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CD54HC75 , CD74HC75 ,
CD54HCT75 , CD74HCT75
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS135F
1998年3月 - 修订2003年10月
双路2位双稳态
透明锁存器
描述
在“ HC75和” HCT75是双2位双稳态透明
锁存器。 2位的锁存器中的每一个被控制的
独立的使能输入( 1E和2E ),这是低电平有效。
当使能输入为高电平数据进入锁存器和
出现在Q输出端。当使能输入( 1E和2E )
为低电平的输出不受影响。
特点
真正的和互补输出
[ /标题
(CD74
HC75,
CD74
HCT75
)
/子
拍摄对象
(双
2-Bit
Bistabl
e
缓冲输入和输出
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC75F3A
CD54HCT75F3A
CD74HC75E
CD74HC75M
CD74HC75MT
CD74HC75M96
CD74HC75NSR
CD74HC75PW
CD74HC75PWR
CD74HCT75E
CD74HCT75M
CD74HCT75PWT
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的TSSOP
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF网络XES 96
而R表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示小量
卷轴250 。
引脚
CD54HC75 , CD54HCT75 ( CERDIP )
CD74HC75 ( PDIP , SOIC , SOP , TSSOP )
CD74HCT75 ( PDIP , SOIC , TSSOP )
顶视图
1Q0 1
1D0 2
1D1 3
2E 4
V
CC
5
2D0 6
2D1 7
2Q1 8
16 1Q0
15 1Q1
14 1Q1
13 1E
12 GND
11 2Q0
10 2Q0
9 2Q1
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD54HC75 , CD74HC75 , CD54HCT75 , CD74HCT75
工作原理图
16 (10)
2 (6)
D0
3 (7)
D1
1 2
锁存器
1 (11)
Q0
14 (8)
Q1
15 (9)
13 (4)
E
Q1
Q0
真值表
输入
D
L
H
X
E
H
H
L
Q
L
H
Q0
输出
Q
H
L
Q0
H =高电平
L =低电平
X =无关
Q0 = Q的大肠杆菌的转型前的水平
逻辑图
LATCH 0
2 (6)
D0
16 (10)
D
LE
13 (4)
E
Q
LE
Q0
1 (11)
Q0
LE
P
Q
N
LE
Q
LE
P
N
LE
14 (8)
Q1
LE
3 (7)
D1
D
锁存器1
5
12
V
CC
GND
Q
LE
15 (9)
Q1
图1.逻辑图
图2 LATCH详细信息
2
CD54HC75 , CD74HC75 , CD54HCT75 , CD74HCT75
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流,每个输出,我
O
为-0.5V < V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
封装的热阻抗,
θ
JA
(见注1 )
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 67
o
C / W
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 73
o
C / W
NS ( SOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 64
o
C / W
PW ( TSSOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 108
o
C / W
最高结温(密封包装或死亡) 。 。 。 175
o
C
最高结温(塑料封装) 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围,T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
I
I
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
OH
V
IH
or
V
IL
-0.02
2
4.5
6
-
-4
-5.2
0.02
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4
5.2
-
-
4.5
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
符号
V
I
(V)
I
O
(毫安)V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
最大
-55
o
C至125
o
C
最大
单位
3
CD54HC75 , CD74HC75 , CD54HCT75 , CD74HCT75
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
静态器件
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
注意:
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
I
I
V
CC
GND
V
CC
or
GND
V
CC
- 2.1
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
or
V
IL
-
-
- 0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
I
CC
V
I
(V)
V
CC
or
GND
I
O
(毫安)V
CC
(V)
0
6
-
25
o
C
典型值
-
最大
4
-40
o
C至85
o
C
-
最大
40
-55
o
C至125
o
C
-
最大
80
单位
A
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4
4.5
4.5
-
-
-
-
0.1
0.26
-
-
0.1
0.33
-
-
0.1
0.4
V
V
-
5.5
-
±0.1
-
±1
-
±1
A
I
CC
I
CC
(注2 )
0
-
5.5
4.5
5.5
-
-
-
100
4
360
-
-
40
450
-
-
80
490
A
A
HCT输入负载表
输入
D0, D1
1E, 2E
单位负载
0.8
1.2
注:机组负荷为
I
CC
在直流电气连接特定钙限制特定网络版
系统蒸发散表,例如, 360μA最大值在25
o
C.
