【1N4954 1N4996直通， 1N5968 1N5969通和1N6632 1N6637直通斯科茨】,IC型号CD74HC280M96,CD74HC280M96 PDF资料,CD74HC280M96经销商,ic,电子元器件-51电子网

1N4954 1N4996直通， 1N5968 1N5969通和

1N6632 1N6637直通

斯科茨代尔区划

无空隙，密闭

5 WATT玻璃齐纳二极管

描述

T

他的齐纳稳压器系列产品是军用符合MIL - PRF-

外形

WWW .

Microsemi的

.C

OM

三百五十六分之一万九千五百，是理想的高可靠性应用中的故障

不能被容忍的。这些行业公认的5瓦齐纳电压

稳压器是密封与无空隙的玻璃建筑用

内部的冶金结合。它包括齐纳的选择，从3.3到390

伏在确定了标准的5 ％的容差以及更严格的公差

不同的后缀字母上的零件号。它们也可用于提供

表面贴装封装（见直通单独的数据表的1N4954US

1N4996US ， 1N5968US通1N5969US和1N6632US直通1N6637US ）。

Microsemi的还提供了许多其他稳压产品，以满足更高

较低的额定功率在两个通孔和表面贴装封装。

重要提示：

有关最新资料，请咨询

Microsemi的

网址：

http://www.microsemi.com

“E”套餐

特点

热门JEDEC注册的系列

无空隙密封的玻璃封装

极其坚固的结构

三层钝化

内部的“类别

I”

冶金债券1N4954

直通1N4996和“类别

III”

对于直通1N6632

1N6637以及1N5968直通1N5959

JAN ， JANTX ， JANTXV ，并提供JANS每MIL-

PRF-19500/356

表面还可以在一个广场安装当量

端盖与“美”的后缀MELF配置（请参阅

单独的数据表1N4954US通1N4996US ，

1N6632US通1N6637US和1N5968US通

1N5969US

应用/优势

调节电压在很宽的工作电流和

温度范围

丰富的选择，从3.3到390 V

标准电压容差的正/负5 ％以

没有SUF科幻X

在加或减2％或1％的可用的紧密度容限

分别用C或D后缀

灵活的轴向引线安装端子

不敏感每MIL -STD -750方法1020 ESD

硬如Microsemi的描述本质辐射

MicroNote 050

最大额定值

工作温度： -65

o

C至+175

o

C.

存储温度： -65

o

C至+175

o

C.

功耗： 5瓦@ T

A

= 25

o

C

热电阻： 22

o

C / W交界处领导在3/8

寸（ 10mm）的自体为1N4954直通1N4996和

30

o

对于1N6632 1N6637直通， 1N5968通C / W

1N5969

在10毫秒的热阻抗： 1.8

o

对于1N4954 C / W

直通1N4996和3.0

o

无论是1N6632通C / W的

1N6637 1N5968 &直通1N5969

正向电压： 1.50 V电压1.0

机械及包装

案例：全密封无空隙硬玻璃

钨蛞蝓

终端负载：轴向引线的锡/铅（Sn / Pb计）

铜缆除了JANS固体银（Ag ）和

没有完成

标志：车身油漆和零件号等

极性：负极指示的带

磁带&卷轴选项：每标准EIA -296

重量： 750毫克

1N4954 1N4996直通

1N5968 1N5969直通

1N6632 1N6637直通

版权

2005

2005年2月4日REV C

Microsemi的

斯科茨代尔区划

8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ，（ 480 ） 941-6300 ，传真：（ 480 ） 947-1503

第1页

1N4954 1N4996直通， 1N5968 1N5969通和

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无空隙，密闭

5 WATT玻璃齐纳二极管

WWW .

Microsemi的

.C

OM

电气特性@ 25

o

C

类型*

公称

齐纳

电压

V

Z

@

I

ZT

伏

TEST

当前

最大齐纳

阻抗

Z

@

Z

ZK

*

@

I

ZT

I

ZK

=1mA

欧

电压

规

（注1 ）

V

Z

伏

最大反向

漏电流

电压

最大

温度

COEFF 。

α

VZ

@

I

ZT

%/ C

o

I

R

A

300

250

175

25

20

5

5000

1000

150

100

50

25

10

5

2

V

R

伏

I

ZT

mA

最大

连续

当前

浪涌

当前

I

ZM

mA

I

ZSM

安培

1N6632

1N6633

1N6634

1N6635

1N6636

1N6637

1N5968

1N5969

1N4954

1N4955

1N4956

1N4957

1N4958

1N4959

1N4960

1N4961

1N4962

1N4963

1N4964

1N4965

1N4966

1N4967

1N4968

1N4969

1N4970

1N4971

1N4972

1N4973

1N4974

1N4975

1N4976

1N4977

1N4978

1N4979

1N4980

1N4981

1N4982

1N4983

1N4984

1N4985

1N4986

1N4987

1N4988

1N4989

1N4990

1N4991

1N4992

1N4993

1N4994

1N4995

1N4996

3.3

3.6

3.9

4.3

4.7

5.1

5.6

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

10.0

11

12

13

15

16

18

20

22

24

27

30

33

36

39

43

47

51

56

62

68

75

82

91

100

110

120

130

150

160

180

200

220

240

270

300

330

360

390

380

350

320

290

260

240

220

175

150

125

100

75

65

50

40

30

25

20

15

12

10

8

5

4

3

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

4.5

5.0

6.0

8

10

11

14

20

25

27

35

42

50

55

80

90

110

125

170

190

330

350

450

500

550

650

800

950

1175

1400

1800

500

450

400

1000

800

600

400

125

130

140

145

150

155

160

165

170

175

180

190

200

220

230

240

250

270

320

400

500

620

720

760

800

1000

1150

1250

1500

1650

1750

1850

2000

2050

2100

2150

2200

2300

2500

0.90

0.80

0.75

0.70

0.60

0.50

0.4

0.5

0.7

0.8

0.9

1.0

1.1

1.2

1.5

1.8

2.0

2.5

2.8

3.0

3.3

3.5

4.0

4.4

5.0

5.5

6.0

6.6

7.5

8.0

9.0

10

11

13

14

16

18

19

22

25

28

32

35

40

1.0

4.28

4.74

5.2

5.7

6.2

6.9

7.6

8.4

9.1

9.9

11.4

12.2

13.7

15.2

16.7

18.2

20.6

22.8

25.1

27.4

29.7

32.7

35.8

38.8

42.6

47.1

51.7

56.0

62.2

69.2

76.0

83.6

91.2

98.8

114.0

121.6

136.8

152

167

182

206

228

251

274

297

-.075

-.070

-.060

-.050

+/-.025

+/-.030

.04

.05

.06

.07

.08

.085

.090

.095

.100

.105

.110

.115

.120

1440

1320

1220

1100

1010

930

865

765

700

630

580

520

475

430

395

365

315

294

264

237

216

198

176

158

144

132

122

110

100

92

84

76

70

63.0

58.0

52.5

47.5

43.0

39.5

36.6

31.6

29.4

26.4

23.6

21.6

19.8

17.5

15.6

14.4

13.0

12.0

20.0

18.7

17.6

16.4

15.3

14.4

20

29.3

26.4

24

22

20

19

18

16

12

10

9.0

8.0

7.0

6.5

6.0

5.5

5.0

4.5

4.0

3.5

3.2

3.0

2.8

2.5

2.2

2.0

1.8

1.6

1.4

1.2

1.00

0.80

0.75

0.70

0.60

0.50

0.40

0.35

0.30

0.25

0.22

0.20

1N4954 1N4996直通

1N5968 1N5969直通

1N6632 1N6637直通

*I

ZK

= 5毫安1N5968

注1 ：最大电压变化

V

Z

与我10 ％

ZM

和我50 ％

ZM

版权

2005

2005年2月4日REV C

Microsemi的

斯科茨代尔区划

8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ，（ 480 ） 941-6300 ，传真：（ 480 ） 947-1503

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1N4954 1N4996直通， 1N5968 1N5969通和

1N6632 1N6637直通

斯科茨代尔区划

无空隙，密闭

5 WATT玻璃齐纳二极管

符号

V

Z

I

Z

, I

ZT

, I

ZK

Z

ZT

或Z

ZK

V

F

I

R

I

ZM

I

ZSM

符号定义&

德网络nition

齐纳电压：齐纳电压的器件将呈现在指定的电流（I

Z

）在其击穿区域。

稳压器电流：直流稳压电流（I

Z

），在指定的测试点（我

ZT

），或者接近击穿膝盖（我

ZK

).

动态阻抗：二极管的小信号阻抗时偏置在其击穿区域中操作

我在指定的RMS电流调制（通常为10 ％

ZT

还是我

ZK

）和叠加在我

ZT

还是我

ZK

分别。

最大正向电压：最大正向电压的器件将呈现在指定的电流。

最大反向电流：最大反向（漏）电流将流在指定的电压和

温度。

最大调节器（稳压）电流：最大额定直流电流为指定的额定功率。

最大齐纳浪涌电流：齐纳浪涌电流的非重复峰值在指定的波形。

WWW .

Microsemi的

.C

OM

图的

图1

功耗与LEAD

温度降额曲线

图2

澎湃动力与

持续飙升

1N4954 1N4996直通

1N5968 1N5969直通

1N6632 1N6637直通

科幻gure 3

典型的齐纳阻抗与

齐纳电流

版权

2005

2005年2月4日REV C

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无空隙，密闭

5 WATT玻璃齐纳二极管

WWW .

