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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第215页 > CD74HC573M96
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS182
CD74HC373 ， CD74HCT373 ，
CD54HC573 ， CD74HC573 ，
CD74HCT573
高速CMOS逻辑
八路透明锁存器，三态输出
描述
哈里斯CD74HC373 ， CD74HCT373 ， CD54HC573 ，
CD74HC573和CD74HCT573是高速八路反式
母插销制造的硅栅CMOS技
术。它们具有的标准的低功率消耗
CMOS集成电路，以及用于驱动15的能力
LSTTL设备。该CD74HCT373和CD74HCT573是
在功能上，以及销与标准兼容的
74LS373和74LS573 。
输出是透明的输入时，锁存器
使能（LE）是高的。当锁存使能（LE）变低的
数据被锁存。输出使能（ OE ）控制的三
态输出。当输出使能（OE ）为高时
输出处于高阻抗状态。锁存操作
是独立于所述输出的状态使能。在373和
573顷在功能上完全相同，区别仅在于它们的引脚
安排。
1997年11月
特点
通用锁存使能控制
[ /标题
(CD74
HC373
,
CD74
HCT37
3,
CD54
HC573
,
CD74
HC573
,
CD74
HCT57
3)
/子
通用三态输出使能控制
缓冲输入
三态输出
公交线路驱动能力
典型传播延迟为12ns =在V
CC
= 5V,
C
L
= 15pF的，T
A
= 25
o
C（数据到输出的HC373 ）
扇出（整个温度范围内）
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性：不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 ％
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容，
V
IL
= 0.8V （最大值） ，V
IH
= 2V （最小值）
- CMOS兼容输入，我
l
≤
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC573F
CD74HC373E
CD74HCT373E
CD74HC573E
CD74HCT573E
CD74HC373M
CD74HCT373M
CD74HC573M
CD74HCT573M
注意事项：
1，订货时，使用整个零件编号。添加SUF音响X 96
获得在磁带和卷轴的变种。
2.晶圆或死亡的这一部分数量可满足所有
电气规格。请联系您当地的销售办事处或
哈里斯的客户服务订购信息。
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
包
20 Ld的CERDIP
20 Ld的PDIP
20 Ld的PDIP
20 Ld的PDIP
20 Ld的PDIP
20 Ld的SOIC
20 Ld的SOIC
20 Ld的SOIC
20 Ld的SOIC
PKG 。
号
F20.3
F20.3
E20.3
E20.3
E20.3
M20.3
M20.3
M20.3
M20.3
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
1997年哈里斯公司
网络文件编号
1679.1
1
CD74HC373 ， CD74HCT373 ， CD54HC573 ， CD74HC573 ， CD74HCT573
引脚
CD74HC373 ， CD74HCT373
（ PDIP ， SOIC ）
顶视图
OE 1
Q0 2
D0 3
D1 4
Q1 5
Q2 6
D2 7
D3 8
Q3 9
GND 10
20 V
CC
19 Q7
18 D7
17 D6
16 Q6
15 Q5
14 D5
13 D4
12 Q4
11 LE
CD54HC573 ， CD74HC573 ， CD74HCT573
（ PDIP ， SOIC ， CERDIP ）
顶视图
OE 1
D0 2
D1 3
D2 4
D3 5
D4 6
D5 7
D6 8
D7 9
GND 10
20 V
CC
19 Q0
18 Q1
17 Q2
16 Q3
15 Q4
14 Q5
13 Q6
12 Q7
11 LE
功能方框图
CD74HC373 ， CD74HCT373 ， CD74HC573 ， CD74HCT573
D
0
D
1
D
2
D
3
D
4
D
5
D
6
D
7
D
G
LE
O
D
G
O
D
G
O
D
G
O
D
G
O
D
G
O
D
G
O
D
G
O
OE
O
0
O
1
O
2
O
3
O
4
O
5
O
6
O
7
CD74HCT573
D
0
D
1
D
2
D
3
D
4
D
5
D
6
D
7
D
G
LE
O
D
G
O
D
G
O
D
G
O
D
G
O
D
G
O
D
G
O
D
G
O
OE
O
0
O
1
O
2
O
3
O
4
O
5
O
6
O
7
真值表
OUTPUT ENABLE
L
L
L
L
H
LATCH ENABLE
H
H
L
L
X
数据
H
L
l
h
X
产量
H
L
L
H
Z
注： H =高电平， L =低电压等级，X =无关， Z =高阻态， L =低电压等级之前一个建立时间
高到低锁存使能过渡， H =高压一级建立时间的前高后低锁存使能转换之前。
2
CD74HC373 ， CD74HCT373 ， CD54HC573 ， CD74HC573 ， CD74HCT573
绝对最大额定值
直流电源电压，V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流，I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流，I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流，每个输出，我
O
为-0.5V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 35毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流，我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流，I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻（典型，注3 ） 。
. . . θ
JA
(
o
C / W ）
θ
JA
(
o
C / W ）
PDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
125
不适用
CERDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
85
24
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
120
不适用
最高结温（塑料封装） 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
温度范围，T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围，V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压，V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns （最大值）
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns （最大值）
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns （最大值）
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意：
3.
