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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第1271页 > CD74HC7266M
CD54HC7266 ， CD74HC7266
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS219D
1997年8月 - 修订2003年9月
高速CMOS逻辑器件
四2输入异或非门
描述
在' HC7266包含四个独立的异或非
盖茨在一个封装中。它们所提供的系统设计者
与实施专属的手段NOR
功能。
该装置在功能上是相同的TTL226 。他们
不同之处在于“ HC7266具有活性高和低输出
而226具有集电极开路输出。
特点
四个独立的异或非门
[ /标题
(CD74H
C7266)
/主题
（高
速度
CMOS
逻辑
四2-
输入
的排除
西伯
缓冲输入和输出
逻辑比较
奇偶校验发生器和校验器
加法器/减法器
扇出（整个温度范围内）
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性：不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 ％
CC
at
V
CC
= 5V
订购信息
产品型号
CD54HC7266F3A
CD74HC7266E
CD74HC7266M
CD74HC7266MT
CD74HC7266M96
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
包
14 Ld的CERDIP
14 Ld的PDIP
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
注：订货时，使用整个零件编号。该SUF科幻×96
表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示小批量卷轴
250 。
引脚
CD54HC7266
（ CERDIP ）
CD74HC7266
（ PDIP ， SOIC ）
顶视图
1A 1
1B 2
1Y 3
2Y 4
2A 5
2B 6
7 GND
14 V
CC
13 4B
12 4A
11 4Y
10 3Y
9 3B
8 3A
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年，德州仪器
1
CD54HC7266 ， CD74HC7266
工作原理图
1
2
5
6
8
9
12
13
11
10
3Y
4Y
1A
1B
2A
2B
3A
3B
4A
4B
3
4
1Y
2Y
GND = 7
V
CC
= 14
真值表
输入
nA
L
L
H
H
nB
L
H
L
H
产量
nY
H
L
L
H
H =高电平， L =低电压电平
逻辑符号
nA
nY
nB
2
CD54HC7266 ， CD74HC7266
绝对最大额定值
直流电源电压，V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流，I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流，I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流，我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流，I
cc或
I
GND
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻（典型值，注1 ）
θ
JA
(
o
C / W ）
E（ PDIP ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
80
M（ SOIC ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
86
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
温度范围（T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围，V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压，V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns （最大值）
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns （最大值）
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns （最大值）
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意：
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
V
OL
V
IH
或V
IL
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
低电平输出
电压
TTL负载
4
5.2
2
4.5
6
4.5
6
2
4.5
6
4.5
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
符号
V
I
(V)
I
O
（MA ）
V
CC
(V)
民
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
民
最大
民
最大
单位
3
CD54HC7266 ， CD74HC7266
直流电特定网络阳离子
（续）
TEST
条件
参数
输入漏
当前
静态器件
当前
符号
I
I
I
CC
V
I
(V)
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
25
o
C
参数
HC类型
传播延迟
t
PLH ，
t
PHL
C
L
= 50pF的
2
4.5
6