用于交换特定网络阳离子前提条件
参数
HC类型
脉宽使能输入
t
W
-
2
4.5
6
建立时间d启用
t
SU
-
2
4.5
6
80
16
14
60
12
10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
100
20
17
75
15
13
-
-
-
-
-
-
120
24
20
90
18
15
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
符号
TEST
条件
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
4
CD54HC75 , CD74HC75 , CD54HCT75 , CD74HCT75
用于交换特定网络阳离子前提条件
参数
保持时间启动到D
符号
t
H
(续)
V
CC
(V)
2
4.5
6
HCT类型
脉宽使能输入
建立时间d启用
保持时间启动到D
t
W
t
SU
t
H
-
-
-
4.5
4.5
4.5
16
12
3
-
-
-
-
-
-
20
15
3
-
-
-
24
18
3
-
-
-
ns
ns
ns
25
o
C
3
3
3
典型值
-
-
-
最大
-
-
-
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
3
3
3
最大
-
-
-
3
3
3
最大
-
-
-
单位
ns
ns
ns
TEST
条件
-
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
参数
HC类型
传播延迟,
数据Q
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
传播延迟,
数据Q
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
传播延迟,
启用以Q
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
传播延迟,
启用以Q
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
输出转换时间
t
TLH
, t
THL
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
输入电容
功率耗散电容
(注3,4)
HCT类型
传播延迟,
数据Q
传播延迟,
数据Q
传播延迟,
启用以Q
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
4.5
5
4.5
5
4.5
5
-
-
-
-
-
-
11
-
11
-
11
28
-
28
-
28
-
-
-
-
-
-
-
35
-
35
-
35
-
-
-
-
-
-
-
42
-
42
-
42
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
C
I
C
PD
-
-
2
4.5
5
6
2
4.5
5
6
2
4.5
5
6
2
4.5
5
6
2
4.5
6
-
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
9
-
-
-
10
-
-
-
10
-
-
-
11
-
-
-
-
-
46
110
22
-
19
130
26
-
22
130
26
-
22
130
26
-
22
75
15
13
10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
140
28
-
24
165
33
-
28
165
33
-
28
165
33
-
28
95
19
16
10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
165
33
-
28
195
39
-
33
195
39
-
33
195
39
-
33
110
22
19
10
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
符号
TEST
条件
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
5
CD54HC75 , CD74HC75 ,
CD54HCT75 , CD74HCT75
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS135F
1998年3月 - 修订2003年10月
双路2位双稳态
透明锁存器
描述
在“ HC75和” HCT75是双2位双稳态透明
锁存器。 2位的锁存器中的每一个被控制的
独立的使能输入( 1E和2E ),这是低电平有效。
当使能输入为高电平数据进入锁存器和
出现在Q输出端。当使能输入( 1E和2E )
为低电平的输出不受影响。
特点
真正的和互补输出
[ /标题
(CD74
HC75,
CD74
HCT75
)
/子
拍摄对象
(双
2-Bit
Bistabl
e
缓冲输入和输出
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC75F3A
CD54HCT75F3A
CD74HC75E
CD74HC75M
CD74HC75MT
CD74HC75M96
CD74HC75NSR
CD74HC75PW
CD74HC75PWR
CD74HCT75E
CD74HCT75M
CD74HCT75PWT
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的TSSOP
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF网络XES 96
而R表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示小量
卷轴250 。
引脚
CD54HC75 , CD54HCT75 ( CERDIP )
CD74HC75 ( PDIP , SOIC , SOP , TSSOP )
CD74HCT75 ( PDIP , SOIC , TSSOP )
顶视图
1Q0 1
1D0 2
1D1 3
2E 4
V
CC
5
2D0 6
2D1 7
2Q1 8
16 1Q0
15 1Q1
14 1Q1
13 1E
12 GND
11 2Q0
10 2Q0
9 2Q1
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD54HC75 , CD74HC75 , CD54HCT75 , CD74HCT75
工作原理图
16 (10)
2 (6)
D0
3 (7)
D1
1 2
锁存器
1 (11)
Q0
14 (8)
Q1
15 (9)
13 (4)
E
Q1
Q0
真值表
输入
D
L
H
X
E
H
H
L
Q
L
H
Q0
输出
Q
H
L
Q0
H =高电平
L =低电平
X =无关
Q0 = Q的大肠杆菌的转型前的水平
逻辑图
LATCH 0
2 (6)
D0
16 (10)
D
LE
13 (4)
E
Q
LE
Q0
1 (11)
Q0
LE
P
Q
N
LE
Q
LE
P
N
LE
14 (8)
Q1
LE
3 (7)
D1
D
锁存器1
5
12
V
CC
GND
Q
LE
15 (9)
Q1
图1.逻辑图
图2 LATCH详细信息
2
CD54HC75 , CD74HC75 , CD54HCT75 , CD74HCT75
