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CD54HC4049 , CD74HC4049 ,
CD54HC4050 , CD74HC4050
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS205I
1998年2月 - 修订2005年2月
高速CMOS逻辑器件
六角缓冲器,反相和非反相
描述
在' HC4049和' HC4050均选用高速
硅栅工艺。他们有作案科幻版的输入
保护结构,使这些部位成为usedas
逻辑电平转换器其中高电平逻辑转换为低
在操作过的低级别的逻辑电源电平的逻辑。为
例如, 15 -V的输入脉冲电平可以被下变频为
0 V至5 V的逻辑电平。该莫迪网络版的输入保护
结构免受静电负输入端
放电。这些部件也可以被用作简单的缓冲器
或逆变器无电平转换。在“ HC4049和
' HC4050被增强等效的CMOS类型的版本。
特点
[ /标题
(CD74H
C4049,
CD74H
C4050)
/子
拍摄对象
(高
速度
CMOS
逻辑
(十六进制)
典型传播延迟:为6ns在V
CC
= 5V,
C
L
= 15pF的,T
A
= 25
o
C
高到低电压电平转换器,用于高达V
l
= 16V
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
at
V
CC
= 5V
订购信息
产品型号
CD54HC4049F3A
CD54HC4050F3A
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
引脚
CD54HC4049 , CD54HC4050
( CERDIP )
CD74HC4049 , CD74HC4050
( PDIP , SOIC , SOP , TSSOP )
顶视图
4049
V
CC
1Y
1A
2Y
2A
3Y
3A
GND
4050
V
CC
1
1Y 2
1A 3
2Y 4
2A 5
3Y 6
3A 7
GND 8
4050
16 NC
15 6Y
14 6A
13 NC
12 5Y
11 5A
10 4Y
9 4A
4049
NC
6Y
6A
NC
5Y
5A
4Y
4A
CD74HC4049E
CD74HC4049M
CD74HCT4050MT
CD74HC4049M96
CD74HC4049NSR
CD74HC4049PW
CD74HC4049PWR
CD74HC4049PWT
CD74HC4050E
CD74HC4050M
CD74HC4050MT
CD74HC4050M96
CD74HC4050NSR
CD74HC4050PW
CD74HC4050PWR
CD74HC4050PWT
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF网络XES 96
而R表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示小量
卷轴250 。
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2005年,德州仪器
1
CD54HC4049 , CD74HC4049 , CD54HC4050 , CD74HC4050
工作原理图
4050
4049
V
CC
1
2
16
15
4049
NC
6Y
4050
1Y
1Y
3
1A
4
13
14
6Y
6A
2Y
2Y
5
2A
6
12
NC
NC
5Y
11
5A
5Y
3Y
3Y
7
3A
8
GND
10
4Y
9
4A
逻辑图
HC4049
HC4050
A
Y
A
Y
2
CD54HC4049 , CD74HC4049 , CD54HC4050 , CD74HC4050
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
输入电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至16V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -20mA
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
cc或
I
GND
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
封装的热阻抗,
θ
JA
(见注1 ) :
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 67
o
C / W
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 73
o
C / W
NS ( SOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 64
o
C / W
PW ( TSSOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 108
o
C / W
最高结温(密封包装或死亡) 。 。 。 175
o
C
最高结温(塑料封装) 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
V
CC
工作条件
温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .–55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
直流输入电压,V
I
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .0V至15V
直流输出电压,V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
电压
关系
最高限额
V
l
+7V
+16V
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
I
I
V
CC
or
GND
15
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
–0.02
–0.02
–0.02
–4
–5.2
0.02
0.02
0.02
4
5.2
-
-
2
4.5
6
4.5
6
2
4.5
6
4.5
6
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
±0.1
±0.5
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
±1
±5
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
±1
±5
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
符号
V
I
(V)
I
O
(MA )
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
–40
o
C至85
o
C
最大
–55
o
C到
125
o
C
最大
单位
3
CD54HC4049 , CD74HC4049 , CD54HC4050 , CD74HC4050
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
静态器件
当前
符号
I
CC
V
I
(V)
V
CC
or
GND
I
O
(MA )
0
25
o
C
-
典型值
-
最大
2
–40
o
C至85
o
C
-
最大
20
–55
o
C到
125
o
C
-
最大
40
单位
A
V
CC
(V)
6
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
TEST
条件
C
L
= 50pF的