θ
JA
测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
I
I
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
OH
V
IH
or
V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-6
-7.8
0.02
0.02
0.02
6
7.8
-
0
2
4.5
6
4.5
6
2
4.5
6
4.5
6
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
±0.1
8
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
±1
80
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
±1
160
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
符号
V
I
(V)
I
O
（毫安）V
CC
(V)
民
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
民
最大
-55
o
C至125
o
C
民
最大
单位
3
CD74HC373 ， CD74HCT373 ， CD54HC573 ， CD74HC573 ， CD74HCT573
直流电特定网络阳离子
（续）
TEST
条件
参数
三态泄漏
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
三态泄漏
当前
其他静态
器件电流每
输入端子： 1机组负荷
（注4 ）
注意：
4.对于双电源系统的理论最坏的情况下（V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V ）规格1.8毫安。
I
I
I
CC
-
V
CC
to
GND
V
CC
or
GND
V
IL
or
V
IH
V
CC
-2.1
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
or
V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
-
V
I
(V)
V
IL
or
V
IH
I
O
（毫安）V
CC
(V)
V
O
=
V
CC
or
GND
6
民
-
25
o
C
典型值
-
最大
±0.5
-40
o
C至85
o
C
民
-
最大
±5
-55
o
C至125
o
C
民
-
最大
±10
单位
A
-6
-7.8
0.02
4.5
6
4.5
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
0.1
3.84
5.34
-
-
-
0.1
3.7
5.2
-
-
-
0.1
V
V
V
6
7.8
-
0
V
O
=
V
CC
or
GND
-
4.5
6
5.5
5.5
6
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.26
0.26
±0.1
8
±0.5
-
-
-
-
-
0.33
0.33
±1
80
±5
-
-
-
-
-
0.4
0.4
±1
160
±10
V
V
A
A
A
I
CC
4.5
5.5
-
100
360
-
450
-
490
A
HCT输入负载表
单位负载
输入
OE
Dn
LE
HCT373
1.5
0.4
0.6
HCT573
1.25
0.3
0.65
注：机组负荷为
I
CC
在直流电气连接特定钙限制特定网络版
系统蒸发散表，例如， 360μA最大值在25
o
C.