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流,每个输出,我
O
为-0.5V < V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
封装的热阻抗,
θ
JA
(见注1 )
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 67
o
C / W
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 73
o
C / W
NS ( SOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 64
o
C / W
PW ( TSSOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 108
o
C / W
最高结温(密封包装或死亡) 。 。 。 175
o
C
最高结温(塑料封装) 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围,T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
I
I
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
OH
V
IH
or
V
IL
-0.02
2
4.5
6
-
-4
-5.2
0.02
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4
5.2
-
-
4.5
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
符号
V
I
(V)
I
O
(毫安)V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
最大
-55
o
C至125
o
C
最大
单位
3
CD54HC75 , CD74HC75 , CD54HCT75 , CD74HCT75
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
静态器件
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
注意:
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
I
I
V
CC
GND
V
CC
or
GND
V
CC
- 2.1
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
or
V
IL
-
-
- 0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
I
CC
V
I
(V)
V
CC
or
GND
I
O
(毫安)V
CC
(V)
0
6
-
25
o
C
典型值
-
最大
4
-40
o
C至85
o
C
-
最大
40
-55
o
C至125
o
C
-
最大
80
单位
A
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4
4.5
4.5
-
-
-
-
0.1
0.26
-
-
0.1
0.33
-
-
0.1
0.4
V
V
-
5.5
-
±0.1
-
±1
-
±1
A
I
CC
I
CC
(注2 )
0
-
5.5
4.5
5.5
-
-
-
100
4
360
-
-
40
450
-
-
80
490
A
A
HCT输入负载表
输入
D0, D1
1E, 2E
单位负载
0.8
1.2
注:机组负荷为
I
CC
在直流电气连接特定钙限制特定网络版
系统蒸发散表,例如, 360μA最大值在25
o
C.
用于交换特定网络阳离子前提条件
参数
HC类型
脉宽使能输入
t
W
-
2
4.5
6
建立时间d启用
t
SU
-
2
4.5
6
80
16
14
60
12
10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
100
20
17
75
15
13
-
-
-
-
-
-
120
24
20
90
18
15
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
符号
TEST
条件
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
4
CD54HC75 , CD74HC75 , CD54HCT75 , CD74HCT75
用于交换特定网络阳离子前提条件
参数
保持时间启动到D
符号
t
H
(续)
V
CC
(V)
2
4.5
6
HCT类型
脉宽使能输入
建立时间d启用
保持时间启动到D
t
W
t
SU
t
H
-
-
-
4.5
4.5
4.5
16
12
3
-
-
-
-
-
-
20
15
3
-
-
-
24
18
3
-
-
-
ns
ns
ns
25
o
C
3
3
3
典型值
-
-
-
最大
-
-
-
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
3
3
3
最大
-
-
-
3
3
3
最大
-
-
-
单位
ns
ns
ns
TEST
条件
-
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
参数
HC类型
传播延迟,
数据Q
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
传播延迟,
数据Q
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
传播延迟,
启用以Q
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
传播延迟,
启用以Q
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
输出转换时间
t
TLH
, t
THL
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
输入电容
功率耗散电容
(注3,4)
HCT类型
传播延迟,
数据Q
传播延迟,
数据Q
传播延迟,
启用以Q
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
4.5
5
4.5
5
4.5
5
-
-
-
-
-
-
11
-
11
-
11
28
-
28
-
28
-
-
-
-
-
-
-
35
-
35
-
35
-
-
-
-
-
-
-
42
-
42
-
42
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
C
I
C
PD
-
-
2
4.5
5
6
2
4.5
5
6
2
4.5
5
6
2
4.5
5
6
2
4.5
6
-
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
9
-
-
-
10
-
-
-
10
-
-
-
11
-
-
-
-
-
46
110
22
-
19
130
26
-
22
130
26
-
22
130
26
-
22
75
15
13
10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
140
28
-
24
165
33
-
28
165
33
-
28
165
33
-
28
95
19
16