25
o
C
V
CC
(V)
2
4.5
6
C
L
= 15pF的
转换时间(图1 )
t
TLH
, t
THL
C
L
= 50pF的
5
2
4.5
6
输入电容
功率耗散电容
(注2,3)
注意事项:
2. C
PD
被用于确定所述动态功耗,每个门。
3. P
D
= V
CC2
f
i
(C
PD
+ C
L
) ,其中F
i
=输入频率,C
L
=输出负载电容,V
CC
=电源电压。
C
I
C
PD
-
-
-
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
6
-
-
-
-
35
最大
85
17
14
-
75
15
13
10
-
–40
o
C到
85
o
C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
105
21
18
-
95
19
16
10
-
–55
o
C到
125
o
C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
130
26
22
-
110
22
19
10
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
参数
HC类型
传播延迟,
nA至纽约HC4049
nA至纽约HC4050
符号
t
PLH ,
t
PHL
测试电路和波形
t
r
= 6ns的
输入
90%
50%
10%
t
TLH
90%
50%
10%
t
PHL
t
PLH
t
f
= 6ns的
V
CC
GND
t
THL
反相
产量
图1. HC和HCU过渡时间和传输延迟时间的组合逻辑
4
封装选项附录
www.ti.com
26-Sep-2005
包装信息
订购设备
5962-8681901EA
5962-8682001EA
CD54HC4049F3A
CD54HC4050F3A
CD74HC4049E
CD74HC4049M
CD74HC4049M96
CD74HC4049M96E4
CD74HC4049ME4
CD74HC4049MT
CD74HC4049MTE4
CD74HC4049NSR
CD74HC4049NSRE4
CD74HC4049PW
CD74HC4049PWE4
CD74HC4049PWR
CD74HC4049PWRE4
CD74HC4049PWT
CD74HC4049PWTE4
CD74HC4050E
CD74HC4050EE4
CD74HC4050M
CD74HC4050M96
CD74HC4050M96E4
CD74HC4050ME4
CD74HC4050MT
CD74HC4050MTE4
状态
(1)
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
TYPE
CDIP
CDIP
CDIP
CDIP
PDIP
SOIC
SOIC
SOIC
SOIC
SOIC
SOIC
SO
SO
TSSOP
TSSOP
TSSOP
TSSOP
TSSOP
TSSOP
PDIP
PDIP
SOIC
SOIC
SOIC
SOIC
SOIC
SOIC
制图
J
J
J
J
N
D
D
D
D
D
D
NS
NS
PW
PW
PW
PW
PW
PW
N
N
D
D
D
D
D
D
引脚封装环保计划
(2)
数量
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
1
1
1
1
25
40
待定
待定
待定
待定
无铅
(符合RoHS )
绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
铅/焊球涂层
TI打电话
TI打电话
TI打电话
TI打电话
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
MSL峰值温度
(3)
等级-NC -NC -NC
等级-NC -NC -NC
等级-NC -NC -NC
等级-NC -NC -NC
等级-NC -NC -NC
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
等级-NC -NC -NC
等级-NC -NC -NC
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
2500绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
2500绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
40
250
250
绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
2000绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
2000绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
90
90
绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
2000绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
2000绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
250
250
25
25
40
绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
无铅
(符合RoHS )
无铅
(符合RoHS )
绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
2500绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
2500绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
40
250
250
绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
绿色环保(RoHS &
附录1页
CD54HC4049 , CD74HC4049 ,
CD54HC4050 , CD74HC4050
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS205I
1998年2月 - 修订2005年2月
高速CMOS逻辑器件
六角缓冲器,反相和非反相
描述
在' HC4049和' HC4050均选用高速
硅栅工艺。他们有作案科幻版的输入
保护结构,使这些部位成为usedas
逻辑电平转换器其中高电平逻辑转换为低
在操作过的低级别的逻辑电源电平的逻辑。为
例如, 15 -V的输入脉冲电平可以被下变频为
0 V至5 V的逻辑电平。该莫迪网络版的输入保护
结构免受静电负输入端
放电。这些部件也可以被用作简单的缓冲器
或逆变器无电平转换。在“ HC4049和
' HC4050被增强等效的CMOS类型的版本。
特点
[ /标题
(CD74H
C4049,
CD74H
C4050)
/子
拍摄对象
(高
速度
CMOS
逻辑
(十六进制)
典型传播延迟:为6ns在V
CC
= 5V,
C
L
= 15pF的,T
A
= 25
o
C
高到低电压电平转换器,用于高达V
l
= 16V
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
at
V
CC
= 5V
订购信息
产品型号
CD54HC4049F3A
CD54HC4050F3A
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
引脚
CD54HC4049 , CD54HC4050
( CERDIP )
CD74HC4049 , CD74HC4050
( PDIP , SOIC , SOP , TSSOP )
