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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第921页 > CD74HC640EE4
CD54HC640 , CD74HC640 ,
CD54HCT640 , CD74HCT640
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS192B
1998年1月 - 修订2003年5月
高速CMOS逻辑器件
八路三态总线收发器,反相
描述
在“ HC640和” HCT640硅栅CMOS三态
双向反相和非反相缓冲器意
对于数据之间的双向异步通信
巴士。它们具有高驱动电流输出这使
驾驶大型客车电容时,高速运转。
这些电路具有CMOS电路的低功耗
电路,并具有速度相媲美的低功率肖特基
TTL电路。他们能驱动15个LSTTL负载。在“ HC640
和“ HCT640是反相缓冲器。
数据的方向上溢流( A到B , B到A ),是由控制
DIR输入。
输出通过一个低的输出使能输入使能
(OE) ;一个高的OE在高阻抗使这些设备
模式。
特点
缓冲输入
[ /标题
(CD74
HC640
,
CD74
HCT64
0)
/子
拍摄对象
(高
速度
CMOS
三态输出
在多数据总线架构应用
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC640F3A
CD54HCT640F3A
CD74HC640E
CD74HC640M
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
20 Ld的CERDIP
20 Ld的CERDIP
20 Ld的PDIP
20 Ld的SOIC
20 Ld的PDIP
20 Ld的SOIC
引脚
CD54HC640 , CD54HCT640
( CERDIP )
CD74HC640 , CD74HCT640
( PDIP , SOIC )
顶视图
DIR
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
1
2
3
4
5
6
7
8
9
20 V
CC
19 OE
18 B0
17 B1
16 B2
15 B3
14 B4
13 B5
12 B6
11 B7
CD74HCT640E
CD74HCT640M
GND 10
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD54HC640 , CD74HC640 , CD54HCT640 , CD74HCT640
工作原理图
A0
B0
A1
THRU
A6
B1
THRU
B6
A7
B7
OE
DIR
输出使能和
方向选择逻辑
V
CC
= 20
GND = 10
真值表
控制输入
OE
L
H
H
L
DIR
L
H
L
H
数据端口状态
A
n
O
Z
Z
I
B
n
I
Z
Z
O
为了防止过多的电流在高阻模式,所有的I / O端子
应与1kΩ的终止到1MΩ电阻器。
H =高电平
L =低电平
I =输入
O =输出(输入电平的反转)
Z =高阻抗
2
CD54HC640 , CD74HC640 , CD54HCT640 , CD74HCT640
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流,每个输出,我
O
为-0.5V < V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 35毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻(典型值,注1 )
θ
JA
(
o
C / W )
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
69
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
58
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围,T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
I
I
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-6
-7.8
0.02
0.02
0.02
-
6
7.8
-
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
符号
V
I
(V)
I
O
(MA )
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
3
CD54HC640 , CD74HC640 , CD54HCT640 , CD74HCT640
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
静态器件
当前
三态泄漏
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
三态泄漏
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
注意:
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
OZ
V
CC
GND
V
CC
or
GND
V
IL
或V
IH
V
OL
V
IH
或V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
或V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
I
CC
I
OZ
V
I
(V)
V
CC
or
GND
V
IL
或V
IH
I
O
(MA )
0
V
O
=
V
CC
or
GND
25
o
C
-
-
典型值
-
-
最大
8
±0.5
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
-
-
最大
80
±5
-
-
最大
160
±10
单位
A
A
V
CC
(V)
6
6
-6
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
6
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
V
O
=
V
CC
or
GND
-
5.5
5.5
5.5
-
-
-
-
-
-
±0.1
8
±0.5
-
-
-
±1
80
±5
-
-
-
±1
160
±10
A
A
A
I
CC
(注2 )
V
CC
-2.1
4.5
5.5
-
100
360
-
450
-
490
A
HCT输入负载表
输入
DIR
OE ,A
B
单位负载
0.9
1.5
1.5
注:机组负荷为
I
CC
在DC电气表限制特定网络版,例如,
最大360μA 25
o
C.
4
CD54HC640 , CD74HC640 , CD54HCT640 , CD74HCT640
交换特定网络阳离子
C
L
= 50pF的,输入吨
r
, t
f
= 6ns的
25
o
C
V
CC
(V)
典型值
最大
-40
o
C到
85
o
C
最大
-55
o
C到
125
o
C
最大
单位
参数
HC类型
传播延迟
A到B
B到A
符号
TEST
条件
t
PHL
, t
PLH
C
L
= 50pF的
2
4.5
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
5
6
2
4.5
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
5
6
2
4.5
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
5
6
2
4.5
6
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
10
-
-
-
-
7
-
-
-
12
-
-
-
12
-
-
-
-
-
-
38
90
18
-
15
150
30
-
26
150
30
-
26
60
12
10
10
20
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
115
23
-
20
190
38
-
33
190
38
-
33
75
15
13
10
20
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
135
27
-
23
225
45
-
38
225
45
-
38
90
18
15
10
20
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
输出高阻
以高层次,
为低电平
t
PHL ,
t
PLH
C
L
= 50pF的
输出高电平
输出低电平到高阻
t
PHZ ,
t
PLZ
C
L
= 50pF的
输出转换时间
t
THL
, t
TLH
C
L
= 50pF的
输入电容
三态输出
电容
功率耗散电容
(注3,4)
HCT类型
传播延迟
A到B
B到A
输出高阻
以高层次,
为低电平
输出高电平
输出低电平到高阻
输出转换时间
输入电容
三态输出
电容
功率耗散电容
(注3,4)
注意事项:
C
IN
C
O
C
PD
C
L
= 50pF的
-
-
-
-
5
t
PHL ,
t
PLH
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
4.5
5
4.5
5
4.5
5
4.5
-
-
5
-
-
-
-
-
-
-
10
-
-
-
9
-
12
-
12
-
-
-
41
22
-
30
-
30
-
12
10
20
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
28
-
38
-
38
-
15
10
20
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
33
-
45
-
45
-
18
10
20
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
t
PHL ,
t
PLH
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
t
PHZ ,
t
PLZ
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
t
THL
, t
TLH
C
IN
C
O
C
PD
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
-
-
3. C
PD
被用于确定所述动态功耗,每通道。
4. P
D
= V
CC2
f
i
(C
PD
+ C
L
) ,其中F
i
=输入频率,C
L
=输出负载电容,V
CC
=电源电压。
5
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