10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
165
33
-
28
195
39
-
33
195
39
-
33
195
39
-
33
110
22
19
10
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
符号
TEST
条件
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
5
CD54HC75 , CD74HC75 ,
CD54HCT75 , CD74HCT75
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS135F
1998年3月 - 修订2003年10月
双路2位双稳态
透明锁存器
描述
在“ HC75和” HCT75是双2位双稳态透明
锁存器。 2位的锁存器中的每一个被控制的
独立的使能输入( 1E和2E ),这是低电平有效。
当使能输入为高电平数据进入锁存器和
出现在Q输出端。当使能输入( 1E和2E )
为低电平的输出不受影响。
特点
真正的和互补输出
[ /标题
(CD74
HC75,
CD74
HCT75
)
/子
拍摄对象
(双
2-Bit
Bistabl
e
缓冲输入和输出
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC75F3A
CD54HCT75F3A
CD74HC75E
CD74HC75M
CD74HC75MT
CD74HC75M96
CD74HC75NSR
CD74HC75PW
CD74HC75PWR
CD74HCT75E
CD74HCT75M
CD74HCT75PWT
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的TSSOP
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF网络XES 96
而R表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示小量
卷轴250 。
引脚
CD54HC75 , CD54HCT75 ( CERDIP )
CD74HC75 ( PDIP , SOIC , SOP , TSSOP )
CD74HCT75 ( PDIP , SOIC , TSSOP )
顶视图
1Q0 1
1D0 2
1D1 3
2E 4
V
CC
5
2D0 6
2D1 7
2Q1 8
16 1Q0
15 1Q1
14 1Q1
13 1E
12 GND
11 2Q0
10 2Q0
9 2Q1
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD54HC75 , CD74HC75 , CD54HCT75 , CD74HCT75
工作原理图
16 (10)
2 (6)
D0
3 (7)
D1
1 2
锁存器
1 (11)
Q0
14 (8)
Q1
15 (9)
13 (4)
E
Q1
Q0
真值表
输入
D
L
H
X
E
H
H
L
Q
L
H
Q0
输出
Q
H
L
Q0
H =高电平
L =低电平
X =无关
Q0 = Q的大肠杆菌的转型前的水平
逻辑图
LATCH 0
2 (6)
D0
16 (10)
D
LE
13 (4)
E
Q
LE
Q0
1 (11)
Q0
LE
P
Q
N
LE
Q
LE
P
N
LE
14 (8)
Q1
LE
3 (7)
D1
D
锁存器1
5
12
V
CC
GND
Q
LE
15 (9)
Q1
图1.逻辑图
图2 LATCH详细信息
2
CD54HC75 , CD74HC75 , CD54HCT75 , CD74HCT75
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流,每个输出,我
O
为-0.5V < V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
封装的热阻抗,
θ
JA
(见注1 )
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 67
o
C / W
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 73
o
C / W
NS ( SOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 64
o
C / W
PW ( TSSOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 108
o
C / W
最高结温(密封包装或死亡) 。 。 。 175
o
C
最高结温(塑料封装) 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围,T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
I
I
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
OH
V
IH
or
V
IL
-0.02
2
4.5
6
-
-4
-5.2
0.02
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4
5.2
-
-
4.5
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
符号
V
I
(V)
I
O
(毫安)V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
最大
-55
o
C至125
o
C
最大
单位
3
CD54HC75 , CD74HC75 , CD54HCT75 , CD74HCT75
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
静态器件
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
注意:
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
I
I
V
CC
GND
V
CC
or
GND
V
CC
- 2.1
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
or
V
IL
-
-
- 0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
I
CC
V
I
(V)
V
CC
or
GND
I
O
(毫安)V
CC
(V)
0
6
-
25
o
C
典型值
-
最大
4
-40
o
C至85
o
C
-
最大
40
-55
o
C至125
o
C
-
最大
80
单位
A
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4
4.5
4.5
-
-
-
-
0.1
0.26
-
-
0.1
0.33
-
-
0.1
0.4
V
V
-
5.5
-
±0.1
-
±1
-
±1
A
I
CC
I
CC
(注2 )
0
-
5.5
4.5
5.5
-
-
-
100
4
360
-
-
40
450
-
-
80
490
A
A
HCT输入负载表
输入
D0, D1
1E, 2E
单位负载
0.8
1.2
注:机组负荷为
I
CC
在直流电气连接特定钙限制特定网络版
系统蒸发散表,例如, 360μA最大值在25
o
C.
