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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第835页 > CD74HC259
CD74HC259,
CD74HCT259
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS173
1997年11月
高速CMOS逻辑
8位可寻址锁存器
描述
哈里斯CD74HC259和CD74HCT259寻址
闩锁功能相关联的低功耗
CMOS电路,具有速度媲美的低功耗
肖特基势。
这种锁定三个活动模式和一个复位模式。当
同时锁存使能( LE )和主复位( MR)输入是
低( 8行解复用器模式)的处理的输出
锁存如下的数据输入和所有其他输出被强制
低。当两个MR和乐高(记忆模式) ,所有
输出与输入的数据,即隔离,所有插销举行
从低到LE转换之前的最后一份数据
高。的LE低,高先生的条件(可寻址锁存器
模式)允许寻址锁存器的输出跟随数据
输入;所有其他的锁存器不受影响。复位模式(所有
输出低电平)时产生LE高, MR为低。
特点
缓冲输入和输出
四种工作模式
为15ns在V典型传播延迟
CC
= 5V,
C
L
= 15pF的,T
A
= 25
o
C
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
[ /标题
(CD74
HC259
,
CD74
HCT25
9)
/子
拍摄对象
(高
速度
CMOS
逻辑
8-Bit
ADDRES
SABLE
锁存器)
订购信息
产品型号
CD74HC259E
CD74HCT259E
CD74HC259M
CD74HCT259M
注意事项:
1,订货时,使用整个零件编号。添加SUF音响X 96
获得在磁带和卷轴的变种。
2.晶圆或死亡的这一部分数量可满足所有elec-
Trical公司规范。请联系您当地的销售办事处或
哈里斯的客户服务订购信息。
TEMP 。 RANGE (
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
16 Ld的PDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
PKG 。
E16.3
E16.3
M16.15
M16.15
引脚
CD74HC259 , CD74HCT259
( PDIP , SOIC )
顶视图
A0 1
A1 2
A2 3
Q0 4
Q1 5
Q2 6
Q3 7
GND 8
16 V
CC
15 MR
14 LE
13 D
12 Q7
11 Q6
10 Q5
9 Q4
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
1997年哈里斯公司
网络文件编号
1727.1
1
CD74HC259 , CD74HCT259
工作原理图
4
1
A
0
2
A
1
3
9
14
15
MR
13
D
10
11
12
1-OF-8
解码器
8
锁存器
5
6
7
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
A
2
LE
GND = 8
V
CC
= 16
真值表
输入
MR
H
LE
L
输出
地址
LATCH
D
锁存器选型表
选择输入
LATCH
讨论
0
1
2
3
4
5
6
7
彼此
产量
Q
io
Q
io
L
功能
寻址
LATCH
内存
8-Line
多路解复用器
RESET
A2
L
L
L
A1
L
L
H
H
L
L
H
H
A0
L
H
L
H
L
H
L
H
H
L
H
L
Q
io
D
L
H
H
L
H
L
L
H
H
注意:
H =高电压等级
L =低电压等级
D =在数据输入电平
Q
io
= Q的电平
i
指示前(ⅰ = 0,1 ... 7,如适用)
稳态输入条件成立。
2
CD74HC259 , CD74HCT259
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流,每个输出,我
O
为-0.5V < V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
cc或
I
GND
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻(典型,注3 )
θ
JA
(
o
C / W )
PDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
90
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
115
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围,T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
3.
θ
JA
测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
I
I
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
-
4
5.2
-
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
符号
V
I
(V)
I
O
(MA )
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
3
CD74HC259 , CD74HCT259
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
静态器件
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
I
I
I
CC
I
CC
V
CC
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
OL
V
IH
或V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
或V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
I
CC
V
I
(V)
V
CC
or
GND
I
O
(MA )
0
25
o
C
-
典型值
-
最大
8
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
-
最大
80
-
最大
160
单位
A
V
CC
(V)
6
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
5.5
5.5
4.5
5.5
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
注:对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )特定网络阳离子是1.8毫安。
HCT输入负载表
输入
A0 - A2 , LE
D
MR
单位负载
1.5
1.2
0.75
注:机组负荷为
I
CC
在DC电气表限制特定网络版,例如,
最大360μA 25
o
C.
