【CD74HC5958位移位寄存器具有三态输出寄存器SCHS353 - 2004年1月D8位串行输入，】,IC型号CD74HC595DW,CD74HC595DW PDF资料,CD74HC595DW经销商,ic,电子元器件-51电子网

CD74HC595

8位移位寄存器

具有三态输出寄存器

SCHS353 - 2004年1月

8位串行输入，并行输出移位

2 V至6 V工作电压范围宽

大电流三态输出可以驱动多达

15输入通道负载

低功耗， 80 μA最大I

典型的牛逼

= 14 ns的

±6-mA

输出驱动器的5 V

1低输入电流

最大

移位寄存器可以直接清除

DW ， E，M ， NS ，或Sm包装

（ TOP VIEW ）

GND

SER

RCLK

SRCLK

SRCLR

H′

描述/订购信息

该CD74HC595器件包含一个8位的串行入，并行出移位馈送一个8位D型存储寄存器

存储寄存器。移位寄存器有一个压倒一切的直接清除（ SRCLR ）输入，串行（ SER ）的输入和串行

输出级联。当输出使能（OE ）输入为高电平时，输出处于高阻抗状态。

两个移位寄存器时钟（ SRCLK ）和存储寄存器时钟（ RCLK ）是正边沿触发。如果两个

时钟被连接到一起时，移位寄存器始终是一个时钟脉冲超前的存储寄存器中。

订购信息

PDIP - ê

SOIC - DW

包装

25管

40管

2000年卷

40管

55 C 125°C

-55°C至125°C

SOIC - M

SOP - NS

SSOP - SM

2500卷

250的卷轴

2000年卷

80管

2000年卷

订购

产品型号

CD74HC595E

CD74HC595DW

CD74HC595DWR

CD74HC595M

CD74HC595M96

CD74HC595MT

CD74HC595NSR

CD74HC595SM

CD74HC595SM96

HC595M

HJ595

HC595M

TOP- SIDE

记号

CD74HC595E

包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计

准则可在www.ti.com/sc/package 。

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用

德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合每德州仪器条款规范

标准保修。生产加工并不包括

所有测试参数。

版权

2004年，德州仪器

邮政信箱655303

达拉斯，德克萨斯州75265

SCHS353 - 2004年1月

CD74HC595

8位移位寄存器

具有三态输出寄存器

功能表

输入

SER

SRCLK

↑

SRCLR

RCLK

↑

功能

输出QA - QH被禁用。

输出QA - QH启用。

移位寄存器清零。

该移位寄存器的第一级变低。

其他阶段存储前级的数据，分别

该移位寄存器的第一级变高。

其他阶段存储前级的数据，分别

移位寄存器中的数据被存储在存储寄存器中。

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CD74HC595

8位移位寄存器

具有三态输出寄存器

SCHS353 - 2004年1月

逻辑图（正逻辑）

RCLK

SRCLR

SRCLK

SER

QH “

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SCHS353 - 2004年1月

CD74HC595

8位移位寄存器

具有三态输出寄存器

时序图

SRCLK

SER

RCLK

SRCLR

QH “

注意：

意味着输出处于三态模式。

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CD74HC595

8位移位寄存器

具有三态输出寄存器

SCHS353 - 2004年1月

在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）

电源电压范围，V

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.5V至7V的

输入钳位电流，I

＆ LT ; 0或V

＆ GT ; V

）（见注1 ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

±20

输出钳位电流，I

＆ LT ; 0或V

＆ GT ; V

）（见注1 ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

±20

连续输出电流，I

= 0至V

) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

±35

连续电流通过V

或GND 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

±70

封装的热阻抗，

（见注2 ）： E封装。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 67 ° C / W

DW包。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 57 ° C / W

男包。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 73 ° C / W

NS包。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 64 ° C / W

SM封装。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 82 ° C / W

存储温度范围，T

英镑

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -65 ℃150 ℃的

超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和

该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不

暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。

注释：1.如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。

2.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。

推荐工作条件（见注3 ）

民

VCC

VIH

电源电压

VCC = 2 V

VCC = 4.5 V

VCC = 6 V

VCC = 2 V

VIL

ΔT/ ΔV

低电平输入电压

输入电压

输出电压

VCC = 2 V

VCC = 4.5 V

VCC = 6 V

VCC = 4.5 V

VCC = 6 V

1.5

3.15

4.2

0.5

1.35

1.8

VCC

1000

500

400

喃

最大

单位

高电平输入电压

输入过渡的上升/下降时间

工作自由空气的温度

125

°C

注3 ：该设备的所有未使用的输入必须在VCC或GND举行，以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告，

慢或浮动CMOS输入的影响，

文献编号SCBA004 。

如果该装置被用于在阈值区域（从VILMAX = 0.5 V至VIHMIN = 1.5 V）时，有一个潜在的进入距离的感应错误的状态

接地，造成双时钟。用在TT输入= 1000 NS和VCC = 2 V不损坏器件的工作;然而，在功能上，

在CLK输入没有保证，而在移位，计数或切换工作模式。

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