【从哈里斯半导体数据表收购SCHS171CD74HC257,CD74HCT257高速CMOS逻辑四路2】,IC型号CD74HC257E,CD74HC257E PDF资料,CD74HC257E经销商,ic,电子元器件-51电子网

从哈里斯半导体数据表收购

SCHS171

CD74HC257,

CD74HCT257

高速CMOS逻辑四路2输入

多路复用器与三态非反相输出

描述

哈里斯CD74HC257和CD74HCT257是四2输入

这两个来源选择4位数据多路复用器

下一个共同的选择输入（S）的控制。输出

使能输入（ OE ）为低电平有效。当OE为高电平时，所有的

的输出（ 1Y - 4Y ）处于高阻抗状态考虑以下各项

以下的所有其他的输入条件。

移动从两组寄存器的数据四种常见

输出总线是一种常用的257的状态

选择输入决定了特定的寄存器从

数据来源。它也可以用作函数发生器。

1997年11月

特点

缓冲输入

典型传播延迟（进行输出） =在为12ns

V

CC

= 5V ，C

L

= 15pF的，T

A

= 25

o

C

扇出（整个温度范围内）

- 标准输出。。。。。。。。。。。。。。。 10输入通道负载

- 公交驱动器输出。。。。。。。。。。。。。 15输入通道负载

宽工作温度范围。。。 -55

o

C至125

o

C

平衡传输延迟和转换时间

显着的功耗相比减少LSTTL

逻辑IC

HC类型

- 2V至6V工作

- 高抗噪性：不适用

IL

= 30%, N

IH

的V = 30 ％

CC

在V

CC

= 5V

HCT类型

- 4.5V至5.5V工作电压

- 直接输入通道输入逻辑兼容，

V

IL

= 0.8V （最大值），V

IH

= 2V （最小值）

- CMOS兼容输入，我

l

≤

1μA在V

OL

, V

OH

[ /标题

(CD74

HC257

,

CD74

HCT25

7)

/子

拍摄对象

（高

速度

CMOS

逻辑

四

2-Input

多

多路复用器

订购信息

产品型号

CD74HC257E

CD74HCT257E

CD74HC257M

CD74HCT257M

注意事项：

1，订货时，使用整个零件编号。添加SUF音响X 96

获得在磁带和卷轴的变种。

2.晶圆或死亡的这一部分数量可满足所有

电气规格。请联系您当地的销售办事处或

哈里斯的客户服务订购信息。

TEMP 。 RANGE

(

o

C)

-55至125

包

16 Ld的PDIP

16 Ld的SOIC

PKG 。

号

E16.3

M16.15

引脚

CD74HC257 ， CD74HC257

（ PDIP ， SOIC ）

顶视图

S 1

1I

0

2

1I

1

3

1Y 4

2I

0

5

2I

1

6

2Y 7

GND 8

16 V

CC

15 OE

14 4I

0

13 4I

1

12 4Y

11 3I

0

10 3I

1

9 3Y

注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。

版权

1997年哈里斯公司

网络文件编号

1650.1

1

CD74HC257 ， CD74HCT257

工作原理图

OE

S

15

1

4I

1

13

P

N

12

4Y

4I

0

14

3I

1

3I

0

2I

1

2I

0

1I

1

1I

0

10

11

6

5

3

2

3电路相同的电路

在上面DASHED外壳

9

3Y

7

2Y

4

1Y

真值表

产量

启用

OE

H

L

SELECT

输入

S

X

L

H

数据输入

I

0

X

L

H

X

I

1

X

L

H

产量

Y

Z

L

H

L

H

注意：

H =高电压等级

L =低电压等级

X =无关

Z =高阻抗，关闭状态

2

CD74HC257 ， CD74HCT257

绝对最大额定值

直流电源电压，V

CC

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.5V至7V

DC输入二极管电流，I

IK

对于V

I

< -0.5V或V

I

＆ GT ; V

CC

+ 0.5V

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 ± 20毫安

DC输出二极管电流，I

OK

对于V

O

< -0.5V或V

O

＆ GT ; V

CC

+ 0.5V

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 ± 20毫安

直流漏电流，每个输出，我

O

为-0.5V < V

O

＆ LT ; V

CC

+ 0.5V.