用于交换特定网络阳离子前提条件
25
o
C
参数
HC类型
脉冲宽度
LE
t
WL
2
4.5
6
70
14
12
-
-
-
-
-
-
90
18
15
-
-
-
-
-
-
105
21
18
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
符号
V
CC
(V)
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
典型值
最大
-55
o
C至125
o
C
典型值
最大
单位
4
CD74HC259 , CD74HCT259
用于交换特定网络阳离子前提条件
(续)
25
o
C
参数
MR
符号
t
WL
V
CC
(V)
2
4.5
6
建立时间
D钮LE
A到LE
t
SU
2
4.5
6
保持时间
D钮LE
A到LE
t
H
2
4.5
6
HCT类型
脉冲宽度
LE
MR
建立时间
D钮LE
A到LE
保持时间
D钮LE
A到LE
t
WL
4.5
18
-
-
23
-
-
27
-
-
ns
0
0
0
-
-
-
-
-
-
0
0
0
-
-
-
-
-
-
0
0
0
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
80
16
14
-
-
-
-
-
-
100
20
17
-
-
-
-
-
-
120
24
20
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
70
14
12
典型值
-
-
-
最大
-
-
-
-40
o
C至85
o
C
90
18
15
典型值
-
-
-
最大
-
-
-
-55
o
C至125
o
C
105
21
18
典型值
-
-
-
最大
-
-
-
单位
ns
ns
ns
t
SU
4.5
17
-
-
21
-
-
26
-
-
ns
t
H
4.5
0
-
-
0
-
-
0
-
-
ns
交换特定网络阳离子
C
L
= 50pF的,输入吨
r
, t
f
= 6ns的
25
o
C
-40
o
C到
85
o
C
最大
最大
-55
o
C到
125
o
C
最大
单位
参数
HC类型
传播延迟
D到Q
符号
TEST
条件
V
CC
(V)
典型值
t
PHL
C
L
= 50pF的
2
4.5
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
5
6
2
4.5
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
5
6
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
15
-
-
-
14
-
185
37
-
31
170
34
-
29
-
-
-
-
-
-
-
-
230
46
-
39
215
43
-
37
-
-
-
-
-
-
-
-
280
56
-
48
255
51
-
43
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
LE到Q
t
PHL
C
L
= 50pF的
5
CD54HC259 , CD74HC259 ,
CD54HCT259 , CD74HCT259
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS173C
1997年11月 - 修订2003年10月
高速CMOS逻辑器件
8位可寻址锁存器
描述
在“ HC259和” HCT259寻址锁存功能的
在CMOS电路的低功耗相关联,并
有速度媲美的低功耗肖特基。
这种锁定三个活动模式和一个复位模式。当
同时锁存使能( LE )和主复位( MR)输入是
低( 8行解复用器模式)的处理的输出
锁存如下的数据输入和所有其他输出被强制
低。当两个MR和乐高(记忆模式) ,所有
输出与输入的数据,即隔离,所有插销举行
从低到LE转换之前的最后一份数据
高。的LE低,高先生的条件(可寻址锁存器
模式)允许寻址锁存器的输出跟随数据
输入;所有其他的锁存器不受影响。复位模式(所有
输出低电平)时产生LE高, MR为低。
特点
缓冲输入和输出
[ /标题
(CD74
HC259
,
CD74
HCT25
9)
/子
拍摄对象
(高
速度
CMOS
逻辑
8-Bit
ADDRES
SABLE
锁存器)
四种工作模式
为15ns在V典型传播延迟
CC
= 5V,
C
L
= 15pF的,T
A
= 25
o
C
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC259F3A
CD54HCT259F3A
CD74HC259E
CD74HC259M
CD74HC259MT
CD74HC259M96
CD74HCT259E
CD74HCT259M
CD74HCT259MT
CD74HCT259M96
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF科幻×96
表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示小批量卷轴
250 。
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD54HC259 , CD74HC259 , CD54HCT259 , CD74HCT259
引脚
CD54HC259 , CD54HCT259
( CERDIP )
CD74HC259 , CD74HCT259
( PDIP , SOIC )
顶视图
A0 1
A1 2
A2 3
Q0 4
Q1 5
Q2 6
Q3 7
GND 8
16 V
CC
15 MR
14 LE
13 D
12 Q7
11 Q6
10 Q5
9 Q4
工作原理图
4
1
A
0
2
A
1
3
9
14
15
MR
13
D
10
11
12
1-OF-8
解码器
8
锁存器
5
6
7
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
A
2
LE
GND = 8
V
CC
= 16
真值表
输入
MR
H
LE
L
输出
地址
LATCH
D
锁存器选型表
选择输入
LATCH
讨论
0
1
2
3
4
5
6
7
彼此
产量
Q
io
Q
io
L
功能
寻址
LATCH
内存
8-Line
多路解复用器
RESET
A2
L
L
L
A1
L
L
H
H
L
L
H
H
A0
L
H
L
H
L
H
L
H
H
L
H
L
Q
io
D
L
H
H
L
H
L
L
H
H
H =高电压等级
L =低电压等级
D =在数据输入电平
Q
io
= Q的电平
i
在它指示前(ⅰ = 0,1, ... 7,如适用)
编稳态输入条件建立。
2
CD54HC259 , CD74HC259 , CD54HCT259 , CD74HCT259
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流,每个输出,我
O
为-0.5V < V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
cc或
I
GND
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻(典型值,注1 )
θ
JA
(
o
C / W )
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 67
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 73
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围,T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
I
I
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
-
4
5.2
-
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
符号
V
I
(V)
I
O
(MA )
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
3
CD54HC259 , CD74HC259 , CD54HCT259 , CD74HCT259
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
静态器件
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
注意:
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
(注2 )
V
CC
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
OL
V
IH
或V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
或V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
I
CC
V
I
(V)
V
CC
or
GND
I
O
(MA )
0
25
o
C
-
典型值
-
最大
8
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
-
最大
80
-
最大
160
单位
A
V
CC
(V)
6
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
5.5
5.5
4.5
5.5
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
HCT输入负载表
输入
A0 - A2 , LE
D
MR
单位负载
1.5
1.2
0.75
注:机组负荷为
I
CC
在DC电气表限制特定网络版,例如,
最大360μA 25
o
C.