Microsemi的

.C

OM

包装尺寸

1N4954 1N4996直通

1N5968 1N5969直通

1N6632 1N6637直通

版权

2005

2005年2月4日REV C

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CD54HC280 ， CD74HC280 ，

CD54HCT280 ， CD74HCT280

从哈里斯半导体数据表收购

SCHS175D

1997年11月 - 修订2003年10月

高速CMOS逻辑器件

9位奇/偶校验发生器/校验器

描述

在“ HC280和” HCT280是9位奇/偶校验，生成

检查设备。偶数和奇数校验输出

可用于检查或产生奇偶校验字多达九个

位长。偶校验指示（ ΣE输出为高电平）时

偶数号码的数据输入端是高的。奇校验指示

（ ΣO输出为高电平）时的数据输入奇数是

高。奇偶校验的话大于9位可以是

通过捆绑的实现

ΣE

输出的任何输入

额外的HC / HCT280奇偶校验。

特点

[ /标题

(CD74

HC280

,

CD74

HCT28

0)

/子

拍摄对象

（高

速度

CMOS

逻辑

9-Bit

奇/ E

VEN

奇偶

典型传播延迟为17ns =在V

CC

= 5V,

C

L

= 15pF的，T

A

= 25

o

C

替换LS180型

轻松级联

扇出（整个温度范围内）

- 标准输出。。。。。。。。。。。。。。。 10输入通道负载

- 公交驱动器输出。。。。。。。。。。。。。 15输入通道负载

宽工作温度范围。。。 -55

o

C至125

o

C

平衡传输延迟和转换时间

显着的功耗相比减少LSTTL

逻辑IC

HC类型

- 2V至6V工作

- 高抗噪性：不适用

IL

= 30%, N

IH

的V = 30 ％

CC

在V

CC

= 5V

HCT类型

- 4.5V至5.5V工作电压

- 直接输入通道输入逻辑兼容，

V

IL

= 0.8V （最大值），V

IH

= 2V （最小值）

- CMOS兼容输入，我

l

≤

1μA在V

OL

, V

OH

订购信息

产品型号

CD54HC280F3A

CD54HCT280F3A

CD74HC280E

CD74HC280MT

CD74HC280M96

CD74HCT280E

TEMP 。 RANGE

(

o

C)

-55至125

包

14 Ld的CERDIP

14 Ld的PDIP

14 Ld的SOIC

14 Ld的PDIP

注：订货时，使用整个零件编号。该SUF科幻×96

表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示小批量卷轴

250 。

引脚

CD54HC280 ， CD54HCT280

（ CERDIP ）

CD74HC280

（ PDIP ， SOIC ）

CD74HCT280

（ PDIP ）

顶视图

I6 1

I7 2

NC 3

I8 4

ΣE

5

ΣO

6

7 GND

14 V

CC

13 I5

12 I4

工作原理图

I0

I1

I2

I3

I4

I5

I6

11 I3

10 I2

9 I1

8 I0

I7

I8

13

1

2

4

GND = 7

V

CC

= 14

NC = 3

8

9

10

5

11

12

6

∑

连

∑

ODD

注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。

版权

2003年，德州仪器

1

CD54HC280 ， CD74HC280 ， CD54HCT280 ， CD74HCT280

绝对最大额定值

直流电源电压，V

CC

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.5V至7V

DC输入二极管电流，I

IK

对于V

I

< -0.5V或V

I

＆ GT ; V

CC

+ 0.5V

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 ± 20毫安

DC输出二极管电流，I

OK

对于V

O

< -0.5V或V

O

＆ GT ; V

CC

+ 0.5V

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 ± 20毫安

直流漏电流，每个输出，我

O

为-0.5V < V

O

＆ LT ; V

CC

+ 0.5V.

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 ± 25毫安

每个输出引脚的直流输出源或灌电流，我

O

对于V

O

> -0.5V或V

O

＆ LT ; V

CC

+ 0.5V

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 ± 25毫安

DC V

CC

或接地电流，I

CC

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 ± 50毫安

热信息

热电阻（典型，注1）

θ

JA

(

o

C / W ）

E（ PDIP ）封装。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

80

M（ SOIC ）封装。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

86

最高结温。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 150

o

C

最大存储温度范围。。。。。。。。。。 -65

o

C至150

o

C

最大的铅温度（焊接10秒）。。。。。。。。。。。。。 300

o

C

（ SOIC - 只会提示）

工作条件

温度范围，T

A

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55

o

C至125

o

C

电源电压范围，V

CC

HC类型。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 .2V至6V

HCT类型。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 .4.5V至5.5V

DC输入或输出电压，V

I

, V

O

。。。。。。。。。。。。。。。。。 0V至V

CC

输入上升和下降时间

2V 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。最大1000ns （最大值）

4.5V 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。为500ns （最大值）

6V 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。为400ns （最大值）

注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作

该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。

注意：

1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。

直流电特定网络阳离子

TEST

条件

参数

HC类型

输入高电平

电压

V

IH

-

2

4.5

6

低电平输入

电压

V

IL

-

2

4.5

6

高电平输出

电压

CMOS负载

高电平输出

电压

TTL负载

低电平输出

电压

CMOS负载

低电平输出

电压

TTL负载

输入漏

当前

静态器件

当前

I

CC

V

CC

or

GND

V

CC

or

GND

V

OL

V

IH

or

V

IL

V

OH

V

IH

or

V

IL

-0.02

-4

-5.2

0.02

4

5.2

-

0

2

4.5

6

4.5

6

2

4.5

6

4.5

6

1.5

3.15

4.2

-

1.9

4.4

5.9

3.98

5.48

-

0.5

1.35

1.8

-

0.1

0.26

±0.1

8

1.5

3.15

4.2

-

1.9

4.4

5.9

3.84

5.34

-

0.5

1.35

1.8

-

0.1

0.33

±1

80

1.5

3.15

4.2

-

1.9

4.4

5.9

3.7

5.2

-

0.5

1.35

1.8

-

0.1

0.4

±1

160

V

A

符号

V

I

(V)

I

O

（毫安）V

CC

(V)

民

25

o

C

典型值

最大

-40

o

C至85

o

C

民

最大

-55

o

C至125

o

C

民

最大

单位

2

CD54HC280 ， CD74HC280 ， CD54HCT280 ， CD74HCT280

直流电特定网络阳离子

（续）

TEST

条件

参数

HCT类型

输入高电平

电压

低电平输入

电压

高电平输出

电压

CMOS负载

高电平输出

电压

TTL负载

低电平输出

电压

CMOS负载

低电平输出

电压

TTL负载

输入漏

当前

静态器件

当前

其他静态

器件电流每

输入端子： 1机组负荷

注意：

2.对于双电源系统的理论最坏的情况下（V

I

= 2.4V, V

CC

= 5.5V ）规格1.8毫安。

I

CC

I

CC

（注2 ）

V

CC

to

GND

V

CC

or

GND

V

CC

-2.1

V

OL

V

IH

or

V

IL

V

IH

V

IL

V

OH

-

V

IH

or

V

IL

-

-0.02

4.5

5.5

4.5

5.5

4.5

2

-

4.4

-

0.8

-

2

-

4.4

-

0.8

-

2

-

4.4

-

0.8

-

V

符号

V

I

(V)

I

O

（毫安）V

CC

(V)

民

25

o

C

典型值

最大

-40

o

C至85

o

C

民

最大

-55

o

C至125

o

C

民

最大

单位

-4

4.5

3.98

-

3.84

-

3.7

-

V

0.02

4.5

-

0.1

-

0.1

-

0.1

V

4

4.5

-

0.26

-

0.33

-

0.4

V

0

-

5.5

4.5

5.5

-

100

±0.1

8

360

-

±1

80

450

-

±1

160

490

A

HCT输入负载表

输入

所有

单位负载

1

注：机组负荷为

I

CC

在直流电气限制特定网络版

特定网络阳离子表，例如，最大360μA 25

o

C.

交换特定网络阳离子

输入吨

r

, t

f

= 6ns的

25

o

C

V

CC

(V)

典型值

最大

-40

o

C至85

o

C

最大

-55

o

C到

125

o

C

最大

单位

参数

HC类型

传播延迟，

任何输入到

ΣO

符号

TEST

条件

t

PLH

, t

PHL

C

L

= 50pF的

2

4.5

6

-

17

-

17

200

40

34

-

200

40

34

-

250

50

43

-

250

50

43

-

300

60

51

-

300

60

51

-

ns

C

L

= 15pF的

传播延迟，

任何输入到

ΣE

t

PLH

, t

PHL

C

L

= 50pF的

5

2

4.5

6

C

L

= 15pF的

5

3

CD54HC280 ， CD74HC280 ， CD54HCT280 ， CD74HCT280

交换特定网络阳离子

输入吨

r

, t

f

= 6ns的

（续）

25

o

C

V

CC

(V)