传播延迟时间，任何
输入
输出转换时间
（图1）
t
PLH ，
t
PHL
t
TLH
, t
THL
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
5
-
-
-
9
115
23
30
-
145
29
25
-
150
35
30
-
ns
ns
ns
ns
符号
TEST
条件
V
CC
(V)
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
I
O
（MA ）
-
V
CC
(V)
6
民
-
25
o
C
典型值
-
最大
±0.1
2
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
民
-
最大
±1
20
民
-
最大
±1
40
单位
A
A
0
6
-
-
-
-
交换特定网络阳离子
2
4.5
6
-
-
-
-
33
75
15
13
10
-
95
19
16
10
-
110
22
19
10
-
ns
ns
ns
pF
pF
输入电容
功耗
电容
注意：
C
IN
C
PD
（注2 ）
-
C
L
= 15pF的
-
5
2. C
PD
用于确定每个门， P上的动态功耗
D
= V
CC2
f
i
(C
PD
+ C
L
） ，其中F
i
=输入频率，C
L
=输出
负载电容，V
CC
=电源电压。
测试电路和波形
t
r
= 6ns的
输入
90%
50%
10%
t
TLH
90%
50%
10%
t
PHL
t
PLH
t
f
= 6ns的
V
CC
GND
t
THL
反相
产量
图1. HC和HCU过渡时间和传输延迟时间的组合逻辑
4
封装选项附录
www.ti.com
26-Sep-2005
包装信息
订购设备
8404302CA
CD54HC7266F3A
CD74HC7266E
CD74HC7266EE4
CD74HC7266M
CD74HC7266M96
CD74HC7266M96E4
CD74HC7266ME4
CD74HC7266MT
CD74HC7266MTE4
(1)
状态
(1)
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
包
TYPE
CDIP
CDIP
PDIP
PDIP
SOIC
SOIC
SOIC
SOIC
SOIC
SOIC
包
制图
J
J
N
N
D
D
D
D
D
D
引脚封装环保计划
(2)
数量
14
14
14
14
14
14
14
14
14
14
1
1
25
25
50
待定
待定
无铅
（符合RoHS ）
无铅
（符合RoHS ）
绿色环保（RoHS &
无锑/溴）
铅/焊球涂层
TI打电话
TI打电话
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
MSL峰值温度
(3)
等级-NC -NC -NC
等级-NC -NC -NC
等级-NC -NC -NC
等级-NC -NC -NC
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
2500绿色环保（RoHS &
无锑/溴）
2500绿色环保（RoHS &
无锑/溴）
50
250
250
绿色环保（RoHS &
无锑/溴）
绿色环保（RoHS &
无锑/溴）
绿色环保（RoHS &
无锑/溴）
营销状态值的定义如下：
ACTIVE ：
建议用于新设计产品的设备。
LIFEBUY ：
德州仪器日前宣布，该设备将停止，并且终身购买期间生效。
NRND ：
不建议用于新设计。设备是生产以支持现有客户，但TI不推荐使用这部分
新的设计。
预览：
设备已宣告但尚未投入生产。样品可以是或可以不是可用的。
已过时：
TI已经停止生产该设备的。
(2)
环保计划 - 该计划的环保分级：无铅（ RoHS指令）或绿色环保（RoHS &无Sb / Br） - 请检查
http://www.ti.com/productcontent
获得最新供货信息和附加产品目录明细。
TBD ：
无铅/绿色转换计划尚未确定。
无铅（ RoHS指令） ：
TI的条款"Lead - Free"或"Pb - Free"意味着与当前RoHS要求的半导体产品
对于所有6种物质，其中包括铅的重量不超过均质材料0.1 ％的要求。其中，设计成被焊接
在高温下， TI无铅产品适用于特定的无铅工艺。
绿色环保（RoHS &无锑/溴） ：
TI定义"Green"意味着无铅（符合RoHS标准） ，无溴（ Br）和锑（Sb ）的火焰
阻燃剂（溴或锑不均质材料重量超过0.1 ％ ）
(3)
MSL ，峰值温度。 - 根据JEDEC行业标准分类的湿度敏感等级评级，并将峰值焊接
温度。
重要信息及免责声明：
本页提供的信息代表了TI的知识和信念，这是日期
提供的。 TI基于其上由第三方提供的信息，知识和信念，不作任何陈述或保证的
这些信息的准确性。正在努力更好地整合来自第三方的信息。 TI已经采取并将继续采取
合理步骤，以提供有代表性的，准确的信息，但可能还没有进行破坏性测试或化学分析
传入的材料和化学品。 TI及其供应商认为某些信息是专有的，因此CAS号码和其他有限
信息可能不提供用于释放。
在任何情况下，所产生的这种信息TI的责任超过了TI的部分（ S）的总购买价格问题由TI出售本文档中
为客户在年度基础上。
附录1页
CD74HC7266
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS219
1997年8月
高速CMOS逻辑
四2输入异或非门
描述
哈里斯CD74HC7266包含四个独立的
异或非在一个封装中门。它们所提供的
与实施手段系统设计
异或非功能。
该装置在功能上是相同的TTL226 。他们
不同之处在于HC7266具有活性高和低输出
而226具有集电极开路输出。
特点
四个独立的异或非门
缓冲输入和输出
逻辑比较
奇偶校验发生器和校验器
加法器/减法器
扇出（整个温度范围内）
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性：不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 ％
CC
at
V
