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CD54HC283 , CD74HC283 ,
CD54HCT283 , CD74HCT283
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS176D
1997年11月 - 修订2003年10月
高速CMOS逻辑器件
4位二进制全加器与快速进
描述
在“ HC283和” HCT283二进制全加器加两个4位
二进制数,并产生了进位,如果总和
超过15 。
因为加法函数的对称性,该装置
可以全部是高电平有效操作数可以使用(正
逻辑)或与所有低电平有效的操作数(负逻辑) 。当
使用正逻辑的进位输入必须连接到低电平,如果有
没有随身携带而定。
特点
将两个二进制数
[ /标题
(CD74
HC283
,
CD74
HCT28
3)
/子
拍摄对象
(高
速度
CMOS
逻辑
4-Bit
二进制
加法器
全内置前瞻
快速脉动进的经济扩张
有正面和负逻辑进行操作
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC283F3A
CD54HCT283F3A
CD74HC283E
CD74HC283M
CD74HC283MT
CD74HC283M96
CD74HCT283E
CD74HCT283M
CD74HCT283MT
CD74HCT283M96
TEMP 。 RANGE (
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF科幻×96
表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示的小批量卷轴
250.
引脚
CD54HC283 , CD54HCT283
( CERDIP )
CD74HC283 , CD74HCT283
( PDIP , SOIC )
顶视图
S1 1
B1 2
A1 3
S0 4
A0 5
B0 6
C
IN
7
GND 8
16 V
CC
15 B2
14 A2
13 S2
12 A3
11 B3
10 S3
9 C
OUT
工作原理图
A0
B0
A1
B1
A2
B2
A3
B3
C
IN
5
6
3
2
14
15
12
11
7
9
C
OUT
GND = 8
V
CC
= 16
10
S3
13
1
4
S0
S1
S2
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD54HC283 , CD74HC283 , CD54HCT283 , CD74HCT283
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流,每个输出,我
O
为-0.5V < V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻(典型值,注1 )
θ
JA
(
o
C / W )
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
67
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
73
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围,T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
I
I
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
-
4
5.2
-
0
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
8
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
80
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
160
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
符号
V
I
(V)
I
O
(MA )
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
2
CD54HC283 , CD74HC283 , CD54HCT283 , CD74HCT283
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
注意:
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IL
或V
IH
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
V
I
(V)
I
O
(MA )
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
V
CC
(V)
V
OH
V
IL
或V
IH
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
V
OL
V
IH
或V
IL
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
V
OL
V
IH
或V
IL
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
I
I
ICC
I
CC
(注2 )
V
CC
to
GND
V
CC
or
GND
V
CC
- 2.1
-
-
-
5.5
5.5
4.5
5.5
-
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
HCT输入负载表
输入
C
IN
B1 ,A1和A0
B0
B3, A3,A2 , B2的
单位负载
1.5
1
0.4
0.5
注:机组负荷为
I
CC
在直流电气限制特定网络版
特定网络阳离子表,例如,最大360μA 25
o
C.
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
TEST
条件
C
L
= 50pF的
25
o
C
V
CC
(V)
2
4.5
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
5
6
-
-
-
-
典型值
-
-
13
-
最大
160
32
-
27
-40
o
C到
85
o
C
-
-
-
-
最大
200
40
-
34
-55
o
C到
125
o
C
-
-
-
-
最大
240
48
-
41
单位
ns
ns
ns
ns
参数
HC类型
传播延迟
C
IN
到S0
符号
t
PLH ,
t
PHL
3
CD54HC283 , CD74HC283 , CD54HCT283 , CD74HCT283
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
(续)
25
o
C
V
CC
(V)
2
4.5
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
C
IN
到S2 ,C
IN
到C
OUT
t
PLH ,
t
PHL
C
L
= 50pF的
5
6
2
4.5
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
C
IN
TO S3
t
PLH ,
t
PHL
C
L
= 50pF的
5
6
2
4.5
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
一,BN为C
OUT
t
PLH ,
t
PHL
C
L
= 50pF的
5
6
2
4.5
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
一,BN来锡
t
PLH ,
t
PHL
C
L
= 50pF的
5
6
2
4.5
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
输出转换时间
t
TLH
, t
THL
C
L
= 50pF的
5
6
2
4.5
6
输入电容
功耗
电容(注3,4)
HCT类型
传播延迟
C
IN
到S0
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
C
IN
以S1
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
C
IN
到S2 ,C
IN
到C
OUT
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
C
IN
TO S3
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
一,BN为C
OUT
t
PLH
, t
PH
L
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
一,BN来锡
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
输出转换时间
t
TLH
, t
THL
C
L
= 50pF的
5
4.5
5
4.5
5
4.5
5
4.5
5
4.5
5
4.5
4.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
21
20
22
19
13
-
18
-
31
-
43
-
46
-
53
-
48
-
49
15
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
39
-
54
-
58
-
66
-
60
-
61
19
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
47
-
65
-
69
-
80
-
72
-
74
22
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
C
IN
C
PD
C
L
= 50pF的
-
-
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
15
-
-
-
16
-
-
-
19
-
-
-
16
-
-
-
18
-
-
-
-
-
70
最大
180
36
-
31
195
39
-
33
230
46
-
39
195
39
-
33
210
42
-
36
75
15
13
10
-
-40
o
C到
85
o
C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
225
45
-
38
245
49
-
42
290
58
-
49
245
49
-
42
265
53
-
45
95
19
16
10
-
-55
o
C到
125
o
C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
270
54
-
46
295
59
-
50
345
69
-
59
295
59
-
50
315
63
-
54
110
22
19
10
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
参数
C
IN
以S1
符号
t
PLH ,
t
PHL
TEST
条件
C
L
= 50pF的
4
CD54HC283 , CD74HC283 , CD54HCT283 , CD74HCT283
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
(续)
25
o
C
V
CC
(V)
-
5
-
-
典型值
-
82
最大
10
-
-40
o
C到
85
o
C
-
-
最大
10
-
-55
o
C到
125
o
C
-
-
最大
10
-
单位
pF
pF
参数
输入电容
功耗
电容(注3,4)
注意事项:
符号
C
IN
C
PD
TEST
条件
-
-
3. C
PD
被用于确定所述动态功耗,每包。
4. P
D
= V
CC2
f
i
(C
PD
+ C
L
)其中:f
i
=输入频率,C
L
=输出负载电容,V
CC
=电源电压。
测试电路和波形
t
r
= 6ns的
输入
90%
50%
10%
t
TLH
90%
50%
10%
t
PHL
t
PLH
t
f
= 6ns的
V
CC
输入
GND
t
THL
t
r
= 6ns的
2.7V
1.3V
0.3V
t
TLH
90%
反相
产量
t
PHL
t
PLH
1.3V
10%
t
f
= 6ns的
3V
GND
t
THL
反相
产量
图1. HC和HCU转换时间PROPAGA-
TION延迟时间的组合逻辑
图2. HCT过渡时间和传输
延迟时间的组合逻辑
5
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封装
单价/备注
操作
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    CD74HC283MTG4
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2355507163 复制 点击这里给我发消息 QQ:2355507165 复制

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