顶视图
4049
V
CC
1Y
1A
2Y
2A
3Y
3A
GND
4050
V
CC
1
1Y 2
1A 3
2Y 4
2A 5
3Y 6
3A 7
GND 8
4050
16 NC
15 6Y
14 6A
13 NC
12 5Y
11 5A
10 4Y
9 4A
4049
NC
6Y
6A
NC
5Y
5A
4Y
4A
CD74HC4049E
CD74HC4049M
CD74HCT4050MT
CD74HC4049M96
CD74HC4049NSR
CD74HC4049PW
CD74HC4049PWR
CD74HC4049PWT
CD74HC4050E
CD74HC4050M
CD74HC4050MT
CD74HC4050M96
CD74HC4050NSR
CD74HC4050PW
CD74HC4050PWR
CD74HC4050PWT
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF网络XES 96
而R表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示小量
卷轴250 。
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2005年,德州仪器
1
CD54HC4049 , CD74HC4049 , CD54HC4050 , CD74HC4050
工作原理图
4050
4049
V
CC
1
2
16
15
4049
NC
6Y
4050
1Y
1Y
3
1A
4
13
14
6Y
6A
2Y
2Y
5
2A
6
12
NC
NC
5Y
11
5A
5Y
3Y
3Y
7
3A
8
GND
10
4Y
9
4A
逻辑图
HC4049
HC4050
A
Y
A
Y
2
CD54HC4049 , CD74HC4049 , CD54HC4050 , CD74HC4050
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
输入电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至16V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -20mA
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
cc或
I
GND
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
封装的热阻抗,
θ
JA
(见注1 ) :
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 67
o
C / W
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 73
o
C / W
NS ( SOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 64
o
C / W
PW ( TSSOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 108
o
C / W
最高结温(密封包装或死亡) 。 。 。 175
o
C
最高结温(塑料封装) 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
V
CC
工作条件
温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .–55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
直流输入电压,V
I
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .0V至15V
直流输出电压,V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
电压
关系
最高限额
V
l
+7V
+16V
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
I
I
V
CC
or
GND
15
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
–0.02
–0.02
–0.02
–4
–5.2
0.02
0.02
0.02
4
5.2
-
-
2
4.5
6
4.5
6
2
4.5
6
4.5
6
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
±0.1
±0.5
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
±1
±5
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
±1
±5
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
符号
V
I
(V)
I
O
(MA )
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
–40
o
C至85
o
C
最大
–55
o
C到
125
o
C
最大
单位
3
CD54HC4049 , CD74HC4049 , CD54HC4050 , CD74HC4050
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
静态器件
当前
符号
I
CC
V
I
(V)
V
CC
or
GND
I
O
(MA )
0
25
o
C
-
典型值
-
最大
2
–40
o
C至85
o
C
-
最大
20
–55
o
C到
125
o
C
-
最大
40
单位
A
V
CC
(V)
6
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
TEST
条件
C
L
= 50pF的
25
o
C
V
CC
(V)
2
4.5
6
C
L
= 15pF的
转换时间(图1 )
t
TLH
, t
THL
C
L
= 50pF的
5
2
4.5
6
输入电容
功率耗散电容
(注2,3)
注意事项:
2. C
PD
被用于确定所述动态功耗,每个门。
3. P
D
= V
CC2
f
i
(C
PD
+ C
L
) ,其中F
i
=输入频率,C
L
=输出负载电容,V
CC
=电源电压。
C
I
C
PD
-
-
-
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
6
-
-
-
-
35
最大
85
17
14
-
75
15
13
10
-
–40
o
C到
85
o
C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
105
21
18
-
95
19
16
10
-
–55
o
C到
125
o
C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
130
26
22
-
110
22
19
10
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
参数
HC类型
传播延迟,
nA至纽约HC4049
nA至纽约HC4050
符号
t
PLH ,
t
PHL
测试电路和波形
t
r
= 6ns的
输入
90%
50%
10%
t
TLH
90%
50%
10%
t
PHL
t
PLH
t
f
= 6ns的
V
CC
GND
t
THL
反相
产量
图1. HC和HCU过渡时间和传输延迟时间的组合逻辑
4
封装选项附录
www.ti.com
9-Oct-2007
包装信息
订购设备
5962-8681901EA
5962-8682001EA
CD54HC4049F3A