CC
= 5V
[ /标题
(CD74H
C7266)
/主题
（高
速度
CMOS
逻辑
四2-
输入
的排除
西伯
订购信息
产品型号
CD74HC7266E
CD74HC7266M
注意事项：
1，订货时，使用整个零件编号。添加SUF音响X 96
获得在磁带和卷轴的变种。
2.模具的这一部分数量可满足所有电气
规格。请联系您当地的销售办事处或哈里斯
客户服务的订购信息。
TEMP 。 RANGE （
o
C)
-55至125
-55至125
包
14 Ld的PDIP
14 Ld的SOIC
PKG 。
号
E14.3
M14.15
引脚
CD74HC7266
（ PDIP ， SOIC ）
顶视图
1A 1
1B 2
1Y 3
2Y 4
2A 5
2B 6
7 GND
14 V
CC
13 4B
12 4A
11 4Y
10 3Y
9 3B
8 3A
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
1997年哈里斯公司
网络文件编号
1780.1
1
CD74HC7266
工作原理图
1
2
5
6
8
9
12
13
11
10
3Y
4Y
1A
1B
2A
2B
3A
3B
4A
4B
3
4
1Y
2Y
GND = 7
V
CC
= 14
真值表
输入
nA
L
L
H
H
nB
L
H
L
H
产量
nY
H
L
L
H
注： H =高电平， L =低电压电平
逻辑符号
nA
nY
nB
2
CD74HC7266
绝对最大额定值
直流电源电压，V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流，I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流，I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流，我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流，I
cc或
I
GND
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻（典型，注3 ）
θ
JA
(
o
C / W ）
PDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
90
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
175
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
温度范围（T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围，V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压，V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns （最大值）
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns （最大值）
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns （最大值）
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意：
3.
θ
JA
测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
V
OL
V
IH
或V
IL
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
低电平输出
电压
TTL负载
4
5.2
2
4.5
6
4.5
6
2
4.5
6
4.5
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
符号
V
I
(V)
I
O
（MA ）
V
CC
(V)
民
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
民
最大
民
最大
单位
3
CD74HC7266
直流电特定网络阳离子
（续）
TEST
条件
参数
输入漏
当前
静态器件
电流（注）
注意：
4.对于双电源系统理论分析最坏的情况下（V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V ）规格1.8毫安。
符号
I
I
I
CC
V
I
(V)
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
I
O
（MA ）
-
V
CC
(V)
6
民
-
25
o
C
典型值
-
最大
±0.1
2
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
民
-
最大
±1
20
民
-
最大
±1
40
单位
A
A
0
6
-
-
-
-
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
25
o
C
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
TEST
条件
参数
HC类型
传播延迟
符号
V
CC
(V)
典型值
最大
t
PLH ，
t
PHL
C
L
= 50pF的
2
4.5
6
-
-
-
9
115
23
30
-
145
29
25
-
150
35
30
-
ns
ns
ns
ns
传播延迟时间，任何
输入
输出转换时间
（图1）
t
PLH ，
t
PHL
t
TLH
, t
THL
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
5
2
4.5
6
-
-
-
-
33
75
15
13
10
-
95
19
16
10
-
110
22
19
10
-
ns
ns
ns
pF
pF
输入电容
功耗
电容
注意：
C
IN
C
PD
-
C
L
= 15pF的
-
5
5. C
PD
用于确定每个门， P上的动态功耗