4
CD74HC373 ， CD74HCT373 ， CD54HC573 ， CD74HC573 ， CD74HCT573
用于交换特定网络阳离子前提条件
参数
HC类型
LE脉冲宽度
t
W
-
2
4.5
6
建立时间的数据，以LE
t
SU
-
2
4.5
6
保持时间，数据为LE
(573)
t
H
-
2
4.5
6
保持时间，数据为LE
(373)
t
H
-
2
4.5
6
HCT类型
LE脉冲宽度
建立时间的数据，以LE
保持时间，数据为LE
t
w
t
w
t
H
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
25
o
C
V
CC
(V)
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
最大
-55
o
C到
125
o
C
最大
单位
-
-
-
4.5
4.5
4.5
16
13
10
-
-
-
-
-
-
20
16
13
-
-
-
24
20
15
-
-
-
ns
ns
ns
80
16
14
50
10
9
40
8
7
5
5
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
100
20
17
65
13
11
50
10
9
5
5
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
120
24
20
75
15
13
60
12
10
5
5
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
符号
TEST
条件
V
CC
(V)
25
o
C
民
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
民
最大
民
最大
单位
交换特定网络阳离子
参数
HC类型
传播延迟，
数据至Qn
(HC/HCT373)
符号
TEST
条件
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
2
4.5
6
-
-
-
12
-
-
-
14
-
-
-
14
150
30
26
-
175
35
30
-
175
35
30
-
190
38
33
-
220
44
37
-
220
44
37
-
225
45
38
-
265
53
45
-
265
53
45
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
C
L
= 15pF的
传播延迟，
数据至Qn
(HC/HCT573)
t
PLH ，
t
PHL
C
L
= 50pF的
5
2
4.5
6
C
L
= 15pF的
传播延迟，
LE至Qn
t
PLH ，
t
PHL
C
L
= 50pF的
5
2
4.5
6
C
L
= 15pF的
5
5
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS182
CD74HC373 ， CD74HCT373 ，
CD54HC573 ， CD74HC573 ，
CD74HCT573
高速CMOS逻辑
八路透明锁存器，三态输出
描述
哈里斯CD74HC373 ， CD74HCT373 ， CD54HC573 ，
CD74HC573和CD74HCT573是高速八路反式
母插销制造的硅栅CMOS技
术。它们具有的标准的低功率消耗
CMOS集成电路，以及用于驱动15的能力
LSTTL设备。该CD74HCT373和CD74HCT573是
在功能上，以及销与标准兼容的
74LS373和74LS573 。
输出是透明的输入时，锁存器
使能（LE）是高的。当锁存使能（LE）变低的
数据被锁存。输出使能（ OE ）控制的三
态输出。当输出使能（OE ）为高时
输出处于高阻抗状态。锁存操作
是独立于所述输出的状态使能。在373和
573顷在功能上完全相同，区别仅在于它们的引脚
安排。
1997年11月
特点
通用锁存使能控制
[ /标题
(CD74
HC373
,
CD74
HCT37
3,
CD54
HC573
,
CD74
HC573
,
CD74
HCT57
3)
/子
通用三态输出使能控制
缓冲输入
三态输出
公交线路驱动能力
典型传播延迟为12ns =在V
CC
= 5V,
C
L
= 15pF的，T
A
= 25
o
C（数据到输出的HC373 ）
扇出（整个温度范围内）
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性：不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 ％
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容，
V
IL
= 0.8V （最大值） ，V
IH
= 2V （最小值）
- CMOS兼容输入，我
l
≤
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC573F
CD74HC373E
CD74HCT373E
CD74HC573E
CD74HCT573E
CD74HC373M
CD74HCT373M
CD74HC573M
CD74HCT573M
注意事项：
1，订货时，使用整个零件编号。添加SUF音响X 96
获得在磁带和卷轴的变种。
2.晶圆或死亡的这一部分数量可满足所有
电气规格。请联系您当地的销售办事处或
哈里斯的客户服务订购信息。
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
包
20 Ld的CERDIP
20 Ld的PDIP
20 Ld的PDIP
20 Ld的PDIP
20 Ld的PDIP
20 Ld的SOIC
20 Ld的SOIC
20 Ld的SOIC
20 Ld的SOIC
PKG 。
号
F20.3
F20.3
E20.3
E20.3
E20.3
M20.3
M20.3
M20.3
M20.3
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
1997年哈里斯公司
网络文件编号
1679.1
1
CD74HC373 ， CD74HCT373 ， CD54HC573 ， CD74HC573 ， CD74HCT573
引脚
CD74HC373 ， CD74HCT373
（ PDIP ， SOIC ）
顶视图
OE 1
Q0 2
D0 3
D1 4
Q1 5
Q2 6
D2 7
D3 8
Q3 9
GND 10
20 V
CC
19 Q7
18 D7
17 D6
16 Q6
15 Q5
14 D5
13 D4
12 Q4
11 LE
CD54HC573 ， CD74HC573 ， CD74HCT573
（ PDIP ， SOIC ， CERDIP ）
顶视图
OE 1
D0 2
D1 3
D2 4
D3 5
D4 6
D5 7
D6 8
D7 9
GND 10
20 V
CC
19 Q0
18 Q1
17 Q2
16 Q3
15 Q4
14 Q5
13 Q6
12 Q7
11 LE
功能方框图
CD74HC373 ， CD74HCT373 ， CD74HC573 ， CD74HCT573
D
0
D
1
D
2
D
3
D
4
D
5
D
6
