【CD54 / 74HC367 ， CD54 / 74HCT367 ，CD54 / 74HC368 ，】,IC型号CD74HC368E,CD74HC368E PDF资料,CD74HC368E经销商,ic,电子元器件-51电子网

CD54 / 74HC367 ， CD54 / 74HCT367 ，

CD54 / 74HC368 ， CD74HCT368

从哈里斯半导体数据表收购

SCHS181D

1997年11月 - 修订2003年10月

高速CMOS逻辑六角缓冲器/线路驱动器，

三态非反相和反相

订购信息

产品型号

TEMP 。 RANGE

(

o

C)

-55至125

包

16 Ld的CERDIP

16 Ld的PDIP

16 Ld的SOIC

16 Ld的PDIP

16 Ld的SOIC

16 Ld的PDIP

16 Ld的SOIC

16 Ld的PDIP

16 Ld的SOIC

特点

缓冲输入

[ /标题

(CD74

HC367

,

CD74

HCT36

7,

CD74

HC368

,

CD74

HCT36

8)

/子

拍摄对象

（高

速度

高电流总线驱动器输出

两个独立的三态使能控制

典型传播延迟吨

PLH

, t

PHL

=在V为8ns

CC

= 5V,

C

L

= 15pF的，T

A

= 25

o

C

扇出（整个温度范围内）

- 标准输出。。。。。。。。。。。。。。。 10输入通道负载

- 公交驱动器输出。。。。。。。。。。。。。 15输入通道负载

宽工作温度范围。。。 -55

o

C至125

o

C

平衡传输延迟和转换时间

显着的功耗相比减少LSTTL

逻辑IC

HC类型

- 2V至6V工作

- 高抗噪性：不适用

IL

= 30%, N

IH

的V = 30 ％

CC

在V

CC

= 5V

HCT类型

- 4.5V至5.5V工作电压

- 直接输入通道输入逻辑兼容，

V

IL

= 0.8V （最大值），V

IH

= 2V （最小值）

- CMOS兼容输入，我

l

≤

1μA在V

OL

, V

OH

CD54HC367F3A

CD54HC368F3A

CD54HCT367F3A

CD74HC367E

CD74HC367M

CD74HC367MT

CD74HC367M96

CD74HC368E

CD74HC368M

CD74HC368MT

CD74HC368M96

CD74HCT367E

CD74HCT367M

CD74HCT367MT

CD74HCT367M96

CD74HCT368E

CD74HCT368M

CD74HCT368MT

CD74HCT368M96

注：订货时，使用整个零件编号。该SUF科幻×96

表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示的小批量卷轴

250.

描述

在“ HC367 ” HCT367 ， “ HC368和CD74HCT368硅栅

CMOS三态缓冲器是通用的高速

非反相和反相缓冲器。它们具有高驱动电流

租金产出这使即使在高速运转

驾驶大型客车电容。这些电路具有低

CMOS电路的功耗，还具有速度compara-

竹叶提取低功耗肖特基TTL电路。这两种电路都能够

驱动多达15个低功率肖特基输入。

的“ HC367和' HCT367都是非反相缓冲器，而

在“ HC368和CD74HCT368是反相缓冲器。这些

器件具有两个输出使能，一个使能（ OE1 ）控制4

盖茨和其他（ OE2 ）控制，其余2门。

在“ HCT367和CD74HCT368逻辑系列是速度快，功能

化和引脚与标准LS逻辑系列兼容。

注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。

版权

2003年，德州仪器

1

CD54 / 74HC367 ， CD54 / 74HCT367 ， CD54 / 74HC368 ， CD74HCT368

引脚配置

CD54HC367 ， CD54HCT367

（ CERDIP ）

CD74HC367 ， CD74HCT367

（ PDIP ， SOIC ）

顶视图

OE1 1

1A 2

1Y 3

2A 4

2Y 5

3A 6

3Y 7

GND 8

16 V

CC

15 OE2

14 6A

13 6Y

12 5A

11 5Y

10 4A

9 4Y

CD54HC368

（ CERDIP ）

CD74HC368 ， CD74HCT368

（ PDIP ， SOIC ）

顶视图

OE1 1

1A 2

1Y 3

2A 4

2Y 5

3A 6

3Y 7

GND 8

16 V

CC

15 OE2

14 6A

13 6Y

12 5A

11 5Y

10 4A

9 4Y

功能图

HC367 ， HCT367

1

HC368 ， CD74HCT368

OE1

16

V

CC

OE2

6A

OE1

16

V

CC

1A

1Y

2

3

15

14

1A

1Y

2

3

15

14

OE2

6A

2A

2Y

4

13

6Y

2A

2Y

3A

4

5

6

13

6Y

5

6

12

5A

12

5A

3A

7

11

10

5Y

4A

11

10

5Y

4A

3Y

GND

7

8

GND

8

9

4Y

9

4Y

真值表

输出

(Y)

A

L

H

X

HC/HCT367

L

H

(Z)

HC/HCT368

H

L

(Z)

输入

OE

L

H

H =高电压等级

L =低电压等级

X =无关

Z =高阻抗状态（OFF）

2

CD54 / 74HC367 ， CD54 / 74HCT367 ， CD54 / 74HC368 ， CD74HCT368

逻辑图

V

CC

16

作者六个相同的电路ONE

2

1A

3

1Y

（注1 ）

GND

8

1

OE1

4

15

OE2

6

3A

10

4A

12

5A

14

6A

7

3Y

9

4Y

11

5Y

13

6Y

2A

5

2Y

注意：

1.逆变器不包括在HC / HCT367

图1.逻辑框图中的HC / HCT367和HC / HCT368 （输出， HC / HCT367是补充

所示的那些，即， 1Y ， 2Y等）

3

CD54 / 74HC367 ， CD54 / 74HCT367 ， CD54 / 74HC368 ， CD74HCT368

绝对最大额定值

直流电源电压，V

CC

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.5V至7V

DC输入二极管电流，I

IK

对于V

I

< -0.5V或V

I

＆ GT ; V

CC

+ 0.5V

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 ± 20毫安

DC输出二极管电流，I

OK

对于V

O

< -0.5V或V

O

＆ GT ; V

CC

+ 0.5V

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 ± 20毫安

直流漏电流，每个输出，我

O

为-0.5V < V

O

＆ LT ; V

CC

+ 0.5V.

