CD74HC365 -Q1 ， CD74HC366 -Q1 ， CD74HCT365 -Q1
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SCHS382 - 2010年1月
高速CMOS逻辑六角缓冲器/线路驱动器，三态非反相
和反相
检查样品：
CD74HC365 -Q1 ， CD74HC366 -Q1 ， CD74HCT365 -Q1
1
特点
通过汽车应用认证
缓冲输入
高电流总线驱动器输出
典型传播延迟吨
PLH
, t
PHL
=在为8ns
V
CC
= 5V ，C
L
= 15pF的，T
A
= 25°C
扇出（整个温度范围内）
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15
输入通道负载
工作温度范围宽。 。 。 -40°C
至125℃
平衡传输延迟和过渡
时
显著降低功耗相比
LSTTL逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性：不适用
IL
= 30%, N
IH
= 30%
V的
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
4.5V至5.5V的操作
- 直接输入通道输入逻辑兼容，
V
IL
= 0.8V （最大值） ，V
IH
= 2V （最小值）
- CMOS兼容输入，金正日
≤
电流1mA V
OL
,
V
OH
包
（ TOP VIEW ）
描述
该CD74HC365 -Q1 ， CD74HC366 -Q1和CD74HCT365 -Q1硅栅CMOS三态缓冲器一般
用高速非反相和反相缓冲器。它们具有高驱动电流输出这使高
驾驶大型客车电容即使在高速运转。这些电路具有低功耗
CMOS电路，还具有速度相媲美的低功率肖特基TTL电路。这两种电路都能够
驱动多达15个低功率肖特基输入。
该CD74HC365 - Q1和CD74HCT365 - Q 1是非反相缓冲器，而CD74HC366 - Q1是
反相缓冲器。这些器件具有两个三态控制输入（ OE1和OE2 ），这是接异在一起
控制所有的6门。
在“ HCT365 -Q1逻辑系列是速度快，功能和引脚与标准LS逻辑系列兼容。
订购信息
(1)
T
A
-40_C到125_C
SOIC - D
包
(2)
2500卷
订购型号
CD74HC366QDRQ1
CD74HC365QDRQ1
CD74HCT365QDRQ1
(1)
(2)
顶部端标记
HC366Q
产品预览
产品预览
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
www.ti.com 。
包装图纸，热数据和符号可在
www.ti.com/packaging 。
1
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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功能图
CD74HC365 -Q1 ， CD74HCT365 -Q1
CD74HC366-Q1
真值表
(1)
输入
OE1
L
L
X
H
(1)
OE2
L
L
H
X
A
L
H
X
X
输出
(Y)
HC/HCT365
L
H
Z
Z
HC366
H
L
Z
Ζ
H =高电压等级
L =低电压等级
X =无关
Z =高阻抗状态（OFF）
2
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逻辑图
注：逆变器不包括在CD74HC365 -Q1 ， CD74HCT365 -Q1
图1.逻辑图的HC / HCT365和HC366
（对于HC / HCT365产出是显示的补充，也就是说， 1Y ， 2Y ，等等）
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绝对最大额定值
(1)
参数
V
CC
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
ESD
直流电源电压
DC输入二极管电流，
DC输出二极管电流
每路输出直流漏电流
DC输出源或汇每路输出引脚电流
DC V
CC
或接地电流
人体模型
静电放电
闭锁
(1)
机器型号
Field_Induced_Charged设备型号
V
I
< -0.5V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
V
O
< -0.5V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
V
O
> -0.5V或V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5V
条件
价值
-0.5V至+ 7V
±20mA
±20mA
±35mA
±25mA
±50mA
1.5kV
200V
250V
I类
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
只和功能在这些或任何其他条件超出下所指示的设备的操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
热特性
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
参数
q
JA
J
T
T
英镑
热电阻（典型值）
(1)
民
D（ SOIC）封装
–65
（ SOIC - 只会提示）
最大
73
150
150
300
单位
° C / W
°C
°C
°C
最高结温
最大存储温度范围
最大的铅温度（焊接10秒）
(1)
封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
推荐工作条件
民
V
CC
V
I
V
O
T
A
电源电压
直流输入电压
直流输出电压
工作自由空气的温度
2V
输入上升和下降时间
4.5 V
6V
HC类型
HCT类型
2
4.5
0
0
–40
最大
6
5.5
V
CC
V
CC
125
1000
500
400
ns
单位
V
V
V
°C
4
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电气特性
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
参数
HC类型
2
V
IH
高电平输入电压
-
-
4.5
6
2
V
IL
低电平输入电压
-
-
4.5
6
2
CMOS
V
OH
高电平的输出
电压负载
TTL
V
IH
或V
IL
-6
-7.8
0.02
V
IH
或V
IL
TTL
I
I
I
CC
I
OZ
输入漏电流
静态电流器件
三态泄漏电流
V
CC
或GND
V
CC
或GND
V
IH
或V
IL
6
7.8
-
0
V
O
= V
CC
或GND
-
-
-0.02
-4
0.02
4
-
0
-
V
O
= V
CC
或GND
-0.02
4.5
6
4.5
6
2
CMOS
V
OL
低电平输出
电压负载
4.5
6
4.5
6
6
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
±0.1
8
±0.5
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
±1
160
±10
mA
mA
mA
V
V
V
V
测试条件
V
I
(V)
I
O
（MA ）
V
CC
(V)
25°C
民
典型值
最大
-40°C至125°C
民
最大
单位
HCT类型
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
I
I
CC
ΔI
CC
I
OZ
(1)
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平的输出
电压负载
低电平输出
电压负载
输入漏电流
静态电流器件
额外的静态器件
目前每个输入引脚： 1个单位负载
(1)
三态泄漏电流
CMOS
TTL
CMOS
TTL
-
-
V
IH
或V
IL
V
IH
或V
IL
V
CC
或GND
V
CC
或GND
V
CC
- 2.1
V
IH
或V
IL
4.5 5.5
4.5 5.5
4.5
4.5
4.5
4.5
5.5
5.5
4.5 5.5
5.5
2
-
4.4
3.98
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
100
-
-
0.8
-
-
0.1
0.26
±0.1
8
360
±0.5
2
-
4.4
3.7
-
-
-
-
-
-
-
0.8
-
-
0.1
0.4
±1
160
490
±10
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
对于双电源系统的理论最坏的情况下（V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V ）规格1.8毫安。
HCT输入负载
输入
OE1
所有其他
单位负载
0.6
0.55
2010 ，德州仪器
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5
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