D
= V
CC2
f
i
(C
PD
+ C
L
） ，其中F
i
=输入频率，C
L
=输出
负载电容，V
CC
=电源电压。
测试电路和波形
t
r
= 6ns的
输入
90%
50%
10%
t
TLH
90%
50%
10%
t
PHL
t
PLH
t
f
= 6ns的
V
CC
GND
t
THL
反相
产量
图1. HC和HCU过渡时间和传输延迟时间的组合逻辑
4
重要通知
德州仪器（TI）及其附属公司（ TI）保留随时修改他们的产品或终止的权利
任何产品或服务，恕不另行通知，并告知客户获得相关信息的最新版本
验证，在下订单之前，该信息被依靠的最新及完整。所有产品的销售
受在订单确认时所提供的销售条款和条件，包括
关于保修，专利侵权，并赔偿责任限制。
其半导体产品的TI保证产品性能在销售的时候规格
根据TI的标准保修服务。测试和其它质量控制技术被利用的程度
TI认为有必要支持这项保证。每个器件的所有参数的具体测试不一定
除了那些由政府强制要求执行。
采用半导体产品的某些应用程序可能涉及的潜在风险
死亡，人身伤害，或严重的财产或环境损害（ “ CRITICAL
应用程序“） 。 TI半导体产品并非设计，授权，或
担保能适用用于生命支持设备或系统或其他
关键应用。 TI产品在这些应用中夹杂物被理解为
完全根据客户的风险。
为了最小化与用户的应用程序，适当的设计与操作相关的风险
保障措施必须由客户提供，以尽量减少固有的或程序上的危害。
TI对应用帮助或客户产品设计不承担任何责任。 TI不声明或保证
任何许可，无论是明示或暗示，是任何专利权，版权，屏蔽作品权或其他准予下
TI覆盖或与之相关的任何组合，机器或流程的知识产权进行此类
半导体产品或服务可能使用或正在使用。 TI的对任何第三方公布的信息
方的产品或服务不构成TI的批准，保证或认可。
版权
1998年，德州仪器
CD74HC7266
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS219
1997年8月
高速CMOS逻辑
四2输入异或非门
描述
哈里斯CD74HC7266包含四个独立的
异或非在一个封装中门。它们所提供的
与实施手段系统设计
异或非功能。
该装置在功能上是相同的TTL226 。他们
不同之处在于HC7266具有活性高和低输出
而226具有集电极开路输出。
特点
四个独立的异或非门
缓冲输入和输出
逻辑比较
奇偶校验发生器和校验器
加法器/减法器
扇出（整个温度范围内）
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性：不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 ％
CC
at
V
CC
= 5V
[ /标题
(CD74H
C7266)
/主题
（高
速度
CMOS
逻辑
四2-
输入
的排除
西伯
订购信息
产品型号
CD74HC7266E
CD74HC7266M
注意事项：
1，订货时，使用整个零件编号。添加SUF音响X 96
获得在磁带和卷轴的变种。
2.模具的这一部分数量可满足所有电气
规格。请联系您当地的销售办事处或哈里斯
客户服务的订购信息。
TEMP 。 RANGE （
o
C)
-55至125
-55至125
包
14 Ld的PDIP
14 Ld的SOIC
PKG 。
号
E14.3
M14.15
引脚
CD74HC7266
（ PDIP ， SOIC ）
顶视图
1A 1
1B 2
1Y 3
2Y 4
2A 5
2B 6
7 GND
14 V
CC
13 4B
12 4A
11 4Y
10 3Y
9 3B
8 3A
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
1997年哈里斯公司
网络文件编号
1780.1
1
CD74HC7266
工作原理图
1
2
5
6
8
9
12
13
11
10
3Y
4Y
1A
1B
2A
2B
3A
3B
4A
4B
3
4
1Y
2Y
GND = 7
V
CC
= 14
真值表
输入
nA
L
L
H
H
nB
L
H
L
H
产量
nY
H
L
L
H
注： H =高电平， L =低电压电平
逻辑符号
nA
nY
nB
2
CD74HC7266
绝对最大额定值
直流电源电压，V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流，I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流，I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流，我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流，I
cc或
I
GND
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻（典型，注3 ）
θ
JA
(
o
C / W ）
PDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
90
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
175
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
温度范围（T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围，V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压，V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns （最大值）
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns （最大值）
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns （最大值）
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意：
3.
