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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第1508页 > CD74HC373E
性S E M I C 0 N D ü （C T）
CD74HC373 ， CD74HCT373 ，
CD54HC573 ， CD74HC573 ，
CD74HCT573
高速CMOS逻辑
八路透明锁存器，三态输出
描述
哈里斯CD74HC373 ， CD74HCT373 ， CD54HC573 ，
CD74HC573和CD74HCT573是高速八路反式
母插销制造的硅栅CMOS技
术。它们具有的标准的低功率消耗
CMOS集成电路，以及用于驱动15的能力
LSTTL设备。该CD74HCT373和CD74HCT573是
在功能上，以及销与标准兼容的
74LS373和74LS573 。
输出是透明的输入时，锁存器
使能（LE）是高的。当锁存使能（LE）变低的
数据被锁存。输出使能（ OE ）控制的三
态输出。当输出使能（OE ）为高时
输出处于高阻抗状态。锁存操作
是独立于所述输出的状态使能。在373和
573顷在功能上完全相同，区别仅在于它们的引脚
安排。
1997年11月
特点
通用锁存使能控制
通用三态输出使能控制
缓冲输入
三态输出
公交线路驱动能力
典型传播延迟为12ns =在V
CC
= 5V,
C
L
= 15pF的，T
A
= 25
o
C（数据到输出的HC373 ）
扇出（整个温度范围内）
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性：不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 ％
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容，
V
IL
= 0.8V （最大值） ，V
IH
= 2V （最小值）
- CMOS兼容输入，我
l
≤
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC573F
CD74HC373E
CD74HCT373E
CD74HC573E
CD74HCT573E
CD74HC373M
CD74HCT373M
CD74HC573M
CD74HCT573M
注意事项：
1，订货时，使用整个零件编号。添加SUF音响X 96
获得在磁带和卷轴的变种。
2.晶圆或死亡的这一部分数量可满足所有
电气规格。请联系您当地的销售办事处或
哈里斯的客户服务订购信息。
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
包
20 Ld的CERDIP
20 Ld的PDIP
20 Ld的PDIP
20 Ld的PDIP
20 Ld的PDIP
20 Ld的SOIC
20 Ld的SOIC
20 Ld的SOIC
20 Ld的SOIC
PKG 。
号
F20.3
F20.3
E20.3
E20.3
E20.3
M20.3
M20.3
M20.3
M20.3
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
1997年哈里斯公司
网络文件编号
1679.1
1
CD74HC373 ， CD74HCT373 ， CD54HC573 ， CD74HC573 ， CD74HCT573
引脚
CD74HC373 ， CD74HCT373
（ PDIP ， SOIC ）
顶视图
OE 1
Q0 2
D0 3
D1 4
Q1 5
Q2 6
D2 7
D3 8
Q3 9
GND 10
20 V
CC
19 Q7
18 D7
17 D6
16 Q6
15 Q5
14 D5
13 D4
12 Q4
11 LE
CD54HC573 ， CD74HC573 ， CD74HCT573
（ PDIP ， SOIC ， CERDIP ）
顶视图
OE 1
D0 2
D1 3
D2 4
D3 5
D4 6
D5 7
D6 8
D7 9
GND 10
20 V
CC
19 Q0
18 Q1
17 Q2
16 Q3
15 Q4
14 Q5
13 Q6
12 Q7
11 LE
功能方框图
CD74HC373 ， CD74HCT373 ， CD74HC573 ， CD74HCT573
D
0
D
1
D
2
D
3
D
4
D
5
D
6
D
7
D
G
LE
O
D
G
O
D
G
O
D
G
O
D
G
O
D
G
O
D
G
O
D
G
O
OE
O
0
O
1
O
2
O
3
O
4
O
5
O
6
O
7
CD74HCT573
D
0
D
1
D
2
D
3
D
4
D
5
D
6
D
7
D
G
LE
O
D
G
O
D
G
O
D
G
O
D
G
O
D
G
O
D
G
O
D
G
O
OE
O
0
O
1
O
2
O
3
O
4
O
5
O
6
O
7
真值表
OUTPUT ENABLE
L
L
L
L
H
LATCH ENABLE
H
H
L
L
X
数据
H
L
l
h
X
产量
H
L
L
H
Z
注： H =高电平， L =低电压等级，X =无关， Z =高阻态， L =低电压等级之前一个建立时间
高到低锁存使能过渡， H =高压一级建立时间的前高后低锁存使能转换之前。
2
CD74HC373 ， CD74HCT373 ， CD54HC573 ， CD74HC573 ， CD74HCT573
绝对最大额定值
直流电源电压，V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流，I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流，I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流，每个输出，我
O
为-0.5V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 35毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流，我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流，I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻（典型，注3 ） 。
. . . θ
JA
(
o
C / W ）
θ
JA
(
o
C / W ）
PDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
125
不适用
CERDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
85
24
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
120
不适用
最高结温（塑料封装） 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
温度范围，T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围，V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压，V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns （最大值）
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns （最大值）
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns （最大值）
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意：
3.
θ
JA
测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
I
I
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
OH
V
IH
or
V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-6
-7.8
0.02
0.02
0.02
6
7.8
-
0
2
4.5
6
4.5
6
2
4.5
6
4.5
6
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
±0.1
8
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
±1
80
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
±1
160
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
符号
V
I
(V)
I
O
（毫安）V
CC
(V)
民
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
民
最大
-55
o
C至125
o
C
民
最大
单位
3
CD74HC373 ， CD74HCT373 ， CD54HC573 ， CD74HC573 ， CD74HCT573
直流电特定网络阳离子
（续）
TEST
条件
参数
三态泄漏
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
三态泄漏
当前
其他静态
器件电流每
输入端子： 1机组负荷
（注4 ）
注意：
4.对于双电源系统的理论最坏的情况下（V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V ）规格1.8毫安。
I
I
I
CC
-
V
CC
to
GND
V
CC
or
GND
V
IL
or
V
IH
V
CC
-2.1
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
or
V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
-
V
I
(V)
V
IL
or
V
IH
I
O
（毫安）V
CC
(V)
V
O
=
V
CC
or
GND
6
民
-
25
o
C
典型值
-
最大
±0.5
-40
o
C至85
o
C
民
-
最大
±5
-55
o
C至125
o
C
民
-
最大
±10
单位
A
-6
-7.8
0.02
4.5
6
4.5
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
0.1
3.84
5.34
-
-
-
0.1
3.7
5.2
-
-
-
0.1
V
V
V
6
7.8
-
0
V
O
=
V
CC
or
GND
-
4.5
6
5.5
5.5
6
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.26
0.26
±0.1
8
±0.5
-
-
-
-
-
0.33
0.33
±1
80
±5
-
-
-
-
-
0.4
0.4
±1
160
±10
V
V
A
A
A
I
CC
4.5
5.5
-
100
360
-
450
-
490
A
HCT输入负载表
单位负载
输入
OE
Dn
LE
HCT373
1.5
0.4
0.6
HCT573
1.25
0.3
0.65
注：机组负荷为
I
CC
在直流电气连接特定钙限制特定网络版
系统蒸发散表，例如， 360μA最大值在25
o
C.