用于交换特定网络阳离子前提条件
25
o
C
参数
HC类型
脉冲宽度
LE
t
WL
2
4.5
6
70
14
12
-
-
-
-
-
-
90
18
15
-
-
-
-
-
-
105
21
18
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
符号
V
CC
(V)
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
典型值
最大
-55
o
C至125
o
C
典型值
最大
单位
4
CD54HC259 , CD74HC259 , CD54HCT259 , CD74HCT259
用于交换特定网络阳离子前提条件
(续)
25
o
C
参数
MR
符号
t
WL
V
CC
(V)
2
4.5
6
建立时间
D钮LE
A到LE
t
SU
2
4.5
6
保持时间
D钮LE
A到LE
t
H
2
4.5
6
HCT类型
脉冲宽度
LE
MR
建立时间
D钮LE
A到LE
保持时间
D钮LE
A到LE
t
WL
4.5
18
-
-
23
-
-
27
-
-
ns
0
0
0
-
-
-
-
-
-
0
0
0
-
-
-
-
-
-
0
0
0
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
80
16
14
-
-
-
-
-
-
100
20
17
-
-
-
-
-
-
120
24
20
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
70
14
12
典型值
-
-
-
最大
-
-
-
-40
o
C至85
o
C
90
18
15
典型值
-
-
-
最大
-
-
-
-55
o
C至125
o
C
105
21
18
典型值
-
-
-
最大
-
-
-
单位
ns
ns
ns
t
SU
4.5
17
-
-
21
-
-
26
-
-
ns
t
H
4.5
0
-
-
0
-
-
0
-
-
ns
交换特定网络阳离子
C
L
= 50pF的,输入吨
r
, t
f
= 6ns的
25
o
C
-40
o
C到
85
o
C
最大
最大
-55
o
C到
125
o
C
最大
单位
参数
HC类型
传播延迟
D到Q
符号
TEST
条件
V
CC
(V)
典型值
t
PHL
C
L
= 50pF的
2
4.5
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
5
6
2
4.5
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
5
6
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
15
-
-
-
14
-
185
37
-
31
170
34
-
29
-
-
-
-
-
-
-
-
230
46
-
39
215
43
-
37
-
-
-
-
-
-
-
-
280
56
-
48
255
51
-
43
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
LE到Q
t
PHL
C
L
= 50pF的
5
CD74HC259,
CD74HCT259
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS173
1997年11月
高速CMOS逻辑
8位可寻址锁存器
描述
哈里斯CD74HC259和CD74HCT259寻址
闩锁功能相关联的低功耗
CMOS电路,具有速度媲美的低功耗
肖特基势。
这种锁定三个活动模式和一个复位模式。当
同时锁存使能( LE )和主复位( MR)输入是
低( 8行解复用器模式)的处理的输出
锁存如下的数据输入和所有其他输出被强制
低。当两个MR和乐高(记忆模式) ,所有
输出与输入的数据,即隔离,所有插销举行
从低到LE转换之前的最后一份数据
高。的LE低,高先生的条件(可寻址锁存器
模式)允许寻址锁存器的输出跟随数据
输入;所有其他的锁存器不受影响。复位模式(所有
输出低电平)时产生LE高, MR为低。
特点
缓冲输入和输出
四种工作模式
为15ns在V典型传播延迟
CC
= 5V,
C
L
= 15pF的,T
A
= 25
o
C
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
[ /标题
(CD74
HC259
,
CD74
HCT25
9)
/子
拍摄对象
(高
速度
CMOS
逻辑
8-Bit
ADDRES
SABLE
锁存器)
订购信息
产品型号
CD74HC259E
CD74HCT259E
CD74HC259M
CD74HCT259M
注意事项:
1,订货时,使用整个零件编号。添加SUF音响X 96
获得在磁带和卷轴的变种。
2.晶圆或死亡的这一部分数量可满足所有elec-
Trical公司规范。请联系您当地的销售办事处或
哈里斯的客户服务订购信息。
TEMP 。 RANGE (
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
16 Ld的PDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
PKG 。
E16.3
E16.3
M16.15
M16.15
引脚
CD74HC259 , CD74HCT259
( PDIP , SOIC )
顶视图
A0 1
A1 2
A2 3
Q0 4
Q1 5
Q2 6
Q3 7
GND 8
16 V
CC
15 MR
14 LE
13 D
12 Q7
11 Q6
10 Q5
9 Q4
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
1997年哈里斯公司
网络文件编号
1727.1
1
CD74HC259 , CD74HCT259
工作原理图
4
1
A
0
2
A
1
3
9
14
15
MR
13
D
10
11
12
1-OF-8
解码器
8
锁存器
5
6
7
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
A
2
LE
GND = 8
V
CC
= 16
真值表
输入
MR
H
LE
L
输出
地址
LATCH
D
锁存器选型表
选择输入
LATCH
讨论
0
1
2
3
4
5
6
7
彼此
产量
Q
io
Q
io
L
功能
寻址
LATCH
内存
8-Line
多路解复用器
RESET
A2
L
L
L
A1
L
L
H
H
L
L
H
H
A0
L
H
L
H
L
H
L
H
H
L
H
L
Q
io
D
L
H
H
L
H
L
L
H
H
注意:
H =高电压等级
L =低电压等级
D =在数据输入电平
Q
io
= Q的电平