2

4.5

6

输入电容

功耗

电容

（注3,4）

HCT类型

传播延迟，

任何输入到

ΣO

传播延迟，

任何输入到

ΣE

输出转换时间

输入电容

功耗

电容

（注3,4）

注意事项：

3. C

PD

被用于确定所述动态功耗，每包。

4. P

D

= V

CC2

f

i

(C

PD

+ C

L

），其中F

i

=输入频率f

O

=输出频率，C

L

=输出负载电容，V

CC

=电源电压。

t

PLH

, t

PHL

C

L

= 50pF的

C

L

= 15pF的

t

PLH

, t

PHL

C

L

= 50pF的

C

L

= 15pF的

t

TLH

, t

THL

C

IN

C

PD

C

L

= 50pF的

-

4.5

5

4.5

5

4.5

-

5

-

19

-

18

-

58

45

-

42

-

15

10

-

56

-

53

-

19

10

-

68

-

63

-

22

10

-

ns

pF

C

I

C

PD

-

5

典型值

-

58

最大

75

15

13

10

-

-40

o

C至85

o

C

最大

95

19

16

10

-

-55

o

C到

125

o

C

最大

110

22

19

10

-

单位

ns

pF

参数

输出转换时间

符号

t

TLH

, t

THL

TEST

条件

C

L

= 50pF的

测试电路和波形

t

r

= 6ns的

输入

90%

50%

10%

t

TLH

90%

50%

10%

t

PHL

t

PLH

t

f

= 6ns的

V

CC

输入

GND

t

THL

t

r

= 6ns的

2.7V

1.3V

0.3V

t

TLH

90%

反相

产量

t

PHL

t

PLH

1.3V

10%

t

f

= 6ns的

3V

GND

t

THL

反相

产量

图1. HC过渡时间和传输

延迟时间的组合逻辑

图2. HCT过渡时间和传输

延迟时间的组合逻辑

4

重要通知

德州仪器（TI）及其附属公司（ TI）保留随时更正，修改，增强的权利，

改进或其它更改其产品和服务，在任何时间，停止任何产品或服务，恕不另行通知。

客户在下订单前应获取最新的相关信息，并验证这些信息是否是最新的，

完整的。所有产品的销售都遵循TI销售条款与在订单确认时所提供的条件。

其硬件产品的TI保证产品性能在销售时按照TI的时间规范

标准保修。测试及其它质量控制技术被用于TI认为有必要支持这项程度

质保。除非政府做出了硬性规定，每种产品的所有参数进行测试不一定

进行。

TI对应用帮助或客户产品设计不承担任何责任。客户有责任为他们的产品和

使用TI组件的应用程序。为尽量减小与客户产品和应用，客户应该带来的风险

提供充分的设计与操作安全措施。

TI不保证或表示任何许可，无论明示或暗示，在任何TI专利权，版权，屏蔽批

工作的权利，或与之有关的任何组合，机器或流程等TI知识产权中， TI的产品或服务

被使用。对于第三方产品或服务通过TI发布的信息，不能构成从TI许可使用这种

产品或服务或者保证或认可。使用此类信息可能需要下从第三方的许可

该专利或第三方的其他知识产权，或从TI的专利权或TI的其它知识产权的许可。

对于TI的数据手册或数据表中复制信息是允许的，只要还原度没有改变，是

带有相关授权，条件，限制和声明。这些信息与变更再现是一种

不公平和欺诈性商业行为。 TI是不负责或承担此类篡改过的文件。

TI产品或服务的使用或超出TI针对该产品或服务规定的参数声明不同的转售

所有的空隙，并表示对相关TI产品或服务的任何默示保证，是一种不公平，欺诈性商业

实践中。 TI是不负责或承担任何此类陈述。

TI产品未被授权用于安全关键型应用（如生命支持）使用，其中TI产品的失败会

合理预期造成严重的人身伤害或死亡，除非各方人员签订的协议

专门管理此类用途。购房者表示，他们拥有所有必要的专业知识，在安全性和可能产生的后果

其申请，并承认和同意，他们全权负责所有的法律，法规和安全相关的

关于其产品的任何使用TI产品在此类关键安全应用中，即使有任何要求

应用程序相关的信息，或者可能由TI提供了支持。此外，购买者必须全额赔偿TI及其

代表因在此类关键安全应用中使用TI产品的任何损失。

TI产品并非设计或专门用于军事/航空应用，以及除非TI的产品环境中使用

由TI专门指定由TI指定的军用产品才满足军用军用级或"enhanced plastic."只产品

规格。购买者认可并同意，任何此类使用TI产品而TI未指定为军用级是

仅在买方的风险，他们全权负责遵守所有法律和法规要求

此类相关使用。

TI产品并非设计或专门用于汽车，除非特定的TI产品的应用或环境

由TI指定为符合ISO / TS 16949的要求。购买者认可并同意，如果他们使用任何

在汽车应用中的非指定产品，TI将不承担任何未能满足这些要求。

以下是URL地址以获取有关其它TI产品和应用解决方案的信息：

制品

放大器器

数据转换器

DSP

接口

逻辑

电源管理

微控制器

低功耗

无线

amplifier.ti.com

dataconverter.ti.com

dsp.ti.com

interface.ti.com

logic.ti.com

power.ti.com

microcontroller.ti.com

www.ti.com/lpw

应用

音频

汽车

宽带

数字控制

军事

光网络

安全

电话

视频&影像

无线

www.ti.com/audio

www.ti.com/automotive

www.ti.com/broadband

www.ti.com/digitalcontrol

www.ti.com/military

www.ti.com/opticalnetwork

www.ti.com/security

www.ti.com/telephony

www.ti.com/video

www.ti.com/wireless

邮寄地址：德州仪器，邮政信箱655303 ，达拉斯，德克萨斯州75265

2007 ，德州仪器

CD54HC280 ， CD74HC280 ，

CD54HCT280 ， CD74HCT280

从哈里斯半导体数据表收购

SCHS175D

1997年11月 - 修订2003年10月

高速CMOS逻辑器件

9位奇/偶校验发生器/校验器

描述

在“ HC280和” HCT280是9位奇/偶校验，生成

检查设备。偶数和奇数校验输出

可用于检查或产生奇偶校验字多达九个

位长。偶校验指示（ ΣE输出为高电平）时

偶数号码的数据输入端是高的。奇校验指示

（ ΣO输出为高电平）时的数据输入奇数是

高。奇偶校验的话大于9位可以是

通过捆绑的实现

ΣE

输出的任何输入

额外的HC / HCT280奇偶校验。

特点

[ /标题

(CD74

HC280

,

CD74

HCT28

0)

/子

拍摄对象

（高

速度

CMOS

逻辑

9-Bit

奇/ E

VEN

奇偶

典型传播延迟为17ns =在V

CC

= 5V,

C

L

= 15pF的，T

A

= 25

o

C

替换LS180型

轻松级联

扇出（整个温度范围内）

- 标准输出。。。。。。。。。。。。。。。 10输入通道负载

- 公交驱动器输出。。。。。。。。。。。。。 15输入通道负载

宽工作温度范围。。。 -55

o

C至125

o

C

平衡传输延迟和转换时间

显着的功耗相比减少LSTTL

逻辑IC

HC类型

- 2V至6V工作

- 高抗噪性：不适用

IL

= 30%, N

IH

的V = 30 ％

CC

在V

CC

= 5V

HCT类型

- 4.5V至5.5V工作电压

- 直接输入通道输入逻辑兼容，

V

IL

= 0.8V （最大值），V

IH

= 2V （最小值）

- CMOS兼容输入，我

l

≤

1μA在V

OL

, V

OH

订购信息

产品型号

CD54HC280F3A

CD54HCT280F3A

CD74HC280E

CD74HC280MT

CD74HC280M96

CD74HCT280E

TEMP 。 RANGE

(

o

C)

-55至125

包

14 Ld的CERDIP

14 Ld的PDIP

14 Ld的SOIC

14 Ld的PDIP

注：订货时，使用整个零件编号。该SUF科幻×96

表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示小批量卷轴

250 。

引脚

CD54HC280 ， CD54HCT280

（ CERDIP ）

CD74HC280

（ PDIP ， SOIC ）

CD74HCT280

（ PDIP ）

顶视图

I6 1

I7 2

NC 3

I8 4

ΣE

5

ΣO

6

7 GND

14 V

CC

13 I5

12 I4

工作原理图

I0

I1

I2

I3

I4

I5

I6

11 I3

10 I2

9 I1

8 I0

I7

I8

13

1

2

4

GND = 7

V

CC

= 14

NC = 3

8

9

10

5

11

12

6

∑

连

∑

ODD

注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。

版权

2003年，德州仪器

1

CD54HC280 ， CD74HC280 ， CD54HCT280 ， CD74HCT280

绝对最大额定值

直流电源电压，V

CC

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.5V至7V

DC输入二极管电流，I

IK

对于V

I

< -0.5V或V

I

＆ GT ; V

CC

+ 0.5V

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 ± 20毫安

DC输出二极管电流，I

OK

对于V

O

< -0.5V或V

O

＆ GT ; V

CC

+ 0.5V

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 ± 20毫安

直流漏电流，每个输出，我

O

为-0.5V < V

O

＆ LT ; V

CC

+ 0.5V.