4
CD74HC373 ， CD74HCT373 ， CD54HC573 ， CD74HC573 ， CD74HCT573
用于交换特定网络阳离子前提条件
参数
HC类型
LE脉冲宽度
t
W
-
2
4.5
6
建立时间的数据，以LE
t
SU
-
2
4.5
6
保持时间，数据为LE
(573)
t
H
-
2
4.5
6
保持时间，数据为LE
(373)
t
H
-
2
4.5
6
HCT类型
LE脉冲宽度
建立时间的数据，以LE
保持时间，数据为LE
t
w
t
w
t
H
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
25
o
C
V
CC
(V)
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
最大
-55
o
C到
125
o
C
最大
单位
-
-
-
4.5
4.5
4.5
16
13
10
-
-
-
-
-
-
20
16
13
-
-
-
24
20
15
-
-
-
ns
ns
ns
80
16
14
50
10
9
40
8
7
5
5
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
100
20
17
65
13
11
50
10
9
5
5
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
120
24
20
75
15
13
60
12
10
5
5
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
符号
TEST
条件
V
CC
(V)
25
o
C
民
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
民
最大
民
最大
单位
交换特定网络阳离子
参数
HC类型
传播延迟，
数据至Qn
(HC/HCT373)
符号
TEST
条件
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
2
4.5
6
-
-
-
12
-
-
-
14
-
-
-
14
-
-
-
12
150
30
26
-
175
35
30
-
175
35
30
-
150
30
26
-
190
38
33
-
220
44
37
-
220
44
37
-
190
38
33
-
225
45
38
-
265
53
45
-
265
53
45
-
225
45
38
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
C
L
= 15pF的
传播延迟，
数据至Qn
(HC/HCT573)
t
PLH ，
t
PHL
C
L
= 50pF的
5
2
4.5
6
C
L
= 15pF的
传播延迟，
LE至Qn
t
PLH ，
t
PHL
C
L
= 50pF的
5
2
4.5
6
C
L
= 15pF的
输出使能时间
t
PZL ，
t
PZH
C
L
= 50pF的
5
2
4.5
6
C
L
= 15pF的
5
5
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS182
CD74HC373 ， CD74HCT373 ，
CD54HC573 ， CD74HC573 ，
CD74HCT573
高速CMOS逻辑
八路透明锁存器，三态输出
描述
哈里斯CD74HC373 ， CD74HCT373 ， CD54HC573 ，
CD74HC573和CD74HCT573是高速八路反式
母插销制造的硅栅CMOS技
术。它们具有的标准的低功率消耗
CMOS集成电路，以及用于驱动15的能力
LSTTL设备。该CD74HCT373和CD74HCT573是
在功能上，以及销与标准兼容的
74LS373和74LS573 。
输出是透明的输入时，锁存器
使能（LE）是高的。当锁存使能（LE）变低的
数据被锁存。输出使能（ OE ）控制的三
态输出。当输出使能（OE ）为高时
输出处于高阻抗状态。锁存操作
是独立于所述输出的状态使能。在373和
573顷在功能上完全相同，区别仅在于它们的引脚
安排。
1997年11月
特点
通用锁存使能控制
[ /标题
(CD74
HC373
,
CD74
HCT37
3,
CD54
HC573
,
CD74
HC573
,
CD74
HCT57
3)
/子
通用三态输出使能控制
缓冲输入
三态输出
公交线路驱动能力
典型传播延迟为12ns =在V
CC
= 5V,
C
L
= 15pF的，T
A
= 25
o
C（数据到输出的HC373 ）
扇出（整个温度范围内）
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性：不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 ％
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容，
V
IL
= 0.8V （最大值） ，V
IH
= 2V （最小值）
- CMOS兼容输入，我
l
≤
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC573F
CD74HC373E
CD74HCT373E
CD74HC573E
CD74HCT573E
CD74HC373M
CD74HCT373M
CD74HC573M
CD74HCT573M
注意事项：
1，订货时，使用整个零件编号。添加SUF音响X 96
获得在磁带和卷轴的变种。
2.晶圆或死亡的这一部分数量可满足所有
电气规格。请联系您当地的销售办事处或
哈里斯的客户服务订购信息。
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
包
20 Ld的CERDIP
20 Ld的PDIP
20 Ld的PDIP
20 Ld的PDIP
20 Ld的PDIP
20 Ld的SOIC
20 Ld的SOIC
20 Ld的SOIC
20 Ld的SOIC
PKG 。
号
F20.3
F20.3
E20.3
E20.3
E20.3
M20.3
M20.3
M20.3
M20.3
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
1997年哈里斯公司
网络文件编号
1679.1
1
CD74HC373 ， CD74HCT373 ， CD54HC573 ， CD74HC573 ， CD74HCT573
引脚
CD74HC373 ， CD74HCT373
（ PDIP ， SOIC ）
顶视图
OE 1
Q0 2
D0 3
D1 4
Q1 5
Q2 6
D2 7
D3 8
Q3 9
GND 10
20 V
CC
19 Q7
18 D7
17 D6
16 Q6
15 Q5
14 D5
13 D4
12 Q4
11 LE
CD54HC573 ， CD74HC573 ， CD74HCT573
（ PDIP ， SOIC ， CERDIP ）
顶视图
OE 1
D0 2
D1 3
D2 4
D3 5
D4 6
D5 7
D6 8
D7 9
GND 10
20 V
CC
19 Q0
18 Q1
17 Q2
16 Q3
15 Q4
14 Q5
13 Q6
12 Q7
11 LE
功能方框图
CD74HC373 ， CD74HCT373 ， CD74HC573 ， CD74HCT573
D
0
D
1
D
2
D
3
D
4
D
5
D
6
D
7
D
G
LE
O
D
G
O
D
G
O
D
G
O
D
G
O
D
G
O
D
G
O
D
G
O
OE
O
0
O
1
O
2
O
3
O
4
O
5
O
6
O
7
CD74HCT573
D
0
D
1
D
2
D
3
D
4
D
5
D
6
D
7
D
G
LE
O
D
G
O
D
G
O
D
G
O
D
G
O
D
G
O
D
G
O
D
G
O
OE
O
0
O
1
O
2
O
3
O
4
O
5
O
6
O
7
真值表
OUTPUT ENABLE
L
L
L
L
H
LATCH ENABLE
H
H
L
L
X
数据
H
L
l
h
X
产量
H
L
L
H
Z
注： H =高电平， L =低电压等级，X =无关， Z =高阻态， L =低电压等级之前一个建立时间
高到低锁存使能过渡， H =高压一级建立时间的前高后低锁存使能转换之前。
2
CD74HC373 ， CD74HCT373 ， CD54HC573 ， CD74HC573 ， CD74HCT573
绝对最大额定值
直流电源电压，V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流，I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流，I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流，每个输出，我
O
为-0.5V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 35毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流，我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流，I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻（典型，注3 ） 。
. . . θ
JA
(
o
C / W ）
θ
JA
(
o
C / W ）
PDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
125
不适用
CERDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
85
24
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
120
不适用
最高结温（塑料封装） 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
温度范围，T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围，V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压，V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns （最大值）
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns （最大值）
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns （最大值）
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意：
3.