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 ± 35毫安

DC V

CC

或接地电流，I

CC

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 ± 50毫安

热信息

热电阻（典型，注2 ）

θ

JA

(

o

C / W ）

E（ PDIP ）封装。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

67

M（ SOIC ）封装。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

73

最高结温。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 150

o

C

最大存储温度范围。。。。。。。。。。 -65

o

C至150

o

C

最大的铅温度（焊接10秒）。。。。。。。。。。。。。 300

o

C

（ SOIC - 只会提示）

工作条件

温度范围，T

A

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55

o

C至125

o

C

电源电压范围，V

CC

HC类型。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 .2V至6V

HCT类型。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 .4.5V至5.5V

DC输入或输出电压，V

I

, V

O

。。。。。。。。。。。。。。。。。 0V至V

CC

输入上升和下降时间

2V 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。最大1000ns （最大值）

4.5V 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。为500ns （最大值）

6V 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。为400ns （最大值）

注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作

该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。

注意：

2.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。

直流电特定网络阳离子

TEST

条件

参数

HC类型

输入高电平

电压

V

IH

-

2

4.5

6

低电平输入

电压

V

IL

-

2

4.5

6

高电平输出

电压

CMOS负载

高电平输出

电压

TTL负载

低电平输出

电压

CMOS负载

低电平输出

电压

TTL负载

输入漏

当前

静态器件

当前

三态泄漏

当前

I

CC

I

OZ

V

CC

or

GND

V

CC

or

GND

V

IL

or

V

IH

V

OL

V

IH

or

V

IL

V

OH

V

IH

or

V

IL

-0.02

-6

-7.8

0.02

6

7.8

-

0

V

O

=

V

CC

or

GND

2

4.5

6

4.5

6

2

4.5

6

4.5

6

1.5

3.15

4.2

-

1.9

4.4

5.9

3.98

5.48

-

0.5

1.35

1.8

-

0.1

0.26

±0.1

8

±0.5

1.5

3.15

4.2

-

1.9

4.4

5.9

3.84

5.34

-

0.5

1.35

1.8

-

0.1

0.33

±1

80

±5.0

1.5

3.15

4.2

-

1.9

4.4

5.9

3.7

5.2

-

0.5

1.35

1.8

-

0.1

0.4

±1

160

±10

V

A

符号

V

I

(V)

I

O

（毫安）V

CC

(V)

民

25

o

C

典型值

最大

-40

o

C至85

o

C

民

最大

-55

o

C至125

o

C

民

最大

单位

4

CD54 / 74HC367 ， CD54 / 74HCT367 ， CD54 / 74HC368 ， CD74HCT368

直流电特定网络阳离子

（续）

TEST

条件

参数

HCT类型

输入高电平

电压

低电平输入

电压

高电平输出

电压

CMOS负载

高电平输出

电压

TTL负载

低电平输出

电压

CMOS负载

低电平输出

电压

TTL负载

输入漏

当前

静态器件

当前

其他静态

器件电流每

输入端子： 1机组负荷

三态泄漏

当前

注意：

3.对于双电源系统的理论最坏的情况下（V

I

= 2.4V, V

CC

= 5.5V ）规格1.8毫安。

I

CC

I

CC

（注3）

I

OZ

V

CC

to

GND

V

CC

or

GND

V

CC

-2.1

V

IL

or

V

IH

V

OL

V

IH

or

V

IL

V

IH

V

IL

V

OH

-

V

IH

or

V

IL

-

-0.02

4.5

5.5

4.5

5.5

4.5

2

-

4.4

-

0.8

-

2

-

4.4

-

0.8

-

2

-

4.4

-

0.8

-

V

符号

V

I

(V)

I

O

（毫安）V

CC

(V)

民

25

o

C

典型值

最大

-40

o

C至85

o

C

民

最大

-55

o

C至125

o

C

民

最大

单位

-4

4.5

3.98

-

3.84

-

3.7

-

V

0.02

4.5

-

0.1

-

0.1

-

0.1

V

4

4.5

-

0.26

-

0.33

-

0.4

V

0

-

5.5

4.5

5.5

-

100

±0.1

8

360

-

±1

80

450

-

±1

160

490

A

V

O

=

V

CC

or

GND

-

±0.5

-

±5.0

-

±10

A

HCT输入负载表

输入

OE1

所有其他

单位负载

0.6

0.55

注：机组负荷为

I

CC

在直流电气限制特定网络版

特定网络阳离子表，例如，最大360μA 25

o

C.

交换特定网络阳离子

输入吨

r

, t

f

= 6ns的

25

o

C

V

CC

(V)

2

4.5

6

C

L

= 15pF的

5

典型值

最大

-40

o

C至85

o

C

最大

-55

o

C到

125

o

C

最大

单位

参数

HC类型

传播延迟，

数据输出

HC/HCT367

符号

TEST

条件

t

PLH

, t

PHL

C

L

= 50pF的

-

8

105

21

18

-

130

26

24

-

160

32

27

-

ns

5

CD54 / 74HC367 ， CD54 / 74HCT367 ，

CD54 / 74HC368 ， CD74HCT368

从哈里斯半导体数据表收购

SCHS181D

1997年11月 - 修订2003年10月

高速CMOS逻辑六角缓冲器/线路驱动器，

三态非反相和反相

订购信息

产品型号

TEMP 。 RANGE

(

o

C)

-55至125

包

16 Ld的CERDIP

16 Ld的PDIP

16 Ld的SOIC

16 Ld的PDIP

16 Ld的SOIC

16 Ld的PDIP

16 Ld的SOIC

16 Ld的PDIP

16 Ld的SOIC

特点

缓冲输入

[ /标题

(CD74

HC367

,

CD74

HCT36

7,

CD74

HC368

,

CD74

HCT36

8)

/子

拍摄对象

（高

速度

高电流总线驱动器输出

两个独立的三态使能控制

典型传播延迟吨

PLH

, t

PHL

=在V为8ns

CC

= 5V,

C

L

= 15pF的，T

A

= 25

o

C

扇出（整个温度范围内）

- 标准输出。。。。。。。。。。。。。。。 10输入通道负载

- 公交驱动器输出。。。。。。。。。。。。。 15输入通道负载

宽工作温度范围。。。 -55

o

C至125

o

C

平衡传输延迟和转换时间

显着的功耗相比减少LSTTL

逻辑IC

HC类型

- 2V至6V工作

- 高抗噪性：不适用

IL

= 30%, N

IH

的V = 30 ％

CC

在V

CC

= 5V

HCT类型

- 4.5V至5.5V工作电压

- 直接输入通道输入逻辑兼容，

V

IL

= 0.8V （最大值），V

IH

= 2V （最小值）

- CMOS兼容输入，我

l

≤

1μA在V

OL

, V

OH

CD54HC367F3A

CD54HC368F3A

CD54HCT367F3A

CD74HC367E

CD74HC367M

CD74HC367MT

CD74HC367M96

CD74HC368E

CD74HC368M

CD74HC368MT

CD74HC368M96

CD74HCT367E

CD74HCT367M

CD74HCT367MT

CD74HCT367M96

CD74HCT368E

CD74HCT368M

CD74HCT368MT

CD74HCT368M96

注：订货时，使用整个零件编号。该SUF科幻×96

表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示的小批量卷轴

250.