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 ± 25毫安

每个输出引脚的直流输出源或灌电流，我

O

对于V

O

> -0.5V或V

O

＆ LT ; V

CC

+ 0.5V

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 ± 25毫安

DC V

CC

或接地电流，I

CC

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 ± 50毫安

热信息

热电阻（典型，注1）

θ

JA

(

o

C / W ）

E（ PDIP ）封装。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

80

M（ SOIC ）封装。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

86

最高结温。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 150

o

C

最大存储温度范围。。。。。。。。。。 -65

o

C至150

o

C

最大的铅温度（焊接10秒）。。。。。。。。。。。。。 300

o

C

（ SOIC - 只会提示）

工作条件

温度范围，T

A

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55

o

C至125

o

C

电源电压范围，V

CC

HC类型。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 .2V至6V

HCT类型。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 .4.5V至5.5V

DC输入或输出电压，V

I

, V

O

。。。。。。。。。。。。。。。。。 0V至V

CC

输入上升和下降时间

2V 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。最大1000ns （最大值）

4.5V 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。为500ns （最大值）

6V 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。为400ns （最大值）

注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作

该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。

注意：

1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。

直流电特定网络阳离子

TEST

条件

参数

HC类型

输入高电平

电压

V

IH

-

2

4.5

6

低电平输入

电压

V

IL

-

2

4.5

6

高电平输出

电压

CMOS负载

高电平输出

电压

TTL负载

低电平输出

电压

CMOS负载

低电平输出

电压

TTL负载

输入漏

当前

静态器件

当前

I

CC

V

CC

or

GND

V

CC

or

GND

V

OL

V

IH

or

V

IL

V

OH

V

IH

or

V

IL

-0.02

-4

-5.2

0.02

4

5.2

-

0

2

4.5

6

4.5

6

2

4.5

6

4.5

6

1.5

3.15

4.2

-

1.9

4.4

5.9

3.98

5.48

-

0.5

1.35

1.8

-

0.1

0.26

±0.1

8

1.5

3.15

4.2

-

1.9

4.4

5.9

3.84

5.34

-

0.5

1.35

1.8

-

0.1

0.33

±1

80

1.5

3.15

4.2

-

1.9

4.4

5.9

3.7

5.2

-

0.5

1.35

1.8

-

0.1

0.4

±1

160

V

A

符号

V

I

(V)

I

O

（毫安）V

CC

(V)

民

25

o

C

典型值

最大

-40

o

C至85

o

C

民

最大

-55

o

C至125

o

C

民

最大

单位

2

CD54HC280 ， CD74HC280 ， CD54HCT280 ， CD74HCT280

直流电特定网络阳离子

（续）

TEST

条件

参数

HCT类型

输入高电平

电压

低电平输入

电压

高电平输出

电压

CMOS负载

高电平输出

电压

TTL负载

低电平输出

电压

CMOS负载

低电平输出

电压

TTL负载

输入漏

当前

静态器件

当前

其他静态

器件电流每

输入端子： 1机组负荷

注意：

2.对于双电源系统的理论最坏的情况下（V

I

= 2.4V, V

CC

= 5.5V ）规格1.8毫安。

I

CC

I

CC

（注2 ）

V

CC

to

GND

V

CC

or

GND

V

CC

-2.1

V

OL

V

IH

or

V

IL

V

IH

V

IL

V

OH

-

V

IH

or

V

IL

-

-0.02

4.5

5.5

4.5

5.5

4.5

2

-

4.4

-

0.8

-

2

-

4.4

-

0.8

-

2

-

4.4

-

0.8

-

V

符号

V

I

(V)

I

O

（毫安）V

CC

(V)

民

25

o

C

典型值

最大

-40

o

C至85

o

C

民

最大

-55

o

C至125

o

C

民

最大

单位

-4

4.5

3.98

-

3.84

-

3.7

-

V

0.02

4.5

-

0.1

-

0.1

-

0.1

V

4

4.5

-

0.26

-

0.33

-

0.4

V

0

-

5.5

4.5

5.5

-

100

±0.1

8

360

-

±1

80

450

-

±1

160

490

A

HCT输入负载表

输入

所有

单位负载

1

注：机组负荷为

I

CC

在直流电气限制特定网络版

特定网络阳离子表，例如，最大360μA 25

o

C.

交换特定网络阳离子

输入吨

r

, t

f

= 6ns的

25

o

C

V

CC

(V)

典型值

最大

-40

o

C至85

o

C

最大

-55

o

C到

125

o

C

最大

单位

参数

HC类型

传播延迟，

任何输入到

ΣO

符号

TEST

条件

t

PLH

, t

PHL

C

L

= 50pF的

2

4.5

6

-

17

-

17

200

40

34

-

200

40

34

-

250

50

43

-

250

50

43

-

300

60

51

-

300

60

51

-

ns

C

L

= 15pF的

传播延迟，

任何输入到

ΣE

t

PLH

, t

PHL

C

L

= 50pF的

5

2

4.5

6

C

L

= 15pF的

5

3

CD54HC280 ， CD74HC280 ， CD54HCT280 ， CD74HCT280

交换特定网络阳离子

输入吨

r

, t

f

= 6ns的

（续）

25

o

C

V

CC

(V)

2

4.5

6

输入电容

功耗

电容

（注3,4）

HCT类型

传播延迟，

任何输入到

ΣO

传播延迟，

任何输入到

ΣE

输出转换时间

输入电容

功耗

电容

（注3,4）

注意事项：

3. C

PD

被用于确定所述动态功耗，每包。

4. P

D

= V

CC2

f

i

(C

PD

+ C

L

），其中F

i

=输入频率f

O

=输出频率，C

L

=输出负载电容，V

CC

=电源电压。

t

PLH

, t

PHL

C

L

= 50pF的

C

L

= 15pF的

t

PLH

, t

PHL

C

L

= 50pF的

C

L

= 15pF的

t

TLH

, t

THL

C

IN

C

PD

C

L

= 50pF的

-

4.5

5

4.5

5

4.5

-

5

-

19

-

18

-

58

45

-

42

-

15

10

-

56

-

53

-

19

10

-

68

-

63

-

22

10

-

ns

pF

C

I

C

PD

-

5

典型值

-

58

最大

75

15

13

10

-

-40

o

C至85

o

C

最大

95

19

16

10

-

-55

o

C到

125

o

C

最大

110

22

19

10

-

单位

ns

pF

参数

输出转换时间

符号

t

TLH

, t

THL

TEST

条件

C

L

= 50pF的

测试电路和波形

t

r

= 6ns的

输入

90%

50%

10%

t

TLH

90%

50%

10%

t

PHL

t

PLH

t

f

= 6ns的

V

CC

输入

GND

t

THL

t

r

= 6ns的

2.7V

1.3V

0.3V

t

TLH

90%

反相

产量

t

PHL

t

PLH

1.3V

10%

t

f

= 6ns的

3V

GND

t

THL

反相

产量

图1. HC过渡时间和传输

延迟时间的组合逻辑

图2. HCT过渡时间和传输

延迟时间的组合逻辑

4

重要通知

德州仪器（TI）及其附属公司（ TI）保留随时更正，修改，增强的权利，

改进或其它更改其产品和服务，在任何时间，停止任何产品或服务，恕不另行通知。

客户在下订单前应获取最新的相关信息，并验证这些信息是否是最新的，

完整的。所有产品的销售都遵循TI销售条款与在订单确认时所提供的条件。

其硬件产品的TI保证产品性能在销售时按照TI的时间规范

标准保修。测试及其它质量控制技术被用于TI认为有必要支持这项程度

质保。除非政府做出了硬性规定，每种产品的所有参数进行测试不一定

进行。

TI对应用帮助或客户产品设计不承担任何责任。客户有责任为他们的产品和

使用TI组件的应用程序。为尽量减小与客户产品和应用，客户应该带来的风险

提供充分的设计与操作安全措施。

TI不保证或表示任何许可，无论明示或暗示，在任何TI专利权，版权，屏蔽批

工作的权利，或与之有关的任何组合，机器或流程等TI知识产权中， TI的产品或服务

被使用。对于第三方产品或服务通过TI发布的信息，不能构成从TI许可使用这种

产品或服务或者保证或认可。使用此类信息可能需要下从第三方的许可

该专利或第三方的其他知识产权，或从TI的专利权或TI的其它知识产权的许可。

对于TI的数据手册或数据表中复制信息是允许的，只要还原度没有改变，是

带有相关授权，条件，限制和声明。这些信息与变更再现是一种

不公平和欺诈性商业行为。 TI是不负责或承担此类篡改过的文件。

TI产品或服务的使用或超出TI针对该产品或服务规定的参数声明不同的转售

所有的空隙，并表示对相关TI产品或服务的任何默示保证，是一种不公平，欺诈性商业

实践中。 TI是不负责或承担任何此类陈述。

TI产品未被授权用于安全关键型应用（如生命支持）使用，其中TI产品的失败会

合理预期造成严重的人身伤害或死亡，除非各方人员签订的协议

专门管理此类用途。购房者表示，他们拥有所有必要的专业知识，在安全性和可能产生的后果

其申请，并承认和同意，他们全权负责所有的法律，法规和安全相关的

关于其产品的任何使用TI产品在此类关键安全应用中，即使有任何要求

应用程序相关的信息，或者可能由TI提供了支持。此外，购买者必须全额赔偿TI及其

代表因在此类关键安全应用中使用TI产品的任何损失。

TI产品并非设计或专门用于军事/航空应用，以及除非TI的产品环境中使用

由TI专门指定由TI指定的军用产品才满足军用军用级或"enhanced plastic."只产品

规格。购买者认可并同意，任何此类使用TI产品而TI未指定为军用级是

仅在买方的风险，他们全权负责遵守所有法律和法规要求

此类相关使用。

TI产品并非设计或专门用于汽车，除非特定的TI产品的应用或环境

由TI指定为符合ISO / TS 16949的要求。购买者认可并同意，如果他们使用任何

在汽车应用中的非指定产品，TI将不承担任何未能满足这些要求。

以下是URL地址以获取有关其它TI产品和应用解决方案的信息：

制品

放大器器

数据转换器

DSP

接口

逻辑

电源管理

微控制器

低功耗

无线

amplifier.ti.com

dataconverter.ti.com

dsp.ti.com

interface.ti.com

logic.ti.com

power.ti.com

microcontroller.ti.com

www.ti.com/lpw

应用

音频

汽车

宽带

数字控制

军事

光网络

安全

电话

视频&影像

无线

www.ti.com/audio

www.ti.com/automotive

www.ti.com/broadband

www.ti.com/digitalcontrol

www.ti.com/military

www.ti.com/opticalnetwork

www.ti.com/security

www.ti.com/telephony

www.ti.com/video

www.ti.com/wireless

邮寄地址：德州仪器，邮政信箱655303 ，达拉斯，德克萨斯州75265

2007 ，德州仪器

1N4954 1N4996直通， 1N5968 1N5969通和

1N6632 1N6637直通

斯科茨代尔区划

无空隙，密闭

5 WATT玻璃齐纳二极管

描述

T

他的齐纳稳压器系列产品是军用符合MIL - PRF-

外形

WWW .