CD54HC4050F3A
CD74HC4049E
CD74HC4049EE4
CD74HC4049M
CD74HC4049M96
CD74HC4049M96E4
CD74HC4049M96G4
CD74HC4049ME4
CD74HC4049MG4
CD74HC4049MT
CD74HC4049MTE4
CD74HC4049MTG4
CD74HC4049NSR
CD74HC4049NSRE4
CD74HC4049NSRG4
CD74HC4049PW
CD74HC4049PWE4
CD74HC4049PWG4
CD74HC4049PWR
CD74HC4049PWRE4
CD74HC4049PWRG4
CD74HC4049PWT
CD74HC4049PWTE4
CD74HC4049PWTG4
状态
(1)
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
TYPE
CDIP
CDIP
CDIP
CDIP
PDIP
PDIP
SOIC
SOIC
SOIC
SOIC
SOIC
SOIC
SOIC
SOIC
SOIC
SO
SO
SO
TSSOP
TSSOP
TSSOP
TSSOP
TSSOP
TSSOP
TSSOP
TSSOP
TSSOP
制图
J
J
J
J
N
N
D
D
D
D
D
D
D
D
D
NS
NS
NS
PW
PW
PW
PW
PW
PW
PW
PW
PW
引脚封装环保计划
(2)
数量
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
1
1
1
1
25
25
40
待定
待定
待定
待定
无铅
(符合RoHS )
无铅
(符合RoHS )
绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
铅/焊球涂层
A42 SNPB
A42 SNPB
A42 SNPB
A42 SNPB
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
MSL峰值温度
(3)
N / A的PKG型
N / A的PKG型
N / A的PKG型
N / A的PKG型
N / A的PKG型
N / A的PKG型
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
2500绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
2500绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
2500绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
40
40
250
250
250
绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
2000绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
2000绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
2000绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
90
90
90
绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
2000绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
2000绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
2000绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
250
250
250
绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
绿色环保(RoHS &
附录1页
CD54HC4049 , CD74HC4049 ,
CD54HC4050 , CD74HC4050
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS205I
1998年2月 - 修订2005年2月
高速CMOS逻辑器件
六角缓冲器,反相和非反相
描述
在' HC4049和' HC4050均选用高速
硅栅工艺。他们有作案科幻版的输入
保护结构,使这些部位成为usedas
逻辑电平转换器其中高电平逻辑转换为低
在操作过的低级别的逻辑电源电平的逻辑。为
例如, 15 -V的输入脉冲电平可以被下变频为
0 V至5 V的逻辑电平。该莫迪网络版的输入保护
结构免受静电负输入端
放电。这些部件也可以被用作简单的缓冲器
或逆变器无电平转换。在“ HC4049和
' HC4050被增强等效的CMOS类型的版本。
特点
[ /标题
(CD74H
C4049,
CD74H
C4050)
/子
拍摄对象
(高
速度
CMOS
逻辑
(十六进制)
典型传播延迟:为6ns在V
CC
= 5V,
C
L
= 15pF的,T
A
= 25
o
C
高到低电压电平转换器,用于高达V
l
= 16V
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
at
V
CC
= 5V
订购信息
产品型号
CD54HC4049F3A
CD54HC4050F3A
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
引脚
CD54HC4049 , CD54HC4050
( CERDIP )
CD74HC4049 , CD74HC4050
( PDIP , SOIC , SOP , TSSOP )
顶视图
4049
V
CC
1Y
1A
2Y
2A
3Y
3A
GND
4050
V
CC
1
1Y 2
1A 3
2Y 4
2A 5
3Y 6
3A 7
GND 8
4050
16 NC
15 6Y
14 6A
13 NC
12 5Y
11 5A
10 4Y
9 4A
4049
NC
6Y
6A
NC
5Y
5A
4Y
4A
CD74HC4049E
CD74HC4049M
CD74HCT4050MT
CD74HC4049M96
CD74HC4049NSR
CD74HC4049PW
CD74HC4049PWR
CD74HC4049PWT
CD74HC4050E
CD74HC4050M
CD74HC4050MT
CD74HC4050M96
CD74HC4050NSR
CD74HC4050PW
CD74HC4050PWR
CD74HC4050PWT
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF网络XES 96
而R表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示小量
卷轴250 。
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2005年,德州仪器
1
CD54HC4049 , CD74HC4049 , CD54HC4050 , CD74HC4050
工作原理图
4050
4049
V
CC
1
2
16
15
4049
NC
6Y
4050
1Y
1Y
3
1A
4
13
14
6Y
6A
2Y
2Y
5
2A
6
12
NC
NC
5Y
11
5A
5Y
3Y
3Y
7
3A
8
GND
10
4Y
9
4A
逻辑图
HC4049
HC4050
A
Y
A
Y
2
CD54HC4049 , CD74HC4049 , CD54HC4050 , CD74HC4050
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
