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CD54HC4514 , CD74HC4514 ,
CD74HC4515
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS280C
1997年11月 - 修订2003年7月
高速CMOS逻辑4至16线路
解码器/多路解复用器与输入锁存器
描述
该CD54HC4514 , CD74HC4514和CD74HC4515是
高速硅栅器件包括一个4位的选通的
锁存器和一个4到16线译码器。所选择的输出是
通过一个低的使能输入( E)的功能。关于电子商务抑制高
选择任何输出的。解复用实现的
使用E输入作为数据输入和选择输入( A0
A3),作为地址。这封输入也可作为片选
当这些装置被串联。
当锁存使能( LE )为高电平时,输出如下变化
在输入端(见真值表) 。当LE为低电平时,输出为
分离出的变化在输入并保持在该水平
(高为4514 ,低点为4515 ),它的锁之前,有
被启用。这些器件的增强版本
相当于CMOS类型,可驱动10个LSTTL负载。
特点
[ /标题
(CD74
HC451
4,
CD74
HC451
5)
/子
拍摄对象
(高
速度
CMOS
多功能能力
- 1-的-16二进制解码器
- 1至16行解复用器
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V
订购信息
产品型号
CD54HC4514F3A
TEMP 。 RANGE (
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
24 Ld的CERDIP
24 Ld的PDIP
24 Ld的PDIP
24 Ld的SOIC
24 Ld的SOIC
24 Ld的PDIP
24 Ld的PDIP
24 Ld的SOIC
24 Ld的SOIC
引脚
CD54HC4514
( CERDIP )
CD74HC4514 , CD74HC4515
( PDIP , SOIC )
顶视图
CD74HC4514E
CD74HC4514EN
CD74HC4514M
CD74HC4514M96
LE 1
A0 2
A1 3
Y7 4
Y6 5
Y5 6
Y4 7
Y3 8
Y1 9
Y2 10
Y0 11
GND 12
24 V
CC
23 E
22 A3
21 A2
20 Y10
19 Y11
18 Y8
17 Y9
16 Y14
15 Y15
14 Y12
13 Y13
CD74HC4515E
CD74HC4515EN
CD74HC4515M
CD74HC4515M96
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF科幻×96
表示磁带和卷轴。
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD54HC4514 , CD74HC4514 , CD74HC4515
工作原理图
HC
4514
11
Y0
9
Y1
10
Y2
8
Y3
7
Y4
6
Y5
5
Y6
4
Y7
18
Y8
17
Y9
20
Y10
19
Y11
14
Y12
13
Y13
16
Y14
15
Y15
GND = 12
V
CC
= 24
HC
4515
Y0
Y1
Y2
Y3
Y4
Y5
Y6
Y7
Y8
Y9
Y10
Y11
Y12
Y13
Y14
Y15
A0
A1
A2
A3
LE
2
3
21 LATCH
22
1
4-TO-16
解码器
23
E
DECODE真值表( LE = 1 )
解码器输入
启用
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
A3
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
1
1
1
X
A2
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
0
0
1
1
1
1
X
A1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
X
A0
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
X
往的输出
4514 =逻辑1(高)
4515 =逻辑0 ( HIGH )
Y0
Y1
Y2
Y3
Y4
Y5
Y6
Y7
Y8
Y9
Y10
Y11
Y12
Y13
Y14
Y15
所有输出= 0时, 4514
所有输出= 1 , 4515
X =无关;逻辑1 =高;逻辑0 =低
2
CD54HC4514 , CD74HC4514 , CD74HC4515
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流,每个输出,我
O
为-0.5V < V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻(典型值)
θ
JA
(
o
C / W )
E( PDIP )套餐(注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
67
EN ( PDIP )套餐(注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
67
M( SOIC )封装(注2 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
46
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意事项:
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-3 。
2.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
高电平输出
电压
TTL负载
-
-4
-5.2
2
4.5
6
-
4.5