描述

在“ HC367 ” HCT367 ， “ HC368和CD74HCT368硅栅

CMOS三态缓冲器是通用的高速

非反相和反相缓冲器。它们具有高驱动电流

租金产出这使即使在高速运转

驾驶大型客车电容。这些电路具有低

CMOS电路的功耗，还具有速度compara-

竹叶提取低功耗肖特基TTL电路。这两种电路都能够

驱动多达15个低功率肖特基输入。

的“ HC367和' HCT367都是非反相缓冲器，而

在“ HC368和CD74HCT368是反相缓冲器。这些

器件具有两个输出使能，一个使能（ OE1 ）控制4

盖茨和其他（ OE2 ）控制，其余2门。

在“ HCT367和CD74HCT368逻辑系列是速度快，功能

化和引脚与标准LS逻辑系列兼容。

注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。

版权

2003年，德州仪器

1

CD54 / 74HC367 ， CD54 / 74HCT367 ， CD54 / 74HC368 ， CD74HCT368

引脚配置

CD54HC367 ， CD54HCT367

（ CERDIP ）

CD74HC367 ， CD74HCT367

（ PDIP ， SOIC ）

顶视图

OE1 1

1A 2

1Y 3

2A 4

2Y 5

3A 6

3Y 7

GND 8

16 V

CC

15 OE2

14 6A

13 6Y

12 5A

11 5Y

10 4A

9 4Y

CD54HC368

（ CERDIP ）

CD74HC368 ， CD74HCT368

（ PDIP ， SOIC ）

顶视图

OE1 1

1A 2

1Y 3

2A 4

2Y 5

3A 6

3Y 7

GND 8

16 V

CC

15 OE2

14 6A

13 6Y

12 5A

11 5Y

10 4A

9 4Y

功能图

HC367 ， HCT367

1

HC368 ， CD74HCT368

OE1

16

V

CC

OE2

6A

OE1

16

V

CC

1A

1Y

2

3

15

14

1A

1Y

2

3

15

14

OE2

6A

2A

2Y

4

13

6Y

2A

2Y

3A

4

5

6

13

6Y

5

6

12

5A

12

5A

3A

7

11

10

5Y

4A

11

10

5Y

4A

3Y

GND

7

8

GND

8

9

4Y

9

4Y

真值表

输出

(Y)

A

L

H

X

HC/HCT367

L

H

(Z)

HC/HCT368

H

L

(Z)

输入

OE

L

H

H =高电压等级

L =低电压等级

X =无关

Z =高阻抗状态（OFF）

2

CD54 / 74HC367 ， CD54 / 74HCT367 ， CD54 / 74HC368 ， CD74HCT368

逻辑图

V

CC

16

作者六个相同的电路ONE

2

1A

3

1Y

（注1 ）

GND

8

1

OE1

4

15

OE2

6

3A

10

4A

12

5A

14

6A

7

3Y

9

4Y

11

5Y

13

6Y

2A

5

2Y

注意：

1.逆变器不包括在HC / HCT367

图1.逻辑框图中的HC / HCT367和HC / HCT368 （输出， HC / HCT367是补充

所示的那些，即， 1Y ， 2Y等）

3

CD54 / 74HC367 ， CD54 / 74HCT367 ， CD54 / 74HC368 ， CD74HCT368

绝对最大额定值

直流电源电压，V

CC

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.5V至7V

DC输入二极管电流，I

IK

对于V

I

< -0.5V或V

I

＆ GT ; V

CC

+ 0.5V

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 ± 20毫安

DC输出二极管电流，I

OK

对于V

O

< -0.5V或V

O

＆ GT ; V

CC

+ 0.5V

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 ± 20毫安

直流漏电流，每个输出，我

O

为-0.5V < V

O

＆ LT ; V

CC

+ 0.5V.

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 ± 35毫安

DC V

CC

或接地电流，I

CC

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 ± 50毫安

热信息

热电阻（典型，注2 ）

θ

JA

(

o

C / W ）

E（ PDIP ）封装。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

67

M（ SOIC ）封装。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

73

最高结温。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 150

o

C

最大存储温度范围。。。。。。。。。。 -65

o

C至150

o

C

最大的铅温度（焊接10秒）。。。。。。。。。。。。。 300

o

C

（ SOIC - 只会提示）

工作条件

温度范围，T

A

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55

o

C至125

o

C

电源电压范围，V

CC

HC类型。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 .2V至6V

HCT类型。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 .4.5V至5.5V

DC输入或输出电压，V

I

, V

O

。。。。。。。。。。。。。。。。。 0V至V

CC

输入上升和下降时间

2V 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。最大1000ns （最大值）

4.5V 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。为500ns （最大值）

6V 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。为400ns （最大值）

注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作

该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。

注意：

2.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。

直流电特定网络阳离子

TEST

条件

参数

HC类型

输入高电平

电压

V

IH

-

2

4.5

6

低电平输入

电压

V

IL

-

2

4.5

6

高电平输出

电压

CMOS负载

高电平输出

电压

TTL负载

低电平输出

电压

CMOS负载

低电平输出

电压

TTL负载

输入漏

当前

静态器件

当前

三态泄漏

当前

I

CC

I

OZ

V

CC

or

GND

V

CC

or

GND

V

IL

or

V

IH

V

OL

V

IH

or

V

IL

V

OH

V

IH

or

V

IL

-0.02

-6

-7.8

0.02

6

7.8

-

0

V

O

=

V

CC

or

GND

2

4.5

6

4.5

6

2

4.5

6

4.5

6

1.5

3.15

4.2

-

1.9

4.4

5.9

3.98

5.48

-

0.5

1.35

1.8

-

0.1

0.26

±0.1

8

±0.5

1.5

3.15

4.2

-

1.9

4.4

5.9

3.84

5.34

-

0.5

1.35

1.8

-

0.1

0.33

±1

80

±5.0

1.5

3.15

4.2

-

1.9

4.4

5.9

3.7

5.2

-

0.5

1.35

1.8

-

0.1

0.4

±1

160

±10

V

A

符号

V

I

(V)

I

O

（毫安）V

CC

(V)

民

25

o

C

典型值

最大

-40

o

C至85

o

C

民

最大

-55

o

C至125

o

C

民

最大

单位

4

CD54 / 74HC367 ， CD54 / 74HCT367 ， CD54 / 74HC368 ， CD74HCT368

直流电特定网络阳离子

（续）

TEST

条件

参数

HCT类型

输入高电平

电压

低电平输入

电压

高电平输出

电压

CMOS负载

高电平输出

电压

TTL负载

低电平输出

电压

CMOS负载

低电平输出

电压

TTL负载

输入漏

当前

静态器件

当前

其他静态

器件电流每

输入端子： 1机组负荷

三态泄漏

当前

注意：

3.对于双电源系统的理论最坏的情况下（V

I

= 2.4V, V

CC

= 5.5V ）规格1.8毫安。

I

CC

I

CC

（注3）

I

OZ

V

CC

to

GND

V

CC

or

GND

V

CC

-2.1

V

IL

or

V

IH

V

OL

V

IH

or

V

IL

V

IH

V

IL

V

OH

-

V

IH

or

V

IL

-

-0.02

4.5

5.5

4.5

5.5

4.5

2

-

4.4

-

0.8

-

2

-

4.4

-

0.8

-

2

-

4.4

-

0.8

-

V

符号

V

I

(V)

I

O

（毫安）V

CC

(V)

民

25

o

C

典型值

最大

-40

o

C至85

o

C

民

最大

-55

o

C至125

o

C

民

最大

单位

-4

4.5

3.98

-

3.84

-

3.7

-

V

0.02

4.5

-

0.1

-

0.1

-

0.1

V

4

4.5

-

0.26

-

0.33

-

0.4

V

0

-

5.5

4.5

5.5

-

100

±0.1

8

360

-

±1

80

450

-

±1

160

490

A

V

O

=

V

CC

or

GND

-

±0.5

-

±5.0

-

±10

A

HCT输入负载表

输入

OE1

所有其他

单位负载

0.6

0.55

注：机组负荷为

I

CC

在直流电气限制特定网络版

特定网络阳离子表，例如，最大360μA 25

o

C.