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 ± 35毫安

每个输出引脚的直流输出源或灌电流，我

O

对于V

O

> -0.5V或V

O

＆ LT ; V

CC

+ 0.5V

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 ± 25毫安

DC V

CC

或接地电流，I

CC

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 ± 70毫安

热信息

热电阻（典型，注3 ）

θ

JA

(

o

C / W ）

PDIP封装。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

90

SOIC封装。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

160

最高结温。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 150

o

C

最大存储温度范围。。。。。。。。。。 -65

o

C至150

o

C

最大的铅温度（焊接10秒）。。。。。。。。。。。。。 300

o

C

（ SOIC - 只会提示）

工作条件

温度范围，T

A

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55

o

C至125

o

C

电源电压范围，V

CC

HC类型。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 .2V至6V

HCT类型。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 .4.5V至5.5V

DC输入或输出电压，V

I

, V

O

。。。。。。。。。。。。。。。。。 0V至V

CC

输入上升和下降时间

2V 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。最大1000ns （最大值）

4.5V 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。为500ns （最大值）

6V 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。为400ns （最大值）

注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作

该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。

注意：

3.

θ

JA

测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。

直流电特定网络阳离子

TEST

条件

参数

HC类型

输入高电平

电压

V

IH

-

2

4.5

6

低电平输入

电压

V

IL

-

2

4.5

6

高电平输出

电压

CMOS负载

V

OH

V

IH

or

V

IL

-0.02

高电平输出

电压

TTL负载

低电平输出

电压

CMOS负载

V

OL

V

IH

or

V

IL

-6

-7.8

0.02

低电平输出

电压

TTL负载

输入漏

当前

I

V

CC

or

GND

6

7.8

-

2

4.5

6

4.5

6

2

4.5

6

4.5

6

1.5

3.15

4.2

-

1.9

4.4

5.9

3.98

5.48

-

0.5

1.35

1.8

-

0.1

0.26

±0.1

1.5

3.15

4.2

-

1.9

4.4

5.9

3.84

5.34

-

0.5

1.35

1.8

-

0.1

0.33

±1

1.5

3.15

4.2

-

1.9

4.4

5.9

3.7

5.2

-

0.5

1.35

1.8

-

0.1

0.4

±1

V

A

符号

V

I

(V)

I

O

（毫安）V

CC

(V)

民

25

o

C

典型值

最大

-40

o

C至85

o

C

民

最大

-55

o

C至125

o

C

民

最大

单位

3

CD74HC257 ， CD74HCT257

直流电特定网络阳离子

（续）

TEST

条件

参数

静态器件

当前

三态泄漏

当前

HCT类型

输入高电平

电压

低电平输入

电压

高电平输出

电压

CMOS负载

高电平输出

电压

TTL负载

低电平输出

电压

CMOS负载

低电平输出

电压

TTL负载

输入漏

当前

静态器件

当前

其他静态

器件电流每

输入端子： 1机组负荷

（注4 ）

三态泄漏

当前

注意：

4.对于双电源系统的理论最坏的情况下（V

I

= 2.4V, V

CC

= 5.5V ）规格1.8毫安。

I

CC

I

CC

V

CC

to

GND

V

CC

or

GND

V

CC

-2.1

V

OL

V

IH

or

V

IL

V

IH

V

IL

V

OH

-

V

IH

or

V

IL

-

-0.02

4.5

5.5

4.5

5.5

4.5

2

-

4.4

-

0.8

-

2

-

4.4

-

0.8

-

2

-

4.4

-

0.8

-

V

符号

I

CC

I

OZ

V

I

(V)

V

CC

or

GND

V

IL

or

V

IH

I

O

（毫安）V

CC

(V)

0

-

6

民

-

25

o

C

典型值

-

最大

8

±0.5

-40

o

C至85

o

C

民

-

最大

80

±5

-55

o

C至125

o

C

民

-

最大

160

±10

单位

A

-6

4.5

3.98

-

3.84

-

3.7

-

V

0.02

4.5

-

0.1

-

0.1

-

0.1

V

6

4.5

-

0.26

-

0.33

-

0.4

V

0

-

5.5

4.5

5.5

-

100

±0.1

8

360

-

±1

80

450

-

±1

160

490

A

I

OZ

V

IL

or

V

IH

-

5.5

-

±0.5

-

±5

-

±10

A

HCT输入负载表

输入

数据

S

OE

单位负载

0.95

3

0.6

注：机组负荷为

I

CC

在直流电气限制特定网络版

特定网络阳离子表，例如，最大360μA 25

o

C.

