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CD54HC4015 , CD74HC4015
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS198C
1997年11月 - 修订2003年5月
高速CMOS逻辑
双路4级静态移位寄存器
描述
的' HC4015由两个相同的,独立的, 4级
串行输入/并行输出寄存器。每个寄存器有
独立时钟( CP )和复位( MR)输入,以及一个
单一的串行数据输入。的“Q”输出可从每
的两个寄存器中的四个阶段。所有的寄存器级的D-
型,主从佛罗里达州IP- FL欢声笑语。的逻辑电平存在于所述
数据的输入被传输到网络连接第一个寄存器级和
移过一个阶段,在每个正性去时钟
过渡。所有阶段的复位是由高完成
在复位线电平。
该器件可驱动多达10个低功率肖特基相当于
负载。在' HC4015是相当于一个加强版
CMOS类型。
特点
[ /标题
(CD74
HC401
5)
/子
拍摄对象
(高
速度
CMOS
逻辑
4-
最大频率,通常为60MHz
C
L
= 15pF的,V
CC
= 5V ,T
A
= 25
o
C
正沿时钟
重写复位
缓冲输入和输出
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V
订购信息
产品型号
CD54HC4015F3A
CD74HC4015E
CD74HC4015M
TEMP 。 RANGE (
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
引脚
CD54HC4015
( CERDIP )
CD74HC4015
( PDIP , SOIC )
顶视图
2CP 1
2Q
3
2
1Q
2
3
1Q
1
4
1Q
0
5
1MR 6
1D 7
GND 8
16 V
CC
15 2D
14 2MR
13 2Q
0
12 2Q
1
11 2Q
2
10 1Q
3
9 1CP
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD54HC4015 , CD74HC4015
工作原理图
7
1D
4
9
1CP
6
1MR
3
10
5
1Q
0
1Q
1
1Q
2
1Q
3
15
2D
1
2CP
14
2MR
13
12
11
2
2Q
0
2Q
1
2Q
2
2Q
3
GND = 8
V
CC
= 16
真值表
输入
CP
X
D
l
h
X
X
R
L
L
L
H
Q
0
L
H
q’
0
L
Q
1
q’
0
q’
0
q’
1
L
输出
Q
2
q’
1
q’
1
q’
2
L
Q
3
q’
2
q’
2
q’
3
L
H =高电压等级
H =高电压等级低到高时钟跳变一个建立时间之前,
L =低电压等级
L =低电平一建立时间之前低到高时钟转换
X =不在乎。
=低到高时钟转换
=高至低时钟转换
q’
n
=小写字母表示的参考输出一个建立时间之前低的状态
HIGH时钟跳变。
2
CD54HC4015 , CD74HC4015
t6
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻(典型值,注1 )
θ
JA
(
o
C / W )
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
67
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
73
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150℃
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围,T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
f
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
输入高电平
电压
符号
V
IH
V
I
(V)
-
I
O
(MA )
-
V
CC
(V)
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
I
I
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
-
4
5.2
-
0
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
6
6
25
o
C
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
8
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
80
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
160
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
3
CD54HC4015 , CD74HC4015
用于交换特定网络阳离子前提条件
25
o
C
参数
最大时钟
频率
符号
f
最大
V
CC
(V)
2
4.5
6
时钟脉冲宽度
t
W
2
4.5
6
MR脉冲宽度
t
W
2
4.5
6
MR恢复时间
t
REC
2
4.5
6
设置时间,
数据在给CP
t
SUL ,
t
2
4.5
6
保持时间,
数据在给CP
t
H
2
4.5
6
6
30
35
80
16
14
150
30
26
50
10
9
60
12
10
0
0
0
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-40
o
C至85
o
C
5
24
28
100
20
17
190
38
33
65
13
11
75
15
13
0
0
0
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-55
o
C至125
o
C
4
20
24
120
24
20
225
45
38
75
15
13
90
18
15
0
0
0
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