交换特定网络阳离子

输入吨

r

, t

f

= 6ns的

25

o

C

V

CC

(V)

2

4.5

6

C

L

= 15pF的

5

典型值

最大

-40

o

C至85

o

C

最大

-55

o

C到

125

o

C

最大

单位

参数

HC类型

传播延迟，

数据输出

HC/HCT367

符号

TEST

条件

t

PLH

, t

PHL

C

L

= 50pF的

-

8

105

21

18

-

130

26

24

-

160

32

27

-

ns

5

CD54 / 74HC367 ， CD54 / 74HCT367 ，

CD54 / 74HC368 ， CD74HCT368

从哈里斯半导体数据表收购

SCHS181D

1997年11月 - 修订2003年10月

高速CMOS逻辑六角缓冲器/线路驱动器，

三态非反相和反相

订购信息

产品型号

TEMP 。 RANGE

(

o

C)

-55至125

包

16 Ld的CERDIP

16 Ld的PDIP

16 Ld的SOIC

16 Ld的PDIP

16 Ld的SOIC

16 Ld的PDIP

16 Ld的SOIC

16 Ld的PDIP

16 Ld的SOIC

特点

缓冲输入

[ /标题

(CD74

HC367

,

CD74

HCT36

7,

CD74

HC368

,

CD74

HCT36

8)

/子

拍摄对象

（高

速度

高电流总线驱动器输出

两个独立的三态使能控制

典型传播延迟吨

PLH

, t

PHL

=在V为8ns

CC

= 5V,

C

L

= 15pF的，T

A

= 25

o

C

扇出（整个温度范围内）

- 标准输出。。。。。。。。。。。。。。。 10输入通道负载

- 公交驱动器输出。。。。。。。。。。。。。 15输入通道负载

宽工作温度范围。。。 -55

o

C至125

o

C

平衡传输延迟和转换时间

显着的功耗相比减少LSTTL

逻辑IC

HC类型

- 2V至6V工作

- 高抗噪性：不适用

IL

= 30%, N

IH

的V = 30 ％

CC

在V

CC

= 5V

HCT类型

- 4.5V至5.5V工作电压

- 直接输入通道输入逻辑兼容，

V

IL

= 0.8V （最大值），V

IH

= 2V （最小值）

- CMOS兼容输入，我

l

≤

1μA在V

OL

, V

OH

CD54HC367F3A

CD54HC368F3A

CD54HCT367F3A

CD74HC367E

CD74HC367M

CD74HC367MT

CD74HC367M96

CD74HC368E

CD74HC368M

CD74HC368MT

CD74HC368M96

CD74HCT367E

CD74HCT367M

CD74HCT367MT

CD74HCT367M96

CD74HCT368E

CD74HCT368M

CD74HCT368MT

CD74HCT368M96

注：订货时，使用整个零件编号。该SUF科幻×96

表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示的小批量卷轴

250.

描述

在“ HC367 ” HCT367 ， “ HC368和CD74HCT368硅栅

CMOS三态缓冲器是通用的高速

非反相和反相缓冲器。它们具有高驱动电流

租金产出这使即使在高速运转

驾驶大型客车电容。这些电路具有低

CMOS电路的功耗，还具有速度compara-

竹叶提取低功耗肖特基TTL电路。这两种电路都能够

驱动多达15个低功率肖特基输入。

的“ HC367和' HCT367都是非反相缓冲器，而

在“ HC368和CD74HCT368是反相缓冲器。这些

器件具有两个输出使能，一个使能（ OE1 ）控制4

盖茨和其他（ OE2 ）控制，其余2门。

在“ HCT367和CD74HCT368逻辑系列是速度快，功能

化和引脚与标准LS逻辑系列兼容。

注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。

版权

2003年，德州仪器

1

CD54 / 74HC367 ， CD54 / 74HCT367 ， CD54 / 74HC368 ， CD74HCT368

引脚配置

CD54HC367 ， CD54HCT367

（ CERDIP ）

CD74HC367 ， CD74HCT367

（ PDIP ， SOIC ）

顶视图

OE1 1

1A 2

1Y 3

2A 4

2Y 5

3A 6

3Y 7

GND 8

16 V

CC

15 OE2

14 6A

13 6Y

12 5A

11 5Y

10 4A

9 4Y

CD54HC368

（ CERDIP ）

CD74HC368 ， CD74HCT368

（ PDIP ， SOIC ）

顶视图

OE1 1

1A 2

1Y 3

2A 4

2Y 5

3A 6

3Y 7

GND 8

16 V

CC

15 OE2

14 6A

13 6Y

12 5A

11 5Y

10 4A

9 4Y

功能图

HC367 ， HCT367

1

HC368 ， CD74HCT368

OE1

16

V

CC

OE2

6A

OE1

16

V

CC

1A

1Y

2

3

15

14

1A

1Y

2

3

15

14

OE2

6A

2A

2Y

4

13

6Y

2A

2Y

3A

4

5

6

13

6Y

5

6

12

5A

12

5A

3A

7

11

10

5Y

4A

11

10

5Y

4A

3Y

GND

7

8

GND

8

9

4Y

9

4Y

真值表

输出

(Y)

A

L

H

X

HC/HCT367

L

H

(Z)

HC/HCT368

H

L

(Z)

输入

OE

L

H

H =高电压等级

L =低电压等级

X =无关

Z =高阻抗状态（OFF）

2

CD54 / 74HC367 ， CD54 / 74HCT367 ， CD54 / 74HC368 ， CD74HCT368

逻辑图

V

CC

16

作者六个相同的电路ONE

2

1A

3

1Y

（注1 ）

GND

8

1

OE1

4

15

OE2

6

3A

10

4A

12

5A

14

6A

7

3Y

9

4Y

11

5Y

13

6Y

2A

5

2Y

注意：

1.逆变器不包括在HC / HCT367

图1.逻辑框图中的HC / HCT367和HC / HCT368 （输出， HC / HCT367是补充

所示的那些，即， 1Y ， 2Y等）

3

CD54 / 74HC367 ， CD54 / 74HCT367 ， CD54 / 74HC368 ， CD74HCT368

绝对最大额定值

直流电源电压，V

CC

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.5V至7V

DC输入二极管电流，I

IK

对于V

I

< -0.5V或V

I

＆ GT ; V

CC

+ 0.5V

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 ± 20毫安

DC输出二极管电流，I

OK

对于V

O

< -0.5V或V

O

＆ GT ; V

CC

+ 0.5V

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 ± 20毫安

直流漏电流，每个输出，我

O

为-0.5V < V

O

＆ LT ; V

CC

+ 0.5V.