用于交换特定网络阳离子前提条件
参数
HC类型
脉宽使能输入
t
W
-
2
4.5
6
建立时间d启用
t
SU
-
2
4.5
6
80
16
14
60
12
10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
100
20
17
75
15
13
-
-
-
-
-
-
120
24
20
90
18
15
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
符号
TEST
条件
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
4
CD54HC75 , CD74HC75 , CD54HCT75 , CD74HCT75
用于交换特定网络阳离子前提条件
参数
保持时间启动到D
符号
t
H
(续)
V
CC
(V)
2
4.5
6
HCT类型
脉宽使能输入
建立时间d启用
保持时间启动到D
t
W
t
SU
t
H
-
-
-
4.5
4.5
4.5
16
12
3
-
-
-
-
-
-
20
15
3
-
-
-
24
18
3
-
-
-
ns
ns
ns
25
o
C
3
3
3
典型值
-
-
-
最大
-
-
-
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
3
3
3
最大
-
-
-
3
3
3
最大
-
-
-
单位
ns
ns
ns
TEST
条件
-
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
参数
HC类型
传播延迟,
数据Q
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
传播延迟,
数据Q
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
传播延迟,
启用以Q
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
传播延迟,
启用以Q
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
输出转换时间
t
TLH
, t
THL
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
输入电容
功率耗散电容
(注3,4)
HCT类型
传播延迟,
数据Q
传播延迟,
数据Q
传播延迟,
启用以Q
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
4.5
5
4.5
5
4.5
5
-
-
-
-
-
-
11
-
11
-
11
28
-
28
-
28
-
-
-
-
-
-
-
35
-
35
-
35
-
-
-
-
-
-
-
42
-
42
-
42
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
C
I
C
PD
-
-
2
4.5
5
6
2
4.5
5
6
2
4.5
5
6
2
4.5
5
6
2
4.5
6
-
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
9
-
-
-
10
-
-
-
10
-
-
-
11
-
-
-
-
-
46
110
22
-
19
130
26
-
22
130
26
-
22
130
26
-
22
75
15
13
10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
140
28
-
24
165
33
-
28
165
33
-
28
165
33
-
28
95
19
16
10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
165
33
-
28
195
39
-
33
195
39
-
33
195
39
-
33
110
22
19
10
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
符号
TEST
条件
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
5
CD54HC75 , CD74HC75 ,
CD54HCT75 , CD74HCT75
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS135F
1998年3月 - 修订2003年10月
双路2位双稳态
透明锁存器
描述
在“ HC75和” HCT75是双2位双稳态透明
锁存器。 2位的锁存器中的每一个被控制的
独立的使能输入( 1E和2E ),这是低电平有效。
当使能输入为高电平数据进入锁存器和
出现在Q输出端。当使能输入( 1E和2E )
为低电平的输出不受影响。
特点
真正的和互补输出
[ /标题
(CD74
HC75,
CD74
HCT75
)
/子
拍摄对象
(双
2-Bit
Bistabl
e
缓冲输入和输出
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC75F3A
CD54HCT75F3A
CD74HC75E
CD74HC75M
CD74HC75MT
CD74HC75M96
CD74HC75NSR
CD74HC75PW
CD74HC75PWR
CD74HCT75E
CD74HCT75M
CD74HCT75PWT
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的TSSOP
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF网络XES 96
而R表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示小量
卷轴250 。
引脚
CD54HC75 , CD54HCT75 ( CERDIP )
CD74HC75 ( PDIP , SOIC , SOP , TSSOP )
CD74HCT75 ( PDIP , SOIC , TSSOP )
顶视图
1Q0 1
1D0 2
1D1 3
2E 4
V
CC
5
2D0 6
2D1 7
2Q1 8
16 1Q0
15 1Q1
14 1Q1
13 1E
12 GND
11 2Q0
10 2Q0
9 2Q1
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD54HC75 , CD74HC75 , CD54HCT75 , CD74HCT75
工作原理图
16 (10)
2 (6)
D0
3 (7)
D1
1 2
锁存器
1 (11)
Q0
14 (8)
Q1
15 (9)
13 (4)
E
Q1
Q0
真值表
输入
D
L
H
X
E
H
H
L
Q
L
H
Q0
输出
Q
H
L
Q0
H =高电平
L =低电平
X =无关
Q0 = Q的大肠杆菌的转型前的水平
逻辑图
LATCH 0
2 (6)
D0
16 (10)
D
LE
13 (4)
E
Q
LE
Q0
1 (11)
Q0
LE
P
Q
N
LE
Q
LE
P
N
LE
14 (8)
Q1
LE
3 (7)
D1
D
锁存器1
5
12
V
CC
GND
Q
LE
15 (9)
Q1
图1.逻辑图
图2 LATCH详细信息
2
CD54HC75 , CD74HC75 , CD54HCT75 , CD74HCT75
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流,每个输出,我
O
为-0.5V < V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
封装的热阻抗,
θ
JA
(见注1 )