Microsemi的

.C

OM

三百五十六分之一万九千五百，是理想的高可靠性应用中的故障

不能被容忍的。这些行业公认的5瓦齐纳电压

稳压器是密封与无空隙的玻璃建筑用

内部的冶金结合。它包括齐纳的选择，从3.3到390

伏在确定了标准的5 ％的容差以及更严格的公差

不同的后缀字母上的零件号。它们也可用于提供

表面贴装封装（见直通单独的数据表的1N4954US

1N4996US ， 1N5968US通1N5969US和1N6632US直通1N6637US ）。

Microsemi的还提供了许多其他稳压产品，以满足更高

较低的额定功率在两个通孔和表面贴装封装。

重要提示：

有关最新资料，请咨询

Microsemi的

网址：

http://www.microsemi.com

“E”套餐

特点

热门JEDEC注册的系列

无空隙密封的玻璃封装

极其坚固的结构

三层钝化

内部的“类别

I”

冶金债券1N4954

直通1N4996和“类别

III”

对于直通1N6632

1N6637以及1N5968直通1N5959

JAN ， JANTX ， JANTXV ，并提供JANS每MIL-

PRF-19500/356

表面还可以在一个广场安装当量

端盖与“美”的后缀MELF配置（请参阅

单独的数据表1N4954US通1N4996US ，

1N6632US通1N6637US和1N5968US通

1N5969US

应用/优势

调节电压在很宽的工作电流和

温度范围

丰富的选择，从3.3到390 V

标准电压容差的正/负5 ％以

没有SUF科幻X

在加或减2％或1％的可用的紧密度容限

分别用C或D后缀

灵活的轴向引线安装端子

不敏感每MIL -STD -750方法1020 ESD

硬如Microsemi的描述本质辐射

MicroNote 050

最大额定值

工作温度： -65

o

C至+175

o

C.

存储温度： -65

o

C至+175

o

C.

功耗： 5瓦@ T

A

= 25

o

C

热电阻： 22

o

C / W交界处领导在3/8

寸（ 10mm）的自体为1N4954直通1N4996和

30

o

对于1N6632 1N6637直通， 1N5968通C / W

1N5969

在10毫秒的热阻抗： 1.8

o

对于1N4954 C / W

直通1N4996和3.0

o

无论是1N6632通C / W的

1N6637 1N5968 &直通1N5969

正向电压： 1.50 V电压1.0

机械及包装

案例：全密封无空隙硬玻璃

钨蛞蝓

终端负载：轴向引线的锡/铅（Sn / Pb计）

铜缆除了JANS固体银（Ag ）和

没有完成

标志：车身油漆和零件号等

极性：负极指示的带

磁带&卷轴选项：每标准EIA -296

重量： 750毫克

1N4954 1N4996直通

1N5968 1N5969直通

1N6632 1N6637直通

版权

2005

2005年2月4日REV C

Microsemi的

斯科茨代尔区划

8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ，（ 480 ） 941-6300 ，传真：（ 480 ） 947-1503

第1页

1N4954 1N4996直通， 1N5968 1N5969通和

1N6632 1N6637直通

斯科茨代尔区划

无空隙，密闭

5 WATT玻璃齐纳二极管

WWW .

Microsemi的

.C

OM

电气特性@ 25

o

C

类型*

公称

齐纳

电压

V

Z

@

I

ZT

伏

TEST

当前

最大齐纳

阻抗

Z

@

Z

ZK

*

@

I

ZT

I

ZK

=1mA

欧

电压

规

（注1 ）

V

Z

伏

最大反向

漏电流

电压

最大

温度

COEFF 。

α

VZ

@

I

ZT

%/ C

o

I

R

A

300

250

175

25

20

5

5000

1000

150

100

50

25

10

5

2

V

R

伏

I

ZT

mA

最大

连续

当前

浪涌

当前

I

ZM

mA

I

ZSM

安培

1N6632

1N6633

1N6634

1N6635

1N6636

1N6637

1N5968

1N5969

1N4954

1N4955

1N4956

1N4957

1N4958

1N4959

1N4960

1N4961

1N4962

1N4963

1N4964

1N4965

1N4966

1N4967

1N4968

1N4969

1N4970

1N4971

1N4972

1N4973

1N4974

1N4975

1N4976

1N4977

1N4978

1N4979

1N4980

1N4981

1N4982

1N4983

1N4984

1N4985

1N4986

1N4987

1N4988

1N4989

1N4990

1N4991

1N4992

1N4993

1N4994

1N4995

1N4996

3.3

3.6

3.9

4.3

4.7

5.1

5.6

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

10.0

11

12

13

15

16

18

20

22

24

27

30

33

36

39

43

47

51

56

62

68

75

82

91

100

110

120

130

150

160

180

200

220

240

270

300

330

360

390

380

350

320

290

260

240

220

175

150

125

100

75

65

50

40

30

25

20

15

12

10

8

5

4

3

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

4.5

5.0

6.0

8

10

11

14

20

25

27

35

42

50

55

80

90

110

125

170

190

330

350

450

500

550

650

800

950

1175

1400

1800

500

450

400

1000

800

600

400

125

130

140

145

150

155

160

165

170

175

180

190

200

220

230

240

250

270

320

400

500

620

720

760

800

1000

1150

1250

1500

1650

1750

1850

2000

2050

2100

2150

2200

2300

2500

0.90

0.80

0.75

0.70

0.60

0.50

0.4

0.5

0.7

0.8

0.9

1.0

1.1

1.2

1.5

1.8

2.0

2.5

2.8

3.0

3.3

3.5

4.0

4.4

5.0

5.5

6.0

6.6

7.5

8.0

9.0

10

11

13

14

16

18

19

22

25

28

32

35

40

1.0

4.28

4.74

5.2

5.7

6.2

6.9

7.6

8.4

9.1

9.9

11.4

12.2

13.7

15.2

16.7

18.2

20.6

22.8

25.1

27.4

29.7

32.7

35.8

38.8

42.6

47.1

51.7

56.0

62.2

69.2

76.0

83.6

91.2

98.8

114.0

121.6

136.8

152

167

182

206

228

251

274

297

-.075

-.070

-.060

-.050

+/-.025

+/-.030

.04

.05

.06

.07

.08

.085

.090

.095

.100

.105

.110

.115

.120

1440

1320

1220

1100

1010

930

865

765

700

630

580

520

475

430

395

365

315

294

264

237

216

198

176

158

144

132

122

110

100

92

84

76

70

63.0

58.0

52.5

47.5

43.0

39.5

36.6

31.6

29.4

26.4

23.6

21.6

19.8

17.5

15.6

14.4

13.0

12.0

20.0

18.7

17.6

16.4

15.3

14.4

20

29.3

26.4

24

22

20

19

18

16

12

10

9.0

8.0

7.0

6.5

6.0

5.5

5.0

4.5

4.0

3.5

3.2

3.0

2.8

2.5

2.2

2.0

1.8

1.6

1.4

1.2

1.00

0.80

0.75

0.70

0.60

0.50

0.40

0.35

0.30

0.25

0.22

0.20

1N4954 1N4996直通

1N5968 1N5969直通

1N6632 1N6637直通

*I

ZK

= 5毫安1N5968

注1 ：最大电压变化

V

Z

与我10 ％

ZM

和我50 ％

ZM

版权

2005

2005年2月4日REV C

Microsemi的

斯科茨代尔区划

8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ，（ 480 ） 941-6300 ，传真：（ 480 ） 947-1503

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1N4954 1N4996直通， 1N5968 1N5969通和

1N6632 1N6637直通

斯科茨代尔区划

无空隙，密闭

5 WATT玻璃齐纳二极管

符号

V

Z

I

Z

, I

ZT

, I

ZK

Z

ZT

或Z

ZK

V

F

I

R

I

ZM

I

ZSM

符号定义&

德网络nition

齐纳电压：齐纳电压的器件将呈现在指定的电流（I

Z

）在其击穿区域。

稳压器电流：直流稳压电流（I

Z

），在指定的测试点（我

ZT

），或者接近击穿膝盖（我

ZK

).

动态阻抗：二极管的小信号阻抗时偏置在其击穿区域中操作

我在指定的RMS电流调制（通常为10 ％

ZT

还是我

ZK

）和叠加在我

ZT

还是我

ZK

分别。

最大正向电压：最大正向电压的器件将呈现在指定的电流。

最大反向电流：最大反向（漏）电流将流在指定的电压和

温度。

最大调节器（稳压）电流：最大额定直流电流为指定的额定功率。

最大齐纳浪涌电流：齐纳浪涌电流的非重复峰值在指定的波形。

WWW .