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
符号
V
I
(V)
I
O
(MA )
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
V
CC
(V)
3
CD54HC4514 , CD74HC4514 , CD74HC4515
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
低电平输出
电压
CMOS负载
符号
V
OL
V
I
(V)
V
IH
或V
IL
I
O
(MA )
0.02
0.02
0.02
低电平输出
电压
TTL负载
-
4
5.2
输入漏
当前
静态器件
当前
I
I
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
-
0
25
o
C
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
8
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
80
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
160
单位
V
V
V
V
V
V
A
A
V
CC
(V)
2
4.5
6
-
4.5
6
6
6
用于交换特定网络阳离子前提条件
参数
HC类型
LE脉冲宽度
t
W
-
2
4.5
6
选择LE建立时间
t
SU
-
2
4.5
6
选择LE保持时间
t
H
-
2
4.5
6
75
30
35
100
20
17
0
0
0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
95
19
16
125
25
21
0
0
0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
110
22
19
150
30
26
0
0
0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
符号
TEST
条件
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
交换特定网络阳离子
C
L
= 50pF的,输入吨
r
, t
f
= 6ns的
25
o
C
V
CC
(V)
典型值
最大
-40
o
C到
85
o
C
最大
-55
o
C到
125
o
C
最大
单位
参数
HC类型
传播延迟
选择输出
符号
TEST
条件
t
PHL
, t
PLH
C
L
= 50pF的
2
4.5
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
5
6
2
4.5
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
5
6
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
23
-
-
-
19
-
275
55
-
47
225
45
-
38
-
-
-
-
-
-
-
-
345
69
-
59
280
56
-
48
-
-
-
-
-
-
-
-
415
83
-
71
340
68
-
58
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
LE到输出
t
PHL ,
t
PLH
C
L
= 50pF的
4
CD54HC4514 , CD74HC4514 , CD74HC4515
交换特定网络阳离子
C
L
= 50pF的,输入吨
r
, t
f
= 6ns的
(续)
25
o
C
V
CC
(V)
2
4.5
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
输出转换时间
t
THL
, t
TLH
C
L
= 50pF的
5
6
2
4.5
6
输入电容
功率耗散电容
(注3,4)
注意事项:
3. C
PD
被用于确定所述动态功耗,每包。
4. P
D
= V
CC2
f
i
(C
PD
+ C
L
) ,其中F
i
=输入频率,C
L
=输出负载电容,V
CC
=电源电压。
C
IN
C
PD
C
L
= 50pF的
-
-
5
-
-
-
-
-
-
-
10
-
典型值
-
-
14
-
-
-
-
-
70
最大
175
35
-
30
75
15
13
10
-
-40
o
C到
85
o
C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
220
44
-
37
95
19
16
10
-
-55
o
C到
125
o
C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
265
53
-
45
110
22
19
10
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
参数
E至输出
符号
t
PHL ,
t
PLH
TEST
条件
C
L
= 50pF的
测试电路和波形
t
r
= 6ns的
t
r
C
L
时钟
90%
10%
t
f
C
L
I
t
WL
+ t
WH
=
fC
L
V
CC
50%
10%
t
WL
50%
50%
GND
t
WH
反相
产量
t
THL
t
TLH
90%
50%
10%
t
PHL
t
PLH
输入
90%
50%
10%
t
f
= 6ns的
V
CC
GND
注:输出应为10 %的V来切换
CC
到90 %的V
CC
in
根据设备的真值表。对于f
最大
输入的占空比= 50%。
图1. HC时钟脉冲上升和下降时间和
脉冲宽度
图2:慧聪过渡时间和传输
延迟时间的组合逻辑
t
r
= 6ns的
输入
90%
50%
10%
t
f
= 6ns的
V
CC
GND
t
TLH
90%
50%
10%
t
THL
反相
产量
t
PHL
t
PLH