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 ± 35毫安

DC V

CC

或接地电流，I

CC

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 ± 50毫安

热信息

热电阻（典型，注2 ）

θ

JA

(

o

C / W ）

E（ PDIP ）封装。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

67

M（ SOIC ）封装。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

73

最高结温。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 150

o

C

最大存储温度范围。。。。。。。。。。 -65

o

C至150

o

C

最大的铅温度（焊接10秒）。。。。。。。。。。。。。 300

o

C

（ SOIC - 只会提示）

工作条件

温度范围，T

A

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55

o

C至125

o

C

电源电压范围，V

CC

HC类型。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 .2V至6V

HCT类型。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 .4.5V至5.5V

DC输入或输出电压，V

I

, V

O

。。。。。。。。。。。。。。。。。 0V至V

CC

输入上升和下降时间

2V 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。最大1000ns （最大值）

4.5V 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。为500ns （最大值）

6V 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。为400ns （最大值）

注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作

该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。

注意：

2.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。

直流电特定网络阳离子

TEST

条件

参数

HC类型

输入高电平

电压

V

IH

-

2

4.5

6

低电平输入

电压

V

IL

-

2

4.5

6

高电平输出

电压

CMOS负载

高电平输出

电压

TTL负载

低电平输出

电压

CMOS负载

低电平输出

电压

TTL负载

输入漏

当前

静态器件

当前

三态泄漏

当前

I

CC

I

OZ

V

CC

or

GND

V

CC

or

GND

V

IL

or

V

IH

V

OL

V

IH

or

V

IL

V

OH

V

IH

or

V

IL

-0.02

-6

-7.8

0.02

6

7.8

-

0

V

O

=

V

CC

or

GND

2

4.5

6

4.5

6

2

4.5

6

4.5

6

1.5

3.15

4.2

-

1.9

4.4

5.9

3.98

5.48

-

0.5

1.35

1.8

-

0.1

0.26

±0.1

8

±0.5

1.5

3.15

4.2

-

1.9

4.4

5.9

3.84

5.34

-

0.5

1.35

1.8

-

0.1

0.33

±1

80

±5.0

1.5

3.15

4.2

-

1.9

4.4

5.9

3.7

5.2

-

0.5

1.35

1.8

-

0.1

0.4

±1

160

±10

V

A

符号

V

I

(V)

I

O

（毫安）V

CC

(V)

民

25

o

C

典型值

最大

-40

o

C至85

o

C

民

最大

-55

o

C至125

o

C

民

最大

单位

4

CD54 / 74HC367 ， CD54 / 74HCT367 ， CD54 / 74HC368 ， CD74HCT368

直流电特定网络阳离子

（续）

TEST

条件

参数

HCT类型

输入高电平

电压

低电平输入

电压

高电平输出

电压

CMOS负载

高电平输出

电压

TTL负载

低电平输出

电压

CMOS负载

低电平输出

电压

TTL负载

输入漏

当前

静态器件

当前

其他静态

器件电流每

输入端子： 1机组负荷

三态泄漏

当前

注意：

3.对于双电源系统的理论最坏的情况下（V

I

= 2.4V, V

CC

= 5.5V ）规格1.8毫安。

I

CC

I

CC

（注3）

I

OZ

V

CC

to

GND

V

CC

or

GND

V

CC

-2.1

V

IL

or

V

IH

V

OL

V

IH

or

V

IL

V

IH

V

IL

V

OH

-

V

IH

or

V

IL

-

-0.02

4.5

5.5

4.5

5.5

4.5

2

-

4.4

-

0.8

-

2

-

4.4

-

0.8

-

2

-

4.4

-

0.8

-

V

符号

V

I

(V)

I

O

（毫安）V

CC

(V)

民

25

o

C

典型值

最大

-40

o

C至85

o

C

民

最大

-55

o

C至125

o

C

民

最大

单位

-4

4.5

3.98

-

3.84

-

3.7

-

V

0.02

4.5

-

0.1

-

0.1

-

0.1

V

4

4.5

-

0.26

-

0.33

-

0.4

V

0

-

5.5

4.5

5.5

-

100

±0.1

8

360

-

±1

80

450

-

±1

160

490

A

V

O

=

V

CC

or

GND

-

±0.5

-

±5.0

-

±10

A

HCT输入负载表

输入

OE1

所有其他

单位负载

0.6

0.55

注：机组负荷为

I

CC

在直流电气限制特定网络版

特定网络阳离子表，例如，最大360μA 25

o

C.

交换特定网络阳离子

输入吨

r

, t

f

= 6ns的

25

o

C

V

CC

(V)

2

4.5

6

C

L

= 15pF的

5

典型值

最大

-40

o

C至85

o

C

最大

-55

o

C到

125

o

C

最大

单位

参数

HC类型

传播延迟，

数据输出

HC/HCT367

符号

TEST

条件

t

PLH

, t

PHL

C

L

= 50pF的

-

8

105

21

18

-

130

26

24

-

160

32

27

-

ns

5

CD54 / 74HC367 ， CD54 / 74HCT367 ，

CD54 / 74HC368 ， CD74HCT368

从哈里斯半导体数据表收购

SCHS181D

1997年11月 - 修订2003年10月

高速CMOS逻辑六角缓冲器/线路驱动器，

三态非反相和反相

订购信息

产品型号

TEMP 。 RANGE

(

o

C)

-55至125

包

16 Ld的CERDIP

16 Ld的PDIP

16 Ld的SOIC

16 Ld的PDIP

16 Ld的SOIC

16 Ld的PDIP

16 Ld的SOIC

16 Ld的PDIP

16 Ld的SOIC

特点

缓冲输入

[ /标题

(CD74

HC367

,

CD74

HCT36

7,

CD74

HC368

,

CD74

HCT36

8)