Microsemi的

.C

OM

图的

图1

功耗与LEAD

温度降额曲线

图2

澎湃动力与

持续飙升

1N4954 1N4996直通

1N5968 1N5969直通

1N6632 1N6637直通

科幻gure 3

典型的齐纳阻抗与

齐纳电流

版权

2005

2005年2月4日REV C

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8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ，（ 480 ） 941-6300 ，传真：（ 480 ） 947-1503

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1N4954 1N4996直通， 1N5968 1N5969通和

1N6632 1N6637直通

斯科茨代尔区划

无空隙，密闭

5 WATT玻璃齐纳二极管

WWW .

Microsemi的

.C

OM

包装尺寸

1N4954 1N4996直通

1N5968 1N5969直通

1N6632 1N6637直通

版权

2005

2005年2月4日REV C

Microsemi的

斯科茨代尔区划

8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ，（ 480 ） 941-6300 ，传真：（ 480 ） 947-1503

第4页

CD54HC280 ， CD74HC280 ，

CD54HCT280 ， CD74HCT280

从哈里斯半导体数据表收购

SCHS175D

1997年11月 - 修订2003年10月

高速CMOS逻辑器件

9位奇/偶校验发生器/校验器

描述

在“ HC280和” HCT280是9位奇/偶校验，生成

检查设备。偶数和奇数校验输出

可用于检查或产生奇偶校验字多达九个

位长。偶校验指示（ ΣE输出为高电平）时

偶数号码的数据输入端是高的。奇校验指示

（ ΣO输出为高电平）时的数据输入奇数是

高。奇偶校验的话大于9位可以是

通过捆绑的实现

ΣE

输出的任何输入

额外的HC / HCT280奇偶校验。

特点

[ /标题

(CD74

HC280

,

CD74

HCT28

0)

/子

拍摄对象

（高

速度

CMOS

逻辑

9-Bit

奇/ E

VEN

奇偶

典型传播延迟为17ns =在V

CC

= 5V,

C

L

= 15pF的，T

A

= 25

o

C

替换LS180型

轻松级联

扇出（整个温度范围内）

- 标准输出。。。。。。。。。。。。。。。 10输入通道负载

- 公交驱动器输出。。。。。。。。。。。。。 15输入通道负载

宽工作温度范围。。。 -55

o

C至125

o

C

平衡传输延迟和转换时间

显着的功耗相比减少LSTTL

逻辑IC

HC类型

- 2V至6V工作

- 高抗噪性：不适用

IL

= 30%, N

IH

的V = 30 ％

CC

在V

CC

= 5V

HCT类型

- 4.5V至5.5V工作电压

- 直接输入通道输入逻辑兼容，

V

IL

= 0.8V （最大值），V

IH

= 2V （最小值）

- CMOS兼容输入，我

l

≤

1μA在V

OL

, V

OH

订购信息

产品型号

CD54HC280F3A

CD54HCT280F3A

CD74HC280E

CD74HC280MT

CD74HC280M96

CD74HCT280E

TEMP 。 RANGE

(

o

C)

-55至125

包

14 Ld的CERDIP

14 Ld的PDIP

14 Ld的SOIC

14 Ld的PDIP

注：订货时，使用整个零件编号。该SUF科幻×96

表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示小批量卷轴

250 。

引脚

CD54HC280 ， CD54HCT280

（ CERDIP ）

CD74HC280

（ PDIP ， SOIC ）

CD74HCT280

（ PDIP ）

顶视图

I6 1

I7 2

NC 3

I8 4

ΣE

5

ΣO

6

7 GND

14 V

CC

13 I5

12 I4

工作原理图

I0

I1

I2

I3

I4

I5

I6

11 I3

10 I2

9 I1

8 I0

I7

I8

13

1

2

4

GND = 7

V

CC

= 14

NC = 3

8

9

10

5

11

12

6

∑

连

∑

ODD

注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。

版权

2003年，德州仪器

1

CD54HC280 ， CD74HC280 ， CD54HCT280 ， CD74HCT280

绝对最大额定值

直流电源电压，V

CC

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.5V至7V

DC输入二极管电流，I

IK

对于V

I

< -0.5V或V

I

＆ GT ; V

CC

+ 0.5V

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 ± 20毫安

DC输出二极管电流，I

OK

对于V

O

< -0.5V或V

O

＆ GT ; V

CC

+ 0.5V

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 ± 20毫安

直流漏电流，每个输出，我

O

为-0.5V < V

O

＆ LT ; V

CC

+ 0.5V.

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 ± 25毫安

每个输出引脚的直流输出源或灌电流，我

O

对于V

O

> -0.5V或V

O

＆ LT ; V

CC

+ 0.5V

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 ± 25毫安

DC V

CC

或接地电流，I

CC

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 ± 50毫安

热信息

热电阻（典型，注1）

θ

JA

(

o

C / W ）

E（ PDIP ）封装。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

80

M（ SOIC ）封装。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

86

最高结温。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 150

o

C

最大存储温度范围。。。。。。。。。。 -65

o

C至150

o

C

最大的铅温度（焊接10秒）。。。。。。。。。。。。。 300

o

C

（ SOIC - 只会提示）

工作条件

温度范围，T

A

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55

o

C至125

o

C

电源电压范围，V

CC

HC类型。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 .2V至6V

HCT类型。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 .4.5V至5.5V

DC输入或输出电压，V

I

, V

O

。。。。。。。。。。。。。。。。。 0V至V

CC

输入上升和下降时间

2V 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。最大1000ns （最大值）

4.5V 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。为500ns （最大值）

6V 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。为400ns （最大值）

注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作

该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。

注意：

1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。

直流电特定网络阳离子

TEST

条件

参数

HC类型

输入高电平

电压

V

IH

-

2

4.5

6

低电平输入

电压

V

IL

-

2

4.5

6

高电平输出

电压

CMOS负载

高电平输出

电压

TTL负载

低电平输出

电压

CMOS负载

低电平输出

电压

TTL负载

输入漏

当前

静态器件

当前

I

CC

V

CC

or

GND

V

CC

or

GND

V

OL

V

IH

or

V

IL

V

OH

V

IH

or

V

IL

-0.02

-4

-5.2

0.02

4

5.2

-

0

2

4.5

6

4.5

6

2

4.5

6

4.5

6

1.5

3.15

4.2

-

1.9

4.4

5.9

3.98

5.48

-

0.5

1.35

1.8

-

0.1

0.26

±0.1

8

1.5

3.15

4.2

-

1.9

4.4

5.9

3.84

5.34

-

0.5

1.35

1.8

-

0.1

0.33

±1

80

1.5

3.15

4.2

-

1.9

4.4

5.9

3.7

5.2

-

0.5

1.35

1.8

-

0.1

0.4

±1

160

V

A

符号

V

I

(V)

I

O

（毫安）V

CC

(V)

民

25

o

C

典型值

最大

-40

o

C至85

o

C

民

最大

-55

o

C至125

o

C

民

最大

单位

2

CD54HC280 ， CD74HC280 ， CD54HCT280 ， CD74HCT280

直流电特定网络阳离子

（续）

TEST

条件

参数

HCT类型

输入高电平

电压

低电平输入

电压

高电平输出

电压

CMOS负载

高电平输出

电压

TTL负载

低电平输出

电压

CMOS负载

低电平输出

电压

TTL负载

输入漏

当前

静态器件

当前

其他静态

器件电流每

输入端子： 1机组负荷

注意：

2.对于双电源系统的理论最坏的情况下（V

I

= 2.4V, V

CC

= 5.5V ）规格1.8毫安。

I

CC

I

CC

（注2 ）

V

CC

to

GND

V

CC

or

GND

V

CC

-2.1

V

OL

V

IH

or

V

IL

V

IH

V

IL

V

OH

-

V

IH

or

V

IL

-

-0.02

4.5

5.5

4.5

5.5

4.5

2

-

4.4

-

0.8

-

2

-

4.4

-

0.8

-

2

-

4.4

-

0.8

-

V

符号

V

I

(V)

I

O

（毫安）V

CC

(V)

民

25

o

C

典型值

最大

-40

o

C至85

o

C

民

最大

-55

o

C至125

o

C

民

最大

单位

-4

4.5

3.98

-

3.84

-

3.7

-

V

0.02

4.5

-

0.1

-

0.1

-

0.1

V

4

4.5

-

0.26

-

0.33

-

0.4

V

0

-

5.5

4.5

5.5

-

100

±0.1

8

360

-

±1

80

450

-

±1

160

490

A

HCT输入负载表

输入

所有

单位负载

1

注：机组负荷为

I

CC

在直流电气限制特定网络版

特定网络阳离子表，例如，最大360μA 25

o

C.