图3. HC过渡时间和传输延迟时间的组合逻辑
5
CD54HC4514 , CD74HC4514 ,
CD74HC4515
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS280C
1997年11月 - 修订2003年7月
高速CMOS逻辑4至16线路
解码器/多路解复用器与输入锁存器
描述
该CD54HC4514 , CD74HC4514和CD74HC4515是
高速硅栅器件包括一个4位的选通的
锁存器和一个4到16线译码器。所选择的输出是
通过一个低的使能输入( E)的功能。关于电子商务抑制高
选择任何输出的。解复用实现的
使用E输入作为数据输入和选择输入( A0
A3),作为地址。这封输入也可作为片选
当这些装置被串联。
当锁存使能( LE )为高电平时,输出如下变化
在输入端(见真值表) 。当LE为低电平时,输出为
分离出的变化在输入并保持在该水平
(高为4514 ,低点为4515 ),它的锁之前,有
被启用。这些器件的增强版本
相当于CMOS类型,可驱动10个LSTTL负载。
特点
[ /标题
(CD74
HC451
4,
CD74
HC451
5)
/子
拍摄对象
(高
速度
CMOS
多功能能力
- 1-的-16二进制解码器
- 1至16行解复用器
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V
订购信息
产品型号
CD54HC4514F3A
TEMP 。 RANGE (
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
24 Ld的CERDIP
24 Ld的PDIP
24 Ld的PDIP
24 Ld的SOIC
24 Ld的SOIC
24 Ld的PDIP
24 Ld的PDIP
24 Ld的SOIC
24 Ld的SOIC
引脚
CD54HC4514
( CERDIP )
CD74HC4514 , CD74HC4515
( PDIP , SOIC )
顶视图
CD74HC4514E
CD74HC4514EN
CD74HC4514M
CD74HC4514M96
LE 1
A0 2
A1 3
Y7 4
Y6 5
Y5 6
Y4 7
Y3 8
Y1 9
Y2 10
Y0 11
GND 12
24 V
CC
23 E
22 A3
21 A2
20 Y10
19 Y11
18 Y8
17 Y9
16 Y14
15 Y15
14 Y12
13 Y13
CD74HC4515E
CD74HC4515EN
CD74HC4515M
CD74HC4515M96
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF科幻×96
表示磁带和卷轴。
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD54HC4514 , CD74HC4514 , CD74HC4515
工作原理图
HC
4514
11
Y0
9
Y1
10
Y2
8
Y3
7
Y4
6
Y5
5
Y6
4
Y7
18
Y8
17
Y9
20
Y10
19
Y11
14
Y12
13
Y13
16
Y14
15
Y15
GND = 12
V
CC
= 24
HC
4515
Y0
Y1
Y2
Y3
Y4
Y5
Y6
Y7
Y8
Y9
Y10
Y11
Y12
Y13
Y14
Y15
A0
A1
A2
A3
LE
2
3
21 LATCH
22
1
4-TO-16
解码器
23
E
DECODE真值表( LE = 1 )
解码器输入
启用
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
A3
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
1
1
1
X
A2
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
0
0
1
1
1
1
X
A1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
X
A0
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
X
往的输出
4514 =逻辑1(高)
4515 =逻辑0 ( HIGH )
Y0
Y1
Y2
Y3
Y4
Y5
Y6
Y7
Y8
Y9
Y10
Y11
Y12
Y13
Y14
Y15
所有输出= 0时, 4514
所有输出= 1 , 4515
X =无关;逻辑1 =高;逻辑0 =低
2
CD54HC4514 , CD74HC4514 , CD74HC4515
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流,每个输出,我
O
为-0.5V < V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻(典型值)
θ
JA
(
o
C / W )
E( PDIP )套餐(注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
67
EN ( PDIP )套餐(注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
67
M( SOIC )封装(注2 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
46
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意事项:
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-3 。
2.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
高电平输出
电压
TTL负载
-
-4
-5.2
2
4.5
6
-
4.5
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