/子

拍摄对象

（高

速度

高电流总线驱动器输出

两个独立的三态使能控制

典型传播延迟吨

PLH

, t

PHL

=在V为8ns

CC

= 5V,

C

L

= 15pF的，T

A

= 25

o

C

扇出（整个温度范围内）

- 标准输出。。。。。。。。。。。。。。。 10输入通道负载

- 公交驱动器输出。。。。。。。。。。。。。 15输入通道负载

宽工作温度范围。。。 -55

o

C至125

o

C

平衡传输延迟和转换时间

显着的功耗相比减少LSTTL

逻辑IC

HC类型

- 2V至6V工作

- 高抗噪性：不适用

IL

= 30%, N

IH

的V = 30 ％

CC

在V

CC

= 5V

HCT类型

- 4.5V至5.5V工作电压

- 直接输入通道输入逻辑兼容，

V

IL

= 0.8V （最大值），V

IH

= 2V （最小值）

- CMOS兼容输入，我

l

≤

1μA在V

OL

, V

OH

CD54HC367F3A

CD54HC368F3A

CD54HCT367F3A

CD74HC367E

CD74HC367M

CD74HC367MT

CD74HC367M96

CD74HC368E

CD74HC368M

CD74HC368MT

CD74HC368M96

CD74HCT367E

CD74HCT367M

CD74HCT367MT

CD74HCT367M96

CD74HCT368E

CD74HCT368M

CD74HCT368MT

CD74HCT368M96

注：订货时，使用整个零件编号。该SUF科幻×96

表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示的小批量卷轴

250.

描述

在“ HC367 ” HCT367 ， “ HC368和CD74HCT368硅栅

CMOS三态缓冲器是通用的高速

非反相和反相缓冲器。它们具有高驱动电流

租金产出这使即使在高速运转

驾驶大型客车电容。这些电路具有低

CMOS电路的功耗，还具有速度compara-

竹叶提取低功耗肖特基TTL电路。这两种电路都能够

驱动多达15个低功率肖特基输入。

的“ HC367和' HCT367都是非反相缓冲器，而

在“ HC368和CD74HCT368是反相缓冲器。这些

器件具有两个输出使能，一个使能（ OE1 ）控制4

盖茨和其他（ OE2 ）控制，其余2门。

在“ HCT367和CD74HCT368逻辑系列是速度快，功能

化和引脚与标准LS逻辑系列兼容。

注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。

版权

2003年，德州仪器

1

CD54 / 74HC367 ， CD54 / 74HCT367 ， CD54 / 74HC368 ， CD74HCT368

引脚配置

CD54HC367 ， CD54HCT367

（ CERDIP ）

CD74HC367 ， CD74HCT367

（ PDIP ， SOIC ）

顶视图

OE1 1

1A 2

1Y 3

2A 4

2Y 5

3A 6

3Y 7

GND 8

16 V

CC

15 OE2

14 6A

13 6Y

12 5A

11 5Y

10 4A

9 4Y

CD54HC368

（ CERDIP ）

CD74HC368 ， CD74HCT368

（ PDIP ， SOIC ）

顶视图

OE1 1

1A 2

1Y 3

2A 4

2Y 5

3A 6

3Y 7

GND 8

16 V

CC

15 OE2

14 6A

13 6Y

12 5A

11 5Y

10 4A

9 4Y

功能图

HC367 ， HCT367

1

HC368 ， CD74HCT368

OE1

16

V

CC

OE2

6A

OE1

16

V

CC

1A

1Y

2

3

15

14

1A

1Y

2

3

15

14

OE2

6A

2A

2Y

4

13

6Y

2A

2Y

3A

4

5

6

13

6Y

5

6

12

5A

12

5A

3A

7

11

10

5Y

4A

11

10

5Y

4A

3Y

GND

7

8

GND

8

9

4Y

9

4Y

真值表

输出

(Y)

A

L

H

X

HC/HCT367

L

H

(Z)

HC/HCT368

H

L

(Z)

输入

OE

L

H

H =高电压等级

L =低电压等级

X =无关

Z =高阻抗状态（OFF）

2

CD54 / 74HC367 ， CD54 / 74HCT367 ， CD54 / 74HC368 ， CD74HCT368

逻辑图

V

CC

16

作者六个相同的电路ONE

2

1A

3

1Y

（注1 ）

GND

8

1

OE1

4

15

OE2

6

3A

10

4A

12

5A

14

6A

7

3Y

9

4Y

11

5Y

13

6Y

2A

5

2Y

注意：

1.逆变器不包括在HC / HCT367

图1.逻辑框图中的HC / HCT367和HC / HCT368 （输出， HC / HCT367是补充

所示的那些，即， 1Y ， 2Y等）

3

CD54 / 74HC367 ， CD54 / 74HCT367 ， CD54 / 74HC368 ， CD74HCT368

绝对最大额定值

直流电源电压，V

CC

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.5V至7V

DC输入二极管电流，I

IK

对于V

I

< -0.5V或V

I

＆ GT ; V

CC

+ 0.5V

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 ± 20毫安

DC输出二极管电流，I

OK

对于V

O

< -0.5V或V

O

＆ GT ; V

CC

+ 0.5V

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 ± 20毫安

直流漏电流，每个输出，我

O

为-0.5V < V

O

＆ LT ; V

CC

+ 0.5V.

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 ± 35毫安

DC V

CC

或接地电流，I

CC

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 ± 50毫安

热信息

热电阻（典型，注2 ）

θ

JA

(

o

C / W ）

E（ PDIP ）封装。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

67

M（ SOIC ）封装。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

73

最高结温。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 150

o

C

最大存储温度范围。。。。。。。。。。 -65

o

C至150

o

C

最大的铅温度（焊接10秒）。。。。。。。。。。。。。 300

o

C

（ SOIC - 只会提示）

工作条件

温度范围，T

A

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55

o

C至125

o

C

电源电压范围，V

CC

HC类型。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 .2V至6V

HCT类型。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 .4.5V至5.5V

DC输入或输出电压，V

I

, V

O

。。。。。。。。。。。。。。。。。 0V至V

CC

输入上升和下降时间

2V 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。最大1000ns （最大值）

4.5V 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。为500ns （最大值）

6V 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。为400ns （最大值）

注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作

该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。

注意：

2.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。

直流电特定网络阳离子

TEST

条件

参数

HC类型

输入高电平

电压

V

IH

-

2

4.5

6

低电平输入

电压

V

IL

-

2

4.5

6

高电平输出

电压

CMOS负载

高电平输出

电压

TTL负载

低电平输出

电压

CMOS负载

低电平输出

电压

TTL负载

输入漏

当前

静态器件

当前

三态泄漏

当前

I

CC

I

OZ

V

CC

or

GND

V

CC

or

GND

V

IL

or

V

IH

V

OL

V

IH

or

V

IL

V

OH

V

IH

or

V

IL

-0.02

-6

-7.8

0.02

6

7.8

-

0

V

O

=

V

CC

or

GND

2

4.5

6

4.5

6

2

4.5

6

4.5

6

1.5

3.15

4.2

-

1.9

4.4

5.9

3.98

5.48

-

0.5

1.35

1.8

-

0.1

0.26

±0.1

8

±0.5

1.5

3.15

4.2

-

1.9

4.4

5.9

3.84

5.34

-

0.5

1.35

1.8

-

0.1

0.33

±1

80

±5.0

1.5

3.15

4.2

-

1.9

4.4

5.9

3.7

5.2

-

0.5

1.35

1.8

-

0.1

0.4

±1

160

±10

V

A

符号

V

I

(V)