θ
JA
测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
I
I
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
OH
V
IH
or
V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-6
-7.8
0.02
0.02
0.02
6
7.8
-
0
2
4.5
6
4.5
6
2
4.5
6
4.5
6
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
±0.1
8
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
±1
80
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
±1
160
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
符号
V
I
(V)
I
O
（毫安）V
CC
(V)
民
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
民
最大
-55
o
C至125
o
C
民
最大
单位
3
CD74HC373 ， CD74HCT373 ， CD54HC573 ， CD74HC573 ， CD74HCT573
直流电特定网络阳离子
（续）
TEST
条件
参数
三态泄漏
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
三态泄漏
当前
其他静态
器件电流每
输入端子： 1机组负荷
（注4 ）
注意：
4.对于双电源系统的理论最坏的情况下（V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V ）规格1.8毫安。
I
I
I
CC
-
V
CC
to
GND
V
CC
or
GND
V
IL
or
V
IH
V
CC
-2.1
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
or
V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
-
V
I
(V)
V
IL
or
V
IH
I
O
（毫安）V
CC
(V)
V
O
=
V
CC
or
GND
6
民
-
25
o
C
典型值
-
最大
±0.5
-40
o
C至85
o
C
民
-
最大
±5
-55
o
C至125
o
C
民
-
最大
±10
单位
A
-6
-7.8
0.02
4.5
6
4.5
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
0.1
3.84
5.34
-
-
-
0.1
3.7
5.2
-
-
-
0.1
V
V
V
6
7.8
-
0
V
O
=
V
CC
or
GND
-
4.5
6
5.5
5.5
6
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.26
0.26
±0.1
8
±0.5
-
-
-
-
-
0.33
0.33
±1
80
±5
-
-
-
-
-
0.4
0.4
±1
160
±10
V
V
A
A
A
I
CC
4.5
5.5
-
100
360
-
450
-
490
A
HCT输入负载表
单位负载
输入
OE
Dn
LE
HCT373
1.5
0.4
0.6
HCT573
1.25
0.3
0.65
注：机组负荷为
I
CC
在直流电气连接特定钙限制特定网络版
系统蒸发散表，例如， 360μA最大值在25
o
C.
4
CD74HC373 ， CD74HCT373 ， CD54HC573 ， CD74HC573 ， CD74HCT573
用于交换特定网络阳离子前提条件
参数
HC类型
LE脉冲宽度
t
W
-
2
4.5
6
建立时间的数据，以LE
t
SU
-
2
4.5
6
保持时间，数据为LE
(573)
t
H
-
2
4.5
6
保持时间，数据为LE
(373)
t
H
-
2
4.5
6
HCT类型
LE脉冲宽度
建立时间的数据，以LE
保持时间，数据为LE
t
w
t
w
t
H
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
25
o
C
V
CC
(V)
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
最大
-55
o
C到
125
o
C
最大
单位
-
-
-
4.5
4.5
4.5
16
13
10
-
-
-
-
-
-
20
16
13
-
-
-
24
20
15
-
-
-
ns
ns
ns
80
16
14
50
10
9
40
8
7
5
5
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
100
20
17
65
13
11
50
10
9
5
5
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
120
24
20
75
15
13
60
12
10
5
5
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
符号
TEST
条件
V
CC
(V)
25
o
C
民
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
民
最大
民
最大
单位
交换特定网络阳离子
参数
HC类型
传播延迟，
数据至Qn
(HC/HCT373)
符号
TEST
条件
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
2
4.5
6
-
-
-
12
-
-
-
14
-
-
-
14
150
30
26
-
175
35
30
-
175
35
30
-
190
38
33
-
220
44
37
-
220
44
37
-
225
45
38
-
265
53
45
-
265
53
45
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
C
L
= 15pF的
传播延迟，
数据至Qn
(HC/HCT573)
t
PLH ，
t
PHL
C
L
= 50pF的
5
2
4.5
6
C
L
= 15pF的
传播延迟，
LE至Qn
t
PLH ，
t
PHL
C
L
= 50pF的
5
2
4.5
6
C
L
= 15pF的
5
5
集成电路
CBT16211
24位总线开关具有12位输出使能
产品数据
2001年6月13日
飞利浦
半导体
飞利浦半导体
产品数据
24位总线开关具有12位输出使能
CBT16211
特点
5
两个端口之间的连接开关
TTL兼容控制输入电平
封装选择包括塑料小外形（ SSOP ） ，
超薄紧缩小型封装（ TSSOP ）
描述
该CBT16211提供高速TTL兼容总线的24位
切换。开关的低导通电阻允许
连接被以最小的传播延迟进行。
该设备被组织成独立的双12位总线开关
输出使能（ OE ）输入。它可以用作两个12位总线开关
或为一个24位的总线开关。当OE为低电平时，相关联的12位
总线开关打开，端口A连接到端口B.当OE
高时，开关被打开，并且之间存在高阻抗状态
该端口。
该CBT16211的特点是操作温度范围为-40 85
°C.