i
指示前(ⅰ = 0,1 ... 7,如适用)
稳态输入条件成立。
2
CD74HC259 , CD74HCT259
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流,每个输出,我
O
为-0.5V < V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
cc或
I
GND
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻(典型,注3 )
θ
JA
(
o
C / W )
PDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
90
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
115
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围,T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
3.
θ
JA
测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
I
I
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
-
4
5.2
-
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
符号
V
I
(V)
I
O
(MA )
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
3
CD74HC259 , CD74HCT259
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
静态器件
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
I
I
I
CC
I
CC
V
CC
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
OL
V
IH
或V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
或V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
I
CC
V
I
(V)
V
CC
or
GND
I
O
(MA )
0
25
o
C
-
典型值
-
最大
8
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
-
最大
80
-
最大
160
单位
A
V
CC
(V)
6
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
5.5
5.5
4.5
5.5
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
注:对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )特定网络阳离子是1.8毫安。
HCT输入负载表
输入
A0 - A2 , LE
D
MR
单位负载
1.5
1.2
0.75
注:机组负荷为
I
CC
在DC电气表限制特定网络版,例如,
最大360μA 25
o
C.
用于交换特定网络阳离子前提条件
25
o
C
参数
HC类型
脉冲宽度
LE
t
WL
2
4.5
6
70
14
12
-
-
-
-
-
-
90
18
15
-
-
-
-
-
-
105
21
18
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
符号
V
CC
(V)
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
典型值
最大
-55
o
C至125
o
C
典型值
最大
单位
4
CD74HC259 , CD74HCT259
用于交换特定网络阳离子前提条件
(续)
25
o
C
参数
MR
符号
t
WL
V
CC
(V)
2
4.5
6
建立时间
D钮LE
A到LE
t
SU
2
4.5
6
保持时间
D钮LE
A到LE
t
H
2
4.5
6
HCT类型
脉冲宽度
LE
MR
建立时间
D钮LE
A到LE
保持时间
D钮LE
A到LE
t
WL
4.5
18
-
-
23
-
-
27
-
-
ns
0
0
0
-
-
-
-
-
-
0
0
0
-
-
-
-
-
-
0
0
0
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
80
16
14
-
-
-
-
-
-
100
20
17
-
-
-
-
-
-
120
24
20
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
70
14
12
典型值
-
-
-
最大
-
-
-
-40
o
C至85
o
C
90
18
15
典型值
-
-
-
最大
-
-
-
-55
o
C至125
o
C
105
21
18
典型值
-
-
-
最大
-
-
-
单位
ns
ns
ns
t
SU
4.5
17
-
-
21
-
-
26
-
-
ns
t
H
4.5
0
-
-
0
-
-
0
-
-
ns
交换特定网络阳离子
C
L
= 50pF的,输入吨
r
, t
f
= 6ns的
25
o
C
-40
o
C到
85
o
C
最大
最大
-55
o
C到
125
o
C
最大
单位
参数
HC类型
传播延迟
D到Q
符号
TEST
条件
V
CC
(V)
典型值
t
PHL
C
L
= 50pF的
2
4.5
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
5
6
2
4.5
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
5
6
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
15
-
-
-
14
-
185
37
-
31
170
34
-
29
-
-
-
-
-
-
-
-
230
46
-
39
215
43
-
37
-
-
-
-
-
-
-
-
280
56
-
48
255
51
-
43
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
LE到Q
t
PHL
C
L
= 50pF的
5
CD54HC259 , CD74HC259 ,
CD54HCT259 , CD74HCT259