交换特定网络阳离子

输入吨

r

, t

f

= 6ns的

25

o

C

V

CC

(V)

典型值

最大

-40

o

C至85

o

C

最大

-55

o

C到

125

o

C

最大

单位

参数

HC类型

传播延迟，

任何输入到

ΣO

符号

TEST

条件

t

PLH

, t

PHL

C

L

= 50pF的

2

4.5

6

-

17

-

17

200

40

34

-

200

40

34

-

250

50

43

-

250

50

43

-

300

60

51

-

300

60

51

-

ns

C

L

= 15pF的

传播延迟，

任何输入到

ΣE

t

PLH

, t

PHL

C

L

= 50pF的

5

2

4.5

6

C

L

= 15pF的

5

3

CD54HC280 ， CD74HC280 ， CD54HCT280 ， CD74HCT280

交换特定网络阳离子

输入吨

r

, t

f

= 6ns的

（续）

25

o

C

V

CC

(V)

2

4.5

6

输入电容

功耗

电容

（注3,4）

HCT类型

传播延迟，

任何输入到

ΣO

传播延迟，

任何输入到

ΣE

输出转换时间

输入电容

功耗

电容

（注3,4）

注意事项：

3. C

PD

被用于确定所述动态功耗，每包。

4. P

D

= V

CC2

f

i

(C

PD

+ C

L

），其中F

i

=输入频率f

O

=输出频率，C

L

=输出负载电容，V

CC

=电源电压。

t

PLH

, t

PHL

C

L

= 50pF的

C

L

= 15pF的

t

PLH

, t

PHL

C

L

= 50pF的

C

L

= 15pF的

t

TLH

, t

THL

C

IN

C

PD

C

L

= 50pF的

-

4.5

5

4.5

5

4.5

-

5

-

19

-

18

-

58

45

-

42

-

15

10

-

56

-

53

-

19

10

-

68

-

63

-

22

10

-

ns

pF

C

I

C

PD

-

5

典型值

-

58

最大

75

15

13

10

-

-40

o

C至85

o

C

最大

95

19

16

10

-

-55

o

C到

125

o

C

最大

110

22

19

10

-

单位

ns

pF

参数

输出转换时间

符号

t

TLH

, t

THL

TEST

条件

C

L

= 50pF的

测试电路和波形

t

r

= 6ns的

输入

90%

50%

10%

t

TLH

90%

50%

10%

t

PHL

t

PLH

t

f

= 6ns的

V

CC

输入

GND

t

THL

t

r

= 6ns的

2.7V

1.3V

0.3V

t

TLH

90%

反相

产量

t

PHL

t

PLH

1.3V

10%

t

f

= 6ns的

3V

GND

t

THL

反相

产量

图1. HC过渡时间和传输

延迟时间的组合逻辑

图2. HCT过渡时间和传输

延迟时间的组合逻辑

4

封装选项附录

www.ti.com

26-Sep-2005

包装信息

订购设备

8607701CA

CD54HC280F3A

CD54HCT280F3A

CD74HC280E

CD74HC280EE4

CD74HC280M96

CD74HC280M96E4

CD74HC280MT

CD74HC280MTE4

CD74HCT280E

CD74HCT280EE4

(1)

状态

(1)

活跃

包

TYPE

CDIP

PDIP

SOIC

PDIP

包

制图

J

N

D

N

引脚封装环保计划

(2)

数量

14

1

25

待定

无铅

（符合RoHS ）

无铅

（符合RoHS ）

铅/焊球涂层

TI打电话

CU镍钯金

MSL峰值温度

(3)

等级-NC -NC -NC

Level-1-260C-UNLIM

等级-NC -NC -NC

2500绿色环保（RoHS &

无锑/溴）

2500绿色环保（RoHS &

无锑/溴）

250

25

绿色环保（RoHS &

无锑/溴）

绿色环保（RoHS &

无锑/溴）

无铅

（符合RoHS ）

无铅

（符合RoHS ）

营销状态值的定义如下：

ACTIVE ：

建议用于新设计产品的设备。

LIFEBUY ：

德州仪器日前宣布，该设备将停止，并且终身购买期间生效。

NRND ：

不建议用于新设计。设备是生产以支持现有客户，但TI不推荐使用这部分

新的设计。

预览：

设备已宣告但尚未投入生产。样品可以是或可以不是可用的。

已过时：

TI已经停止生产该设备的。

(2)

环保计划 - 该计划的环保分级：无铅（ RoHS指令）或绿色环保（RoHS &无Sb / Br） - 请检查

http://www.ti.com/productcontent

获得最新供货信息和附加产品目录明细。

TBD ：

无铅/绿色转换计划尚未确定。

无铅（ RoHS指令）：

TI的条款"Lead - Free"或"Pb - Free"意味着与当前RoHS要求的半导体产品

对于所有6种物质，其中包括铅的重量不超过均质材料0.1 ％的要求。其中，设计成被焊接

在高温下， TI无铅产品适用于特定的无铅工艺。

绿色环保（RoHS &无锑/溴）：

TI定义"Green"意味着无铅（符合RoHS标准），无溴（ Br）和锑（Sb ）的火焰

阻燃剂（溴或锑不均质材料重量超过0.1 ％）

(3)

MSL ，峰值温度。 - 根据JEDEC行业标准分类的湿度敏感等级评级，并将峰值焊接

温度。

重要信息及免责声明：

本页提供的信息代表了TI的知识和信念，这是日期

提供的。 TI基于其上由第三方提供的信息，知识和信念，不作任何陈述或保证的

这些信息的准确性。正在努力更好地整合来自第三方的信息。 TI已经采取并将继续采取

合理步骤，以提供有代表性的，准确的信息，但可能还没有进行破坏性测试或化学分析

传入的材料和化学品。 TI及其供应商认为某些信息是专有的，因此CAS号码和其他有限

信息可能不提供用于释放。

在任何情况下，所产生的这种信息TI的责任超过了TI的部分（ S）的总购买价格问题由TI出售本文档中

为客户在年度基础上。

附录1页

CD54HC280 ， CD74HC280 ，

CD54HCT280 ， CD74HCT280

从哈里斯半导体数据表收购

SCHS175D

1997年11月 - 修订2003年10月

高速CMOS逻辑器件

9位奇/偶校验发生器/校验器

描述

在“ HC280和” HCT280是9位奇/偶校验，生成

检查设备。偶数和奇数校验输出

可用于检查或产生奇偶校验字多达九个

位长。偶校验指示（ ΣE输出为高电平）时

偶数号码的数据输入端是高的。奇校验指示

（ ΣO输出为高电平）时的数据输入奇数是

高。奇偶校验的话大于9位可以是

通过捆绑的实现

ΣE

输出的任何输入

额外的HC / HCT280奇偶校验。

特点

[ /标题

(CD74

HC280

,

CD74

HCT28

0)

/子

拍摄对象

（高

速度

CMOS

逻辑

9-Bit

奇/ E

VEN

奇偶

典型传播延迟为17ns =在V

CC

= 5V,

C

L

= 15pF的，T

A

= 25

o

C

替换LS180型

轻松级联

扇出（整个温度范围内）

- 标准输出。。。。。。。。。。。。。。。 10输入通道负载

- 公交驱动器输出。。。。。。。。。。。。。 15输入通道负载

宽工作温度范围。。。 -55

o

C至125

o

C

平衡传输延迟和转换时间

显着的功耗相比减少LSTTL

逻辑IC

HC类型

- 2V至6V工作

- 高抗噪性：不适用

IL

= 30%, N

IH

的V = 30 ％

CC

在V

CC

= 5V

HCT类型

- 4.5V至5.5V工作电压

- 直接输入通道输入逻辑兼容，

V

IL

= 0.8V （最大值），V

IH

= 2V （最小值）

- CMOS兼容输入，我

l

≤

1μA在V

OL

, V

OH

订购信息

产品型号

CD54HC280F3A

CD54HCT280F3A

CD74HC280E

CD74HC280MT

CD74HC280M96

CD74HCT280E

TEMP 。 RANGE

(

o

C)

-55至125

包

14 Ld的CERDIP

14 Ld的PDIP

14 Ld的SOIC

14 Ld的PDIP

注：订货时，使用整个零件编号。该SUF科幻×96

表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示小批量卷轴

250 。

引脚

CD54HC280 ， CD54HCT280

（ CERDIP ）

CD74HC280

（ PDIP ， SOIC ）

CD74HCT280

（ PDIP ）

顶视图

I6 1

I7 2

NC 3

I8 4

ΣE

5

ΣO

6

7 GND

14 V

CC

13 I5

12 I4

工作原理图

I0

I1

I2

I3

I4

I5

I6

11 I3

10 I2

9 I1

8 I0

I7

I8

13

1

2

4

GND = 7

V

CC

= 14

NC = 3

8

9

10

5

11

12

6

∑

连

∑

ODD

注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。

版权

2003年，德州仪器

1

CD54HC280 ， CD74HC280 ， CD54HCT280 ， CD74HCT280

绝对最大额定值

直流电源电压，V

CC

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.5V至7V

DC输入二极管电流，I

IK

对于V

I

< -0.5V或V

I

＆ GT ; V

CC

+ 0.5V

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 ± 20毫安

DC输出二极管电流，I

OK

对于V

O

< -0.5V或V

O

＆ GT ; V

CC

+ 0.5V

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 ± 20毫安

直流漏电流，每个输出，我

O

为-0.5V < V

O

＆ LT ; V

CC

+ 0.5V.