兆赫
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
参数
传播延迟(图1 )
时钟到Q
n
TEST
符号条件
t
PLH ,
t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
=15pF
C
L
= 50pF的
MR到Q
n
(钟高)
t
PLH ,
t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
=15pF
C
L
= 50pF的
MR到Q
n
(时钟低)
t
PLH ,
t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
=15pF
C
L
= 50pF的
输出转换时间
(图1)
t
TLH
, t
THL
C
L
= 50pF的
6
2
4.5
6
输入电容
最大时钟频率
功耗
电容
(注2,3)
注意事项:
2. C
PD
被用于确定所述动态功耗,每个移位寄存器。
3. P
D
= V
CC2
f
i
+
C
L
V
CC2
其中f
i
=输入频率,C
L
=输出负载电容,V
CC
=电源电压。
C
IN
f
最大
C
PD
C
L
= 50pF的
C
L
=15pF
C
L
=15pF
-
5
5
-
-
-
-
-
-
-
6
2
4.5
-
-
-
V
CC
(V)
2
4.5
5
6
2
4.5
25
o
C
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
14
-
-
-
25
-
-
-
25
-
-
-
-
-
60
43
最大
175
35
-
30
275
55
-
47
325
65
-
55
75
15
13
10
-
-
-40
o
C至85
o
C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
220
44
-
37
345
64
-
54
400
81
-
69
95
19
16
10
-
-
-55
o
C至125
o
C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
270
54
-
46
415
83
-
71
490
98
-
83
110
22
19
10
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
兆赫
pF
4
CD54HC4015 , CD74HC4015
测试电路和波形
t
r
C
L
时钟
输入
90%
10%
t
H(H)
50%
GND
t
小时( L)的
V
CC
数据
输入
t
素(H )
t
TLH
90%
产量
t
PLH
t
REM
V
CC
设,重设
或预设
50%
GND
t
SU( L)
t
THL
90%
50%
10%
t
PHL
50%
GND
t
f
C
L
V
CC
IC
C
L
50pF
图1. HC设置时间,保持时间,拆模时间和传输延迟时间边沿触发
时序逻辑电路
5
CD54HC4015 , CD74HC4015
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS198C
1997年11月 - 修订2003年5月
高速CMOS逻辑
双路4级静态移位寄存器
描述
的' HC4015由两个相同的,独立的, 4级
串行输入/并行输出寄存器。每个寄存器有
独立时钟( CP )和复位( MR)输入,以及一个
单一的串行数据输入。的“Q”输出可从每
的两个寄存器中的四个阶段。所有的寄存器级的D-
型,主从佛罗里达州IP- FL欢声笑语。的逻辑电平存在于所述
数据的输入被传输到网络连接第一个寄存器级和
移过一个阶段,在每个正性去时钟
过渡。所有阶段的复位是由高完成
在复位线电平。
该器件可驱动多达10个低功率肖特基相当于
负载。在' HC4015是相当于一个加强版
CMOS类型。
特点
[ /标题
(CD74
HC401
5)
/子
拍摄对象
(高
速度
CMOS
逻辑
4-
最大频率,通常为60MHz
C
L
= 15pF的,V
CC
= 5V ,T
A
= 25
o
C
正沿时钟
重写复位
缓冲输入和输出
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V
订购信息
产品型号
CD54HC4015F3A
CD74HC4015E
CD74HC4015M
TEMP 。 RANGE (
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
引脚
CD54HC4015
( CERDIP )
CD74HC4015
( PDIP , SOIC )
顶视图
2CP 1
2Q
3
2
1Q
2
3
1Q
1
4
1Q
0
5
1MR 6
1D 7
GND 8
16 V
CC
15 2D
14 2MR
13 2Q
0
12 2Q
1
11 2Q
2
10 1Q
3
9 1CP
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD54HC4015 , CD74HC4015
工作原理图
7
1D
4
9
1CP
6
1MR
3
10
5
1Q
0
1Q
1
1Q
2
1Q
3
15
2D
1
2CP
14
2MR
13
12
11
2
2Q
0
2Q
1
2Q
2
2Q
3
GND = 8
V
CC
= 16
真值表
输入
CP
X
D
l
h
X
X
R
L
L
L
H
Q
0
L
H
q’
0
L
Q
1
q’
0
q’
0
q’
1
L
输出
Q
2
q’
1
q’
1
q’
2
L
Q
3
q’
2
q’
2
q’
3
L
H =高电压等级
H =高电压等级低到高时钟跳变一个建立时间之前,
L =低电压等级
L =低电平一建立时间之前低到高时钟转换
X =不在乎。
=低到高时钟转换
=高至低时钟转换
q’
n
=小写字母表示的参考输出一个建立时间之前低的状态
HIGH时钟跳变。
2
CD54HC4015 , CD74HC4015
t6
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻(典型值,注1 )
θ
JA
(
o
C / W )
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