4

CD74HC257 ， CD74HCT257

交换特定网络阳离子

输入吨

r

, t

f

= 6ns的

TEST

条件

25

o

C

V

CC

(V)

典型值

最大

-40

o

C至85

o

C -55

o

C至125

o

C

最大

单位

参数

HC类型

传播延迟

在为Y

符号

t

PLH

, t

PHL

C

L

= 50pF的

2

4.5

-

12

-

14

-

12

-

45

150

30

-

26

175

35

-

30

150

30

-

26

60

12

10

20

-

190

38

-

33

220

44

-

37

190

38

-

33

75

15

13

10

20

-

225

45

-

38

265

53

-

45

225

45

-

38

90

18

15

10

20

-

ns

pF

C

L

= 15pF的

CL = 50pF的

传播延迟

S到

t

PLH

, t

PHL

C

L

= 50pF的

5

6

2

4.5

C

L

= 15pF的

CL = 50pF的

传播延迟

OE为Y

t

PLZ

, t

PHZ

,

t

PZL

, t

PZH

CL = 50pF的

C

L

= 50pF的

C

L

= 15pF的

CL = 50pF的

输出转换时间

t

TLH

, t

THL

C

L

= 50pF的

5

6

2

4.5

5

6

2

4.5

6

输入电容

三态输出

电容

功耗

电容

（注5,6）

HCT类型

传播延迟

在为Y

传播延迟

S到

传播延迟

OE为Y

输出转换时间

输入电容

三态输出

电容

功耗

电容

（注5,6）

注意事项：

C

I

C

O

C

PD

-

5

t

PLH

, t

PHL

C

L

= 50pF的

C

L

= 15pF的

4.5

5

4.5

5

4.5

5

4.5

-

5

-

13

-

12

-

16

-

45

33

-

38

-

30

-

12

10

20

-

41

-

48

-

38

-

15

10

20

-

50

-

57

-

45

-

18

10

20

-

ns

pF

t

PZL ，

t

PZH

C

L

= 50pF的

C

L

= 15pF的

t

PLZ

, t

PHZ

C

L

= 50pF的

C

L

= 15pF的

t

TLH

, t

THL

C

I

C

O

C

PD

C

L

= 50pF的

-

5. C

PD

被用于确定所述动态功耗，每个多路转换器。

6. P

D

= V

CC2

f

i

(C

PD

+ C

L

），其中F

i

=输入频率，C

L

=输出负载电容，V

CC

=电源电压。

5

CD54HC257 ， CD74HC257 ，

CD54HCT257 ， CD74HCT257

从哈里斯半导体数据表收购

SCHS171D

1997年11月 - 修订2003年10月

高速CMOS逻辑四路2输入

多路复用器与三态非反相输出

所有其他的输入条件。

移动从两组寄存器的数据四种常见

输出总线是一种常用的257的状态

选择输入决定了特定的寄存器从

数据来源。它也可以用作函数发生器。

特点

缓冲输入

[ /标题

(CD74

HC257

,

CD74

HCT25

7)

/子

拍摄对象

（高

速度

CMOS

逻辑

四

2-Input

多

多路复用器

典型传播延迟（进行输出） =在为12ns

V

CC

= 5V ，C

L

= 15pF的，T

A

= 25

o

C

扇出（整个温度范围内）

- 标准输出。。。。。。。。。。。。。。。 10输入通道负载

- 公交驱动器输出。。。。。。。。。。。。。 15输入通道负载

宽工作温度范围。。。 -55

o

C至125

o

C

平衡传输延迟和转换时间

显着的功耗相比减少LSTTL

逻辑IC

HC类型

- 2V至6V工作

- 高抗噪性：不适用

IL

= 30%, N

IH

的V = 30 ％

CC

在V

CC

= 5V

HCT类型

- 4.5V至5.5V工作电压

- 直接输入通道输入逻辑兼容，

V

IL

= 0.8V （最大值），V

IH

= 2V （最小值）

- CMOS兼容输入，我

l

≤

1μA在V

OL

, V

OH

订购信息

产品型号

CD54HC257F3A

CD54HCT257F3A

CD74HC257E

CD74HC257M

CD74HC257MT

CD74HC257M96

CD74HCT257E

CD74HCT257M

CD74HCT257MT

TEMP 。 RANGE

(

o

C)