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS173C
1997年11月 - 修订2003年10月
高速CMOS逻辑器件
8位可寻址锁存器
描述
在“ HC259和” HCT259寻址锁存功能的
在CMOS电路的低功耗相关联,并
有速度媲美的低功耗肖特基。
这种锁定三个活动模式和一个复位模式。当
同时锁存使能( LE )和主复位( MR)输入是
低( 8行解复用器模式)的处理的输出
锁存如下的数据输入和所有其他输出被强制
低。当两个MR和乐高(记忆模式) ,所有
输出与输入的数据,即隔离,所有插销举行
从低到LE转换之前的最后一份数据
高。的LE低,高先生的条件(可寻址锁存器
模式)允许寻址锁存器的输出跟随数据
输入;所有其他的锁存器不受影响。复位模式(所有
输出低电平)时产生LE高, MR为低。
特点
缓冲输入和输出
[ /标题
(CD74
HC259
,
CD74
HCT25
9)
/子
拍摄对象
(高
速度
CMOS
逻辑
8-Bit
ADDRES
SABLE
锁存器)
四种工作模式
为15ns在V典型传播延迟
CC
= 5V,
C
L
= 15pF的,T
A
= 25
o
C
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC259F3A
CD54HCT259F3A
CD74HC259E
CD74HC259M
CD74HC259MT
CD74HC259M96
CD74HCT259E
CD74HCT259M
CD74HCT259MT
CD74HCT259M96
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF科幻×96
表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示小批量卷轴
250 。
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD54HC259 , CD74HC259 , CD54HCT259 , CD74HCT259
引脚
CD54HC259 , CD54HCT259
( CERDIP )
CD74HC259 , CD74HCT259
( PDIP , SOIC )
顶视图
A0 1
A1 2
A2 3
Q0 4
Q1 5
Q2 6
Q3 7
GND 8
16 V
CC
15 MR
14 LE
13 D
12 Q7
11 Q6
10 Q5
9 Q4
工作原理图
4
1
A
0
2
A
1
3
9
14
15
MR
13
D
10
11
12
1-OF-8
解码器
8
锁存器
5
6
7
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
A
2
LE
GND = 8
V
CC
= 16
真值表
输入
MR
H
LE
L
输出
地址
LATCH
D
锁存器选型表
选择输入
LATCH
讨论
0
1
2
3
4
5
6
7
彼此
产量
Q
io
Q
io
L
功能
寻址
LATCH
内存
8-Line
多路解复用器
RESET
A2
L
L
L
A1
L
L
H
H
L
L
H
H
A0
L
H
L
H
L
H
L
H
H
L
H
L
Q
io
D
L
H
H
L
H
L
L
H
H
H =高电压等级
L =低电压等级
D =在数据输入电平
Q
io
= Q的电平
i
在它指示前(ⅰ = 0,1, ... 7,如适用)
编稳态输入条件建立。
2
CD54HC259 , CD74HC259 , CD54HCT259 , CD74HCT259
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流,每个输出,我
O
为-0.5V < V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
cc或
I
GND
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻(典型值,注1 )
θ
JA
(
o
C / W )
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 67
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 73
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围,T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
I
I
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
-
4
5.2
-
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
符号
V
I
(V)
I
O
(MA )
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
3
CD54HC259 , CD74HC259 , CD54HCT259 , CD74HCT259
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
静态器件
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
注意:
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
(注2 )
V
CC
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
OL
V
IH
或V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
或V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
I
CC
V
I
(V)
V
CC
or
GND
I
O
(MA )
0
25
o
C
-
典型值
-
最大
8
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
-
最大
80
-
最大
160
单位
A
V
CC
(V)
6
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
5.5
5.5
4.5
5.5
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
HCT输入负载表
输入
A0 - A2 , LE
D
MR
单位负载
1.5
1.2
0.75
注:机组负荷为
I
CC
在DC电气表限制特定网络版,例如,
最大360μA 25
o
C.