67
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
73
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150℃
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围,T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
f
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
输入高电平
电压
符号
V
IH
V
I
(V)
-
I
O
(MA )
-
V
CC
(V)
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
I
I
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
-
4
5.2
-
0
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
6
6
25
o
C
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
8
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
80
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
160
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
3
CD54HC4015 , CD74HC4015
用于交换特定网络阳离子前提条件
25
o
C
参数
最大时钟
频率
符号
f
最大
V
CC
(V)
2
4.5
6
时钟脉冲宽度
t
W
2
4.5
6
MR脉冲宽度
t
W
2
4.5
6
MR恢复时间
t
REC
2
4.5
6
设置时间,
数据在给CP
t
SUL ,
t
2
4.5
6
保持时间,
数据在给CP
t
H
2
4.5
6
6
30
35
80
16
14
150
30
26
50
10
9
60
12
10
0
0
0
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-40
o
C至85
o
C
5
24
28
100
20
17
190
38
33
65
13
11
75
15
13
0
0
0
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-55
o
C至125
o
C
4
20
24
120
24
20
225
45
38
75
15
13
90
18
15
0
0
0
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
兆赫
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
参数
传播延迟(图1 )
时钟到Q
n
TEST
符号条件
t
PLH ,
t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
=15pF
C
L
= 50pF的
MR到Q
n
(钟高)
t
PLH ,
t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
=15pF
C
L
= 50pF的
MR到Q
n
(时钟低)
t
PLH ,
t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
=15pF
C
L
= 50pF的
输出转换时间
(图1)
t
TLH
, t
THL
C
L
= 50pF的
6
2
4.5
6
输入电容
最大时钟频率
功耗
电容
(注2,3)
注意事项:
2. C
PD
被用于确定所述动态功耗,每个移位寄存器。
3. P
D
= V
CC2
f
i
+
C
L
V
CC2
其中f
i
=输入频率,C
L
=输出负载电容,V
CC
=电源电压。
C
IN
f
最大
C
PD
C
L
= 50pF的
C
L
=15pF
C
L
=15pF
-
5
5
-
-
-
-
-
-
-
6
2
4.5
-
-
-
V
CC
(V)
2
4.5
5
6
2
4.5
25
o
C
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
14
-
-
-
25
-
-
-
25
-
-
-
-
-
60
43
最大
175
35
-
30
275
55
-
47
325
65
-
55
75
15
13
10
-
-
-40
o
C至85
o
C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
220
44
-
37
345
64
-
54
400
81
-
69
95
19
16
10
-
-
-55
o
C至125
o
C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
270
54
-
46
415
83
-
71
490
98
-
83
110
22
19
10
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
兆赫
pF
4
CD54HC4015 , CD74HC4015
测试电路和波形
t
r
C
L
时钟
输入
90%
10%
t
H(H)
50%
GND
t
小时( L)的
V
CC
数据
输入
t
素(H )
t
TLH
90%
产量
t
PLH
t
REM
V
CC
设,重设
或预设
50%
GND
t
SU( L)
t
THL
90%
50%
10%
t
PHL
50%
GND
t
f
C
L
V
CC
IC
C
L
50pF
图1. HC设置时间,保持时间,拆模时间和传输延迟时间边沿触发
时序逻辑电路
5
CD54HC4015 , CD74HC4015
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS198C
1997年11月 - 修订2003年5月
高速CMOS逻辑
双路4级静态移位寄存器
描述
的' HC4015由两个相同的,独立的, 4级