θ
JA
测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
V
OL
V
IH
或V
IL
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
低电平输出
电压
TTL负载
4
5.2
2
4.5
6
4.5
6
2
4.5
6
4.5
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
符号
V
I
(V)
I
O
（MA ）
V
CC
(V)
民
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
民
最大
民
最大
单位
3
CD74HC7266
直流电特定网络阳离子
（续）
TEST
条件
参数
输入漏
当前
静态器件
电流（注）
注意：
4.对于双电源系统理论分析最坏的情况下（V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V ）规格1.8毫安。
符号
I
I
I
CC
V
I
(V)
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
I
O
（MA ）
-
V
CC
(V)
6
民
-
25
o
C
典型值
-
最大
±0.1
2
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
民
-
最大
±1
20
民
-
最大
±1
40
单位
A
A
0
6
-
-
-
-
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
25
o
C
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
TEST
条件
参数
HC类型
传播延迟
符号
V
CC
(V)
典型值
最大
t
PLH ，
t
PHL
C
L
= 50pF的
2
4.5
6
-
-
-
9
115
23
30
-
145
29
25
-
150
35
30
-
ns
ns
ns
ns
传播延迟时间，任何
输入
输出转换时间
（图1）
t
PLH ，
t
PHL
t
TLH
, t
THL
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
5
2
4.5
6
-
-
-
-
33
75
15
13
10
-
95
19
16
10
-
110
22
19
10
-
ns
ns
ns
pF
pF
输入电容
功耗
电容
注意：
C
IN
C
PD
-
C
L
= 15pF的
-
5
5. C
PD
用于确定每个门， P上的动态功耗
D
= V
CC2
f
i
(C
PD
+ C
L
） ，其中F
i
=输入频率，C
L
=输出
负载电容，V
CC
=电源电压。
测试电路和波形
t
r
= 6ns的
输入
90%
50%
10%
t
TLH
90%
50%
10%
t
PHL
t
PLH
t
f
= 6ns的
V
CC
GND
t
THL
反相
产量
图1. HC和HCU过渡时间和传输延迟时间的组合逻辑
4
重要通知
德州仪器（TI）及其附属公司（ TI）保留随时修改他们的产品或终止的权利
任何产品或服务，恕不另行通知，并告知客户获得相关信息的最新版本
验证，在下订单之前，该信息被依靠的最新及完整。所有产品的销售
受在订单确认时所提供的销售条款和条件，包括
关于保修，专利侵权，并赔偿责任限制。
其半导体产品的TI保证产品性能在销售的时候规格
根据TI的标准保修服务。测试和其它质量控制技术被利用的程度
TI认为有必要支持这项保证。每个器件的所有参数的具体测试不一定
除了那些由政府强制要求执行。
采用半导体产品的某些应用程序可能涉及的潜在风险
死亡，人身伤害，或严重的财产或环境损害（ “ CRITICAL
应用程序“） 。 TI半导体产品并非设计，授权，或
担保能适用用于生命支持设备或系统或其他
关键应用。 TI产品在这些应用中夹杂物被理解为
完全根据客户的风险。
为了最小化与用户的应用程序，适当的设计与操作相关的风险
保障措施必须由客户提供，以尽量减少固有的或程序上的危害。
TI对应用帮助或客户产品设计不承担任何责任。 TI不声明或保证
任何许可，无论是明示或暗示，是任何专利权，版权，屏蔽作品权或其他准予下
TI覆盖或与之相关的任何组合，机器或流程的知识产权进行此类
半导体产品或服务可能使用或正在使用。 TI的对任何第三方公布的信息
方的产品或服务不构成TI的批准，保证或认可。
版权
1998年，德州仪器
CD54HC7266 ， CD74HC7266
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS219D
1997年8月 - 修订2003年9月
高速CMOS逻辑器件
四2输入异或非门
描述
在' HC7266包含四个独立的异或非
盖茨在一个封装中。它们所提供的系统设计者
与实施专属的手段NOR
功能。
该装置在功能上是相同的TTL226 。他们
不同之处在于“ HC7266具有活性高和低输出
而226具有集电极开路输出。
特点
四个独立的异或非门
[ /标题
(CD74H
C7266)
/主题
（高
速度
CMOS
逻辑
四2-
输入
的排除
西伯
缓冲输入和输出
逻辑比较