用于交换特定网络阳离子前提条件
25
o
C
参数
HC类型
脉冲宽度
LE
t
WL
2
4.5
6
70
14
12
-
-
-
-
-
-
90
18
15
-
-
-
-
-
-
105
21
18
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
符号
V
CC
(V)
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
典型值
最大
-55
o
C至125
o
C
典型值
最大
单位
4
CD54HC259 , CD74HC259 , CD54HCT259 , CD74HCT259
用于交换特定网络阳离子前提条件
(续)
25
o
C
参数
MR
符号
t
WL
V
CC
(V)
2
4.5
6
建立时间
D钮LE
A到LE
t
SU
2
4.5
6
保持时间
D钮LE
A到LE
t
H
2
4.5
6
HCT类型
脉冲宽度
LE
MR
建立时间
D钮LE
A到LE
保持时间
D钮LE
A到LE
t
WL
4.5
18
-
-
23
-
-
27
-
-
ns
0
0
0
-
-
-
-
-
-
0
0
0
-
-
-
-
-
-
0
0
0
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
80
16
14
-
-
-
-
-
-
100
20
17
-
-
-
-
-
-
120
24
20
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
70
14
12
典型值
-
-
-
最大
-
-
-
-40
o
C至85
o
C
90
18
15
典型值
-
-
-
最大
-
-
-
-55
o
C至125
o
C
105
21
18
典型值
-
-
-
最大
-
-
-
单位
ns
ns
ns
t
SU
4.5
17
-
-
21
-
-
26
-
-
ns
t
H
4.5
0
-
-
0
-
-
0
-
-
ns
交换特定网络阳离子
C
L
= 50pF的,输入吨
r
, t
f
= 6ns的
25
o
C
-40
o
C到
85
o
C
最大
最大
-55
o
C到
125
o
C
最大
单位
参数
HC类型
传播延迟
D到Q
符号
TEST
条件
V
CC
(V)
典型值
t
PHL
C
L
= 50pF的
2
4.5
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
5
6
2
4.5
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
5
6
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
15
-
-
-
14
-
185
37
-
31
170
34
-
29
-
-
-
-
-
-
-
-
230
46
-
39
215
43
-
37
-
-
-
-
-
-
-
-
280
56
-
48
255
51
-
43
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
LE到Q
t
PHL
C
L
= 50pF的
5
CD54HC259 , CD74HC259 ,
CD54HCT259 , CD74HCT259
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS173C
1997年11月 - 修订2003年10月
高速CMOS逻辑器件
8位可寻址锁存器
描述
在“ HC259和” HCT259寻址锁存功能的
在CMOS电路的低功耗相关联,并
有速度媲美的低功耗肖特基。
这种锁定三个活动模式和一个复位模式。当
同时锁存使能( LE )和主复位( MR)输入是
低( 8行解复用器模式)的处理的输出
锁存如下的数据输入和所有其他输出被强制
低。当两个MR和乐高(记忆模式) ,所有
输出与输入的数据,即隔离,所有插销举行
从低到LE转换之前的最后一份数据
高。的LE低,高先生的条件(可寻址锁存器
模式)允许寻址锁存器的输出跟随数据
输入;所有其他的锁存器不受影响。复位模式(所有
输出低电平)时产生LE高, MR为低。
特点
缓冲输入和输出
[ /标题
(CD74
HC259
,
CD74
HCT25
9)
/子
拍摄对象
(高
速度
CMOS
逻辑
8-Bit
ADDRES
SABLE
锁存器)
四种工作模式
为15ns在V典型传播延迟
CC
= 5V,
C
L
= 15pF的,T
A
= 25
o
C
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC259F3A
CD54HCT259F3A
CD74HC259E
CD74HC259M
CD74HC259MT
CD74HC259M96
CD74HCT259E
CD74HCT259M
CD74HCT259MT
CD74HCT259M96
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF科幻×96
表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示小批量卷轴
250 。
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD54HC259 , CD74HC259 , CD54HCT259 , CD74HCT259
引脚
CD54HC259 , CD54HCT259
( CERDIP )
CD74HC259 , CD74HCT259
( PDIP , SOIC )
顶视图
A0 1
A1 2
A2 3
Q0 4
Q1 5
Q2 6
Q3 7
GND 8
16 V
CC
15 MR
14 LE
13 D
12 Q7
11 Q6
10 Q5
9 Q4
工作原理图
4
1
A
0
2
A
1
3
9
14
15
MR
13
D
10
11
12
1-OF-8
解码器
8
锁存器
5
6
7
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
A
2
LE
GND = 8
V
CC
= 16
真值表
输入
MR
H
LE
L
输出
地址
LATCH
D
锁存器选型表
选择输入
LATCH
讨论
0
1
2
3
4
5
6
7
彼此
产量
Q
io
Q
io
L
功能
寻址
LATCH
内存
8-Line
多路解复用器
RESET
A2
L
L
L
A1
L
L
H
H
L
L
H
H
A0
L
H
L
H
L
H
L
H
H
L
H
L
Q
io
D
L
H
H
L
H
L
L
H
H
H =高电压等级
L =低电压等级
D =在数据输入电平
Q
io
= Q的电平
i
在它指示前(ⅰ = 0,1, ... 7,如适用)
编稳态输入条件建立。
2
CD54HC259 , CD74HC259 , CD54HCT259 , CD74HCT259
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流,每个输出,我
O
为-0.5V < V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
cc或
I
GND
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻(典型值,注1 )
θ
JA
(
o
C / W )
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 67
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 73
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围,T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
I
I
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
-
4
5.2
-
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
符号
V
I
(V)
I
O
(MA )
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
3
CD54HC259 , CD74HC259 , CD54HCT259 , CD74HCT259
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
静态器件
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
注意:
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
(注2 )
V
CC
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
OL
V
IH
或V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
或V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
I
CC
V
I
(V)
V
CC
or
GND
I
O
(MA )
0
25
o
C
-
典型值
-
最大
8
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
-
最大
80
-
最大
160
单位
A
V
CC
(V)
6
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
5.5
5.5
4.5
5.5
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
HCT输入负载表
输入
A0 - A2 , LE
D
MR
单位负载
1.5
1.2
0.75
注:机组负荷为
I
CC
在DC电气表限制特定网络版,例如,
最大360μA 25
o
C.