输入电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至16V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -20mA
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
cc或
I
GND
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
封装的热阻抗,
θ
JA
(见注1 ) :
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 67
o
C / W
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 73
o
C / W
NS ( SOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 64
o
C / W
PW ( TSSOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 108
o
C / W
最高结温(密封包装或死亡) 。 。 。 175
o
C
最高结温(塑料封装) 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
V
CC
工作条件
温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .–55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
直流输入电压,V
I
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .0V至15V
直流输出电压,V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
电压
关系
最高限额
V
l
+7V
+16V
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
I
I
V
CC
or
GND
15
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
–0.02
–0.02
–0.02
–4
–5.2
0.02
0.02
0.02
4
5.2
-
-
2
4.5
6
4.5
6
2
4.5
6
4.5
6
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
±0.1
±0.5
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
±1
±5
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
±1
±5
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
符号
V
I
(V)
I
O
(MA )
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
–40
o
C至85
o
C
最大
–55
o
C到
125
o
C
最大
单位
3
CD54HC4049 , CD74HC4049 , CD54HC4050 , CD74HC4050
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
静态器件
当前
符号
I
CC
V
I
(V)
V
CC
or
GND
I
O
(MA )
0
25
o
C
-
典型值
-
最大
2
–40
o
C至85
o
C
-
最大
20
–55
o
C到
125
o
C
-
最大
40
单位
A
V
CC
(V)
6
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
TEST
条件
C
L
= 50pF的
25
o
C
V
CC
(V)
2
4.5
6
C
L
= 15pF的
转换时间(图1 )
t
TLH
, t
THL
C
L
= 50pF的
5
2
4.5
6
输入电容
功率耗散电容
(注2,3)
注意事项:
2. C
PD
被用于确定所述动态功耗,每个门。
3. P
D
= V
CC2
f
i
(C
PD
+ C
L
) ,其中F
i
=输入频率,C
L
=输出负载电容,V
CC
=电源电压。
C
I
C
PD
-
-
-
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
6
-
-
-
-
35
最大
85
17
14
-
75
15
13
10
-
–40
o
C到
85
o
C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
105
21
18
-
95
19
16
10
-
–55
o
C到
125
o
C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
130
26
22
-
110
22
19
10
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
参数
HC类型
传播延迟,
nA至纽约HC4049
nA至纽约HC4050
符号
t
PLH ,
t
PHL
测试电路和波形
t
r
= 6ns的
输入
90%
50%
10%
t
TLH
90%
50%
10%
t
PHL
t
PLH
t
f
= 6ns的
V
CC
GND
t
THL
反相
产量
图1. HC和HCU过渡时间和传输延迟时间的组合逻辑
4
封装选项附录
www.ti.com
9-Oct-2007
包装信息
订购设备
5962-8681901EA
5962-8682001EA
CD54HC4049F3A
CD54HC4050F3A
CD74HC4049E
CD74HC4049EE4
CD74HC4049M
CD74HC4049M96
CD74HC4049M96E4
CD74HC4049M96G4
CD74HC4049ME4
CD74HC4049MG4
CD74HC4049MT
CD74HC4049MTE4
CD74HC4049MTG4
CD74HC4049NSR
CD74HC4049NSRE4
CD74HC4049NSRG4
CD74HC4049PW
CD74HC4049PWE4
CD74HC4049PWG4
CD74HC4049PWR
CD74HC4049PWRE4
CD74HC4049PWRG4
CD74HC4049PWT
CD74HC4049PWTE4
CD74HC4049PWTG4
状态
(1)
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
TYPE
CDIP
CDIP
CDIP
CDIP
PDIP
PDIP
SOIC
SOIC
SOIC
SOIC
SOIC
SOIC
SOIC
SOIC
SOIC
SO
SO
SO
TSSOP
TSSOP
TSSOP
TSSOP
TSSOP
TSSOP
TSSOP
TSSOP
TSSOP
制图
J
J
J
J
N
N
D
D
D
D
D
D
D
D
D
NS
NS
NS
PW
PW
PW
PW
PW
PW
PW
PW
PW
引脚封装环保计划
(2)
数量
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
1
1
1
1
25
25
40
待定
待定
待定
待定
无铅
(符合RoHS )
无铅
(符合RoHS )
绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
铅/焊球涂层
A42 SNPB
A42 SNPB
A42 SNPB
A42 SNPB
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
MSL峰值温度
(3)
N / A的PKG型
N / A的PKG型
N / A的PKG型
N / A的PKG型