I

O

（毫安）V

CC

(V)

民

25

o

C

典型值

最大

-40

o

C至85

o

C

民

最大

-55

o

C至125

o

C

民

最大

单位

4

CD54 / 74HC367 ， CD54 / 74HCT367 ， CD54 / 74HC368 ， CD74HCT368

直流电特定网络阳离子

（续）

TEST

条件

参数

HCT类型

输入高电平

电压

低电平输入

电压

高电平输出

电压

CMOS负载

高电平输出

电压

TTL负载

低电平输出

电压

CMOS负载

低电平输出

电压

TTL负载

输入漏

当前

静态器件

当前

其他静态

器件电流每

输入端子： 1机组负荷

三态泄漏

当前

注意：

3.对于双电源系统的理论最坏的情况下（V

I

= 2.4V, V

CC

= 5.5V ）规格1.8毫安。

I

CC

I

CC

（注3）

I

OZ

V

CC

to

GND

V

CC

or

GND

V

CC

-2.1

V

IL

or

V

IH

V

OL

V

IH

or

V

IL

V

IH

V

IL

V

OH

-

V

IH

or

V

IL

-

-0.02

4.5

5.5

4.5

5.5

4.5

2

-

4.4

-

0.8

-

2

-

4.4

-

0.8

-

2

-

4.4

-

0.8

-

V

符号

V

I

(V)

I

O

（毫安）V

CC

(V)

民

25

o

C

典型值

最大

-40

o

C至85

o

C

民

最大

-55

o

C至125

o

C

民

最大

单位

-4

4.5

3.98

-

3.84

-

3.7

-

V

0.02

4.5

-

0.1

-

0.1

-

0.1

V

4

4.5

-

0.26

-

0.33

-

0.4

V

0

-

5.5

4.5

5.5

-

100

±0.1

8

360

-

±1

80

450

-

±1

160

490

A

V

O

=

V

CC

or

GND

-

±0.5

-

±5.0

-

±10

A

HCT输入负载表

输入

OE1

所有其他

单位负载

0.6

0.55

注：机组负荷为

I

CC

在直流电气限制特定网络版

特定网络阳离子表，例如，最大360μA 25

o

C.

交换特定网络阳离子

输入吨

r

, t

f

= 6ns的

25

o

C

V

CC

(V)

2

4.5

6

C

L

= 15pF的

5

典型值

最大

-40

o

C至85

o

C

最大

-55

o

C到

125

o

C

最大

单位

参数

HC类型

传播延迟，

数据输出

HC/HCT367

符号

TEST

条件

t

PLH

, t

PHL

C

L

= 50pF的

-

8

105

21

18

-

130

26

24

-

160

32

27

-

ns

5

CD54 / 74HC367 ， CD54 / 74HCT367 ，

CD54 / 74HC368 ， CD74HCT368

从哈里斯半导体数据表收购

SCHS181D

1997年11月 - 修订2003年10月

高速CMOS逻辑六角缓冲器/线路驱动器，

三态非反相和反相

订购信息

产品型号

TEMP 。 RANGE

(

o

C)

-55至125

包

16 Ld的CERDIP

16 Ld的PDIP

16 Ld的SOIC

16 Ld的PDIP

16 Ld的SOIC

16 Ld的PDIP

16 Ld的SOIC

16 Ld的PDIP

16 Ld的SOIC

特点

缓冲输入

[ /标题

(CD74

HC367

,

CD74

HCT36

7,

CD74

HC368

,

CD74

HCT36

8)

/子

拍摄对象

（高

速度

高电流总线驱动器输出

两个独立的三态使能控制

典型传播延迟吨

PLH

, t

PHL

=在V为8ns

CC

= 5V,

C

L

= 15pF的，T

A

= 25

o

C

扇出（整个温度范围内）

- 标准输出。。。。。。。。。。。。。。。 10输入通道负载

- 公交驱动器输出。。。。。。。。。。。。。 15输入通道负载

宽工作温度范围。。。 -55

o

C至125

o

C

平衡传输延迟和转换时间

显着的功耗相比减少LSTTL

逻辑IC

HC类型

- 2V至6V工作

- 高抗噪性：不适用

IL

= 30%, N

IH

的V = 30 ％

CC

在V

CC

= 5V

HCT类型

- 4.5V至5.5V工作电压

- 直接输入通道输入逻辑兼容，

V

IL

= 0.8V （最大值），V

IH

= 2V （最小值）

- CMOS兼容输入，我

l

≤

1μA在V

OL

, V

OH

CD54HC367F3A

CD54HC368F3A

CD54HCT367F3A

CD74HC367E

CD74HC367M

CD74HC367MT

CD74HC367M96

CD74HC368E

CD74HC368M

CD74HC368MT

CD74HC368M96

CD74HCT367E

CD74HCT367M

CD74HCT367MT

CD74HCT367M96

CD74HCT368E

CD74HCT368M

CD74HCT368MT

CD74HCT368M96

注：订货时，使用整个零件编号。该SUF科幻×96

表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示的小批量卷轴

250.

描述

在“ HC367 ” HCT367 ， “ HC368和CD74HCT368硅栅

CMOS三态缓冲器是通用的高速

非反相和反相缓冲器。它们具有高驱动电流

租金产出这使即使在高速运转

驾驶大型客车电容。这些电路具有低

CMOS电路的功耗，还具有速度compara-

竹叶提取低功耗肖特基TTL电路。这两种电路都能够

驱动多达15个低功率肖特基输入。

的“ HC367和' HCT367都是非反相缓冲器，而

在“ HC368和CD74HCT368是反相缓冲器。这些

器件具有两个输出使能，一个使能（ OE1 ）控制4

盖茨和其他（ OE2 ）控制，其余2门。

在“ HCT367和CD74HCT368逻辑系列是速度快，功能

化和引脚与标准LS逻辑系列兼容。

注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。

版权

2003年，德州仪器

1

CD54 / 74HC367 ， CD54 / 74HCT367 ， CD54 / 74HC368 ， CD74HCT368

引脚配置

CD54HC367 ， CD54HCT367

（ CERDIP ）

CD74HC367 ， CD74HCT367

（ PDIP ， SOIC ）

顶视图

OE1 1

1A 2

1Y 3

2A 4

2Y 5

3A 6

3Y 7

GND 8

16 V

CC

15 OE2

14 6A

13 6Y

12 5A

11 5Y

10 4A

9 4Y

CD54HC368

（ CERDIP ）

CD74HC368 ， CD74HCT368

（ PDIP ， SOIC ）

顶视图

OE1 1

1A 2

1Y 3

2A 4

2Y 5

3A 6

3Y 7

GND 8

16 V

CC

15 OE2

14 6A

13 6Y

12 5A

11 5Y

10 4A

9 4Y

功能图

HC367 ， HCT367

1

HC368 ， CD74HCT368

OE1

16

V

CC

OE2

6A

OE1

16

V

CC

1A

1Y

2

3

15

14

1A

1Y

2

3

15

14

OE2

6A

2A

2Y

4

13

6Y

2A

2Y

3A

4

5

6

13

6Y

5

6

12

5A

12

5A

3A

7

11

10

5Y

4A

11

10

5Y

4A

3Y

GND

7

8

GND

8

9

4Y

9

4Y

真值表

输出

(Y)