用于交换特定网络阳离子前提条件
25
o
C
参数
HC类型
脉冲宽度
LE
t
WL
2
4.5
6
70
14
12
-
-
-
-
-
-
90
18
15
-
-
-
-
-
-
105
21
18
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
符号
V
CC
(V)
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
典型值
最大
-55
o
C至125
o
C
典型值
最大
单位
4
CD54HC259 , CD74HC259 , CD54HCT259 , CD74HCT259
用于交换特定网络阳离子前提条件
(续)
25
o
C
参数
MR
符号
t
WL
V
CC
(V)
2
4.5
6
建立时间
D钮LE
A到LE
t
SU
2
4.5
6
保持时间
D钮LE
A到LE
t
H
2
4.5
6
HCT类型
脉冲宽度
LE
MR
建立时间
D钮LE
A到LE
保持时间
D钮LE
A到LE
t
WL
4.5
18
-
-
23
-
-
27
-
-
ns
0
0
0
-
-
-
-
-
-
0
0
0
-
-
-
-
-
-
0
0
0
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
80
16
14
-
-
-
-
-
-
100
20
17
-
-
-
-
-
-
120
24
20
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
70
14
12
典型值
-
-
-
最大
-
-
-
-40
o
C至85
o
C
90
18
15
典型值
-
-
-
最大
-
-
-
-55
o
C至125
o
C
105
21
18
典型值
-
-
-
最大
-
-
-
单位
ns
ns
ns
t
SU
4.5
17
-
-
21
-
-
26
-
-
ns
t
H
4.5
0
-
-
0
-
-
0
-
-
ns
交换特定网络阳离子
C
L
= 50pF的,输入吨
r
, t
f
= 6ns的
25
o
C
-40
o
C到
85
o
C
最大
最大
-55
o
C到
125
o
C
最大
单位
参数
HC类型
传播延迟
D到Q
符号
TEST
条件
V
CC
(V)
典型值
t
PHL
C
L
= 50pF的
2
4.5
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
5
6
2
4.5
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
5
6
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
15
-
-
-
14
-
185
37
-
31
170
34
-
29
-
-
-
-
-
-
-
-
230
46
-
39
215
43
-
37
-
-
-
-
-
-
-
-
280
56
-
48
255
51
-
43
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
LE到Q
t
PHL
C
L
= 50pF的
5
CD54HC259 , CD74HC259 ,
CD54HCT259 , CD74HCT259
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS173C
1997年11月 - 修订2003年10月
高速CMOS逻辑器件
8位可寻址锁存器
描述
在“ HC259和” HCT259寻址锁存功能的
在CMOS电路的低功耗相关联,并
有速度媲美的低功耗肖特基。
这种锁定三个活动模式和一个复位模式。当
同时锁存使能( LE )和主复位( MR)输入是
低( 8行解复用器模式)的处理的输出
锁存如下的数据输入和所有其他输出被强制
低。当两个MR和乐高(记忆模式) ,所有
输出与输入的数据,即隔离,所有插销举行
从低到LE转换之前的最后一份数据
高。的LE低,高先生的条件(可寻址锁存器
模式)允许寻址锁存器的输出跟随数据
输入;所有其他的锁存器不受影响。复位模式(所有
输出低电平)时产生LE高, MR为低。
特点
缓冲输入和输出
[ /标题
(CD74
HC259
,
CD74
HCT25
9)
/子
拍摄对象
(高
速度
CMOS
逻辑
8-Bit
ADDRES
SABLE
锁存器)
四种工作模式
为15ns在V典型传播延迟
CC
= 5V,
C
L
= 15pF的,T
A
= 25
o
C
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC259F3A
CD54HCT259F3A
CD74HC259E
CD74HC259M
CD74HC259MT
CD74HC259M96
CD74HCT259E
CD74HCT259M
CD74HCT259MT
CD74HCT259M96
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF科幻×96
表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示小批量卷轴
250 。
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD54HC259 , CD74HC259 , CD54HCT259 , CD74HCT259
引脚
CD54HC259 , CD54HCT259
( CERDIP )
CD74HC259 , CD74HCT259
( PDIP , SOIC )
顶视图
A0 1
A1 2
A2 3
Q0 4
Q1 5
Q2 6
Q3 7
GND 8
16 V
CC
15 MR
14 LE
13 D
12 Q7
11 Q6
10 Q5
9 Q4
工作原理图
4
1
A
0
2
A
1
3
9
14
15
MR
13
D
10
11
12
1-OF-8
解码器
8
锁存器
5
6
7
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
A
2
LE
GND = 8
V
CC
= 16
真值表
输入
MR
H
LE
L
输出
地址
LATCH
D
锁存器选型表
选择输入
LATCH
讨论
0
1
2
3
4
5
6
7
彼此
产量
Q
io
Q
io
L
功能
寻址
LATCH
内存
8-Line
多路解复用器
RESET
A2
L
L
L
A1
L
L
H
H
L
L
H
H
A0
L
H
L
H
L
H
L
H
H
L
H
L
Q
io
D
L
H
H
L
H
L
L
H
H
H =高电压等级
L =低电压等级
D =在数据输入电平
Q
io
= Q的电平
i