N / A的PKG型
N / A的PKG型
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
2500绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
2500绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
2500绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
40
40
250
250
250
绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
2000绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
2000绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
2000绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
90
90
90
绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
2000绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
2000绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
2000绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
250
250
250
绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
绿色环保(RoHS &
附录1页
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS205A
CD74HC4049,
CD74HC4050
高速CMOS逻辑器件
六角缓冲器,反相和非反相
描述
该CD74HC4049和CD74HC4050均选用
高速硅栅技术。他们有一个莫迪网络版
输入保护结构,使这些部位是
用作逻辑电平转换而转换成高逻辑电平
到一个低逻辑电平操作时关闭低逻辑电平
供应量。例如, 15 -V的输入脉冲电平可以是向下
转换为0 V至5 V的逻辑电平。该莫迪网络版的输入
保护结构,可以防止负输入
静电放电。这些部件也可以被用作
简单的缓冲器或反相器没有电平转换。该
CD74HC4049和CD74HC4050是增强版本
相当于CMOS类型。
1998年2月 - 修订1999年6月
特点
典型传播延迟:为6ns在V
CC
= 5V,
C
L
= 15pF的,T
A
= 25
o
C
高到低电压电平转换器,用于高达V
l
= 16V
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
at
V
CC
= 5V
[ /标题
(CD74H
C4049,
CD74H
C4050)
/子
拍摄对象
(高
速度
CMOS
逻辑
(十六进制)
订购信息
产品型号
CD74HC4049E
CD74HC4050E
CD74HC4049M
CD74HC4050M
CD74HC4050PW
注意事项:
1,订货时,使用整个零件编号。添加SUF音响X 96
并购SUF科幻x或第r SUF网络X的PW封装,以获得
变种在磁带和卷轴。
2.晶圆和芯片可满足所有电气
规格。请联系您当地的销售办事处或
客户服务的订购信息。
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
16 Ld的PDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的TSSOP
PKG 。
E16.3
E16.3
M16.15
M16.15
引脚
CD74HC4049 , CD74HC4050
( PDIP , SOIC , TSSOP )
顶视图
4049
V
CC
1Y
1A
2Y
2A
3Y
3A
GND
4050
V
CC
1
1Y 2
1A 3
2Y 4
2A 5
3Y 6
3A 7
GND 8
4050
16 NC
15 6Y
14 6A
13 NC
12 5Y
11 5A
10 4Y
9 4A
4049
NC
6Y
6A
NC
5Y
5A
4Y
4A
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
1999年德州仪器
1
CD74HC4049 , CD74HC4050
工作原理图
4050
4049
V
CC
2
1Y
1Y
3
1A
4
2Y
2Y
5
2A
6
3Y
3Y
7
3A
8
GND
12
5Y
13
NC
NC
14
6A
15
6Y
6Y
4049
NC
4050
1
16
11
5A
5Y
10
4Y
9
4A
逻辑图
HC4049
HC4050
A
Y
A
Y
2
CD74HC4049 , CD74HC4050
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
cc或
I
GND
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻(典型,注3 )
θ
JA
(
o
C / W )
PDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
78
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
113
TSSOP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
149
最高结温(密封包装或死亡) 。 。 。 175
o
C
最高结温(塑料封装) 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
V
CC
工作条件
温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .–55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
电压
关系
最高限额
V
l
+7V
+16V
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
3.
θ
JA
测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
I
I
V
CC
or
GND
15
静态器件
当前
I
CC
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
–0.02
–0.02
–0.02
–4
–5.2
0.02
0.02
0.02
4
5.2
-
-
0
2
4.5
6
4.5
6
2
4.5
6
4.5
6
6
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
±0.1
±0.5
2
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
±1
±5
20
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
±1
±5
40
A
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
符号
V
I
(V)
I
O
(MA )
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
–40
o
C至85
o
C
最大
–55
o
C到
125
o
C
最大
单位
注:对于双电源供电系统理论分析最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )特定网络阳离子是1.8毫安。