-55至125

包

16 Ld的CERDIP

16 Ld的PDIP

16 Ld的SOIC

16 Ld的PDIP

16 Ld的SOIC

描述

在“ HC257和” HCT257是四2输入多路复用器

从下两个源中选择4比特数据的

控制的一个公共选择输入（S）。输出使能

输入（ OE ）为低电平有效。当OE为高电平的输出，全

看跌期权（ 1Y - 4Y ）处于高阻抗状态，而不管

CD74HCT257M96

注：订货时，使用整个零件编号。该SUF科幻×96

表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示的小批量卷轴

250.

引脚

CD54HC257 ， CD54HCT257

（ CERDIP ）

CD74HC257 ， CD74HCT257

（ PDIP ， SOIC ）

顶视图

S 1

1I

0

2

1I

1

3

1Y 4

2I

0

5

2I

1

6

2Y 7

GND 8

16 V

CC

15 OE

14 4I

0

13 4I

1

12 4Y

11 3I

0

10 3I

1

9 3Y

注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。

版权

2003年，德州仪器

1

CD54HC257 ， CD74HC257 ， CD54HCT257 ， CD74HCT257

工作原理图

OE

S

15

1

4I

1

13

P

N

12

4Y

4I

0

14

3I

1

3I

0

2I

1

2I

0

1I

1

1I

0

10

11

6

5

3

2

3电路相同的电路

在上面DASHED外壳

9

3Y

7

2Y

4

1Y

真值表

产量

启用

OE

H

L

SELECT

输入

S

X

L

H

数据输入

I

0

X

L

H

X

I

1

X

L

H

产量

Y

Z

L

H

L

H

H =高电压电平

L =低电压电平

X =无关

Z =高阻抗，关闭状态

2

CD54HC257 ， CD74HC257 ， CD54HCT257 ， CD74HCT257

绝对最大额定值

直流电源电压，V

CC

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.5V至7V

DC输入二极管电流，I

IK

对于V

I

< -0.5V或V

I

＆ GT ; V

CC

+ 0.5V

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 ± 20毫安

DC输出二极管电流，I

OK

对于V

O

< -0.5V或V

O

＆ GT ; V

CC

+ 0.5V

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 ± 20毫安

直流漏电流，每个输出，我

O

为-0.5V < V

O

＆ LT ; V

CC

+ 0.5V.