ESD保护超过每JESD22 - C101 1000 V CDM
闭锁测试是为了JESDEC标准JESD78这
超过100mA的
快速参考数据
符号
t
PLH
t
PHL
C
IN
C
OUT
I
CC
参数
传播延迟
一到Yn
输入电容
输出电容
总电源电流
条件
T
AMB
= 25
°C;
GND = 0 V
C
L
= 50 pF的; V
CC
= 5 V
V
I
= 0 V或V
CC
输出禁用; V
O
= 0 V或V
CC
输出禁用; V
CC
= 5.5 V
典型
0.25
4.3
6.9
3.0
单位
ns
pF
pF
A
订购信息
套餐
56引脚塑封SSOP III型
56引脚塑料TSSOP II型
温度范围
-40到85
°C
-40到85
°C
订货编号
CBT16211DL
CBT16211DGG
DWG号
SOT371-1
SOT364-1
功能表
输入
1OE
L
L
H
H
2OE
L
H
L
H
输出
图1A，1B
1A = 1B
1A = 1B
Z
Z
图2A，2B
2A = 2B
逻辑符号
2
1A1
54
1B1
14
42
1B12
Z
2A = 2B
Z
1A12
H =高电压等级
L =低电压等级
Z =高阻抗“关闭”状态
56
1OE
15
2A1
41
2B1
28
2A12
29
2B12
55
2OE
SA00510
2001年6月13日
2
853-2259 26502
飞利浦半导体
产品数据
24位总线开关具有12位输出使能
CBT16211
引脚配置
引脚说明
引脚数
符号
NC
10E， 2OE
1A1-1A12
1B1-1B12
2A1-2A12
2B1-2B12
GND
V
CC
名称和功能
无内部连接
输出使
输入
输出
输入
输出
接地（ 0 V ）
正电源电压
1
56, 55
2, 3, 4, 5, 6, 7, 9, 10,
11, 12, 13, 14
54, 53, 52, 51, 50, 48,
47, 46, 45, 44, 43, 42
15, 16, 18, 20, 21, 22,
23, 24, 25, 26, 27, 28
41, 40, 39, 37, 36, 35,
34, 33, 32, 31, 30, 29
8, 19, 38, 49
17
NC
1A1
1A2
1A3
1A4
1A5
1A6
GND
1A7
1
2
3
4
5
6
7
8
9
56图10E
55 2OE
54 1B1
53 1B2
52 1B3
51 1B4
50 1B5
49 GND
48 1B6
47 1B7
46 1B8
45 1B9
44 1B10
43 1B11
42 1B12
41 2B1
40 2B2
39 2B3
38 GND
37 2B4
36 2B5
35 2B6
34 2B7
33 2B8
32 2B9
31 2B10
30 2B11
29 2B12
1A8 10
1A9 11
1A10 12
1A11 13
1A12 14
2A1 15
2A2 16
V
CC
17
2A3 18
GND 19
2A4 20
2A5 21
2A6 22
2A7 23
2A8 24
2A9 25
2A10 26
2A11 27
2A12 28
SA00509
2001年6月13日
3
飞利浦半导体
产品数据
24位总线开关具有12位输出使能
CBT16211
绝对最大额定值
1, 2
符号
V
CC
I
IK
V
I
V
OUT
I
OUT
参数
直流电源电压
DC输入二极管电流
直流输入电压
3
直流输出电压
3
直流输出电流
在关闭或高输出状态
在低输出状态
V
I
＆ LT ; 0
条件
等级
-0.5到+7.0
–50
-0.5到+7.0
-0.5到+5.5
128
单位
V
mA
V
V
mA
T
英镑
存储温度范围
-65到150
°C
注意事项：
1.强调超越那些可能会对设备造成永久性损坏。这些压力额定值只和功能操作
器件在这些或超出下标明的任何其他条件， “推荐工作条件”是不是暗示。接触
绝对最大额定条件下长时间可能会影响器件的可靠性。
2.高性能集成电路的结合它的热环境可以创建结的性能能力
温度，这是不利于可靠性。该集成电路的最高结温不能超过150
°C.
3.如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IH
V
IL
T
AMB
直流电源电压
高电平输入电压
低电平输入电压
工作自由空气的温度范围内
参数
范围
民
4.5
2.0
—
–40
最大
5.5
—
0.8
+85
单位
V
V
V
°C
DC电气特性
范围
符号
V
IK
V
P
I
I
I
CC
I
CC
C
I
C
我（关闭）
参数
输入钳位电压
输出高通电压
输入漏电流
静态电源电流
每个额外的电源电流
输入引脚
2
控制引脚
端口关断电容
测试条件
V
CC
= 4.5 V ;我
I
= -18毫安
V
IN
= V
CC
= 5.0 V ;我
OUT
= –100
A
V
CC
= 0 V; V
I
= 5.5 V
V
CC
= 5.5 V; V
I
= GND或5.5 V
V
CC
= 5.5 V ;我
O
= 0, V
I
= V
CC
或GND
V
CC
= 5.5 V ，一个输入在3.4 V，
其他输入在V
CC
或GND
V
I
= 3 V或0
V
O
= 3 V或0 ， OE = V
CC
V
CC
= 4.0 V; V
1
= 2.4 V ;我
I
= 15毫安
r
on3
V
CC
= 4.5 V; V
1
= 0 V ;我
I
= 64毫安
V
CC
= 4.5 V; V
1
= 0 V ;我
I
= 30毫安
V
CC
= 4.5 V; V
1
= 2.4 V ;我
I
= -15毫安
T
AMB
= -40至+85
°C
民
—
3.4
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
1
—
3.6
—
—
—
—
4.5
6.9
14
5
5
8
最大
–1.2
3.9
10
±1
3
2.5
—
—
20
7
7
12
V
V
A
A
mA
pF
pF
单位
注意事项：
1.所有典型值是在V
CC
= 5 V ，T
AMB
= 25
°C.
2.这是增加的电源电流为每个输入的情况下在指定的TTL电平，而不是V
CC
或GND 。
3.测量由A和B端之间在所指示的电流通过该开关上的电压降。
通态电阻是由两个（ A或B）的终端的最低电压来确定。
2001年6月13日
4
飞利浦半导体
产品数据
24位总线开关具有12位输出使能
CBT16211
AC特性
GND = 0 V ;吨
R;
C
L
= 50 pF的
符号
t
pd
t
en
t
DIS
参数
传播延迟
1
输出使能时间
高低级别
输出禁止时间
从高电平和低电平
从
（输入）
A或B
OE
OE
TO
（输出）
B或A
A或B
A或B
V
CC
= 5.0 V
±0.5
V
民
—
1.5
1.5
最大
0.25
6.0
6.0
ns
ns
ns
单位
注意：
1，这个参数是必要的，但不是生产测试。传播延迟是基于典型的导通状态的RC时间常数
开关的电阻和50 pF的负载电容，当由一个理想电压源（零输出阻抗）驱动。
AC波形
V
M
= 1.5 V, V
IN
= GND至3.0 V.