3
CD74HC4049 , CD74HC4050
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
TEST
条件
C
L
= 50pF的
25
o
C
V
CC
(V)
2
4.5
6
C
L
= 15pF的
转换时间(图1 )
t
TLH
, t
THL
C
L
= 50pF的
5
2
4.5
6
输入电容
功率耗散电容
(注4,5)
注意事项:
4. C
PD
被用于确定所述动态功耗,每个门。
5. P
D
= V
CC2
f
i
(C
PD
+ C
L
) ,其中F
i
=输入频率,C
L
=输出负载电容,V
CC
=电源电压。
C
I
C
PD
-
-
-
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
6
-
-
-
-
35
最大
85
17
14
-
75
15
13
10
-
–40
o
C到
85
o
C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
105
21
18
-
95
19
16
10
-
–55
o
C到
125
o
C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
130
26
22
-
110
22
19
10
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
参数
HC类型
传播延迟,
nA至纽约HC4049
nA至纽约HC4050
符号
t
PLH ,
t
PHL
测试电路和波形
t
r
= 6ns的
输入
90%
50%
10%
t
TLH
90%
50%
10%
t
PHL
t
PLH
t
f
= 6ns的
V
CC
GND
t
THL
反相
产量
图1. HC和HCU过渡时间和传输延迟时间的组合逻辑
4
重要通知
德州仪器(TI)及其附属公司( TI)保留随时修改他们的产品或终止的权利
任何产品或服务,恕不另行通知,并告知客户获得相关信息的最新版本
验证,在下订单之前,该信息被依靠的最新及完整。所有产品的销售
受在订单确认时所提供的销售条款和条件,包括
关于保修,专利侵权,并赔偿责任限制。
其半导体产品的TI保证产品性能在销售的时候规格
根据TI的标准保修服务。测试和其它质量控制技术被利用的程度
TI认为有必要支持这项保证。每个器件的所有参数的具体测试不一定
除了那些由政府强制要求执行。
采用半导体产品的某些应用程序可能涉及的潜在风险
死亡,人身伤害,或严重的财产或环境损害( “ CRITICAL
应用程序“) 。 TI半导体产品并非设计,授权,或
担保能适用用于生命支持设备或系统或其他
关键应用。 TI产品在这些应用中夹杂物被理解为
完全根据客户的风险。
为了最小化与用户的应用程序,适当的设计与操作相关的风险
保障措施必须由客户提供,以尽量减少固有的或程序上的危害。
TI对应用帮助或客户产品设计不承担任何责任。 TI不声明或保证
任何许可,无论是明示或暗示,是任何专利权,版权,屏蔽作品权或其他准予下
TI覆盖或与之相关的任何组合,机器或流程的知识产权进行此类
半导体产品或服务可能使用或正在使用。 TI的对任何第三方公布的信息
方的产品或服务不构成TI的批准,保证或认可。
版权
1999年,德州仪器
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS205A
CD74HC4049,
CD74HC4050
高速CMOS逻辑器件
六角缓冲器,反相和非反相
描述
该CD74HC4049和CD74HC4050均选用
高速硅栅技术。他们有一个莫迪网络版
输入保护结构,使这些部位是
用作逻辑电平转换而转换成高逻辑电平
到一个低逻辑电平操作时关闭低逻辑电平
供应量。例如, 15 -V的输入脉冲电平可以是向下
转换为0 V至5 V的逻辑电平。该莫迪网络版的输入
保护结构,可以防止负输入
静电放电。这些部件也可以被用作
简单的缓冲器或反相器没有电平转换。该
CD74HC4049和CD74HC4050是增强版本
相当于CMOS类型。
1998年2月 - 修订1999年6月
特点
典型传播延迟:为6ns在V
CC
= 5V,
C
L
= 15pF的,T
A
= 25
o
C
高到低电压电平转换器,用于高达V
l
= 16V
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
at
V
CC
= 5V
[ /标题
(CD74H
C4049,
CD74H
C4050)
/子
拍摄对象
(高
速度
CMOS
逻辑
(十六进制)
订购信息
产品型号
CD74HC4049E
CD74HC4050E
CD74HC4049M
CD74HC4050M
CD74HC4050PW
注意事项:
1,订货时,使用整个零件编号。添加SUF音响X 96
并购SUF科幻x或第r SUF网络X的PW封装,以获得
变种在磁带和卷轴。
2.晶圆和芯片可满足所有电气
规格。请联系您当地的销售办事处或
客户服务的订购信息。
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
16 Ld的PDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的TSSOP
PKG 。
E16.3
E16.3
M16.15
M16.15
引脚
CD74HC4049 , CD74HC4050
( PDIP , SOIC , TSSOP )
顶视图
4049
V
CC
1Y
1A
2Y
2A
3Y
3A
GND
4050
V
CC
1
1Y 2
1A 3
2Y 4
2A 5
3Y 6
3A 7
GND 8
4050
16 NC
15 6Y
14 6A
13 NC
12 5Y
11 5A
10 4Y
9 4A
4049
NC
6Y
6A
NC
5Y
5A
4Y
4A
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
1999年德州仪器
1
CD74HC4049 , CD74HC4050
工作原理图
4050
4049
V
CC
2
1Y
1Y
3
1A
4
2Y
2Y
5
2A
6
3Y
3Y
7
3A
8
GND
12
5Y
13
NC
NC
14
6A
15
6Y
6Y
4049
NC
4050
1
16
11
5A
5Y
10
4Y
9
4A
逻辑图
HC4049
HC4050
A
Y
A
Y
2
CD74HC4049 , CD74HC4050
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
cc或
I
GND
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻(典型,注3 )
θ
JA
(
o
C / W )
PDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
78
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
113
TSSOP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
149
最高结温(密封包装或死亡) 。 。 。 175
o
C
最高结温(塑料封装) 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
V
CC
工作条件
温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .–55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
电压
关系
最高限额
V
l
+7V
+16V
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
3.