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 ± 25毫安

每个输出引脚的直流输出源或灌电流，我

O

对于V

O

> -0.5V或V

O

＆ LT ; V

CC

+ 0.5V

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 ± 25毫安

DC V

CC

或接地电流，I

CC

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 ± 50毫安

热信息

热电阻（典型，注1）

θ

JA

(

o

C / W ）

E（ PDIP ）封装。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

80

M（ SOIC ）封装。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

86

最高结温。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 150

o

C

最大存储温度范围。。。。。。。。。。 -65

o

C至150

o

C

最大的铅温度（焊接10秒）。。。。。。。。。。。。。 300

o

C

（ SOIC - 只会提示）

工作条件

温度范围，T

A

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55

o

C至125

o

C

电源电压范围，V

CC

HC类型。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 .2V至6V

HCT类型。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 .4.5V至5.5V

DC输入或输出电压，V

I

, V

O

。。。。。。。。。。。。。。。。。 0V至V

CC

输入上升和下降时间

2V 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。最大1000ns （最大值）

4.5V 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。为500ns （最大值）

6V 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。为400ns （最大值）

注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作

该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。

注意：

1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。

直流电特定网络阳离子

TEST

条件

参数

HC类型

输入高电平

电压

V

IH

-

2

4.5

6

低电平输入

电压

V

IL

-

2

4.5

6

高电平输出

电压

CMOS负载

高电平输出

电压

TTL负载

低电平输出

电压

CMOS负载

低电平输出

电压

TTL负载

输入漏

当前

静态器件

当前

I

CC

V

CC

or

GND

V

CC

or

GND

V

OL

V

IH

or

V

IL

V

OH

V

IH

or

V

IL

-0.02

-4

-5.2

0.02

4

5.2

-

0

2

4.5

6

4.5

6

2

4.5

6

4.5

6

1.5

3.15

4.2

-

1.9

4.4

5.9

3.98

5.48

-

0.5

1.35

1.8

-

0.1

0.26

±0.1

8

1.5

3.15

4.2

-

1.9

4.4

5.9

3.84

5.34

-

0.5

1.35

1.8

-

0.1

0.33

±1

80

1.5

3.15

4.2

-

1.9

4.4

5.9

3.7

5.2

-

0.5

1.35

1.8

-

0.1

0.4

±1

160

V

A

符号

V

I

(V)

I

O

（毫安）V

CC

(V)

民

25

o

C

典型值

最大

-40

o

C至85

o

C

民

最大

-55

o

C至125

o

C

民

最大

单位

2

CD54HC280 ， CD74HC280 ， CD54HCT280 ， CD74HCT280

直流电特定网络阳离子

（续）

TEST

条件

参数

HCT类型

输入高电平

电压

低电平输入

电压

高电平输出

电压

CMOS负载

高电平输出

电压

TTL负载

低电平输出

电压

CMOS负载

低电平输出

电压

TTL负载

输入漏

当前

静态器件

当前

其他静态

器件电流每

输入端子： 1机组负荷

注意：

2.对于双电源系统的理论最坏的情况下（V

I

= 2.4V, V

CC

= 5.5V ）规格1.8毫安。

I

CC

I

CC

（注2 ）

V

CC

to

GND

V

CC

or

GND

V

CC

-2.1

V

OL

V

IH

or

V

IL

V

IH

V

IL

V

OH

-

V

IH

or

V

IL

-

-0.02

4.5

5.5

4.5

5.5

4.5

2

-

4.4

-

0.8

-

2

-

4.4

-

0.8

-

2

-

4.4

-

0.8

-

V

符号

V

I

(V)

I

O

（毫安）V

CC

(V)

民

25

o

C

典型值

最大

-40

o

C至85

o

C

民

最大

-55

o

C至125

o

C

民

最大

单位

-4

4.5

3.98

-

3.84

-

3.7

-

V

0.02

4.5

-

0.1

-

0.1

-

0.1

V

4

4.5

-

0.26

-

0.33

-

0.4

V

0

-

5.5

4.5

5.5

-

100

±0.1

8

360

-

±1

80

450

-

±1

160

490

A

HCT输入负载表

输入

所有

单位负载

1

注：机组负荷为

I

CC

在直流电气限制特定网络版

特定网络阳离子表，例如，最大360μA 25

o

C.

交换特定网络阳离子

输入吨

r

, t

f

= 6ns的

25

o

C

V

CC

(V)

典型值

最大

-40

o

C至85

o

C

最大

-55

o

C到

125

o

C

最大

单位

参数

HC类型

传播延迟，

任何输入到

ΣO

符号

TEST

条件

t

PLH

, t

PHL

C

L

= 50pF的

2

4.5

6

-

17

-

17

200

40

34

-

200

40

34

-

250

50

43

-

250

50

43

-

300

60

51

-

300

60

51

-

ns

C

L

= 15pF的

传播延迟，

任何输入到

ΣE

t

PLH

, t

PHL

C

L

= 50pF的

5

2

4.5

6

C

L

= 15pF的

5

3

CD54HC280 ， CD74HC280 ， CD54HCT280 ， CD74HCT280

交换特定网络阳离子

输入吨

r

, t

f

= 6ns的

（续）

25

o

C

V

CC

(V)

2

4.5

6

输入电容

功耗

电容

（注3,4）

HCT类型

传播延迟，

任何输入到

ΣO

传播延迟，

任何输入到

ΣE

输出转换时间

输入电容

功耗

电容

（注3,4）

注意事项：

3. C

PD

被用于确定所述动态功耗，每包。

4. P

D

= V

CC2

f

i

(C

PD

+ C

L

），其中F

i

=输入频率f

O

=输出频率，C

L

=输出负载电容，V

CC

=电源电压。

t

PLH

, t

PHL

C

L

= 50pF的

C

L

= 15pF的

t

PLH

, t

PHL

C

L

= 50pF的

C

L

= 15pF的

t

TLH

, t

THL

C

IN

C

PD

C

L

= 50pF的

-

4.5

5

4.5

5

4.5

-

5

-

19

-

18

-

58

45

-

42

-

15

10

-

56

-

53

-

19

10

-

68

-

63

-

22

10

-

ns

pF

C

I

C

PD

-

5

典型值

-

58

最大

75

15

13

10

-

-40

o

C至85

o

C

最大

95

19

16

10

-

-55

o

C到

125

o

C

最大

110

22

19

10

-

单位

ns

pF

参数

输出转换时间

符号

t

TLH

, t

THL

TEST

条件

C

L

= 50pF的

测试电路和波形

t

r

= 6ns的

输入

90%

50%

10%

t

TLH

90%

50%

10%

t

PHL

t

PLH

t

f

= 6ns的

V

CC

输入

GND

t

THL

t

r

= 6ns的

2.7V

1.3V

0.3V

t

TLH

90%

反相

产量

t

PHL

t

PLH

1.3V

10%

t

f

= 6ns的

3V

GND

t

THL

反相

产量

图1. HC过渡时间和传输

延迟时间的组合逻辑

图2. HCT过渡时间和传输

延迟时间的组合逻辑

4

封装选项附录

www.ti.com

26-Sep-2005

包装信息

订购设备

8607701CA

CD54HC280F3A

CD54HCT280F3A

CD74HC280E

CD74HC280EE4

CD74HC280M96

CD74HC280M96E4

CD74HC280MT

CD74HC280MTE4

CD74HCT280E

CD74HCT280EE4

(1)

状态

(1)

活跃

包

TYPE

CDIP

PDIP

SOIC

PDIP

包

制图

J

N

D

N

引脚封装环保计划

(2)

数量

14

1

25

待定

无铅

（符合RoHS ）

无铅

（符合RoHS ）

铅/焊球涂层

TI打电话

CU镍钯金

MSL峰值温度

(3)

等级-NC -NC -NC

Level-1-260C-UNLIM

等级-NC -NC -NC

2500绿色环保（RoHS &

无锑/溴）

2500绿色环保（RoHS &

无锑/溴）

250

25

绿色环保（RoHS &

无锑/溴）

绿色环保（RoHS &

无锑/溴）

无铅

（符合RoHS ）

无铅

（符合RoHS ）

营销状态值的定义如下：

ACTIVE ：

建议用于新设计产品的设备。

LIFEBUY ：

德州仪器日前宣布，该设备将停止，并且终身购买期间生效。

NRND ：

不建议用于新设计。设备是生产以支持现有客户，但TI不推荐使用这部分

新的设计。

预览：

设备已宣告但尚未投入生产。样品可以是或可以不是可用的。

已过时：

TI已经停止生产该设备的。

(2)

环保计划 - 该计划的环保分级：无铅（ RoHS指令）或绿色环保（RoHS &无Sb / Br） - 请检查

http://www.ti.com/productcontent

获得最新供货信息和附加产品目录明细。

TBD ：

无铅/绿色转换计划尚未确定。

无铅（ RoHS指令）：

TI的条款"Lead - Free"或"Pb - Free"意味着与当前RoHS要求的半导体产品

对于所有6种物质，其中包括铅的重量不超过均质材料0.1 ％的要求。其中，设计成被焊接

在高温下， TI无铅产品适用于特定的无铅工艺。

绿色环保（RoHS &无锑/溴）：

TI定义"Green"意味着无铅（符合RoHS标准），无溴（ Br）和锑（Sb ）的火焰

阻燃剂（溴或锑不均质材料重量超过0.1 ％）

(3)

MSL ，峰值温度。 - 根据JEDEC行业标准分类的湿度敏感等级评级，并将峰值焊接

温度。

重要信息及免责声明：

本页提供的信息代表了TI的知识和信念，这是日期

提供的。 TI基于其上由第三方提供的信息，知识和信念，不作任何陈述或保证的

这些信息的准确性。正在努力更好地整合来自第三方的信息。 TI已经采取并将继续采取

合理步骤，以提供有代表性的，准确的信息，但可能还没有进行破坏性测试或化学分析

传入的材料和化学品。 TI及其供应商认为某些信息是专有的，因此CAS号码和其他有限

信息可能不提供用于释放。

在任何情况下，所产生的这种信息TI的责任超过了TI的部分（ S）的总购买价格问题由TI出售本文档中

为客户在年度基础上。

附录1页