串行输入/并行输出寄存器。每个寄存器有
独立时钟( CP )和复位( MR)输入,以及一个
单一的串行数据输入。的“Q”输出可从每
的两个寄存器中的四个阶段。所有的寄存器级的D-
型,主从佛罗里达州IP- FL欢声笑语。的逻辑电平存在于所述
数据的输入被传输到网络连接第一个寄存器级和
移过一个阶段,在每个正性去时钟
过渡。所有阶段的复位是由高完成
在复位线电平。
该器件可驱动多达10个低功率肖特基相当于
负载。在' HC4015是相当于一个加强版
CMOS类型。
特点
[ /标题
(CD74
HC401
5)
/子
拍摄对象
(高
速度
CMOS
逻辑
4-
最大频率,通常为60MHz
C
L
= 15pF的,V
CC
= 5V ,T
A
= 25
o
C
正沿时钟
重写复位
缓冲输入和输出
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V
订购信息
产品型号
CD54HC4015F3A
CD74HC4015E
CD74HC4015M
TEMP 。 RANGE (
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
引脚
CD54HC4015
( CERDIP )
CD74HC4015
( PDIP , SOIC )
顶视图
2CP 1
2Q
3
2
1Q
2
3
1Q
1
4
1Q
0
5
1MR 6
1D 7
GND 8
16 V
CC
15 2D
14 2MR
13 2Q
0
12 2Q
1
11 2Q
2
10 1Q
3
9 1CP
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD54HC4015 , CD74HC4015
工作原理图
7
1D
4
9
1CP
6
1MR
3
10
5
1Q
0
1Q
1
1Q
2
1Q
3
15
2D
1
2CP
14
2MR
13
12
11
2
2Q
0
2Q
1
2Q
2
2Q
3
GND = 8
V
CC
= 16
真值表
输入
CP
X
D
l
h
X
X
R
L
L
L
H
Q
0
L
H
q’
0
L
Q
1
q’
0
q’
0
q’
1
L
输出
Q
2
q’
1
q’
1
q’
2
L
Q
3
q’
2
q’
2
q’
3
L
H =高电压等级
H =高电压等级低到高时钟跳变一个建立时间之前,
L =低电压等级
L =低电平一建立时间之前低到高时钟转换
X =不在乎。
=低到高时钟转换
=高至低时钟转换
q’
n
=小写字母表示的参考输出一个建立时间之前低的状态
HIGH时钟跳变。
2
CD54HC4015 , CD74HC4015
t6
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻(典型值,注1 )
θ
JA
(
o
C / W )
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
67
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
73
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150℃
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围,T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
f
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
输入高电平
电压
符号
V
IH
V
I
(V)
-
I
O
(MA )
-
V
CC
(V)
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
I
I
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
-
4
5.2
-
0
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
6
6
25
o
C
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
8
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
80
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
160
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
3
CD54HC4015 , CD74HC4015
用于交换特定网络阳离子前提条件
25
o
C
参数
最大时钟
频率
符号
f
最大
V
CC
(V)
2
4.5
6
时钟脉冲宽度
t
W
2
4.5
6
MR脉冲宽度
t
W
2
4.5
6
MR恢复时间
t
REC
2
4.5
6
设置时间,
数据在给CP
t
SUL ,
t
2
4.5
6
保持时间,
数据在给CP
t
H
2
4.5
6
6
30
35
80
16
14
150
30
26
50
10
9
60
12
10
0
0
0
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-40
o
C至85
o
C
5
24
28
100
20
17
190
38
33
65
13
11
75
15
13
0
0
0
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-55
o
C至125
o
C
4
20
24
120
24
20
225
45
38
75
15
13
90
18
15
0
0
0
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
兆赫
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
参数
传播延迟(图1 )
时钟到Q
n
TEST
符号条件
t
PLH ,
t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
=15pF
C
L
= 50pF的
MR到Q
n
(钟高)
t
PLH ,