θ
JA
测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
I
I
V
CC
or
GND
15
静态器件
当前
I
CC
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
–0.02
–0.02
–0.02
–4
–5.2
0.02
0.02
0.02
4
5.2
-
-
0
2
4.5
6
4.5
6
2
4.5
6
4.5
6
6
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
±0.1
±0.5
2
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
±1
±5
20
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
±1
±5
40
A
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
符号
V
I
(V)
I
O
(MA )
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
–40
o
C至85
o
C
最大
–55
o
C到
125
o
C
最大
单位
注:对于双电源供电系统理论分析最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )特定网络阳离子是1.8毫安。
3
CD74HC4049 , CD74HC4050
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
TEST
条件
C
L
= 50pF的
25
o
C
V
CC
(V)
2
4.5
6
C
L
= 15pF的
转换时间(图1 )
t
TLH
, t
THL
C
L
= 50pF的
5
2
4.5
6
输入电容
功率耗散电容
(注4,5)
注意事项:
4. C
PD
被用于确定所述动态功耗,每个门。
5. P
D
= V
CC2
f
i
(C
PD
+ C
L
) ,其中F
i
=输入频率,C
L
=输出负载电容,V
CC
=电源电压。
C
I
C
PD
-
-
-
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
6
-
-
-
-
35
最大
85
17
14
-
75
15
13
10
-
–40
o
C到
85
o
C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
105
21
18
-
95
19
16
10
-
–55
o
C到
125
o
C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
130
26
22
-
110
22
19
10
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
参数
HC类型
传播延迟,
nA至纽约HC4049
nA至纽约HC4050
符号
t
PLH ,
t
PHL
测试电路和波形
t
r
= 6ns的
输入
90%
50%
10%
t
TLH
90%
50%
10%
t
PHL
t
PLH
t
f
= 6ns的
V
CC
GND
t
THL
反相
产量
图1. HC和HCU过渡时间和传输延迟时间的组合逻辑
4
重要通知
德州仪器(TI)及其附属公司( TI)保留随时修改他们的产品或终止的权利
任何产品或服务,恕不另行通知,并告知客户获得相关信息的最新版本
验证,在下订单之前,该信息被依靠的最新及完整。所有产品的销售
受在订单确认时所提供的销售条款和条件,包括
关于保修,专利侵权,并赔偿责任限制。
其半导体产品的TI保证产品性能在销售的时候规格
根据TI的标准保修服务。测试和其它质量控制技术被利用的程度
TI认为有必要支持这项保证。每个器件的所有参数的具体测试不一定
除了那些由政府强制要求执行。
采用半导体产品的某些应用程序可能涉及的潜在风险
死亡,人身伤害,或严重的财产或环境损害( “ CRITICAL
应用程序“) 。 TI半导体产品并非设计,授权,或
担保能适用用于生命支持设备或系统或其他
关键应用。 TI产品在这些应用中夹杂物被理解为
完全根据客户的风险。
为了最小化与用户的应用程序,适当的设计与操作相关的风险
保障措施必须由客户提供,以尽量减少固有的或程序上的危害。
TI对应用帮助或客户产品设计不承担任何责任。 TI不声明或保证
任何许可,无论是明示或暗示,是任何专利权,版权,屏蔽作品权或其他准予下
TI覆盖或与之相关的任何组合,机器或流程的知识产权进行此类
半导体产品或服务可能使用或正在使用。 TI的对任何第三方公布的信息
方的产品或服务不构成TI的批准,保证或认可。
版权
1999年,德州仪器
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    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    CD74HC4050E
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:18820154873
联系人:李
地址:华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋西6层C6A10
CD74HC4050E
TI/德州仪器
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原厂授权一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1248156793 复制 点击这里给我发消息 QQ:519794981 复制

电话:0755-83242658
联系人:廖先生
地址:广东深圳市福田区华强北路赛格科技园4栋西3楼3A31-32室★十佳优质供应商★
CD74HC4050E
TI
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100%原装正品,只做原装正品
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:960030175 复制

电话:13480301972
联系人:陈先生
地址:福田区中航路华强北街道国利大厦2030
CD74HC4050E
TI/德州仪器
23+
23000
16-PDIP
全新原装现货 优势库存
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881936556 复制 点击这里给我发消息 QQ:1838629145 复制 点击这里给我发消息 QQ:1366534167 复制

电话:0755-88917652分机801-83200050
联系人:柯
地址:深圳市福田区华强北振兴华101号华匀大厦二栋五楼516室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票!!
CD74HC4050E
TI
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只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
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电话:0755-83209630 82519391
联系人:许小姐
地址:深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
CD74HC4050E
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24+
11880
DIP16
优势现货,只做原装正品
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:996334048 复制 点击这里给我发消息 QQ:570120875 复制
电话:0755-82563615 82563213
联系人:王云
地址:深圳市华强北上步204栋五楼520室
CD74HC4050E
TI
2425+
11280
DIP-16
进口原装!优势现货!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2938238007 复制 点击这里给我发消息 QQ:1840507767 复制

电话:0755-82578309/18898790342
联系人:李小姐
地址:深圳市福田区华强北海外装饰大厦B座7B33
CD74HC4050E
TI
21+
12000
PDIP (N)
███全新原装正品,可配单
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