3V
1.5 V
输入
0V
t
PLH
t
PHL
V
OH
1.5 V
产量
V
OL
1.5 V
1.5 V
测试电路和波形
7V
从输出
被测
C
L
= 50 pF的
500
S1
开放
GND
500
负载电路
TEST
t
pd
t
PLZ
/t
PZL
t
PHZ
/t
PZH
S1
开放
7V
开放
SA00028
波形1.输入（一）到输出（ YN ）传播延迟
释义
负载电容包括夹具和探头电容;
C
L
=
看到AC特性值。
3V
输出控制
（低电平
使能）
t
PZL
产量
波形1
S1在7 V
（见注）
t
PZH
产量
波形2
S1在打开
（见注）
1.5 V
1.5 V
0V
3.5 V
1.5 V
t
PHZ
V
OH
– 0.3 V
1.5 V
0V
注意：
波形1是内部条件，使得输出
输出为低电平除非输出控制禁止时。
波形图2是内部条件，使得输出
产量高，除非被输出控制禁用时。
SA00012
t
PLZ
V
OL
+ 0.3 V
V
OL
V
OH
SA00029
波形2.三态输出的启用和禁用时报
2001年6月13日
5
CD54HC373 ， CD74HC373
八路透明D类锁存器
具有三态输出
SCLS452A - 2001年2月 - 修订2003年4月
D
D
D
D
D
2 V至6 V V
CC
手术
宽工作温度范围
-55 ° C至125°C
平衡传输延迟和
转换时间
标准的输出驱动多达15 LS -TTL
负载
显著降低功耗相比
LS -TTL逻辑IC
CD54HC373 。 。 。 F封装
CD74HC373 。 。 。 E或男包
（ TOP VIEW ）
描述/订购信息
在“ HC373设备均为八进制透明D型
设计用于2 - V至6 V V锁存
CC
操作。
OE
1Q
1D
2D
2Q
3Q
3D
4D
4Q
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
V
CC
8Q
8D
7D
7Q
6Q
6D
5D
5Q
LE
当锁存使能（ LE）的输入为高时， Q输出按照数据（D）输入端。当LE为低电平时， Q输出
被锁在了D输入的逻辑电平。
具有缓冲的输出使能（OE）输入可用于放置在任何一个正常的逻辑状态的八个输出（高
或低）或者高阻抗状态。在高阻抗状态下，输出没有负载也不驱动总线线路
显著。高阻抗状态，增加驱动器提供驱动公交线路无能力
接口或上拉部件。
OE不影响锁存器的内部操作。旧的数据可以被保留或新的数据可被输入
而输出处于高阻抗状态。
为了确保上电或断电高阻抗状态， OE应当连接到V
CC
通过上拉
电阻器;该电阻的最小值由驾驶员的电流吸收能力来确定。
订购信息
TA
包装
PDIP - ê
-55 ° C至125°C
55°C
SOIC - M
CDIP - F
管
管
磁带和卷轴
管
订购
产品型号
CD74HC373E
CD74HC373M
CD74HC373M96
CD54HC373F3A
TOP- SIDE
记号
CD74HC373E
HC373M
CD54HC373F3A
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计
准则可在www.ti.com/sc/package 。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
版权
2003年，德州仪器
关于产品符合MIL -PRF- 38535 ，所有参数进行测试
除非另有说明。在所有其他产品，生产
加工不一定包括所有参数进行测试。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
1
CD54HC373 ， CD74HC373
八路透明D类锁存器
具有三态输出
SCLS452A - 2001年2月 - 修订2003年4月
功能表
（每个锁存器）
输入
OE
L
L
L
H
LE
H
H
L
X
D
H
L
X
X
产量
Q
H
L
Q0
Z
逻辑图（正逻辑）
OE
1
LE
11
C1
2
1D
3
1D
1Q
七其他渠道
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）
电源电压范围，V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V的
输入钳位电流，I
IK
(V
I
＆ LT ; 0或V
I
＆ GT ; V
CC
） （见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±20
mA
输出钳位电流，I
OK
(V
O
＆ LT ; 0或V
O
＆ GT ; V
CC
） （见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±20
mA
每个输出连续输出漏电流，我
O
(V
O
= 0至V
CC
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±35
mA
连续输出源出或吸入电流每路输出，我
O
(V
O
= 0至V
CC
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±25
mA
连续电流通过V
CC
或GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±50
mA
封装的热阻抗，
θ
JA
（见注2 ） ： E封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 69 ° C / W
男包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 58 ° C / W
存储温度范围，T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注释：1.如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
2.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
2
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达拉斯，德克萨斯州75265
CD54HC373 ， CD74HC373
八路透明D类锁存器
具有三态输出
SCLS452A - 2001年2月 - 修订2003年4月
推荐工作条件（见注3 ）
民
VCC
VIH
电源电压
高电平输入电压
VCC = 2 V
VCC = 4.5 V
VCC = 6 V
VCC = 2 V
VIL
VI
VO
tt
低电平输入电压
输入电压
输出电压
输入转换（上升和下降）的时间
VCC = 2 V
VCC = 4.5 V
VCC = 6 V
VCC = 4.5 V
VCC = 6 V
0
0
2
1.5
3.15
4.2
0.5
1.35
1.8
VCC
VCC
1000
500
400
ns
V
V
V
V
最大
6
单位
V
TA
工作自由空气的温度
–55
125
°C
注3 ：该设备的所有未使用的输入必须在VCC或GND举行，以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告，
慢或浮动CMOS输入的影响，
文献编号SCBA004 。
电气特性在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非
另有说明）
参数
测试条件
VCC
2V
IOH = -20
A
VOH
VI = VIH或VIL
IOH = -6毫安
IOH = -7.8毫安
IOL = 20
A
VOL
VI = VIH或VIL
IOL = 6毫安
IOL = 7.8毫安
II
IOZ
ICC
Ci
Co
VI = VCC或0
VO = VCC或0
VI = VCC或0 ，
IO = 0
4.5 V
6V
4.5 V
6V
2V
4.5 V
6V
4.5 V
6V
6V
6V
6V
TA = 25°C
民
1.9
4.4
5.9
3.98
5.48
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
±0.1
±0.5
8
10
20
最大
TA
=
–55°C
至125℃
民
1.9
4.4
5.9
3.7
5.2
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
±1
±10
160
10
20
最大
TA
=
–40°C
至85℃
民
1.9
4.4
5.9
3.84
5.34
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
±1
±5
80
10
20
A
A
A
pF
pF
V
V
最大
单位
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
3
CD54HC373 ， CD74HC373
八路透明D类锁存器
具有三态输出
SCLS452A - 2001年2月 - 修订2003年4月
时序要求在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非另有
说明）（参见图1）
VCC
2V
tw
脉冲持续时间， LE高
4.5 V
6V
2V
TSU
建立时间， LE ↑前数据
↓
4.5 V
6V
2V
th
保持时间， LE ↑后的数据
↓
4.5 V
6V
TA = 25°C
民
80
16
14
50
10
9
5
5
5
最大
TA
=
–55°C
至125℃
民
120
24
20
75
15
13
5
5
5
最大
TA
=
–40°C
至85℃
民
100
20
17
65
13
11
5
5
5
ns
ns
ns
最大
单位
开关特性在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非
另有说明） （参见图1）
参数
从
（输入）
TO
（输出）
负载
电容
VCC
2V
D
tPD的
d
LE
Q
CL = 50 pF的
Q
CL = 50 pF的
4.5 V
6V
2V
4.5 V
6V
2V
TEN
OE
Q
CL = 50 pF的
4.5 V
6V
2V
TDI发动机
OE
Q
CL = 50 pF的
4.5 V
6V
2V
tt
Q
CL = 50 pF的
4.5 V
6V
TA = 25°C
民
最大
150
30
26
175
35
30
150
30
26
150
30
26
60
12
10
TA
=
–55°C
至125℃
民
最大
225
45
38
265
53
45
225
45
38
225
45
38
90
18
15
TA
=
–40°C
至85℃
民