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 ± 35毫安

每个输出引脚的直流输出源或灌电流，我

O

对于V

O

> -0.5V或V

O

＆ LT ; V

CC

+ 0.5V

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 ± 25毫安

DC V

CC

或接地电流，I

CC

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 ± 70毫安

热信息

热电阻（典型值，注1 ）

θ

JA

(

o

C / W ）

E（ PDIP ）封装。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

67

M（ SOIC ）封装。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

73

最高结温。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 150

o

C

最大存储温度范围。。。。。。。。。。 -65

o

C至150

o

C

最大的铅温度（焊接10秒）。。。。。。。。。。。。。 300

o

C

（ SOIC - 只会提示）

工作条件

温度范围，T

A

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55

o

C至125

o

C

电源电压范围，V

CC

HC类型。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 .2V至6V

HCT类型。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 .4.5V至5.5V

DC输入或输出电压，V

I

, V

O

。。。。。。。。。。。。。。。。。 0V至V

CC

输入上升和下降时间

2V 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。最大1000ns （最大值）

4.5V 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。为500ns （最大值）

6V 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。为400ns （最大值）

注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作

该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。

注意：

1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。

直流电特定网络阳离子

TEST

条件

参数

HC类型

输入高电平

电压

V

IH

-

2

4.5

6

低电平输入

电压

V

IL

-

2

4.5

6

高电平输出

电压

CMOS负载

V

OH

V

IH

or

V

IL

-0.02

高电平输出

电压

TTL负载

低电平输出

电压

CMOS负载

V

OL

V

IH

or

V

IL

-6

-7.8

0.02

低电平输出

电压

TTL负载

输入漏

当前

I

V

CC

or

GND

6

7.8

-

2

4.5

6

4.5

6

2

4.5

6

4.5

6

1.5

3.15

4.2

-

1.9

4.4

5.9

3.98

5.48

-

0.5

1.35

1.8

-

0.1

0.26

±0.1

1.5

3.15

4.2

-

1.9

4.4

5.9

3.84

5.34

-

0.5

1.35

1.8

-

0.1

0.33

±1

1.5

3.15

4.2

-

1.9

4.4

5.9

3.7

5.2

-

0.5

1.35

1.8

-

0.1

0.4

±1

V

A

符号

V

I

(V)

I

O

（毫安）V

CC

(V)

民

25

o

C

典型值

最大

-40

o

C至85

o

C

民

最大

-55

o

C至125

o

C

民

最大

单位

3

CD54HC257 ， CD74HC257 ， CD54HCT257 ， CD74HCT257

直流电特定网络阳离子

（续）

TEST

条件

参数

静态器件

当前

三态泄漏

当前

HCT类型

输入高电平

电压

低电平输入

电压

高电平输出

电压

CMOS负载

高电平输出

电压

TTL负载

低电平输出

电压

CMOS负载

低电平输出

电压

TTL负载

输入漏

当前

静态器件

当前

其他静态

器件电流每

输入端子： 1机组负荷

三态泄漏

当前

注意：

2.对于双电源系统的理论最坏的情况下（V

I

= 2.4V, V

CC

= 5.5V ）规格1.8毫安。

I

CC

I

CC

（注2 ）

I

OZ

V

CC

to

GND

V

CC

or

GND

V

CC

-2.1

V

IL

or

V

IH

V

OL

V

IH

or

V

IL

V

IH

V

IL

V

OH

-

V

IH

or

V

IL

-

-0.02

4.5

5.5

4.5

5.5

4.5

2

-

4.4

-

0.8

-

2

-

4.4

-

0.8

-

2

-

4.4

-

0.8

-

V

符号

I

CC

I

OZ

V

I

(V)

V

CC

or

GND

V

IL

or

V

IH

I

O

（毫安）V

CC

(V)

0

-

6

民

-

25

o

C

典型值

-

最大

8

±0.5

-40

o

C至85

o

C

民

-

最大

80

±5

-55

o

C至125

o

C

民

-

最大

160

±10

单位

A

-6

4.5

3.98

-

3.84

-

3.7

-

V

0.02

4.5

-

0.1

-

0.1

-

0.1

V

6

4.5

-

0.26

-

0.33

-

0.4

V

0

-

5.5

4.5

5.5

-

100

±0.1

8

360

-

±1

80

450

-

±1

160

490

A

-

±0.5

-

±5

-

±10

A

HCT输入负载表

输入

数据

S

OE

单位负载

0.95

3

0.6

注：机组负荷为

I

CC

在直流电气限制特定网络版

特定网络阳离子表，例如，最大360μA 25

o

C.

4

CD54HC257 ， CD74HC257 ， CD54HCT257 ， CD74HCT257

交换特定网络阳离子

输入吨

r

, t

f

= 6ns的

TEST

条件

25

o

C

V

CC

(V)