符号
V
I
(V)
I
O
(MA )
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
V
CC
(V)
3
CD54HC4514 , CD74HC4514 , CD74HC4515
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
低电平输出
电压
CMOS负载
符号
V
OL
V
I
(V)
V
IH
或V
IL
I
O
(MA )
0.02
0.02
0.02
低电平输出
电压
TTL负载
-
4
5.2
输入漏
当前
静态器件
当前
I
I
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
-
0
25
o
C
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
8
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
80
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
160
单位
V
V
V
V
V
V
A
A
V
CC
(V)
2
4.5
6
-
4.5
6
6
6
用于交换特定网络阳离子前提条件
参数
HC类型
LE脉冲宽度
t
W
-
2
4.5
6
选择LE建立时间
t
SU
-
2
4.5
6
选择LE保持时间
t
H
-
2
4.5
6
75
30
35
100
20
17
0
0
0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
95
19
16
125
25
21
0
0
0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
110
22
19
150
30
26
0
0
0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
符号
TEST
条件
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
交换特定网络阳离子
C
L
= 50pF的,输入吨
r
, t
f
= 6ns的
25
o
C
V
CC
(V)
典型值
最大
-40
o
C到
85
o
C
最大
-55
o
C到
125
o
C
最大
单位
参数
HC类型
传播延迟
选择输出
符号
TEST
条件
t
PHL
, t
PLH
C
L
= 50pF的
2
4.5
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
5
6
2
4.5
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
5
6
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
23
-
-
-
19
-
275
55
-
47
225
45
-
38
-
-
-
-
-
-
-
-
345
69
-
59
280
56
-
48
-
-
-
-
-
-
-
-
415
83
-
71
340
68
-
58
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
LE到输出
t
PHL ,
t
PLH
C
L
= 50pF的
4
CD54HC4514 , CD74HC4514 , CD74HC4515
交换特定网络阳离子
C
L
= 50pF的,输入吨
r
, t
f
= 6ns的
(续)
25
o
C
V
CC
(V)
2
4.5
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
输出转换时间
t
THL
, t
TLH
C
L
= 50pF的
5
6
2
4.5
6
输入电容
功率耗散电容
(注3,4)
注意事项:
3. C
PD
被用于确定所述动态功耗,每包。
4. P
D
= V
CC2
f
i
(C
PD
+ C
L
) ,其中F
i
=输入频率,C
L
=输出负载电容,V
CC
=电源电压。
C
IN
C
PD
C
L
= 50pF的
-
-
5
-
-
-
-
-
-
-
10
-
典型值
-
-
14
-
-
-
-
-
70
最大
175
35
-
30
75
15
13
10
-
-40
o
C到
85
o
C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
220
44
-
37
95
19
16
10
-
-55
o
C到
125
o
C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
265
53
-
45
110
22
19
10
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
参数
E至输出
符号
t
PHL ,
t
PLH
TEST
条件
C
L
= 50pF的
测试电路和波形
t
r
= 6ns的
t
r
C
L
时钟
90%
10%
t
f
C
L
I
t
WL
+ t
WH
=
fC
L
V
CC
50%
10%
t
WL
50%
50%
GND
t
WH
反相
产量
t
THL
t
TLH
90%
50%
10%
t
PHL
t
PLH
输入
90%
50%
10%
t
f
= 6ns的
V
CC
GND
注:输出应为10 %的V来切换
CC
到90 %的V
CC
in
根据设备的真值表。对于f
最大
输入的占空比= 50%。
图1. HC时钟脉冲上升和下降时间和
脉冲宽度
图2:慧聪过渡时间和传输
延迟时间的组合逻辑
t
r
= 6ns的
输入
90%
50%
10%
t
f
= 6ns的
V
CC
GND
t
TLH
90%
50%
10%
t
THL
反相
产量
t
PHL
t
PLH
图3. HC过渡时间和传输延迟时间的组合逻辑
5
CD54HC4514 , CD74HC4514 ,