最大
190
38
33
220
44
37
190
38
33
190
38
33
75
15
13
ns
ns
ns
ns
单位
经营特色，V
CC
= 5 V ，T
A
= 25°C
参数
CPD
功率耗散电容
典型值
51
单位
pF
4
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
CD54HC373 ， CD74HC373
八路透明D类锁存器
具有三态输出
SCLS452A - 2001年2月 - 修订2003年4月
参数测量信息
VCC
S1
RL = 1 kΩ的
TDI发动机
S2
TPD或TT
参数
TEN
tpZH
tPZL
tPHZ
tPLZ
S1
开放
关闭
开放
关闭
开放
tw
负载电路
输入
50 ％ VCC
电压波形
脉冲持续时间
VCC
50 ％ VCC
0V
TREC
VCC
CLK
50 ％ VCC
0V
电压波形
恢复时间
输入
50 ％ VCC
TPLH
在相
产量
50%
10%
的TPH1
乱相
产量
90%
50 ％ VCC
10%
tf
90%
tr
TPLH
50%
10%
V
90 ％ OH
tr
VOL
产量
波形2
（见注B）
50 ％ VCC
的TPH1
90%
VOH
50 ％ VCC
10%
VOL
tf
tPZL
产量
波形1
（见注B）
tpZH
50 ％ VCC
50 ％ VCC
tPLZ
≈V
CC
10%
tPHZ
90%
VOH
≈0
V
VOL
VCC
0V
产量
控制
50 ％ VCC
50 ％ VCC
0V
数据
50%
输入10 ％
参考
输入
TSU
90%
tr
VCC
50 ％ VCC
0V
th
90%
VCC
50 ％ VCC
10% 0 V
tf
50 ％ VCC
0V
VCC
S2
关闭
开放
关闭
开放
开放
从输出
被测
CL
（见注一）
TEST
点
CLR
输入
电压波形
建立和保持与输入上升和下降时间
VCC
电压波形
传播延迟和输出转换时间
电压波形
输出启用和禁用时报
注：A CL包括探头和测试夹具电容。
B.波形1是内部条件的输出，使得输出为低电平除非输出控制禁止时。
波形2是内部条件的输出，使得输出为高，除去被禁止输出的时候。
波形C之间的相位关系进行任意选择。所有输入脉冲由具有以下的发电机供给
特点： PRR
≤
1 MHz时， ZO = 50
,
TR = 6纳秒， TF = 6纳秒。
d。对于时钟输入， fmax的测量与输入的占空比为50％。
大肠杆菌的输出被测量的一个在每个测量一个输入转换的时间。
F. tPLZ和tPHZ相同TDIS 。
G. tPZL和tPZH是相同的10 。
H. tPLH的和的TPH1相同公吨。
一，所有参数和波形并不适用于所有的设备。
图1.负载电路和电压波形
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
5
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS182
CD74HC373 ， CD74HCT373 ，
CD54HC573 ， CD74HC573 ，
CD74HCT573
高速CMOS逻辑
八路透明锁存器，三态输出
描述
哈里斯CD74HC373 ， CD74HCT373 ， CD54HC573 ，
CD74HC573和CD74HCT573是高速八路反式
母插销制造的硅栅CMOS技
术。它们具有的标准的低功率消耗
CMOS集成电路，以及用于驱动15的能力
LSTTL设备。该CD74HCT373和CD74HCT573是
在功能上，以及销与标准兼容的
74LS373和74LS573 。
输出是透明的输入时，锁存器
使能（LE）是高的。当锁存使能（LE）变低的
数据被锁存。输出使能（ OE ）控制的三
态输出。当输出使能（OE ）为高时
输出处于高阻抗状态。锁存操作
是独立于所述输出的状态使能。在373和
573顷在功能上完全相同，区别仅在于它们的引脚
安排。
1997年11月
特点
通用锁存使能控制
[ /标题
(CD74
HC373
,
CD74
HCT37
3,
CD54
HC573
,
CD74
HC573
,
CD74
HCT57
3)
/子
通用三态输出使能控制
缓冲输入
三态输出
公交线路驱动能力
典型传播延迟为12ns =在V
CC
= 5V,
C
L
= 15pF的，T
A
= 25
o
C（数据到输出的HC373 ）
扇出（整个温度范围内）
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性：不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 ％
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容，
V
IL
= 0.8V （最大值） ，V
IH
= 2V （最小值）
- CMOS兼容输入，我
l
≤
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC573F
CD74HC373E
CD74HCT373E
CD74HC573E
CD74HCT573E
CD74HC373M
CD74HCT373M
CD74HC573M
CD74HCT573M
注意事项：
1，订货时，使用整个零件编号。添加SUF音响X 96
获得在磁带和卷轴的变种。
2.晶圆或死亡的这一部分数量可满足所有
电气规格。请联系您当地的销售办事处或
哈里斯的客户服务订购信息。
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
包
20 Ld的CERDIP
20 Ld的PDIP
20 Ld的PDIP
20 Ld的PDIP
20 Ld的PDIP
20 Ld的SOIC
20 Ld的SOIC
20 Ld的SOIC
20 Ld的SOIC
PKG 。
号
F20.3
F20.3
E20.3
E20.3
E20.3
M20.3
M20.3
M20.3
M20.3
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
1997年哈里斯公司
网络文件编号
1679.1
1
CD74HC373 ， CD74HCT373 ， CD54HC573 ， CD74HC573 ， CD74HCT573
引脚
CD74HC373 ， CD74HCT373
（ PDIP ， SOIC ）
顶视图
OE 1
Q0 2
D0 3
D1 4
Q1 5
Q2 6
D2 7
D3 8
Q3 9
GND 10
20 V
CC
19 Q7
18 D7
17 D6
16 Q6
15 Q5
14 D5
13 D4
12 Q4
11 LE
CD54HC573 ， CD74HC573 ， CD74HCT573
（ PDIP ， SOIC ， CERDIP ）
顶视图
OE 1
D0 2
D1 3
D2 4
D3 5
D4 6
D5 7
D6 8
D7 9
GND 10
20 V
CC
19 Q0
18 Q1
17 Q2
16 Q3
15 Q4
14 Q5
13 Q6
12 Q7
11 LE
功能方框图
CD74HC373 ， CD74HCT373 ， CD74HC573 ， CD74HCT573
D
0
D
1
D
2
D
3
D
4
D
5
D
6
D
7
D
G
LE
O
D
G
O
D
G
O
D
G
O
D
G
O
D
G
O
D
G
O
D
G
O
OE
O
0
O
1
O
2
O
3
O
4
O
5
O
6
O
7
CD74HCT573
D
0
D
1
D
2
D
3
D
4
D
5
D
6
D
7
D
G
LE
O
D
G
O
D
G
O
D
G
O
D
G
O
D
G
O
D
G
O
D
G
O
OE
O
0
O
1
O
2
O
3
O
4
O
5
O
6
O
7
真值表
OUTPUT ENABLE
L
L
L
L
H
LATCH ENABLE
H
H
L
L
X
数据
H
L
l
h
X
产量
H
L
L
H
Z
注： H =高电平， L =低电压等级，X =无关， Z =高阻态， L =低电压等级之前一个建立时间
高到低锁存使能过渡， H =高压一级建立时间的前高后低锁存使能转换之前。
2
CD74HC373 ， CD74HCT373 ， CD54HC573 ， CD74HC573 ， CD74HCT573
绝对最大额定值
直流电源电压，V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流，I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流，I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流，每个输出，我
O
为-0.5V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 35毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流，我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流，I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻（典型，注3 ） 。
. . . θ
JA
(
o
C / W ）
θ
JA
(
o
C / W ）
PDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
125
不适用
CERDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
85
24
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
120
不适用
最高结温（塑料封装） 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
温度范围，T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围，V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压，V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns （最大值）
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns （最大值）
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns （最大值）
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意：
3.