奇偶校验发生器和校验器
加法器/减法器
扇出（整个温度范围内）
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性：不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 ％
CC
at
V
CC
= 5V
订购信息
产品型号
CD54HC7266F3A
CD74HC7266E
CD74HC7266M
CD74HC7266MT
CD74HC7266M96
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
包
14 Ld的CERDIP
14 Ld的PDIP
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
注：订货时，使用整个零件编号。该SUF科幻×96
表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示小批量卷轴
250 。
引脚
CD54HC7266
（ CERDIP ）
CD74HC7266
（ PDIP ， SOIC ）
顶视图
1A 1
1B 2
1Y 3
2Y 4
2A 5
2B 6
7 GND
14 V
CC
13 4B
12 4A
11 4Y
10 3Y
9 3B
8 3A
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年，德州仪器
1
CD54HC7266 ， CD74HC7266
工作原理图
1
2
5
6
8
9
12
13
11
10
3Y
4Y
1A
1B
2A
2B
3A
3B
4A
4B
3
4
1Y
2Y
GND = 7
V
CC
= 14
真值表
输入
nA
L
L
H
H
nB
L
H
L
H
产量
nY
H
L
L
H
H =高电平， L =低电压电平
逻辑符号
nA
nY
nB
2
CD54HC7266 ， CD74HC7266
绝对最大额定值
直流电源电压，V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流，I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流，I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流，我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流，I
cc或
I
GND
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻（典型值，注1 ）
θ
JA
(
o
C / W ）
E（ PDIP ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
80
M（ SOIC ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
86
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
温度范围（T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围，V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压，V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns （最大值）
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns （最大值）
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns （最大值）
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意：
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
V
OL
V
IH
或V
IL
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
低电平输出
电压
TTL负载
4
5.2
2
4.5
6
4.5
6
2
4.5
6
4.5
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
符号
V
I
(V)
I
O
（MA ）
V
CC
(V)
民
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
民
最大
民
最大
单位
3
CD54HC7266 ， CD74HC7266
直流电特定网络阳离子
（续）
TEST
条件
参数
输入漏
当前
静态器件
当前
符号
I
I
I
CC
V
I
(V)
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
25
o
C
参数
HC类型
传播延迟
t
PLH ，
t
PHL
C
L
= 50pF的
2
4.5
6
传播延迟时间，任何
输入
输出转换时间
（图1）
t
PLH ，
t
PHL
t
TLH
, t
THL