CD74HC4515
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS280C
1997年11月 - 修订2003年7月
高速CMOS逻辑4至16线路
解码器/多路解复用器与输入锁存器
描述
该CD54HC4514 , CD74HC4514和CD74HC4515是
高速硅栅器件包括一个4位的选通的
锁存器和一个4到16线译码器。所选择的输出是
通过一个低的使能输入( E)的功能。关于电子商务抑制高
选择任何输出的。解复用实现的
使用E输入作为数据输入和选择输入( A0
A3),作为地址。这封输入也可作为片选
当这些装置被串联。
当锁存使能( LE )为高电平时,输出如下变化
在输入端(见真值表) 。当LE为低电平时,输出为
分离出的变化在输入并保持在该水平
(高为4514 ,低点为4515 ),它的锁之前,有
被启用。这些器件的增强版本
相当于CMOS类型,可驱动10个LSTTL负载。
特点
[ /标题
(CD74
HC451
4,
CD74
HC451
5)
/子
拍摄对象
(高
速度
CMOS
多功能能力
- 1-的-16二进制解码器
- 1至16行解复用器
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V
订购信息
产品型号
CD54HC4514F3A
TEMP 。 RANGE (
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
24 Ld的CERDIP
24 Ld的PDIP
24 Ld的PDIP
24 Ld的SOIC
24 Ld的SOIC
24 Ld的PDIP
24 Ld的PDIP
24 Ld的SOIC
24 Ld的SOIC
引脚
CD54HC4514
( CERDIP )
CD74HC4514 , CD74HC4515
( PDIP , SOIC )
顶视图
CD74HC4514E
CD74HC4514EN
CD74HC4514M
CD74HC4514M96
LE 1
A0 2
A1 3
Y7 4
Y6 5
Y5 6
Y4 7
Y3 8
Y1 9
Y2 10
Y0 11
GND 12
24 V
CC
23 E
22 A3
21 A2
20 Y10
19 Y11
18 Y8
17 Y9
16 Y14
15 Y15
14 Y12
13 Y13
CD74HC4515E
CD74HC4515EN
CD74HC4515M
CD74HC4515M96
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF科幻×96
表示磁带和卷轴。
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD54HC4514 , CD74HC4514 , CD74HC4515
工作原理图
HC
4514
11
Y0
9
Y1
10
Y2
8
Y3
7
Y4
6
Y5
5
Y6
4
Y7
18
Y8
17
Y9
20
Y10
19
Y11
14
Y12
13
Y13
16
Y14
15
Y15
GND = 12
V
CC
= 24
HC
4515
Y0
Y1
Y2
Y3
Y4
Y5
Y6
Y7
Y8
Y9
Y10
Y11
Y12
Y13
Y14
Y15
A0
A1
A2
A3
LE
2
3
21 LATCH
22
1
4-TO-16
解码器
23
E
DECODE真值表( LE = 1 )
解码器输入
启用
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
A3
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
1
1
1
X
A2
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
0
0
1
1
1
1
X
A1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
X
A0
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
X
往的输出
4514 =逻辑1(高)
4515 =逻辑0 ( HIGH )
Y0
Y1
Y2
Y3
Y4
Y5
Y6
Y7
Y8
Y9
Y10
Y11
Y12
Y13
Y14
Y15
所有输出= 0时, 4514
所有输出= 1 , 4515
X =无关;逻辑1 =高;逻辑0 =低
2
CD54HC4514 , CD74HC4514 , CD74HC4515
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流,每个输出,我
O
为-0.5V < V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻(典型值)
θ
JA
(
o
C / W )
E( PDIP )套餐(注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
67
EN ( PDIP )套餐(注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
67
M( SOIC )封装(注2 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
46
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意事项:
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-3 。
2.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
高电平输出
电压
TTL负载
-
-4
-5.2
2
4.5
6
-
4.5
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
符号
V
I
(V)
I
O
(MA )