θ
JA
测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
I
I
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
OH
V
IH
or
V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-6
-7.8
0.02
0.02
0.02
6
7.8
-
0
2
4.5
6
4.5
6
2
4.5
6
4.5
6
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
±0.1
8
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
±1
80
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
±1
160
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
符号
V
I
(V)
I
O
（毫安）V
CC
(V)
民
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
民
最大
-55
o
C至125
o
C
民
最大
单位
3
CD74HC373 ， CD74HCT373 ， CD54HC573 ， CD74HC573 ， CD74HCT573
直流电特定网络阳离子
（续）
TEST
条件
参数
三态泄漏
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
三态泄漏
当前
其他静态
器件电流每
输入端子： 1机组负荷
（注4 ）
注意：
4.对于双电源系统的理论最坏的情况下（V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V ）规格1.8毫安。
I
I
I
CC
-
V
CC
to
GND
V
CC
or
GND
V
IL
or
V
IH
V
CC
-2.1
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
or
V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
-
V
I
(V)
V
IL
or
V
IH
I
O
（毫安）V
CC
(V)
V
O
=
V
CC
or
GND
6
民
-
25
o
C
典型值
-
最大
±0.5
-40
o
C至85
o
C
民
-
最大
±5
-55
o
C至125
o
C
民
-
最大
±10
单位
A
-6
-7.8
0.02
4.5
6
4.5
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
0.1
3.84
5.34
-
-
-
0.1
3.7
5.2
-
-
-
0.1
V
V
V
6
7.8
-
0
V
O
=
V
CC
or
GND
-
4.5
6
5.5
5.5
6
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.26
0.26
±0.1
8
±0.5
-
-
-
-
-
0.33
0.33
±1
80
±5
-
-
-
-
-
0.4
0.4
±1
160
±10
V
V
A
A
A
I
CC
4.5
5.5
-
100
360
-
450
-
490
A
HCT输入负载表
单位负载
输入
OE
Dn
LE
HCT373
1.5
0.4
0.6
HCT573
1.25
0.3
0.65
注：机组负荷为
I
CC
在直流电气连接特定钙限制特定网络版
系统蒸发散表，例如， 360μA最大值在25
o
C.
4
CD74HC373 ， CD74HCT373 ， CD54HC573 ， CD74HC573 ， CD74HCT573
用于交换特定网络阳离子前提条件
参数
HC类型
LE脉冲宽度
t
W
-
2
4.5
6
建立时间的数据，以LE
t
SU
-
2
4.5
6
保持时间，数据为LE
(573)
t
H
-
2
4.5
6
保持时间，数据为LE
(373)
t
H
-
2
4.5
6
HCT类型
LE脉冲宽度
建立时间的数据，以LE
保持时间，数据为LE
t
w
t
w
t
H
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
25
o
C
V
CC
(V)
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
最大
-55
o
C到
125
o
C
最大
单位
-
-
-
4.5
4.5
4.5
16
13
10
-
-
-
-
-
-
20
16
13
-
-
-
24
20
15
-
-
-
ns
ns
ns
80
16
14
50
10
9
40
8
7
5
5
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
100
20
17
65
13
11
50
10
9
5
5
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
120
24
20
75
15
13
60
12
10
5
5
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
符号
TEST
条件
V
CC
(V)
25
o
C
民
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
民
最大
民
最大
单位
交换特定网络阳离子
参数
HC类型
传播延迟，
数据至Qn
(HC/HCT373)
符号
TEST
条件
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
2
4.5
6
-
-
-
12
-
-
-
14
-
-
-
14
150
30
26
-
175
35
30
-
175
35
30
-
190
38
33
-
220
44
37
-
220
44
37
-
225
45
38
-
265
53
45
-
265
53
45
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
C
L
= 15pF的
传播延迟，
数据至Qn
(HC/HCT573)
t
PLH ，
t
PHL
C
L
= 50pF的
5
2
4.5
6
C
L
= 15pF的
传播延迟，
LE至Qn
t
PLH ，
t
PHL
C
L
= 50pF的
5
2
4.5
6
C
L
= 15pF的
5
5
集成电路
CBT16211
24位总线开关具有12位输出使能
产品数据
2001年6月13日
飞利浦
半导体
飞利浦半导体
产品数据
24位总线开关具有12位输出使能
CBT16211
特点
5
两个端口之间的连接开关
TTL兼容控制输入电平
封装选择包括塑料小外形（ SSOP ） ，
超薄紧缩小型封装（ TSSOP ）
描述
该CBT16211提供高速TTL兼容总线的24位
切换。开关的低导通电阻允许
连接被以最小的传播延迟进行。
该设备被组织成独立的双12位总线开关
输出使能（ OE ）输入。它可以用作两个12位总线开关
或为一个24位的总线开关。当OE为低电平时，相关联的12位
总线开关打开，端口A连接到端口B.当OE
高时，开关被打开，并且之间存在高阻抗状态
该端口。
该CBT16211的特点是操作温度范围为-40 85
°C.