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
5
-
-
-
9
115
23
30
-
145
29
25
-
150
35
30
-
ns
ns
ns
ns
符号
TEST
条件
V
CC
(V)
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
I
O
（MA ）
-
V
CC
(V)
6
民
-
25
o
C
典型值
-
最大
±0.1
2
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
民
-
最大
±1
20
民
-
最大
±1
40
单位
A
A
0
6
-
-
-
-
交换特定网络阳离子
2
4.5
6
-
-
-
-
33
75
15
13
10
-
95
19
16
10
-
110
22
19
10
-
ns
ns
ns
pF
pF
输入电容
功耗
电容
注意：
C
IN
C
PD
（注2 ）
-
C
L
= 15pF的
-
5
2. C
PD
用于确定每个门， P上的动态功耗
D
= V
CC2
f
i
(C
PD
+ C
L
） ，其中F
i
=输入频率，C
L
=输出
负载电容，V
CC
=电源电压。
测试电路和波形
t
r
= 6ns的
输入
90%
50%
10%
t
TLH
90%
50%
10%
t
PHL
t
PLH
t
f
= 6ns的
V
CC
GND
t
THL
反相
产量
图1. HC和HCU过渡时间和传输延迟时间的组合逻辑
4
重要通知
德州仪器（TI）及其附属公司（ TI）保留随时更正，修改，增强的权利，
改进或其它更改其产品和服务，在任何时间，停止任何产品或服务，恕不另行通知。
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完整的。所有产品的销售都遵循TI销售条款与在订单确认时所提供的条件。
其硬件产品的TI保证产品性能在销售时按照TI的时间规范
标准保修。测试及其它质量控制技术被用于TI认为有必要支持这项程度
质保。除非政府做出了硬性规定，每种产品的所有参数进行测试不一定
进行。
TI对应用帮助或客户产品设计不承担任何责任。客户有责任为他们的产品和
使用TI组件的应用程序。为尽量减小与客户产品和应用，客户应该带来的风险
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TI不保证或表示任何许可，无论明示或暗示，在任何TI专利权，版权，屏蔽批
工作的权利，或与之有关的任何组合，机器或流程等TI知识产权中， TI的产品或服务
被使用。对于第三方产品或服务通过TI发布的信息，不能构成从TI许可使用这种
产品或服务或者保证或认可。使用此类信息可能需要下从第三方的许可
该专利或第三方的其他知识产权，或从TI的专利权或TI的其它知识产权的许可。
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带有相关授权，条件，限制和声明。这些信息与变更再现是一种
不公平和欺诈性商业行为。 TI是不负责或承担此类篡改过的文件。
TI产品或服务的使用或超出TI针对该产品或服务规定的参数声明不同的转售
所有的空隙，并表示对相关TI产品或服务的任何默示保证，是一种不公平，欺诈性商业
实践中。 TI是不负责或承担任何此类陈述。
TI产品未被授权用于安全关键型应用（如生命支持）使用，其中TI产品的失败会
合理预期造成严重的人身伤害或死亡，除非各方人员签订的协议
专门管理此类用途。购房者表示，他们拥有所有必要的专业知识，在安全性和可能产生的后果
其申请，并承认和同意，他们全权负责所有的法律，法规和安全相关的
关于其产品的任何使用TI产品在此类关键安全应用中，即使有任何要求
应用程序相关的信息，或者可能由TI提供了支持。此外，购买者必须全额赔偿TI及其
代表因在此类关键安全应用中使用TI产品的任何损失。
TI产品并非设计或专门用于军事/航空应用，以及除非TI的产品环境中使用
由TI专门指定由TI指定的军用产品才满足军用军用级或"enhanced plastic."只产品
规格。购买者认可并同意，任何此类使用TI产品而TI未指定为军用级是
仅在买方的风险，他们全权负责遵守所有法律和法规要求
此类相关使用。
TI产品并非设计或专门用于汽车，除非特定的TI产品的应用或环境
由TI指定为符合ISO / TS 16949的要求。购买者认可并同意，如果他们使用任何
在汽车应用中的非指定产品，TI将不承担任何未能满足这些要求。
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DSP
接口
逻辑
电源管理
微控制器
低功耗
无线
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logic.ti.com
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音频
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军事
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电话
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