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
V
CC
(V)
3
CD54HC4514 , CD74HC4514 , CD74HC4515
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
低电平输出
电压
CMOS负载
符号
V
OL
V
I
(V)
V
IH
或V
IL
I
O
(MA )
0.02
0.02
0.02
低电平输出
电压
TTL负载
-
4
5.2
输入漏
当前
静态器件
当前
I
I
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
-
0
25
o
C
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
8
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
80
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
160
单位
V
V
V
V
V
V
A
A
V
CC
(V)
2
4.5
6
-
4.5
6
6
6
用于交换特定网络阳离子前提条件
参数
HC类型
LE脉冲宽度
t
W
-
2
4.5
6
选择LE建立时间
t
SU
-
2
4.5
6
选择LE保持时间
t
H
-
2
4.5
6
75
30
35
100
20
17
0
0
0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
95
19
16
125
25
21
0
0
0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
110
22
19
150
30
26
0
0
0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
符号
TEST
条件
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
交换特定网络阳离子
C
L
= 50pF的,输入吨
r
, t
f
= 6ns的
25
o
C
V
CC
(V)
典型值
最大
-40
o
C到
85
o
C
最大
-55
o
C到
125
o
C
最大
单位
参数
HC类型
传播延迟
选择输出
符号
TEST
条件
t
PHL
, t
PLH
C
L
= 50pF的
2
4.5
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
5
6
2
4.5
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
5
6
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
23
-
-
-
19
-
275
55
-
47
225
45
-
38
-
-
-
-
-
-
-
-
345
69
-
59
280
56
-
48
-
-
-
-
-
-
-
-
415
83
-
71
340
68
-
58
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
LE到输出
t
PHL ,
t
PLH
C
L
= 50pF的
4
CD54HC4514 , CD74HC4514 , CD74HC4515
交换特定网络阳离子
C
L
= 50pF的,输入吨
r
, t
f
= 6ns的
(续)
25
o
C
V
CC
(V)
2
4.5
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
输出转换时间
t
THL
, t
TLH
C
L
= 50pF的
5
6
2
4.5
6
输入电容
功率耗散电容
(注3,4)
注意事项:
3. C
PD
被用于确定所述动态功耗,每包。
4. P
D
= V
CC2
f
i
(C
PD
+ C
L
) ,其中F
i
=输入频率,C
L
=输出负载电容,V
CC
=电源电压。
C
IN
C
PD
C
L
= 50pF的
-
-
5
-
-
-
-
-
-
-
10
-
典型值
-
-
14
-
-
-
-
-
70
最大
175
35
-
30
75
15
13
10
-
-40
o
C到
85
o
C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
220
44
-
37
95
19
16
10
-
-55
o
C到
125
o
C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
265
53
-
45
110
22
19
10
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
参数
E至输出
符号
t
PHL ,
t
PLH
TEST
条件
C
L
= 50pF的
测试电路和波形
t
r
= 6ns的
t
r
C
L
时钟
90%
10%
t
f
C
L
I
t
WL
+ t
WH
=
fC
L
V
CC
50%
10%
t
WL
50%
50%
GND
t
WH
反相
产量
t
THL
t
TLH
90%
50%
10%
t
PHL
t
PLH
输入
90%
50%
10%
t
f
= 6ns的
V
CC
GND
注:输出应为10 %的V来切换
CC
到90 %的V
CC
in
根据设备的真值表。对于f
最大
输入的占空比= 50%。
图1. HC时钟脉冲上升和下降时间和
脉冲宽度
图2:慧聪过渡时间和传输
延迟时间的组合逻辑
t
r
= 6ns的
输入
90%
50%
10%
t
f
= 6ns的
V
CC
GND
t
TLH
90%
50%
10%
t
THL
反相
产量
t
PHL
t
PLH
图3. HC过渡时间和传输延迟时间的组合逻辑
5
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