典型值

最大

-40

o

C至85

o

C -55

o

C至125

o

C

最大

单位

参数

HC类型

传播延迟

在为Y

符号

t

PLH

, t

PHL

C

L

= 50pF的

2

4.5

-

12

-

14

-

12

-

45

150

30

-

26

175

35

-

30

150

30

-

26

60

12

10

20

-

190

38

-

33

220

44

-

37

190

38

-

33

75

15

13

10

20

-

225

45

-

38

265

53

-

45

225

45

-

38

90

18

15

10

20

-

ns

pF

C

L

= 15pF的

CL = 50pF的

传播延迟

S到

t

PLH

, t

PHL

C

L

= 50pF的

5

6

2

4.5

C

L

= 15pF的

CL = 50pF的

传播延迟

OE为Y

t

PLZ

, t

PHZ

,

t

PZL

, t

PZH

CL = 50pF的

C

L

= 50pF的

C

L

= 15pF的

CL = 50pF的

输出转换时间

t

TLH

, t

THL

C

L

= 50pF的

5

6

2

4.5

5

6

2

4.5

6

输入电容

三态输出

电容

功耗

电容

（注3,4）

HCT类型

传播延迟

在为Y

传播延迟

S到

传播延迟

OE为Y

输出转换时间

输入电容

三态输出

电容

功耗

电容

（注3,4）

注意事项：

C

I

C

O

C

PD

-

5

t

PLH

, t

PHL

C

L

= 50pF的

C

L

= 15pF的

4.5

5

4.5

5

4.5

5

4.5

-

5

-

13

-

12

-

16

-

45

33

-

38

-

30

-

12

10

20

-

41

-

48

-

38

-

15

10

20

-

50

-

57

-

45

-

18

10

20

-

ns

pF

t

PZL ，

t

PZH

C

L

= 50pF的

C

L

= 15pF的

t

PLZ

, t

PHZ

C

L

= 50pF的

C

L

= 15pF的

t

TLH

, t

THL

C

I

C

O

C

PD

C

L

= 50pF的

-

3. C

PD

被用于确定所述动态功耗，每个多路转换器。

4. P

D

= V

CC2

f

i

(C

PD

+ C

L

），其中F

i

=输入频率，C

L

=输出负载电容，V

CC

=电源电压。

5

从哈里斯半导体数据表收购

SCHS171

CD74HC257,

CD74HCT257

高速CMOS逻辑四路2输入

多路复用器与三态非反相输出

描述

哈里斯CD74HC257和CD74HCT257是四2输入

这两个来源选择4位数据多路复用器

下一个共同的选择输入（S）的控制。输出

使能输入（ OE ）为低电平有效。当OE为高电平时，所有的

的输出（ 1Y - 4Y ）处于高阻抗状态考虑以下各项

以下的所有其他的输入条件。

移动从两组寄存器的数据四种常见

输出总线是一种常用的257的状态

选择输入决定了特定的寄存器从

数据来源。它也可以用作函数发生器。

1997年11月

特点

缓冲输入

典型传播延迟（进行输出） =在为12ns

V

CC

= 5V ，C

L

= 15pF的，T

A

= 25

o

C

扇出（整个温度范围内）

- 标准输出。。。。。。。。。。。。。。。 10输入通道负载

- 公交驱动器输出。。。。。。。。。。。。。 15输入通道负载

宽工作温度范围。。。 -55

o

C至125

o

C

平衡传输延迟和转换时间

显着的功耗相比减少LSTTL

逻辑IC

HC类型

- 2V至6V工作

- 高抗噪性：不适用

IL

= 30%, N

IH

的V = 30 ％

CC

在V

CC

= 5V

HCT类型

- 4.5V至5.5V工作电压

- 直接输入通道输入逻辑兼容，

V

IL

= 0.8V （最大值），V

IH

= 2V （最小值）

- CMOS兼容输入，我

l

≤

1μA在V

OL

, V

OH

[ /标题

(CD74

HC257

,

CD74

HCT25

7)

/子

拍摄对象

（高

速度

CMOS

逻辑

四

2-Input

多

多路复用器

订购信息

产品型号

CD74HC257E

CD74HCT257E

CD74HC257M

CD74HCT257M

注意事项：

1，订货时，使用整个零件编号。添加SUF音响X 96

获得在磁带和卷轴的变种。

2.晶圆或死亡的这一部分数量可满足所有

电气规格。请联系您当地的销售办事处或

哈里斯的客户服务订购信息。

TEMP 。 RANGE

(

o

C)

