定网络版的DC电气表,如
最大360μA 25
o
C.
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
TEST
条件
25
o
C
V
CC
(V)
2
4.5
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
A
n
, B
n
以( A = B) OUT
t
PLH ,
t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
5
6
2
4.5
5
6
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
16
-
-
-
14
-
最大
195
39
-
33
175
35
-
30
-40
o
C到
85
o
C
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
245
47
-
42
240
44
-
37
-55
o
C到
125
o
C
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
295
59
-
50
265
53
-
45
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
参数
HC类型
传播延迟,
A
n
, B
n
以(A > B) OUT ,
(A < B) OUT
符号
t
PLH ,
t
PHL
C
L
= 50pF的
4
CD54HC85 , CD74HC85 , CD54HCT85 , CD74HCT85
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
(续)
25
o
C
V
CC
(V)
2
4.5
5
6
2
4.5
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
功率耗散电容
(注3,4)
输出转换时间
(图1)
C
PD
-
5
6
5
2
4.5
6
输入电容
HCT类型
传播延迟,
一,BN为(A > B) OUT ,
(A < B) OUT
一,BN为(A = B) OUT
C
IN
-
-
4.5
5
4.5
5
4.5
5
4.5
5
4.5
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
11
-
-
-
9
-
24
-
-
-
-
-
15
-
17
-
12
-
13
-
26
-
最大
140
28
-
24
120
24
-
20
-
75
15
13
10
37
-
40
-
30
-
31
-
15
-
10
-40
o
C到
85
o
C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
175
35
-
30
150
30
-
26
-
95
19
16
10
46
-
50
-
38
-
39
-
19
-
10
-55
o
C到
125
o
C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
210
42
-
36
180
36
-
31
-
110
22
19
10
56
-
60
-
45
-
47
-
22
-
10
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
ns
ns
ns
pF
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
参数
符号
TEST
条件
(A >二) , (A <二) , (A = B) T中
PLH ,
t
PHL
C
L
= 50pF的
以(A > B) OUT (A < B) OUT
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
(A >二)至( A = B) OUT
t
PLH ,
t
PHL
C
L
= 50pF的
t
TLH
, t
THL
C
L
= 50pF的
t
PLH ,
t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
t
PLH ,
t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
(A >二) , (A <二) , (A = B) T中
PLH ,
t
PHL
C
L
= 50pF的
以(A > B) OUT (A < B) OUT
C
L
= 15pF的
(A >二)至( A = B) OUT
输出转换时间
(图1)
功率耗散电容
(注3,4)
输入电容
注意事项:
t
PLH ,
t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
t
TLH
, t
THL
C
L
= 50pF的
C
PD
C
IN
-
3. C
PD
被用于确定所述动态功耗,每个门/包。
4. P
D
= V
CC2
f
i
(C
PD
+ C
L
) ,其中F
i
=输入频率,C
L
=输出负载电容,V
CC
=电源电压。
测试电路和波形
t
r
= 6ns的
输入
90%
50%
10%
t
TLH
90%
50%
10%
t
PHL
t
PLH
t
f
= 6ns的
V
CC
输入
GND
t
THL
t
r
= 6ns的
2.7V
1.3V
0.3V
t
TLH
90%
反相
产量
t
PHL
t
PLH
1.3V
10%
t
f
= 6ns的
3V
GND
t
THL
反相
产量
图1. HC和HCU转换时间PROPAGA-
TION延迟时间的组合逻辑
图2. HCT过渡时间和传输
延迟时间的组合逻辑
5
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