ESD保护超过每JESD22 - C101 1000 V CDM
闭锁测试是为了JESDEC标准JESD78这
超过100mA的
快速参考数据
符号
t
PLH
t
PHL
C
IN
C
OUT
I
CC
参数
传播延迟
一到Yn
输入电容
输出电容
总电源电流
条件
T
AMB
= 25
°C;
GND = 0 V
C
L
= 50 pF的; V
CC
= 5 V
V
I
= 0 V或V
CC
输出禁用; V
O
= 0 V或V
CC
输出禁用; V
CC
= 5.5 V
典型
0.25
4.3
6.9
3.0
单位
ns
pF
pF
A
订购信息
套餐
56引脚塑封SSOP III型
56引脚塑料TSSOP II型
温度范围
-40到85
°C
-40到85
°C
订货编号
CBT16211DL
CBT16211DGG
DWG号
SOT371-1
SOT364-1
功能表
输入
1OE
L
L
H
H
2OE
L
H
L
H
输出
图1A，1B
1A = 1B
1A = 1B
Z
Z
图2A，2B
2A = 2B
逻辑符号
2
1A1
54
1B1
14
42
1B12
Z
2A = 2B
Z
1A12
H =高电压等级
L =低电压等级
Z =高阻抗“关闭”状态
56
1OE
15
2A1
41
2B1
28
2A12
29
2B12
55
2OE
SA00510
2001年6月13日
2
853-2259 26502
飞利浦半导体
产品数据
24位总线开关具有12位输出使能
CBT16211
引脚配置
引脚说明
引脚数
符号
NC
10E， 2OE
1A1-1A12
1B1-1B12
2A1-2A12
2B1-2B12
GND
V
CC
名称和功能
无内部连接
输出使
输入
输出
输入
输出
接地（ 0 V ）
正电源电压
1
56, 55
2, 3, 4, 5, 6, 7, 9, 10,
11, 12, 13, 14
54, 53, 52, 51, 50, 48,
47, 46, 45, 44, 43, 42
15, 16, 18, 20, 21, 22,
23, 24, 25, 26, 27, 28
41, 40, 39, 37, 36, 35,
34, 33, 32, 31, 30, 29
8, 19, 38, 49
17
NC
1A1
1A2
1A3
1A4
1A5
1A6
GND
1A7
1
2
3
4
5
6
7
8
9
56图10E
55 2OE
54 1B1
53 1B2
52 1B3
51 1B4
50 1B5
49 GND
48 1B6
47 1B7
46 1B8
45 1B9
44 1B10
43 1B11
42 1B12
41 2B1
40 2B2
39 2B3
38 GND
37 2B4
36 2B5
35 2B6
34 2B7
33 2B8
32 2B9
31 2B10
30 2B11
29 2B12
1A8 10
1A9 11
1A10 12
1A11 13
1A12 14
2A1 15
2A2 16
V
CC
17
2A3 18
GND 19
2A4 20
2A5 21
2A6 22
2A7 23
2A8 24
2A9 25
2A10 26
2A11 27
2A12 28
SA00509
2001年6月13日
3
飞利浦半导体
产品数据
24位总线开关具有12位输出使能
CBT16211
绝对最大额定值
1, 2
符号
V
CC
I
IK
V
I
V
OUT
I
OUT
参数
直流电源电压
DC输入二极管电流
直流输入电压
3
直流输出电压
3
直流输出电流
在关闭或高输出状态
在低输出状态
V
I
＆ LT ; 0
条件
等级
-0.5到+7.0
–50
-0.5到+7.0
-0.5到+5.5
128
单位
V
mA
V
V
mA
T
英镑
存储温度范围
-65到150
°C
注意事项：
1.强调超越那些可能会对设备造成永久性损坏。这些压力额定值只和功能操作
器件在这些或超出下标明的任何其他条件， “推荐工作条件”是不是暗示。接触
绝对最大额定条件下长时间可能会影响器件的可靠性。
2.高性能集成电路的结合它的热环境可以创建结的性能能力
温度，这是不利于可靠性。该集成电路的最高结温不能超过150
°C.
3.如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IH
V
IL
T
AMB
直流电源电压
高电平输入电压
低电平输入电压
工作自由空气的温度范围内
参数
范围
民
4.5
2.0
—
–40
最大
5.5
—
0.8
+85
单位
V
V
V
°C
DC电气特性
范围
符号
V
IK
V
P
I
I
I
CC
I
CC
C
I
C
我（关闭）
参数
输入钳位电压
输出高通电压
输入漏电流
静态电源电流
每个额外的电源电流
输入引脚
2
控制引脚
端口关断电容
测试条件
V
CC
= 4.5 V ;我
I
= -18毫安
V
IN
= V
CC
= 5.0 V ;我
OUT
= –100
A
V
CC
= 0 V; V
I
= 5.5 V
V
CC
= 5.5 V; V
I
= GND或5.5 V
V
CC
= 5.5 V ;我
O
= 0, V
I
= V
CC
或GND
V
CC
= 5.5 V ，一个输入在3.4 V，
其他输入在V
CC
或GND
V
I
= 3 V或0
V
O
= 3 V或0 ， OE = V
CC
V
CC
= 4.0 V; V
1
= 2.4 V ;我
I
= 15毫安
r
on3
V
CC
= 4.5 V; V
1
= 0 V ;我
I
= 64毫安
V
CC
= 4.5 V; V
1
= 0 V ;我
I
= 30毫安
V
CC
= 4.5 V; V
1
= 2.4 V ;我
I
= -15毫安
T
AMB
= -40至+85
°C
民
—
3.4
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
1
—
3.6
—
—
—
—
4.5
6.9
14
5
5
8
最大
–1.2
3.9
10
±1
3
2.5
—
—
20
7
7
12
V
V
A
A
mA
pF
pF
单位
注意事项：
1.所有典型值是在V
CC
= 5 V ，T
AMB
= 25
°C.
2.这是增加的电源电流为每个输入的情况下在指定的TTL电平，而不是V
CC
或GND 。
3.测量由A和B端之间在所指示的电流通过该开关上的电压降。
通态电阻是由两个（ A或B）的终端的最低电压来确定。
2001年6月13日
4
飞利浦半导体
产品数据
24位总线开关具有12位输出使能
CBT16211
AC特性
GND = 0 V ;吨
R;
C
L
= 50 pF的
符号
t
pd
t
en
t
DIS
参数
传播延迟
1
输出使能时间
高低级别
输出禁止时间
从高电平和低电平
从
（输入）
A或B
OE
OE
TO
（输出）
B或A
A或B
A或B
V
CC
= 5.0 V
±0.5
V
民
—
1.5
1.5
最大
0.25
6.0
6.0
ns
ns
ns
单位
注意：
1，这个参数是必要的，但不是生产测试。传播延迟是基于典型的导通状态的RC时间常数
开关的电阻和50 pF的负载电容，当由一个理想电压源（零输出阻抗）驱动。
AC波形
V
M
= 1.5 V, V
IN
= GND至3.0 V.
3V
1.5 V
输入
0V
t
PLH
t
PHL
V
OH
1.5 V
产量
V
OL
1.5 V
1.5 V
测试电路和波形
7V
从输出
被测
C
L
= 50 pF的
500
S1
开放
GND
500
负载电路
TEST
t
pd
t
PLZ
/t
PZL
t
PHZ
/t
PZH
S1
开放
7V
开放
SA00028
波形1.输入（一）到输出（ YN ）传播延迟
释义
负载电容包括夹具和探头电容;
C
L
=
看到AC特性值。
3V
输出控制
（低电平
使能）
t
PZL
产量
波形1
S1在7 V
（见注）
t
PZH
产量
波形2
S1在打开
（见注）
1.5 V
1.5 V
0V
3.5 V
1.5 V
t
PHZ
V
OH
– 0.3 V
1.5 V
0V
注意：
波形1是内部条件，使得输出
输出为低电平除非输出控制禁止时。
波形图2是内部条件，使得输出
产量高，除非被输出控制禁用时。
SA00012
t
PLZ
V
OL
+ 0.3 V
V
OL
V
OH
SA00029
波形2.三态输出的启用和禁用时报
2001年6月13日
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