在它指示前(ⅰ = 0,1, ... 7,如适用)
编稳态输入条件建立。
2
CD54HC259 , CD74HC259 , CD54HCT259 , CD74HCT259
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流,每个输出,我
O
为-0.5V < V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
cc或
I
GND
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻(典型值,注1 )
θ
JA
(
o
C / W )
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 67
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 73
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围,T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
I
I
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
-
4
5.2
-
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
符号
V
I
(V)
I
O
(MA )
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
3
CD54HC259 , CD74HC259 , CD54HCT259 , CD74HCT259
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
静态器件
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
注意:
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
(注2 )
V
CC
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
OL
V
IH
或V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
或V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
I
CC
V
I
(V)
V
CC
or
GND
I
O
(MA )
0
25
o
C
-
典型值
-
最大
8
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
-
最大
80
-
最大
160
单位
A
V
CC
(V)
6
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
5.5
5.5
4.5
5.5
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
HCT输入负载表
输入
A0 - A2 , LE
D
MR
单位负载
1.5
1.2
0.75
注:机组负荷为
I
CC
在DC电气表限制特定网络版,例如,
最大360μA 25
o
C.
用于交换特定网络阳离子前提条件
25
o
C
参数
HC类型
脉冲宽度
LE
t
WL
2
4.5
6
70
14
12
-
-
-
-
-
-
90
18
15
-
-
-
-
-
-
105
21
18
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
符号
V
CC
(V)
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
典型值
最大
-55
o
C至125
o
C
典型值
最大
单位
4
CD54HC259 , CD74HC259 , CD54HCT259 , CD74HCT259
用于交换特定网络阳离子前提条件
(续)
25
o
C
参数
MR
符号
t
WL
V
CC
(V)
2
4.5
6
建立时间
D钮LE
A到LE
t
SU
2
4.5
6
保持时间
D钮LE
A到LE
t
H
2
4.5
6
HCT类型
脉冲宽度
LE
MR
建立时间
D钮LE
A到LE
保持时间
D钮LE
A到LE
t
WL
4.5
18
-
-
23
-
-
27
-
-
ns
0
0
0
-
-
-
-
-
-
0
0
0
-
-
-
-
-
-
0
0
0
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
80
16
14
-
-
-
-
-
-
100
20
17
-
-
-
-
-
-
120
24
20
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
70
14
12
典型值
-
-
-
最大
-
-
-
-40
o
C至85
o
C
90
18
15
典型值
-
-
-
最大
-
-
-
-55
o
C至125
o
C
105
21
18
典型值
-
-
-
最大
-
-
-
单位
ns
ns
ns
t
SU
4.5
17
-
-
21
-
-
26
-
-
ns
t
H
4.5
0
-
-
0
-
-
0
-
-
ns
交换特定网络阳离子
C
L
= 50pF的,输入吨
r
, t
f
= 6ns的
25
o
C
-40
o
C到
85
o
C
最大
最大
-55
o
C到
125
o
C
最大
单位
参数
HC类型
传播延迟
D到Q
符号
TEST
条件
V
CC
(V)
典型值
t
PHL
C
L
= 50pF的
2
4.5
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
5
6
2
4.5
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
5
6
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
15
-
-
-
14
-
185
37
-
31
170
34
-
29
-
-
-
-
-
-
-
-
230
46
-
39
215
43
-
37
-
-
-
-
-
-
-
-
280
56
-
48
255
51
-
43
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
LE到Q
t
PHL
C
L
= 50pF的
5
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