D
7
D
G
LE
O
D
G
O
D
G
O
D
G
O
D
G
O
D
G
O
D
G
O
D
G
O
OE
O
0
O
1
O
2
O
3
O
4
O
5
O
6
O
7
CD74HCT573
D
0
D
1
D
2
D
3
D
4
D
5
D
6
D
7
D
G
LE
O
D
G
O
D
G
O
D
G
O
D
G
O
D
G
O
D
G
O
D
G
O
OE
O
0
O
1
O
2
O
3
O
4
O
5
O
6
O
7
真值表
OUTPUT ENABLE
L
L
L
L
H
LATCH ENABLE
H
H
L
L
X
数据
H
L
l
h
X
产量
H
L
L
H
Z
注： H =高电平， L =低电压等级，X =无关， Z =高阻态， L =低电压等级之前一个建立时间
高到低锁存使能过渡， H =高压一级建立时间的前高后低锁存使能转换之前。
2
CD74HC373 ， CD74HCT373 ， CD54HC573 ， CD74HC573 ， CD74HCT573
绝对最大额定值
直流电源电压，V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流，I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流，I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流，每个输出，我
O
为-0.5V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 35毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流，我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流，I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻（典型，注3 ） 。
. . . θ
JA
(
o
C / W ）
θ
JA
(
o
C / W ）
PDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
125
不适用
CERDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
85
24
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
120
不适用
最高结温（塑料封装） 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
温度范围，T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围，V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压，V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns （最大值）
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns （最大值）
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns （最大值）
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意：
3.
θ
JA
测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
I
I
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
OH
V
IH
or
V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-6
-7.8
0.02
0.02
0.02
6
7.8
-
0
2
4.5
6
4.5
6
2
4.5
6
4.5
6
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
±0.1
8
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
±1
80
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
±1
160
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
符号
V
I
(V)
I
O
（毫安）V
CC
(V)
民
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
民
最大
-55
o
C至125
o
C
民
最大
单位
3
CD74HC373 ， CD74HCT373 ， CD54HC573 ， CD74HC573 ， CD74HCT573
直流电特定网络阳离子
（续）
TEST
条件
参数
三态泄漏
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
三态泄漏
当前
其他静态
器件电流每
输入端子： 1机组负荷
（注4 ）
注意：
4.对于双电源系统的理论最坏的情况下（V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V ）规格1.8毫安。
I
I
I
CC
-
V
CC
to
GND
V
CC
or
GND
V
IL
or
V
IH
V
CC
-2.1
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
or
V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
-
V
I
(V)
V
IL
or
V
IH
I
O
（毫安）V
CC
(V)
V
O
=
V
CC
or
GND
6
民
-
25
o
C
典型值
-
最大
±0.5
-40
o
C至85
o
C
民
-
最大
±5
-55
o
C至125
o
C
民
-
最大
±10
单位
A
-6
-7.8
0.02
4.5
6
4.5
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
0.1
3.84
5.34
-
-
-
0.1
3.7
5.2
-
-
-
0.1
V
V
V
6
7.8
-
0
V
O
=
V
CC
or
GND
-
4.5
6
5.5
5.5
6
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.26
0.26
±0.1
8
±0.5
-
-
-
-
-
0.33
0.33
±1
80
±5
-
-
-
-
-
0.4
0.4
±1
160
±10
V
V
A
A
A
I
CC
4.5
5.5
-
100
360
-
450
-
490
A
HCT输入负载表
单位负载
输入
OE
Dn
LE
HCT373
1.5
0.4
0.6
HCT573
1.25
0.3
0.65
注：机组负荷为
I
CC
在直流电气连接特定钙限制特定网络版
系统蒸发散表，例如， 360μA最大值在25
o
C.