-55至125

包

16 Ld的PDIP

16 Ld的SOIC

PKG 。

号

E16.3

M16.15

引脚

CD74HC257 ， CD74HC257

（ PDIP ， SOIC ）

顶视图

S 1

1I

0

2

1I

1

3

1Y 4

2I

0

5

2I

1

6

2Y 7

GND 8

16 V

CC

15 OE

14 4I

0

13 4I

1

12 4Y

11 3I

0

10 3I

1

9 3Y

注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。

版权

1997年哈里斯公司

网络文件编号

1650.1

1

CD74HC257 ， CD74HCT257

工作原理图

OE

S

15

1

4I

1

13

P

N

12

4Y

4I

0

14

3I

1

3I

0

2I

1

2I

0

1I

1

1I

0

10

11

6

5

3

2

3电路相同的电路

在上面DASHED外壳

9

3Y

7

2Y

4

1Y

真值表

产量

启用

OE

H

L

SELECT

输入

S

X

L

H

数据输入

I

0

X

L

H

X

I

1

X

L

H

产量

Y

Z

L

H

L

H

注意：

H =高电压等级

L =低电压等级

X =无关

Z =高阻抗，关闭状态

2

CD74HC257 ， CD74HCT257

绝对最大额定值

直流电源电压，V

CC

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.5V至7V

DC输入二极管电流，I

IK

对于V

I

< -0.5V或V

I

＆ GT ; V

CC

+ 0.5V

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 ± 20毫安

DC输出二极管电流，I

OK

对于V

O

< -0.5V或V

O

＆ GT ; V

CC

+ 0.5V

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 ± 20毫安

直流漏电流，每个输出，我

O

为-0.5V < V

O

＆ LT ; V

CC

+ 0.5V.

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 ± 35毫安

每个输出引脚的直流输出源或灌电流，我

O

对于V

O

> -0.5V或V

O

＆ LT ; V

CC

+ 0.5V

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 ± 25毫安

DC V

CC

或接地电流，I

CC

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 ± 70毫安

热信息

热电阻（典型，注3 ）

θ

JA

(

o

C / W ）

PDIP封装。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

90

SOIC封装。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

160

最高结温。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 150

o

C

最大存储温度范围。。。。。。。。。。 -65

o

C至150

o

C

最大的铅温度（焊接10秒）。。。。。。。。。。。。。 300

o

C

（ SOIC - 只会提示）

工作条件

温度范围，T

A

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55

o

C至125

o

C

电源电压范围，V

CC

HC类型。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 .2V至6V

HCT类型。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 .4.5V至5.5V

DC输入或输出电压，V

I

, V

O

。。。。。。。。。。。。。。。。。 0V至V

CC

输入上升和下降时间

2V 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。最大1000ns （最大值）

4.5V 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。为500ns （最大值）

6V 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。为400ns （最大值）

注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作

该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。

注意：

3.

θ

JA

测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。

直流电特定网络阳离子

TEST

条件

参数

HC类型

输入高电平

电压

V

IH

-

2

4.5

6

低电平输入

电压

V

IL

-

2

4.5

6

高电平输出

电压

CMOS负载

V

OH

V

IH

or

V

IL

-0.02

高电平输出

电压

TTL负载

低电平输出

电压

CMOS负载

V

OL

V

IH

or

V

IL

-6

-7.8

0.02

低电平输出

电压

TTL负载

输入漏

当前

I

V

CC

or

GND

6

7.8

-

2

4.5

6

4.5

6

2

4.5

6

4.5

6

1.5

3.15

4.2

-

1.9

4.4

5.9

3.98

5.48

-

0.5

1.35

1.8

-

0.1

0.26

±0.1

1.5

3.15

4.2

-

1.9

4.4

5.9

3.84

5.34

-

0.5

1.35

1.8

-

0.1

0.33

±1

1.5

3.15

4.2

-

1.9

4.4

5.9

3.7

5.2

-

0.5

1.35

1.8

-

0.1

0.4

±1

V

A

符号

V

I

(V)

I

O

（毫安）V

CC

(V)