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 67
o
C / W
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 73
o
C / W
NS ( SOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 64
o
C / W
PW ( TSSOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 108
o
C / W
最高结温(密封包装或死亡) 。 。 。 175
o
C
最高结温(塑料封装) 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围,T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
I
I
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
OH
V
IH
or
V
IL
-0.02
2
4.5
6
-
-4
-5.2
0.02
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4
5.2
-
-
4.5
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
符号
V
I
(V)
I
O
(毫安)V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
最大
-55
o
C至125
o
C
最大
单位
3
CD54HC75 , CD74HC75 , CD54HCT75 , CD74HCT75
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
静态器件
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
注意:
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
I
I
V
CC
GND
V
CC
or
GND
V
CC
- 2.1
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
or
V
IL
-
-
- 0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
I
CC
V
I
(V)
V
CC
or
GND
I
O
(毫安)V
CC
(V)
0
6
-
25
o
C
典型值
-
最大
4
-40
o
C至85
o
C
-
最大
40
-55
o
C至125
o
C
-
最大
80
单位
A
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4
4.5
4.5
-
-
-
-
0.1
0.26
-
-
0.1
0.33
-
-
0.1
0.4
V
V
-
5.5
-
±0.1
-
±1
-
±1
A
I
CC
I
CC
(注2 )
0
-
5.5
4.5
5.5
-
-
-
100
4
360
-
-
40
450
-
-
80
490
A
A
HCT输入负载表
输入
D0, D1
1E, 2E
单位负载
0.8
1.2
注:机组负荷为
I
CC
在直流电气连接特定钙限制特定网络版
系统蒸发散表,例如, 360μA最大值在25
o
C.
用于交换特定网络阳离子前提条件
参数
HC类型
脉宽使能输入
t
W
-
2
4.5
6
建立时间d启用
t
SU
-
2
4.5
6
80
16
14
60
12
10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
100
20
17
75
15
13
-
-
-
-
-
-
120
24
20
90
18
15
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
符号
TEST
条件
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
4
CD54HC75 , CD74HC75 , CD54HCT75 , CD74HCT75
用于交换特定网络阳离子前提条件
参数
保持时间启动到D
符号
t
H
(续)
V
CC
(V)
2
4.5
6
HCT类型
脉宽使能输入
建立时间d启用
保持时间启动到D
t
W
t
SU
t
H
-
-
-
4.5
4.5
4.5
16
12
3
-
-
-
-
-
-
20
15
3
-
-
-
24
18
3
-
-
-
ns
ns
ns
25
o
C
3
3
3
典型值
-
-
-
最大
-
-
-
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
3
3
3
最大
-
-
-
3
3
3
最大
-
-
-
单位
ns
ns
ns
TEST
条件
-
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
参数
HC类型
传播延迟,
数据Q
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
传播延迟,
数据Q
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
传播延迟,
启用以Q
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
传播延迟,
启用以Q
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
输出转换时间
t
TLH
, t
THL
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
输入电容
功率耗散电容
(注3,4)
HCT类型
传播延迟,
数据Q
传播延迟,
数据Q
传播延迟,
启用以Q
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
4.5
5
4.5
5
4.5
5
-
-
-
-
-
-
11
-
11
-
11
28
-
28
-
28
-
-
-
-
-
-
-
35
-
35
-
35
-
-
-
-
-
-
-
42
-
42
-
42
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
C
I
C
PD
-
-
2
4.5
5
6
2
4.5
5
6
2
4.5
5
6
2
4.5
5
6
2
4.5
6
-
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
9
-
-
-
10
-
-
-
10
-
-
-
11
-
-
-
-
-
46
110
22
-
19
130
26
-
22
130
26
-
22
130
26
-
22
75
15
13
10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
140
28
-
24
165
33
-
28
165
33
-
28
165
33
-
28
95
19
16
10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
165
33
-
28
195
39
-
33
195
39
-
33
195
39
-
33
110
22
19
10
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
符号
TEST
条件
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
5
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