A

L

H

X

HC/HCT367

L

H

(Z)

HC/HCT368

H

L

(Z)

输入

OE

L

H

H =高电压等级

L =低电压等级

X =无关

Z =高阻抗状态（OFF）

2

CD54 / 74HC367 ， CD54 / 74HCT367 ， CD54 / 74HC368 ， CD74HCT368

逻辑图

V

CC

16

作者六个相同的电路ONE

2

1A

3

1Y

（注1 ）

GND

8

1

OE1

4

15

OE2

6

3A

10

4A

12

5A

14

6A

7

3Y

9

4Y

11

5Y

13

6Y

2A

5

2Y

注意：

1.逆变器不包括在HC / HCT367

图1.逻辑框图中的HC / HCT367和HC / HCT368 （输出， HC / HCT367是补充

所示的那些，即， 1Y ， 2Y等）

3

CD54 / 74HC367 ， CD54 / 74HCT367 ， CD54 / 74HC368 ， CD74HCT368

绝对最大额定值

直流电源电压，V

CC

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.5V至7V

DC输入二极管电流，I

IK

对于V

I

< -0.5V或V

I

＆ GT ; V

CC

+ 0.5V

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 ± 20毫安

DC输出二极管电流，I

OK

对于V

O

< -0.5V或V

O

＆ GT ; V

CC

+ 0.5V

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 ± 20毫安

直流漏电流，每个输出，我

O

为-0.5V < V

O

＆ LT ; V

CC

+ 0.5V.

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 ± 35毫安

DC V

CC

或接地电流，I

CC

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 ± 50毫安

热信息

热电阻（典型，注2 ）

θ

JA

(

o

C / W ）

E（ PDIP ）封装。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

67

M（ SOIC ）封装。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

73

最高结温。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 150

o

C

最大存储温度范围。。。。。。。。。。 -65

o

C至150

o

C

最大的铅温度（焊接10秒）。。。。。。。。。。。。。 300

o

C

（ SOIC - 只会提示）

工作条件

温度范围，T

A

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55

o

C至125

o

C

电源电压范围，V

CC

HC类型。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 .2V至6V

HCT类型。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 .4.5V至5.5V

DC输入或输出电压，V

I

, V

O

。。。。。。。。。。。。。。。。。 0V至V

CC

输入上升和下降时间

2V 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。最大1000ns （最大值）

4.5V 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。为500ns （最大值）

6V 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。为400ns （最大值）

注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作

该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。

注意：

2.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。

直流电特定网络阳离子

TEST

条件

参数

HC类型

输入高电平

电压

V

IH

-

2

4.5

6

低电平输入

电压

V

IL

-

2

4.5

6

高电平输出

电压

CMOS负载

高电平输出

电压

TTL负载

低电平输出

电压

CMOS负载

低电平输出

电压

TTL负载

输入漏

当前

静态器件

当前

三态泄漏

当前

I

CC

I

OZ

V

CC

or

GND

V

CC

or

GND

V

IL

or

V

IH

V

OL

V

IH

or

V

IL

V

OH

V

IH

or

V

IL

-0.02

-6

-7.8

0.02

6

7.8

-

0

V

O

=

V

CC

or

GND

2

4.5

6

4.5

6

2

4.5

6

4.5

6

1.5

3.15

4.2

-

1.9

4.4

5.9

3.98

5.48

-

0.5

1.35

1.8

-

0.1

0.26

±0.1

8

±0.5

1.5

3.15

4.2

-

1.9

4.4

5.9

3.84

5.34

-

0.5

1.35

1.8

-

0.1

0.33

±1

80

±5.0

1.5

3.15

4.2

-

1.9

4.4

5.9

3.7

5.2

-

0.5

1.35

1.8

-

0.1

0.4

±1

160

±10

V

A

符号

V

I

(V)

I

O

（毫安）V

CC

(V)

民

25

o

C

典型值

最大

-40

o

C至85

o

C

民

最大

-55

o

C至125

o

C

民

最大

单位

4

CD54 / 74HC367 ， CD54 / 74HCT367 ， CD54 / 74HC368 ， CD74HCT368

直流电特定网络阳离子

（续）

TEST

条件

参数

HCT类型

输入高电平

电压

低电平输入

电压

高电平输出

电压

CMOS负载

高电平输出

电压

TTL负载

低电平输出

电压

CMOS负载

低电平输出

电压

TTL负载

输入漏

当前

静态器件

当前

其他静态

器件电流每

输入端子： 1机组负荷

三态泄漏

当前

注意：

3.对于双电源系统的理论最坏的情况下（V

I

= 2.4V, V

CC

= 5.5V ）规格1.8毫安。

I

CC

I

CC

（注3）

I

OZ

V

CC

to

GND

V

CC

or

GND

V

CC

-2.1

V

IL

or

V

IH

V

OL

V

IH

or

V

IL

V

IH

V

IL

V

OH

-

V

IH

or

V

IL

-

-0.02

4.5

5.5

4.5

5.5

4.5

2

-

4.4

-

0.8

-

2

-

4.4

-

0.8

-

2

-

4.4

-

0.8

-

V

符号

V

I

(V)

I

O

（毫安）V

CC

(V)

民

25

o

C

典型值

最大

-40

o

C至85

o

C

民

最大

-55

o

C至125

o

C

民

最大

单位

-4

4.5

3.98

-

3.84

-

3.7

-

V

0.02

4.5

-

0.1

-

0.1

-

0.1

V

4

4.5

-

0.26

-

0.33

-

0.4

V

0

-

5.5

4.5

5.5

-

100

±0.1

8

360

-

±1

80

450

-

±1

160

490

A

V

O

=

V

CC

or

GND

-

±0.5

-

±5.0

-

±10

A

HCT输入负载表

输入

OE1

所有其他

单位负载

0.6

0.55

注：机组负荷为

I

CC

在直流电气限制特定网络版

特定网络阳离子表，例如，最大360μA 25

o

C.

交换特定网络阳离子

输入吨

r

, t

f

= 6ns的

25

o

C

V

CC

(V)

2

4.5

6

C

L

= 15pF的

5

典型值

最大

-40

o

C至85

o

C

最大

-55

o

C到

125

o

C

最大

单位

参数

HC类型

传播延迟，

数据输出

HC/HCT367

符号

TEST

条件

t

PLH

, t

PHL

C

L

= 50pF的

-

8

105

21

18

-

130

26

24

-

160

32

27

-

ns

5