4
CD74HC373 ， CD74HCT373 ， CD54HC573 ， CD74HC573 ， CD74HCT573
用于交换特定网络阳离子前提条件
参数
HC类型
LE脉冲宽度
t
W
-
2
4.5
6
建立时间的数据，以LE
t
SU
-
2
4.5
6
保持时间，数据为LE
(573)
t
H
-
2
4.5
6
保持时间，数据为LE
(373)
t
H
-
2
4.5
6
HCT类型
LE脉冲宽度
建立时间的数据，以LE
保持时间，数据为LE
t
w
t
w
t
H
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
25
o
C
V
CC
(V)
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
最大
-55
o
C到
125
o
C
最大
单位
-
-
-
4.5
4.5
4.5
16
13
10
-
-
-
-
-
-
20
16
13
-
-
-
24
20
15
-
-
-
ns
ns
ns
80
16
14
50
10
9
40
8
7
5
5
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
100
20
17
65
13
11
50
10
9
5
5
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
120
24
20
75
15
13
60
12
10
5
5
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
符号
TEST
条件
V
CC
(V)
25
o
C
民
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
民
最大
民
最大
单位
交换特定网络阳离子
参数
HC类型
传播延迟，
数据至Qn
(HC/HCT373)
符号
TEST
条件
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
2
4.5
6
-
-
-
12
-
-
-
14
-
-
-
14
150
30
26
-
175
35
30
-
175
35
30
-
190
38
33
-
220
44
37
-
220
44
37
-
225
45
38
-
265
53
45
-
265
53
45
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
C
L
= 15pF的
传播延迟，
数据至Qn
(HC/HCT573)
t
PLH ，
t
PHL
C
L
= 50pF的
5
2
4.5
6
C
L
= 15pF的
传播延迟，
LE至Qn
t
PLH ，
t
PHL
C
L
= 50pF的
5
2
4.5
6
C
L
= 15pF的
5
5
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推荐型号
CN1J4TTD101J
CIL222
CY7C1001-15DMB
C8051T320-GQ
CY14B104NA-BA20XI
CDC318DL
C8051F521-IM
CDH63NP-150M
CSX2-BA-18-44.736
CMBT8550E
CD74ACT257M96G4
CTMC1210-R022K
CBE-16
C124C102J2G5CA
CY7C1541V18-333BZXC
CY8C9520A-24PVXIT
CB1GSU521560200
CDCS501PWR
CDR105NP-150MB
CB2CSU5215533290653
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    CD74HC573M96
    -
    -
    -
    -
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TI
21+
2000
正品
现货热卖
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电话：0755-22655674/15099917285
联系人：小邹
地址：深圳市福田区上步工业区201栋西座228室
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ＴＩ
25+
8120
原厂封装
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联系人：彭小姐
地址：广东省深圳市福田区福华路嘉汇新汇商中心1020
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TI/原装特价
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21+
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联系人：李先生 李小姐
地址：深圳市福田区振华路中航苑鼎城大夏1607室
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TI
24+
68500
SOP20
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电话：13681678667
联系人：吴
地址：上海市宝山区大场镇锦秋路699弄锦秋花园
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23+
33500
SOP
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电话：0755-82716764
联系人：张生
地址：福田区 华强北 上步工业区 501栋812
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1600
SOP20
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电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
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22+
1600
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电话：0755-82731800
联系人：付先生
地址：深圳市福田区振华路118号华丽装饰大厦2栋2单元320室
CD74HC573M96
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