民

25

o

C

典型值

最大

-40

o

C至85

o

C

民

最大

-55

o

C至125

o

C

民

最大

单位

3

CD74HC257 ， CD74HCT257

直流电特定网络阳离子

（续）

TEST

条件

参数

静态器件

当前

三态泄漏

当前

HCT类型

输入高电平

电压

低电平输入

电压

高电平输出

电压

CMOS负载

高电平输出

电压

TTL负载

低电平输出

电压

CMOS负载

低电平输出

电压

TTL负载

输入漏

当前

静态器件

当前

其他静态

器件电流每

输入端子： 1机组负荷

（注4 ）

三态泄漏

当前

注意：

4.对于双电源系统的理论最坏的情况下（V

I

= 2.4V, V

CC

= 5.5V ）规格1.8毫安。

I

CC

I

CC

V

CC

to

GND

V

CC

or

GND

V

CC

-2.1

V

OL

V

IH

or

V

IL

V

IH

V

IL

V

OH

-

V

IH

or

V

IL

-

-0.02

4.5

5.5

4.5

5.5

4.5

2

-

4.4

-

0.8

-

2

-

4.4

-

0.8

-

2

-

4.4

-

0.8

-

V

符号

I

CC

I

OZ

V

I

(V)

V

CC

or

GND

V

IL

or

V

IH

I

O

（毫安）V

CC

(V)

0

-

6

民

-

25

o

C

典型值

-

最大

8

±0.5

-40

o

C至85

o

C

民

-

最大

80

±5

-55

o

C至125

o

C

民

-

最大

160

±10

单位

A

-6

4.5

3.98

-

3.84

-

3.7

-

V

0.02

4.5

-

0.1

-

0.1

-

0.1

V

6

4.5

-

0.26

-

0.33

-

0.4

V

0

-

5.5

4.5

5.5

-

100

±0.1

8

360

-

±1

80

450

-

±1

160

490

A

I

OZ

V

IL

or

V

IH

-

5.5

-

±0.5

-

±5

-

±10

A

HCT输入负载表

输入

数据

S

OE

单位负载

0.95

3

0.6

注：机组负荷为

I

CC

在直流电气限制特定网络版

特定网络阳离子表，例如，最大360μA 25

o

C.

4

CD74HC257 ， CD74HCT257

交换特定网络阳离子

输入吨

r

, t

f

= 6ns的

TEST

条件

25

o

C

V

CC

(V)

典型值

最大

-40

o

C至85

o

C -55

o

C至125

o

C

最大

单位

参数

HC类型

传播延迟

在为Y

符号

t

PLH

, t

PHL

C

L

= 50pF的

2

4.5

-

12

-

14

-

12

-

45

150

30

-

26

175

35

-

30

150

30

-

26

60

12

10

20

-

190

38

-

33

220

44

-

37

190

38

-

33

75

15

13

10

20

-

225

45

-

38

265

53

-

45

225

45

-

38

90

18

15

10

20

-

ns

pF

C

L

= 15pF的

CL = 50pF的

传播延迟

S到

t

PLH

, t

PHL

C

L

= 50pF的

5

6

2

4.5

C

L

= 15pF的

CL = 50pF的

传播延迟

OE为Y

t

PLZ

, t

PHZ

,

t

PZL

, t

PZH

CL = 50pF的

C

L

= 50pF的

C

L

= 15pF的

CL = 50pF的

输出转换时间

t

TLH

, t

THL

C

L

= 50pF的

5

6

2

4.5

5

6

2

4.5

6

输入电容

三态输出

电容

功耗

电容

（注5,6）

HCT类型

传播延迟

在为Y

传播延迟

S到

传播延迟

OE为Y

输出转换时间

输入电容

三态输出

电容

功耗

电容

（注5,6）

注意事项：

C

I

C

O

C

PD

-

5

t

PLH

, t

PHL

C

L

= 50pF的

C

L

= 15pF的

4.5

5

4.5

5

4.5

5

4.5

-

5

-

13

-

12

-

16

-

45

33

-

38

-

30

-

12

10

20

-

41

-

48

-

38

-

15

10

20

-

50

-

57

-

45

-

18

10

20

-

ns

pF

t

PZL ，

t

PZH

C

L

= 50pF的

C

L

= 15pF的

t

PLZ

, t

PHZ

C

L

= 50pF的

C

L

= 15pF的

t

TLH

, t

THL

C

I

C

O

C

PD

C

L

= 50pF的

-

5. C

PD

被用于确定所述动态功耗，每个多路转换器。

6. P

D

= V

CC2

f

i

(C

PD

+ C

L

），其中F

i

=输入频率，C

L

=输出负载电容，V

CC

=电源电压。

5