t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
=15pF
C
L
= 50pF的
MR到Q
n
(时钟低)
t
PLH ,
t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
=15pF
C
L
= 50pF的
输出转换时间
(图1)
t
TLH
, t
THL
C
L
= 50pF的
6
2
4.5
6
输入电容
最大时钟频率
功耗
电容
(注2,3)
注意事项:
2. C
PD
被用于确定所述动态功耗,每个移位寄存器。
3. P
D
= V
CC2
f
i
+
C
L
V
CC2
其中f
i
=输入频率,C
L
=输出负载电容,V
CC
=电源电压。
C
IN
f
最大
C
PD
C
L
= 50pF的
C
L
=15pF
C
L
=15pF
-
5
5
-
-
-
-
-
-
-
6
2
4.5
-
-
-
V
CC
(V)
2
4.5
5
6
2
4.5
25
o
C
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
14
-
-
-
25
-
-
-
25
-
-
-
-
-
60
43
最大
175
35
-
30
275
55
-
47
325
65
-
55
75
15
13
10
-
-
-40
o
C至85
o
C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
220
44
-
37
345
64
-
54
400
81
-
69
95
19
16
10
-
-
-55
o
C至125
o
C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
270
54
-
46
415
83
-
71
490
98
-
83
110
22
19
10
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
兆赫
pF
4
CD54HC4015 , CD74HC4015
测试电路和波形
t
r
C
L
时钟
输入
90%
10%
t
H(H)
50%
GND
t
小时( L)的
V
CC
数据
输入
t
素(H )
t
TLH
90%
产量
t
PLH
t
REM
V
CC
设,重设
或预设
50%
GND
t
SU( L)
t
THL
90%
50%
10%
t
PHL
50%
GND
t
f
C
L
V
CC
IC
C
L
50pF
图1. HC设置时间,保持时间,拆模时间和传输延迟时间边沿触发
时序逻辑电路
5
CD74HC4015
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS198
1997年11月
高速CMOS逻辑
双路4级静态移位寄存器
描述
哈里斯CD74HC4015由两个相同的,
独立的, 4级串行输入/并行输出寄存器。
每个寄存器有独立的时钟( CP )和复位( MR)
输入,以及一个串行数据输入。 “Q”输出
得自各在两个寄存器中的四个阶段。所有
注册阶段是D型,主从佛罗里达州IP- FL欢声笑语。逻辑
电平出现在输入的数据传输到网络连接第一个
寄存器级并且移过一个阶段,在每个正性
将时钟跳变。各个阶段的复位是
由一个高级别上的复位线来实现的。
该器件可驱动多达10个低功率肖特基相当于
负载。该CD74HC4015是一个加强版
相当于CMOS类型。
特点
最大频率,通常为60MHz
C
L
= 15pF的,V
CC
= 5V ,T
A
= 25
o
C
正沿时钟
重写复位
缓冲输入和输出
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V
[ /标题
(CD74
HC401
5)
/子
拍摄对象
(高
速度
CMOS
逻辑
4-
订购信息
产品型号
CD74HC4015E
注意事项:
1,订货时,使用整个零件编号。添加SUF音响X 96
获得在磁带和卷轴的变种。
2.晶圆或死亡的这一部分数量可满足所有elec-
Trical公司规范。请联系您当地的销售办事处或
哈里斯的客户服务订购信息。
TEMP 。 RANGE (
o
C)
-55至125
20 Ld的PDIP
PKG 。
E16.3
引脚
CD74HC4015
( PDIP )
顶视图
2CP 1
2Q
3
2
1Q
2
3
1Q
1
4
1Q
0
5
1MR 6
1D 7
GND 8
16 V
CC
15 2D
14 2MR
13 2Q
0
12 2Q
1
11 2Q
2
10 1Q
3
9 1CP
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
1997年哈里斯公司
网络文件编号
1678.1
1
CD74HC4015
工作原理图
7
1D
4
9
1CP
6
1MR
3
10
5
1Q
0
1Q
1
1Q
2
1Q
3
15
2D
1
2CP
14
2MR
13
12
11
2
2Q
0
2Q
1
2Q
2
2Q
3
GND = 8
V
CC
= 16
真值表
输入
CP
X
D
l
h
X
X
R
L
L
L
H
Q
0
L
H
q’
0
L
Q
1
q’
0
q’
0
q’
1
L
输出
Q
2
q’
1
q’
1
q’
2
L
Q
3
q’
2
q’
2
q’
3
L
注意事项:
H =高电压等级
H =高电压等级低到高时钟跳变一个建立时间之前,
L =低电压等级
L =低电平一建立时间之前低到高时钟转换
X =不在乎。
=低到高时钟转换
=高至低时钟转换
q’
n
=小写字母表示的参考输出一个建立时间之前从低到高的状态,
时钟跳变。
2
CD74HC4015
t6
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻(典型,注3 )
θ
JA
(
o
C / W )
PDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
90
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150℃
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围,T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
3.
θ
JA
测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。
f
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
输入高电平
电压
符号
V
IH
V
I
(V)
-
I
O
(MA )
-
V
CC
(V)
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
I
I
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
-
4
5.2
-
0
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
6
6
25
o
C
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
8
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
80
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
160
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
注:对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )特定网络阳离子是1.8毫安。
3
CD74HC4015
用于交换特定网络阳离子前提条件
25
o
C
参数
最大时钟
频率
符号
f
最大
V
CC
(V)
2
4.5
6
时钟脉冲宽度
t
W
2
4.5
6
MR脉冲宽度
t
W
2
4.5
6
MR恢复时间
t
REC
2
4.5
6
设置时间,
数据在给CP
t
SUL ,
t
2
4.5
6
保持时间,
数据在给CP
t
H
2
4.5
6
6
30
35
80
16
14
150
30
26
50
10
9
60
12
10
0
0
0
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-40
o
C至85
o
C
5
24
28
100
20
17
190
38
33
65
13
11
75
15
13
0
0
0
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-55
o
C至125
o
C
4
20
24
120
24
20
225
45
38
75
15
13
90
18
15
0
0
0
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
兆赫
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
参数
传播延迟(图1 )
时钟到Q
n
TEST
符号条件
t
PLH ,
t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
=15pF
C
L
= 50pF的
MR到Q
n
(钟高)
t
PLH ,
t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
=15pF
C
L
= 50pF的
MR到Q
n
(时钟低)
t
PLH ,
t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
=15pF
C
L
= 50pF的
输出转换时间
(图1)
t
TLH
, t
THL
C
L
= 50pF的
6
2
4.5
6
输入电容
最大时钟频率
功耗
电容
(注4,5)
注意事项:
4. C
PD
被用于确定所述动态功耗,每个移位寄存器。
5. P
D
= V
CC2
f
i
+
C
L
V
CC2
其中f
i
=输入频率,C
L
=输出负载电容,V
CC
=电源电压。
C
IN
f
最大
C
PD
C
L
= 50pF的
C
L
=15pF
C
L
=15pF
-
5
5
-
-
-
-
-
-
-
6
2
4.5
-
-
-
V
CC
(V)
2
4.5
5
6
2
4.5
25
o
C
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
14
-
-
-
25
-
-
-
25
-
-
-
-
-
60
43
最大
175
35
-
30
275
55
-
47
325
65
-
55
75
15
13
10
-
-
-40
o
C至85
o
C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
220
44
-
37
345
64
-
54
400
81
-
69
95
19
16
10
-
-
-55
o
C至125
o
C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
270
54
-
46
415
83
-
71
490
98
-
83
110
22
19
10
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
兆赫
pF
4
CD74HC4015
测试电路和波形
t
r
C
L
时钟
输入
90%
10%
t
H(H)
50%
GND
t
小时( L)的
V
CC
数据
输入
t
素(H )
t
TLH
90%
产量
t
PLH
t
REM
V
CC
设,重设
或预设
50%
GND
t
SU( L)
t
THL
90%
50%
10%
t
PHL
50%
GND
t
f
C
L
V
CC
IC
C
L
50pF
图1. HC设置时间,保持时间,拆模时间和传输延迟时间边沿触发
时序逻辑电路
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